TW201523163A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理方法，係由在表層硬化之抗蝕劑內配置有圖案之基板去除上述抗蝕劑者，其包括：SPM供給步驟，係將藉由使硫酸與過氧化氫水混合而生成之SPM供給至基板；與液溫上升步驟，係與上述SPM供給步驟並行地對用於SPM生成之硫酸與過氧化氫水之混合比進行變更，藉此使上述SPM供給步驟中供給至基板之SPM之液溫上升。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對象之基板例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，係進行將不需要之抗蝕劑由半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等之基板予以去除的抗蝕劑剝離步驟。
於日本專利特開2008-4878號公報中，揭示有藉由將高溫之SPM(硫酸-過氧化氫混合液Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture)供給至基板，將因離子注入而表層硬化之抗蝕劑由基板去除的方法。
於日本專利特開2008-209542號公報中，揭示有藉由基板加熱使抗蝕劑之硬化層破裂(爆裂，popping)，藉乾式蝕刻去除表層硬化之抗蝕劑的方法。
一般之抗蝕劑係含有感光性樹脂與溶劑。若對由因硬化 表層而使內部密閉之抗蝕劑所被覆的基板進行急遽加熱，則抗蝕劑內部之溶劑瞬間氣化，抗蝕劑之內壓急遽提高。因此，因內壓之急遽上升而抗蝕劑之硬化層破裂，難以剝離之硬化層被破壞。然而，在於此種抗蝕劑內部配置有圖案的情況(例如，參照圖7)，將有因硬化層破裂時所產生之衝擊，使圖案受到損傷之虞。在藉SPM供給去除抗蝕劑時，可認為若使供給至基板之SPM溫度降低，可抑制或防止抗蝕劑的破裂。然而，若降低SPM溫度，則SPM之剝離能力降低，故有無法由基板確實去除抗蝕劑之虞。
因此，本發明目的在於提供一種可抑制或防止圖案損傷 之發生，並可由在表層硬化之抗蝕劑內配置有圖案的基板去除抗蝕劑的基板處理方法及基板處理裝置。
本發明提供一種基板處理方法，係由在表層硬化之抗蝕 劑內配置有圖案之基板去除上述抗蝕劑者，其包括：SPM供給步驟，係將藉由使硫酸與過氧化氫水混合而生成之SPM供給至基板；與液溫上升步驟，係與上述SPM供給步驟並行地對用於SPM生成之硫酸與過氧化氫水之混合比進行變更，藉此使上述SPM供給步驟中供給至基板之SPM之液溫上升。
根據此方法，藉由混合硫酸與過氧化氫水，而生成 SPM。然後，所生成之SPM係供給至由表層硬化且內部未硬化之抗蝕劑所被覆的基板。用於SPM生成的硫酸與過氧化氫水的混合比，係在進行SPM對基板之供給時被變更，藉此，供給至基板之SPM之液溫上升至適合於抗蝕劑剝離的剝離溫度。位於抗蝕劑表層之硬化層，係與液溫上升之SPM進行反應。藉此，在SPM液溫上升的過程中，於硬化層形成連接抗蝕劑內部及外部的孔。從而，即使抗蝕劑之非硬化 層發生氣化，氣化成分仍經由硬化層之孔而排出，故抗蝕劑內壓不易上升。因此，相較於在起初即對基板供給剝離溫度之SPM的情形，本發明不易發生抗蝕劑破裂(硬化層破裂)。藉此，可於抑制或防止配置於抗蝕劑內之圖案的損傷之下，由基板去除抗蝕劑。
本發明之一實施形態中，進一步包括：加熱步驟，係在 上述SPM供給步驟前，藉由將基板加熱，使基板溫度接近上述液溫上升步驟之開始時之SPM液溫。
