JP6263210B2 - めっき装置及びめっき方法 - Google Patents
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Description
に保持される前の基板に行われ、基板ホルダに保持された基板に対してプリウェット処理が行われる。したがって、めっき処理の状況によっては、基板の搬送を速やかに行うことができず、アッシングを行った直後にプリウェット処理を行うことができない場合がある。このため、基板毎にアッシング処理からプリウェット処理までの時間が異なることがある。その結果、基板毎に、親水性の程度にバラつきが生じる虞がある。
することができる。
ることができる。
以下、本発明の第1実施形態に係るめっき装置について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
後、基板搬送装置22は、載置プレート52を水平方向にスライドさせて、他方の基板ホルダ60と基板の受渡しを行う。
り出された基板は、スピンリンスドライヤ16で洗浄及び乾燥され、カセット10に収納される。
0で基板Wを保持したときに基板Wの表面外周部及び第1保持部材65に圧接されるシール部材70が取付けられている。シール部材70は、基板Wの表面をシールするリップ部70aと、第1保持部材65の表面をシールするリップ部70bとを有する。即ち、シール部材70は、基板の周縁部と第1保持部材65の面との間を封止するように構成される。
おいて基板Wに行う前処理を示すフロー図である。図4A、図4B、及び図5を参照しつつ、本実施形態のプリウェット槽26及びプリウェット槽26で行われる前処理について具体的に説明する。
れてからの経過時間に応じて適切に決定され得る。紫外線の照射時間が10秒を下回ると、基板W表面に付着した疎水性の有機物を十分除去することができない虞がある。また、紫外線の照射時間が3分を超えると、基板W表面のレジストが灰化してしまう虞がある。なお、本実施形態では、紫外線の照射を大気中で行っているが、例えば、オゾン雰囲気中又は酸素雰囲気中で行うこともできる。ここで、オゾン雰囲気とは、積極的にオゾンを導入した雰囲気をいい、酸素雰囲気とは、積極的に酸素を導入した雰囲気をいう。ただし、オゾン雰囲気中及び酸素雰囲気では、紫外線の作用で発生する活性酸素の量が多くなるので、レジスト自体が分解(灰化)される虞がある。このため、オゾン雰囲気及び酸素雰囲気における基板W表面への紫外線の照射時間は、大気雰囲気での紫外線照射時間に比べて短くされることが望ましい。また、レジスト自体が灰化することを防止するためには、大気雰囲気又は後述する真空雰囲気において紫外線を基板Wに照射することが望ましい。
理を同時に行ってもよい。この場合は、紫外線照射のみを行っている間は、前処理液に紫外線が吸収されることを防止して基板Wの洗浄及び改質を効率よく行うことができ、紫外線照射と親水処理とを同時に行っている間は、前処理液を殺菌することができる。
以下、本発明の第2実施形態に係るめっき装置について図面を参照して説明する。第2実施形態にかかるめっき装置は、第1実施形態に係るめっき装置と比べて、プリウェット槽26の構成のみが異なり、他の構成は同一である。したがって、プリウェット槽26のみを説明し、他の構成の説明は省略する。
された基板Wには、後段のプロセスが行われる。
以下、本発明の第3実施形態に係るめっき装置について図面を参照して説明する。第3実施形態にかかるめっき装置は、第1実施形態に係るめっき装置と比べて、プリウェット槽26の構成のみが異なり、他の構成は同一である。したがって、プリウェット槽26のみを説明し、他の構成の説明は省略する。
行われる前処理について具体的に説明する。
い。
以下、本発明の第4実施形態に係るめっき装置について図面を参照して説明する。第4実施形態にかかるめっき装置は、第1実施形態に係るめっき装置と比べて、プリウェット槽26の構成のみが異なり、他の構成は同一である。したがって、プリウェット槽26のみを説明し、他の構成の説明は省略する。
26…プリウェット槽
34…めっき槽
45…制御部
60…基板ホルダ
65…第1保持部材
65a…連通孔
70…シール部材
81…槽本体
83…紫外線照射装置
84…蓋
85…カバー
100…前処理液循環系
102…ポンプ
107…液導入配管
109…真空配管
109a…真空ポンプ
Claims (17)
- レジストパターンを有する基板にめっき処理を行うめっき装置であって、
前記基板の被めっき面に前処理液を接触させて親水処理を行う前処理槽と、
前記親水処理が行われた基板にめっき処理を行うめっき槽と、を有し、
前記前処理槽は、前記前処理液を前記前処理槽内に供給する前処理液供給装置と、前記基板の被めっき面に紫外線を照射する紫外線照射装置を有する、めっき装置。 - 請求項1に記載されためっき装置において、
前記前処理液供給装置と前記紫外線照射装置を制御する制御部を有し、
前記制御部は、前記基板への紫外線の照射を開始した後に前記前処理液を前記基板に接触させるように、前記紫外線照射装置と前記前処理液供給装置を制御する、めっき装置。 - 請求項1又は2に記載されためっき装置において、
前記前処理液供給装置と前記紫外線照射装置を制御する制御部を有し、
