JP2005317817A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 処理容器2上部に設けられた乾燥フィルタ1により大気の水分を除去し、処理容器2内に乾燥空気を導入する。処理容器2内に導入された乾燥空気は排気ライン11から排気される。処理容器2に乾燥空気の流れを発生させた後、回転ステージ7により基板5を回転させながら、処理容器2側壁を貫通する供給ノズル3から基板5上に吸湿により性能が劣化する薬液6を供給することにより、基板5の薬液処理を行う。
【選択図】 図1
Description
その一例として、薬液中に生成した水分を脱水モジュールを用いて連続的に除去し、これにより薬液濃度の低下を抑制する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
また、処理槽内を加湿することにより有機溶剤中の水分含有量を一定にする方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。
しかしながら、有機溶剤は空気中の水蒸気を吸湿する性質を有する。よって、時間経過に伴い薬液中の水分濃度が上昇し、上記成分が解離してイオンの放出が徐々に起こってしまう。吸湿により薬液の性能が劣化してしまうため、薬液の交換時期が早くなり、半導体装置の製造コストが増加してしまうという問題があった。
有機溶剤を含有する薬液は、従来の薬液に比べ高価であるため、上記製造コストの問題は顕著であり、薬液の長寿命化が望まれている。また、枚葉式の処理装置では水平保持された基板上を薬液が連続して流れて大気に暴露されるため、特に、直径300mmの大口径の基板では顕著である。
処理室と、
前記処理室内で前記基板を回転可能に水平保持する保持機構と、
前記処理室内に大気圧の乾燥空気を導入する乾燥空気導入機構と、
前記処理室内に供給された乾燥空気を排出する排気機構と、
前記基板上に薬液を供給する薬液供給機構とを備えたことを特徴とするものである。
開口部を有する処理室と、
前記処理室内で前記基板を回転可能に水平保持する保持機構と、
前記開口部を密閉可能に設けられ、前記処理室外の大気から水分を除去し、該水分が除去された乾燥空気を前記処理室内に導入する乾燥フィルタと、
前記処理室内に導入された乾燥空気を排出する排気機構と、
前記基板上に薬液を供給する薬液供給機構とを備えたことを特徴とするものである。
処理室内に前記基板を保持する工程と、
前記基板を保持した後、前記処理室内を乾燥空気の雰囲気に置換する工程と、
前記乾燥空気の雰囲気に置換した後、前記基板を回転させながら、吸湿により性能が劣化する有機溶剤を含有する薬液を前記基板上に供給することにより、前記基板を薬液処理する工程と、
前記薬液処理が終了した後、前記基板を回転させながら、前記基板上に純水を供給することにより、前記基板を洗浄する工程と、
前記洗浄が終了した後、前記基板を回転させることにより前記基板を乾燥する工程とを含むことを特徴とするものである。
図1に示すように、処理室2としての処理容器の上部には開口部が設けられており、この開口部が上下動する乾燥フィルタ1により塞がれる機構を有する。乾燥フィルタ1は、大気圧の乾燥空気を処理容器2内に導入するものであり、換言すれば、処理容器2外部の大気から水分(水蒸気)のみを除去し、該水分が除去された乾燥空気を処理容器2内に導入するものである。よって、乾燥フィルタ1は、従来から用いられているパーティクル除去用の清浄フィルタとは異なるものである。
また、乾燥フィルタ1は、吸湿能力の経時変化を考慮して、定期的に交換すればよい。乾燥フィルタ1全体でなく、ケース内の乾燥剤のみを定期的に交換することもできる。
基板5は、回転ステージ7上に設けられた基板固定ピン4により固定されている。
乾燥フィルタ1を介して処理容器2内に導入された乾燥空気は、処理容器2底部の排気ライン8から排出される。これにより、薬液処理時に処理容器2内に乾燥空気の流れを生じさせることができる。排気ライン11の排気速度は、処理容器2内外の圧力が同じ圧力(すなわち大気圧)となるように開閉弁(図示せず)の操作等により調節される。
また、排水ライン8は配管を介してタンク12及び濾過フィルタ13に連通されている。基板5の処理後、その処理に用いられた薬液6は排水ライン8を通ってタンク12に一旦回収される。タンク12内の薬液は、図示しないポンプにより吸い上げられ、濾過フィルタ13によって濾過された後、供給ノズル3から基板5上に再度供給される。このように、薬液6は、その性能が劣化しない一定期間循環して使用される。なお、吸湿により薬液性能が低下した場合は交換以外の手法はないが、成分(エッチャント)の濃度低下の場合には、その成分を補充手段14により補充することにより薬液を継続使用できる。
図2は、薬液中に含まれる成分(エッチャント)の解離度と、薬液中の水分含有量との関係を示す図である。すなわち、図2は、エッチャント解離度の水添加量依存性を示す図である。図2に示すように、薬液中の水分含有量が少し増加しただけで、エッチャントの解離度が急激に上昇することが分かる。解離度が上昇した結果、薬液性能上好ましくないイオンが放出されるため、薬液の性能が劣化してしまう。よって、少量の水分を含有した薬液は、交換する必要がある。上記基板処理装置では、乾燥フィルタ1を用いて薬液6の吸湿を抑制することにより、薬液6の長寿命化を達成することができる。
薬液6の一例として、フッ化水素(HF)を有機溶剤に溶解させたものを用いることができる。この薬液は、半導体基板上にシリコン酸化膜を介して形成されたHfSiOx膜(Hfシリケート膜)のようなシリコン系膜をウェットエッチングする場合に用いることができる。この場合、薬液が空気中の水分を吸湿することにより、フッ化水素分子(HF)が解離してフッ化水素イオン(HF2 −)が生成し、このフッ化水素イオンにより下地のシリコン酸化膜がエッチングされるという不良が生じる。このウェットエッチングに上記基板処理装置を適用することにより、薬液6の吸湿を抑制することができるため、高い下地選択比でシリコン系膜をウェットエッチング可能である。