根據此方法，在將SPM供給至基板前加熱基板，使基 板溫度接近在對基板開始供給SPM時之SPM液溫(初期溫度)。從而，可防止因SPM供給開始而抗蝕劑溫度急遽上升的情形。因此，即使在SPM初期溫度較高的情況，仍可抑制或防止SPM供給開始時抗蝕劑內壓急遽提高的情形。如此，可抑制或防止因抗蝕劑之破裂所引起的圖案損傷發生。
另外，上述方法亦可進一步包括：抗靜電液供給步驟， 係在上述SPM供給步驟前，將電阻率較SPM大之導電性之抗靜電液供給至基板。
根據此方法，在SPM供給至基板前對基板供給電氣流 通的抗靜電液。因此，在基板呈帶電的情況，電荷由基板移動至抗靜電液，將電荷由基板去除。尤其是由於抗靜電液之電阻率較SPM之電阻率大，故電荷由基板緩慢移動至抗靜電液。因此，可防止因急遽之電荷移動所造成之發熱傷及形成於基板之裝置的情形。藉此，可抑制或防止基板的品質降低。
上述方法亦可進一步包括：過氧化氫水供給步驟，係在 上述抗靜電液供給步驟之後且上述SPM供給步驟之前，對基板供給過 氧化氫水，藉此沖洗殘留於基板的抗靜電液。
根據此方法，在抗靜電液被供給至基板後將過氧化氫水供給至基板。其後，將SPM供給至基板。殘留於基板之抗靜電液係藉由過氧化氫水之供給而由基板去除。從而，SPM係依抗靜電液殘留量減少的狀態下供給至基板。因此，可抑制或防止SPM及抗靜電液在基板上混合、使SPM性質大幅變化的情形。又，可抑制或防止SPM及抗靜電液僅在基板之一部分區域混合、使SPM濃度均勻降低的情形。如此，可抑制或防止基板品質降低。
上述過氧化氫水供給步驟係將較上述液溫上升步驟開始時之SPM液溫更低溫之過氧化氫水供給至基板的步驟；上述基板處理方法亦可進一步包括：加熱步驟，係與上述過氧化氫水供給步驟並行，藉由將基板及基板上之過氧化氫水加熱，使基板溫度接近上述液溫上升步驟之開始時之SPM液溫。
根據此方法，在將抗靜電液供給至基板後，將較SPM之初期溫度(對基板之SPM供給開始時之SPM液溫)更低溫之過氧化氫水供給至基板。然後，在過氧化氫水保持於基板時加熱基板，使基板溫度接近SPM初期溫度。從而，可抑制或防止因SPM供給開始而抗蝕劑溫度急遽上升的情形。如此，可抑制或防止因抗蝕劑破裂所引起的圖案損傷發生。
本發明之其他實施形態中，上述SPM供給步驟係包括：將硫酸經由硫酸配管供給至混合部，並且將過氧化氫水經由過氧化氫水配管供給至上述混合部，將在上述混合部使硫酸與過氧化氫水混合而生成的SPM，供給至上述基板的步驟；上述基板處理方法係進一步包括：在上述SPM供給步驟之實行結束後，經由上述過氧化氫水配管 將過氧化氫水供給至上述混合部，藉此將過氧化氫水供給至上述基板的過氧化氫水供給步驟；與在上述過氧化氫水供給步驟之實行結束後，對上述過氧化氫水配管之內部進行吸引的吸引步驟。
根據此方法，在將SPM供給至基板時，硫酸係於硫酸 配管內部流通而供給至混合部，同時，過氧化氫水係於過氧化氫水配管內部流通而供給至混合部。然後，將在混合部所生成之SPM供給至基板。
另外，在將過氧化氫水供給至基板時，係不對混合部供 給硫酸，僅有過氧化氫水於過氧化氫水配管內部流通而供給至混合部。然後，對基板供給過氧化氫水。
在過氧化氫水之供給結束後，吸引存在於過氧化氫水配 管內部的過氧化氫水。藉此，由過氧化氫水配管內排除全部或一部分之過氧化氫水。其結果，過氧化氫水配管內之過氧化氫水的前端面後退。
由於過氧化氫水配管內之過氧化氫水的前端面後退，故 在下次SPM供給開始時，硫酸較SPM更早供給至基板。藉此，於下次SPM供給開始時，可確實防止過氧化氫水之先行供給。從而，不致導致SPM消費量增加或產能降低，可確實防止過氧化氫水對基板的先行供給。