前記制御部は、前記基板への紫外線の照射と、前記基板への前記前処理液の接触が少なくとも部分的に同時に行われるように、前記紫外線照射装置と前記前処理液供給装置を制御する、めっき装置。 - 請求項2又は3に記載されためっき装置において、
前記紫外線照射装置は、大気雰囲気又は真空雰囲気において前記基板の被めっき面に紫外線を照射するように構成される、めっき装置。 - 請求項4に記載されためっき装置において、
前記前処理槽を封止する蓋と、
前記前処理槽内を排気する排気装置と、を有し、
前記制御部は、真空雰囲気において前記基板の被めっき面に前処理液を接触させるように、前記排気装置及び前記前処理液供給装置を制御するように構成される、めっき装置。 - 請求項4に記載されためっき装置において、
前記前処理槽内を排気する排気装置と、
前記基板の被めっき面が露出するように前記基板を保持する基板ホルダと、を有し、
前記基板ホルダは、前記基板の被めっき面が露出される側に設けられ、前記前処理槽の開口部を封止する封止面と、前記基板の周縁部と前記封止面との間を封止するシール部材と、を有し、
前記基板ホルダが前記前処理槽の開口部を封止した状態において、前記基板の被めっき面は前記前処理槽の内部に露出され、
前記制御部は、前記基板ホルダが前記前処理槽の開口部を封止した状態で、前記前処理槽内を排気するように前記排気装置を制御する、めっき装置。 - 請求項6に記載されためっき装置において、
前記基板ホルダが前記前処理槽の開口部を封止した状態において、前記基板が水平に対して傾斜するように、前記基板ホルダが前記前処理槽の開口部に配置される、めっき装置。 - 請求項1ないし4のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記基板は、被めっき面が露出するように基板ホルダに保持され、
前記めっき装置は、さらに、
前記前処理槽内に配置され、前記基板ホルダと接触して前記基板を密閉して覆うように構成されたカバーと、
前記カバーの内部を排気する排気装置と、を有し、
前記紫外線照射装置は、前記カバーに設けられ、
前記前処理液供給装置は、前記カバー内部に前記前処理液を供給するように構成される、めっき装置。 - レジストパターンを有する基板を前処理槽内に配置する工程と、
前記前処理槽内で、前記基板の被めっき面に紫外線を照射して前記基板の表面の洗浄及び改質を行う洗浄改質工程と、
前記前処理槽内で、前記基板の被めっき面に前処理液を接触させて前記基板表面を親水処理する親水工程と、
表面が前記洗浄及び改質、並びに親水処理された前記基板にめっき処理を行うめっき工程と、を有する、めっき方法。 - 請求項9に記載されためっき方法において、
前記親水工程は、前記洗浄改質工程を開始した後に前記基板を前記前処理槽から取り出すことなく実施される、めっき方法。 - 請求項9又は10に記載されためっき方法において、
前記洗浄改質工程と前記親水工程は、少なくとも部分的に同時に実施される、めっき方法。 - 請求項9ないし11のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記洗浄改質工程は、大気雰囲気又は真空雰囲気で前記基板の被めっき面に紫外線を照射する工程を含む、めっき方法。 - 請求項12に記載されためっき方法において、
前記前処理槽に前記基板を配置した後、前記前処理槽を封止する工程と、
前記前処理槽を封止した後、前記前処理槽内を排気する工程と、を有し、
前記親水工程は、真空雰囲気で前記基板の被めっき面に前処理液を接触させる工程を含む、めっき方法。 - 請求項13に記載されためっき方法において、
前記基板の周縁部をシールし、前記基板の被めっき面が露出するように前記基板を基板ホルダで保持する工程を有し、
前記親水工程は、前記基板の被めっき面を前記前処理液に浸漬し、且つ前記基板ホルダの内部空間と前記前処理液の外とを連通させるように、前記基板を前処理液に浸漬する工程を含む、めっき方法。 - 請求項12に記載されためっき方法において、
前記基板の被めっき面が露出するように前記基板を基板ホルダで保持する工程と、
前記前処理槽に設けられた開口部を前記基板ホルダで封止する封止工程と、
前記開口部を封止した状態で、前記前処理槽内を排気する工程と、を有する、めっき方法。 - 請求項15に記載されためっき方法において、
前記封止工程は、前記基板が水平に対して傾斜するように、前記基板ホルダを前記開口部に配置して、前記開口部を封止する工程を含む、めっき方法。 - 請求項9ないし12のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記基板の被めっき面が露出するように前記基板を基板ホルダで保持する工程と、
前記基板を密閉して覆うように、カバーを前記基板ホルダに接触させる工程と、
前記カバーの内部を排気する工程と、を有し、
前記洗浄改質工程は、前記カバー内の前記基板の被めっき面に紫外線を照射して前記基板の表面の洗浄及び改質を行う工程を含み、
前記親水工程は、前記カバー内で、前記基板の被めっき面に前処理液を接触させて前記基板表面を親水処理する工程を含む、めっき方法。
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