先ず、乾燥フィルタ1が上昇した状態で、処理容器2内に基板5を搬入して、固定ピン4により基板5を回転ステージ7上に保持する。
その後、駆動機構により乾燥フィルタ1を下降させて処理容器2の開口部を塞ぐ。乾燥フィルタ1の上下動に関わらず、排気ライン11を通じて処理容器2内の空気は排気されている。よって、乾燥フィルタ1により水分が除去された乾燥空気が処理容器2内を通って排気ライン11から排気されるという乾燥空気の流れが生じる。処理容器2内は乾燥空気の雰囲気に短時間で置換される。
水洗処理終了後、純水の供給を終了し、基板5を継続して回転させることにより、振り切り乾燥を行う。
振り切り乾燥終了後、基板5の回転を停止し、駆動機構により乾燥フィルタ1を上昇させる。その後、回転ステージ7を上昇させ、基板5を搬出する。
また、排気ライン11を排水ライン8から分岐して設けているが、排気ライン11と排水ライン8とを別個に設けることもできる。
図3は、本実施の形態の変形例による基板処理装置を説明するための概略断面図である。
本変形例と、上記実施の形態との相違点は、処理容器2の側壁に基板搬送用の開口を設け、この開口を開閉するゲート20を設けた点である。
上記実施の形態では、処理容器2上部の開口部を基板搬送用の開口として用いていたため、基板5搬送時に乾燥フィルタ1を上下動させる必要があった。一方、本変形例では、基板5搬送時にゲート20の開閉を行えばよいため、乾燥フィルタ1の上下動は不要となる。従って、実施の形態で得られる効果に加えて、パーティクルの発生を抑制することが可能となる。さらに、乾燥フィルタ1の上下動を無くすと共に、回転ステージ7の上昇を少なくすることができるため、基板5搬送に要する時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
2 処理室(処理容器)
3 供給ノズル
4 固定ピン
5 基板
6 薬液
7 回転ステージ
8 排水ライン
9 回転駆動軸
10 シール材
11 排気ライン
12 タンク
13 濾過フィルタ
14 補充手段
20 ゲート
Claims (5)
- 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
処理室と、
前記処理室内で前記基板を回転可能に水平保持する保持機構と、
前記処理室内に大気圧の乾燥空気を導入する乾燥空気導入機構と、
前記処理室内に供給された乾燥空気を排出する排気機構と、
前記基板上に薬液を供給する薬液供給機構とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記乾燥空気導入機構は、前記処理室外の大気から水分を除去して乾燥空気を生成する乾燥フィルタを有することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
開口部を有する処理室と、
前記処理室内で前記基板を回転可能に水平保持する保持機構と、
前記開口部を密閉可能に設けられ、前記処理室外の大気から水分を除去し、該水分が除去された乾燥空気を前記処理室内に導入する乾燥フィルタと、
前記処理室内に導入された乾燥空気を排出する排気機構と、
前記基板上に薬液を供給する薬液供給機構とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から3の何れかに記載の基板処理装置において、
前記薬液供給機構は、前記処理室の側壁を貫通して設けられた供給ノズルを有することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
処理室内に前記基板を保持する工程と、
前記基板を保持した後、前記処理室内を乾燥空気の雰囲気に置換する工程と、
前記乾燥空気の雰囲気に置換した後、前記基板を回転させながら、吸湿により性能が劣化する有機溶剤を含有する薬液を前記基板上に供給することにより、前記基板を薬液処理する工程と、
前記薬液処理が終了した後、前記基板を回転させながら、前記基板上に純水を供給することにより、前記基板を洗浄する工程と、
前記洗浄が終了した後、前記基板を回転させることにより前記基板を乾燥する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
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JP2004135032A JP2005317817A (ja) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2009147962A1 (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP2009295803A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
US8122899B2 (en) | 2006-07-12 | 2012-02-28 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
-
2004
- 2004-04-30 JP JP2004135032A patent/JP2005317817A/ja active Pending
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TWI394210B (zh) * | 2008-06-05 | 2013-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 液體處理裝置及液體處理方法 |
US8617318B2 (en) | 2008-06-05 | 2013-12-31 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
US9564347B2 (en) | 2008-06-05 | 2017-02-07 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
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