若比較硫酸與過氧化氫水，於疏水性基板上之濕潤性方面係硫酸較高。因此，在SPM供給開始時使硫酸先流出者將使其於基板上容易擴展。若液體未擴展而形成液滴狀(成為球狀)，則產生氣液界面，於此部分成為顆粒之增大或水痕的原因，但本發明可防止此情形。此外，即使在基板表面顯示疏水性的情況，仍可抑制或防止基板表面 之顆粒發生。
上述SPM供給步驟，亦可包括：閥同時打開步驟，係 同時打開用於開關上述硫酸配管之硫酸閥、與用於開關上述過氧化氫水配管之過氧化氫水閥。
根據此方法，於下次SPM供給開始時，硫酸閥與過氧 化氫水閥同時打開，但在前次SPM供給結束後，過氧化氫水配管內之過氧化氫水之前端面後退，故硫酸較SPM更早供給至基板。藉此，可更確實防止過氧化氫水對基板的先行供給。
本發明提供一種基板處理裝置，係由在表層硬化之抗蝕 劑內配置有圖案之基板去除上述抗蝕劑者，其包括：SPM生成單元，係藉由將硫酸與過氧化氫水混合而生成SPM；SPM供給單元，係將藉由上述SPM生成單元所生成之SPM供給至基板；混合比變更單元，係將用於SPM生成之硫酸與過氧化氫水之混合比進行變更；與控制裝置，係控制上述SPM生成單元、SPM供給單元、及混合比變更單元。
上述控制裝置係實行：SPM供給步驟，係將藉由使硫酸 與過氧化氫水於上述SPM生成單元中混合而生成之SPM，藉由上述SPM供給單元供給至基板；與液溫上升步驟，係與上述SPM供給步驟並行地，藉由上述混合比變更單元將用於SPM生成之硫酸與過氧化氫水之混合比進行變更，藉此使上述SPM供給步驟中供給至基板之SPM之液溫上升。
根據此構成，藉由混合硫酸與過氧化氫水，而生成 SPM。然後，所生成之SPM係供給至由表層硬化且內部未硬化之抗蝕劑所被覆的基板。用於SPM生成的硫酸與過氧化氫水的混合比，係在進行SPM對基板之供給時被變更，藉此，供給至基板之SPM之液溫 上升至適合於抗蝕劑剝離的剝離溫度。位於抗蝕劑表層之硬化層，係與液溫上升之SPM進行反應。藉此，在SPM液溫上升的過程中，於硬化層形成連接抗蝕劑內部及外部的孔。從而，即使抗蝕劑之非硬化層發生氣化，氣化成分仍經由硬化層之孔而排出，故抗蝕劑內壓不易上升。因此，相較於在起初即對基板供給剝離溫度之SPM的情形，本發明不易發生抗蝕劑破裂(硬化層破裂)。藉此，可於抑制或防止配置於抗蝕劑內之圖案的損傷之下，由基板去除抗蝕劑。
本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置進一步包 括：對基板進行加熱的加熱單元；上述控制裝置係進一步實行：在上述SPM供給步驟前，使上述加熱單元加熱基板，藉此使基板溫度接近上述液溫上升步驟之開始時之SPM液溫的加熱步驟。
根據此構成，藉由此方法，在將SPM供給至基板前加 熱基板，使基板溫度接近在對基板開始供給SPM時之SPM液溫(初期溫度)。從而，可防止因SPM供給開始而抗蝕劑溫度急遽上升的情形。 因此，即使在SPM初期溫度較高的情況，仍可抑制或防止SPM供給開始時抗蝕劑內壓急遽提高的情形。如此，可抑制或防止因抗蝕劑之破裂所引起的圖案損傷發生。
上述基板處理裝置係進一步包括：抗靜電液供給單元， 係將電阻率較SPM大之導電性之抗靜電液供給至基板；上述控制裝置亦可進一步實行：在上述SPM供給步驟前，將電阻率較SPM大之導電性之抗靜電液藉由上述抗靜電液供給單元供給至基板的抗靜電液供給步驟。
根據此構成，在SPM供給至基板前對基板供給電氣流 通的抗靜電液。因此，在基板呈帶電的情況，電荷由基板移動至抗靜 電液，將電荷由基板去除。尤其是由於抗靜電液之電阻率較SPM之電阻率大，故電荷由基板緩慢移動至抗靜電液。因此，可防止因急遽之電荷移動所造成之發熱傷及形成於基板之裝置的情形。藉此，可抑制或防止基板的品質降低。
上述基板處理裝置係進一步包括：將過氧化氫水供給至 基板的過氧化氫水供給單元；上述控制裝置亦可進一步實行：過氧化氫水供給步驟，係在上述抗靜電液供給步驟之後且上述SPM供給步驟之前，使上述過氧化氫水供給單元對基板供給過氧化氫水，藉此沖洗殘留於基板的抗靜電液。
根據此構成，在抗靜電液被供給至基板後將過氧化氫水 供給至基板。其後，將SPM供給至基板。殘留於基板之抗靜電液係藉由過氧化氫水之供給而由基板去除。從而，SPM係依抗靜電液殘留量減少的狀態下供給至基板。因此，可抑制或防止SPM及抗靜電液在基板上混合、使SPM性質大幅變化的情形。又，可抑制或防止SPM及抗靜電液僅在基板之一部分區域混合、使SPM濃度均勻降低的情形。 如此，可抑制或防止基板品質降低。
上述基板處理裝置係進一步包括對基板進行加熱的加熱單元；上述過氧化氫水供給單元係將較上述液溫上升步驟開始時之SPM液溫更低溫之過氧化氫水供給至基板者；上述控制裝置係進一步實行：加熱步驟，係與上述過氧化氫水供給步驟並行，藉由使上述加熱單元加熱基板及基板上之過氧化氫水，而使基板溫度接近上述液溫上升步驟之開始時之SPM液溫。
根據此構成，在將抗靜電液供給至基板後，將較SPM之初期溫度(對基板之SPM供給開始時之SPM液溫)更低溫之過氧化氫水 供給至基板。然後，在過氧化氫水保持於基板時加熱基板，使基板溫度接近SPM初期溫度。從而，可抑制或防止因SPM供給開始而抗蝕劑溫度急遽上升的情形。如此，可抑制或防止因抗蝕劑破裂所引起的圖案損傷發生。
本發明之其他實施形態的基板處理裝置中，上述SPM生 成單元係包括：混合部；硫酸供給單元，係具有連接於上述混合部的硫酸配管，經由上述硫酸配管將硫酸供給至上述混合部；與過氧化氫水供給單元，係具有連接於上述混合部的過氧化氫水配管，經由上述過氧化氫水配管將過氧化氫水供給至上述混合部；上述SPM生成單元係將由上述硫酸配管所供給之硫酸與由上述過氧化氫水配管所供給之過氧化氫水，於上述混合部混合而生成SPM者；上述基板處理裝置進一步包括：吸引單元，係具有連接於上述過氧化氫水配管、用於對該過氧化氫水配管內部進行吸引之過氧化氫水吸引配管，經由上述過氧化氫水吸引配管，對上述過氧化氫水配管內部進行吸引；藉由上述控制裝置所實行之上述SPM供給步驟，係包括：將硫酸經由上述硫酸配管供給至上述混合部，並且將過氧化氫水經由上述過氧化氫水配管供給至上述混合部，藉此將在上述混合部所生成的SPM供給至上述基板的步驟；上述控制裝置係進一步實行下述步驟的控制單元：在上述SPM供給步驟之實行結束後，經由上述過氧化氫水配管將過氧化氫水供給至上述混合部，藉此將過氧化氫水供給至上述基板的過氧化氫水供給步驟；與在上述過氧化氫水供給步驟之實行結束後，對上述過氧化氫水配管之內部進行吸引的吸引步驟。
根據此構成，在將SPM供給至基板時，硫酸係於硫酸配管內部流通而供給至混合部，同時，過氧化氫水係於過氧化氫水配 管內部流通而供給至混合部。然後，將在混合部所生成之SPM供給至基板。
另外，在將過氧化氫水供給至基板時，係不對混合部供 給硫酸，僅有過氧化氫水於過氧化氫水配管內部流通而供給至混合部。然後，對基板供給過氧化氫水。
在過氧化氫水之供給結束後，吸引存在於過氧化氫水配 管內部的過氧化氫水。藉此，由過氧化氫水配管內排除全部或一部分之過氧化氫水。其結果，過氧化氫水配管內之過氧化氫水的前端面後退。
由於過氧化氫水配管內之過氧化氫水的前端面後退，故 在下次SPM供給開始時，硫酸較SPM更早供給至基板。藉此，於下次SPM供給開始時，可確實防止過氧化氫水之先行供給。從而，不致導致SPM消費量增加或產能降低，可確實防止過氧化氫水對基板的先行供給。
若比較硫酸與過氧化氫水，於疏水性基板上之濕潤性方 面係硫酸較高。因此，在SPM供給開始時使硫酸先流出者將使其於基板上容易擴展。若液體未擴展而形成液滴狀(成為球狀)，則產生氣液界面，於此部分成為顆粒之增大或水痕的原因，但本發明可防止此情形。 此外，即使在基板表面顯示疏水性的情況，仍可抑制或防止基板表面之顆粒發生。
上述混合部係包括：混合室，用於將硫酸與過氧化氫水 混合；與混合液噴嘴，具有用於將在上述混合室所混合生成之SPM予以吐出之吐出口；於上述混合室亦可接連上述過氧化氫水配管。
另外，上述基板處理裝置亦可進一步含有：用於吐 出SPM之混合液噴嘴；與連接上述混合部與上述混合液噴嘴，將藉上述混合部所生成之SPM供給至上述混合液噴嘴的混合液供給配管。
本發明之上述或其他目的、特徵及效果，將參照隨附圖式而由下述實施形態之說明所闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧旋轉夾頭
6‧‧‧杯
7‧‧‧旋轉底盤
8‧‧‧夾銷
9‧‧‧旋轉軸
10‧‧‧旋轉馬達
11‧‧‧第1藥液噴嘴
12‧‧‧第1噴嘴臂
13‧‧‧第1噴嘴移動裝置
14‧‧‧第1藥液配管
15‧‧‧攪拌配管
16‧‧‧混合閥
17‧‧‧硫酸槽
18‧‧‧硫酸配管
19‧‧‧硫酸閥
20‧‧‧硫酸流量調整閥
21‧‧‧第1加熱器
22‧‧‧過氧化氫水槽
23‧‧‧過氧化氫水配管
24‧‧‧過氧化氫水閥
25‧‧‧過氧化氫水流量調整閥
29‧‧‧第2藥液噴嘴
30‧‧‧第2噴嘴臂
31‧‧‧第2噴嘴移動裝置
33‧‧‧第2藥液配管
34‧‧‧第2藥液閥
36‧‧‧第1潤洗液噴嘴
37‧‧‧第2潤洗液噴嘴
38‧‧‧第3噴嘴臂
39‧‧‧第3噴嘴移動裝置
40‧‧‧第1潤洗液配管
41‧‧‧第1潤洗液閥
42‧‧‧第2潤洗液配管
43‧‧‧第2潤洗液閥
58‧‧‧紅外線加熱器
59‧‧‧加熱器臂
60‧‧‧加熱器移動裝置
61‧‧‧紅外線燈
62‧‧‧燈箱
63‧‧‧圓環部
64‧‧‧鉛直部
65‧‧‧收容部
66‧‧‧底板部
67‧‧‧蓋構件
68‧‧‧支撐構件
71‧‧‧硫酸吸引配管
72‧‧‧硫酸吸引閥
73‧‧‧吸引裝置
74‧‧‧過氧化氫水吸引配管
75‧‧‧過氧化氫水吸引閥
101‧‧‧基板處理裝置
102‧‧‧處理單元
103‧‧‧控制裝置
104‧‧‧腔室
105‧‧‧旋轉夾頭
106‧‧‧SPM供給裝置
107‧‧‧杯
108‧‧‧旋轉馬達
109‧‧‧旋轉軸
110‧‧‧旋轉底盤
111‧‧‧挾持構件
112‧‧‧SPM噴嘴
113‧‧‧第4噴嘴臂
114‧‧‧第4噴嘴移動裝置
116‧‧‧過氧化氫水供給單元
117‧‧‧硫酸配管
117A‧‧‧第1分岐位置
118‧‧‧硫酸閥
119‧‧‧硫酸流量調整閥
120‧‧‧加熱器
121‧‧‧硫酸吸引配管
122‧‧‧硫酸吸引閥
123‧‧‧吸引裝置
124‧‧‧過氧化氫水配管
124A‧‧‧第2分岐位置
125‧‧‧過氧化氫水閥
126‧‧‧過氧化氫水流量調整閥
127‧‧‧過氧化氫水吸引配管
128‧‧‧過氧化氫水吸引閥
133‧‧‧SC1噴嘴
134‧‧‧第5噴嘴臂
135‧‧‧第5噴嘴移動裝置
136‧‧‧SC1配管
137‧‧‧SC1閥
138‧‧‧潤洗液噴嘴
139‧‧‧潤洗液配管
140‧‧‧潤洗液閥
141‧‧‧蝕刻液噴嘴
142‧‧‧蝕刻液配管
143‧‧‧蝕刻液閥
151‧‧‧殼體
152‧‧‧硫酸導入口
153‧‧‧過氧化氫水導入口
154‧‧‧混合室
155‧‧‧外部空間
156‧‧‧吐出口
157‧‧‧第1圓筒部
158‧‧‧第2圓筒部
201‧‧‧基板處理裝置
206‧‧‧SPM供給裝置
213‧‧‧SPM噴嘴
214‧‧‧SPM供給配管
215‧‧‧混合部
301‧‧‧氧化矽膜
302‧‧‧抗蝕劑
303‧‧‧圖案溝
401‧‧‧基板處理裝置
403‧‧‧SPM噴嘴
404‧‧‧SPM供給配管
404A‧‧‧分岐位置
405‧‧‧混合部
406‧‧‧硫酸配管
407‧‧‧硫酸閥
408‧‧‧過氧化氫水配管
409‧‧‧過氧化氫水閥
410‧‧‧SPM吸引配管
411‧‧‧吸引閥
412‧‧‧吸引裝置
A1‧‧‧基板旋轉軸線
A2‧‧‧第1噴嘴旋動軸線
A3‧‧‧第2噴嘴旋動軸線
A4‧‧‧加熱器旋動軸線
A5‧‧‧旋轉軸線
CR、CR1‧‧‧基板搬送機器人
W‧‧‧基板
圖1為本發明第1實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
圖2為由水平觀看本發明第1實施形態之基板處理裝置所具備之腔室之內部的概略圖。
圖3為旋轉底盤及與其相關之構成的概略平面圖。
圖4為紅外線加熱器的縱剖面圖。
圖5為表示藉處理單元所進行之處理例之概略的時序圖。
圖6為表示供給至基板之SPM液溫之變化的圖表。
圖7為表示SPM液溫到達剝離溫度前之基板狀態的概略圖。
圖8為本發明第2實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
圖9為由水平觀看圖8所示腔室之內部的概略圖。
圖10為表示圖9所示SPM噴嘴之構成的圖解性剖面圖。
圖11A及圖11B為用於說明藉本發明第2實施形態之基板處理裝置所處理之基板之表面狀態一例的剖面圖。
圖12為表示藉圖9所示處理單元所進行之抗蝕劑去除處理之處理例概略的流程圖。
圖13A為說明SPM供給步驟中之硫酸配管及過氧化氫水配管內之狀態的圖。
圖13B至13E為說明過氧化氫水供給步驟中之硫酸配管及過氧化 氫水配管內之狀態的圖。
圖14為說明本發明第3實施形態中SPM供給裝置之硫酸配管及過氧化氫水配管內之狀態的圖。
圖15A至15D為表示其他形態之基板處理裝置中，用於對基板供給SPM之構成一例的圖解性圖。
圖16為表示藉圖2所示處理單元所進行之、第1實施形態之變形處理例之概略的時序圖。
圖1為本發明一實施形態之基板處理裝置1的概略平面 圖。圖2為由水平觀看本發明一實施形態之基板處理裝置1所具備之腔室4之內部的概略圖。圖3為旋轉底盤7及與其相關之構成的概略平面圖。圖4為紅外線加熱器58的縱剖面圖。
如圖1所示般，基板處理裝置1係對半導體晶體等之圓 板狀基板W依單片進行處理的單片式裝置。基板處理裝置1包括：藉處理液或處理氣體對基板W進行處理的複數之處理單元2；對各處理單元2之腔室4進行基板W之搬入及搬出的基板搬送機器人CR；與控制基板處理裝置1所具備之裝置的動作或閥之開閉等的控制裝置3。
如圖2所示，各處理單元2為單片式之單元。各處理單 元2包含：具有內部空間之箱形腔室4，於腔室4內以水平姿勢保持一片基板W，於通過基板W中心之鉛直之基板旋轉軸線A1周圍使基板W旋轉的旋轉夾頭5；將藥液或潤洗液等之處理液供給至保持於旋轉夾頭5之基板W的處理液供給裝置；對保持於旋轉夾頭5之基板W由基板W上方進行加熱的加熱裝置；與在基板旋轉軸線A1周圍包圍旋轉夾頭5的筒狀之杯6。
如圖2所示，旋轉夾頭5係包含：依水平姿勢所保持之 圓板狀的旋轉底盤7；由旋轉底盤7上面外周部朝上方突出之複數的夾銷8；與使複數之夾銷8開閉之未圖示的夾具開閉機構。旋轉夾頭5係進一步包含：由旋轉底盤7之中央部沿著基板旋轉軸線A1延伸至下方的旋轉軸9；藉由使旋轉軸9旋轉而使旋轉底盤7及夾銷8於基板旋轉軸線A1周圍旋轉的旋轉馬達10。
如圖3所示，旋轉底盤7之外徑大於基板W直徑。旋 轉底盤7之中心線係配置於基板旋轉軸線A1上。複數之夾銷8係於旋轉底盤7之外周部保持於旋轉底盤7。複數之夾銷8係於周方向(基板旋轉軸線A1周圍之方向)上隔著間隔而配置。夾銷8係在夾銷8按壓基板W周端面之閉位置(圖2及圖3所示位置)、與夾銷8由基板W周端面離開之開位置之間，於鉛直之銷旋動軸線周圍可相對於旋轉底盤7進行旋轉。夾具開閉機構係使夾銷8於銷旋動軸線周圍旋動。
控制裝置3係藉由控制夾具開閉機構，而在複數之夾銷 8把持基板W的閉狀態(圖2及圖3所示狀態)、與解除由複數之夾銷8對基板W之把持的開狀態之間，切換複數之夾銷8的狀態。在基板W被搬送至旋轉夾頭5時，控制裝置3係使各夾銷8退避至開位置。於此狀態，控制裝置3係藉由基板搬送機器人CR將基板W載置於複數之夾銷8。其後，控制裝置3使各夾銷8移動至閉位置。藉此，依基板W下面與旋轉底盤7上面於上下方向上離開的狀態，基板W由複數之夾銷8所把持。於此狀態，在控制裝置3使旋轉馬達10旋轉時，基板W係與旋轉底盤7及夾銷8一起於基板旋轉軸線A1周圍進行旋轉。
如圖2所示，處理液供給裝置係包括：將屬於抗蝕劑剝 離液之一例的SPM(含有H2SO4與H2O2的混合液)等藥液朝基板W上 面吐出的第1藥液噴嘴11；於前端部安裝著第1藥液噴嘴11的第1噴嘴臂12；與藉由使第1噴嘴臂12移動，而使第1藥液噴嘴11移動的第1噴嘴移動裝置13。
如圖3所示，第1噴嘴移動裝置13係藉由在旋轉夾頭5 周圍於朝鉛直方向延伸之第1噴嘴旋動軸線A2周圍使第1噴嘴臂12旋動，而於俯視下沿著通過基板W上面中央部之軌跡使第1藥液噴嘴11水平移動。第1噴嘴移動裝置13係於由第1藥液噴嘴11所吐出之藥液著液於基板W上面之處理位置、與第1藥液噴嘴11在俯視下退避至旋轉夾頭5周圍的退避位置(圖3所示位置)之間，使第1藥液噴嘴11水平移動。
如圖2所示，處理液供給裝置係包含：將SPM等藥液 引導至第1藥液噴嘴11的第1藥液配管14；攪拌藉由第1藥液配管14而被引導至第1藥液噴嘴11之硫酸及過氧化氫水的攪拌配管15；與將供給至第1藥液配管14之硫酸及過氧化氫水於攪拌配管15之上游進行混合的混合閥16。
如圖2所示，處理液供給裝置係包含：收容硫酸(液體) 的硫酸槽17；藉由對硫酸進行加熱，而將硫酸槽17內之硫酸溫度維持於高於室溫之溫度(60~90℃之範圍內的一定溫度，例如80℃)的第1加熱器21；將硫酸槽17內之硫酸引導至混合閥16的硫酸配管18；對硫酸配管18內部進行開閉的硫酸閥19；使由硫酸配管18供給至混合閥16之硫酸流量增減的硫酸流量調整閥20。雖未圖示，硫酸流量調整閥20係包含：內部設有閥座之閥體；對閥座進行開閉的閥盤；與使閥盤在開位置與閉位置之間移動的致動器。關於其他之流量調整閥亦相同。如圖2所示，處理液供給裝置係包含：收容過氧化氫水的過氧化 氫水槽22；將過氧化氫水槽22內之室溫(20~30℃範圍內之一定溫度，例如25℃)之過氧化氫水引導至混合閥16的過氧化氫水配管23；對過氧化氫水配管23內部進行開閉的過氧化氫水閥24；使由過氧化氫水配管23供給至混合閥16之過氧化氫水流量增減的過氧化氫水流量調整閥25。
在硫酸閥19打開時，高溫之硫酸係依對應於硫酸流量 調整閥20之開度的流量，由硫酸配管18供給至混合閥16。又，在過氧化氫水閥24打開時，過氧化氫水槽22內之室溫之過氧化氫水係依對應於過氧化氫水流量調整閥25之開度的流量，由過氧化氫水配管23供給至混合閥16。藉此，硫酸及過氧化氫水係依既定比例(將硫酸之比例設為「X1」、將過氧化氫水之比例設為「Y1」時，為例如X1>Y1)供給至混合閥16。
被供給至混合閥16之硫酸及過氧化氫水，係經由攪拌 配管15由第1藥液配管14供給至第1藥液噴嘴11。此過程中，硫酸及過氧化氫水於混合閥16進行混合，由攪拌配管15所攪拌。藉此，硫酸及過氧化氫水均勻混合，由於硫酸及過氧化氫水之反應而硫酸及過氧化氫水之混合液(SPM)被加熱至較混合前之硫酸及過氧化氫水之溫度高的溫度(例如100℃以上)。因此，藉由硫酸及過氧化氫水之混合所生成的高溫之SPM由第1藥液噴嘴11吐出。SPM係含有強氧化力之過氧單硫酸(Peroxomonosulfuric acid)的混合藥液。
如圖2所示，處理液供給裝置係包括：將SC1(含有 NH4OH與H2O2的混合液)等藥液朝基板W上面吐出的第2藥液噴嘴29；於前端部安裝著第2藥液噴嘴29的第2噴嘴臂30；與藉由使第2噴嘴臂30移動，而使第2藥液噴嘴29移動的第2噴嘴移動裝置31。
如圖3所示，第2噴嘴移動裝置31係藉由在旋轉夾頭5 周圍於朝鉛直方向延伸之第2噴嘴旋動軸線A3周圍使第2噴嘴臂30旋動，而於俯視下沿著通過基板W上面中央部之軌跡使第2藥液噴嘴29水平移動。第2噴嘴移動裝置31係於由第2藥液噴嘴29所吐出之藥液著液於基板W上面之處理位置、與第2藥液噴嘴29在俯視下退避至旋轉夾頭5周圍的退避位置之間，使第2藥液噴嘴29水平移動。
如圖2所示，處理液供給裝置係包含：將較SPM溫度 低且高於室溫之溫度(例如30~50℃)的SC1引導至第2藥液噴嘴29的第2藥液配管33；與對第2藥液配管33內部進行開閉的第2藥液閥34。當第2藥液閥34打開，則來自第2藥液供給源的SC1係由第2藥液配管33供給至第2藥液噴嘴29。藉此，例如40℃之SC1(液體)由第2藥液噴嘴29吐出。
如圖2所示，處理液供給裝置係包括：將潤洗液朝基板 W上面吐出的第1潤洗液噴嘴36；將潤洗液朝基板W上面吐出的第2潤洗液噴嘴37；於前端部安裝著第1潤洗液噴嘴36及第2潤洗液噴嘴37的第3噴嘴臂38；與藉由使第3噴嘴臂38移動，而使第1潤洗液噴嘴36及第2潤洗液噴嘴37移動的第3噴嘴移動裝置39。
雖未圖示，第3噴嘴移動裝置39係藉由在旋轉夾頭5 周圍於朝鉛直方向延伸之第3噴嘴旋轉軸線周圍使第3噴嘴臂38旋動，而於俯視下沿著通過基板W上面中央部之軌跡使第1潤洗液噴嘴36及第2潤洗液噴嘴37水平移動。第3噴嘴移動裝置39係於由第1潤洗液噴嘴36及第2潤洗液噴嘴37所吐出之潤洗液著液於基板W上面之處理位置、與第1潤洗液噴嘴36及第2潤洗液噴嘴37在俯視下退避至旋轉夾頭5周圍的退避位置之間，使第1潤洗液噴嘴36及第2 潤洗液噴嘴37水平移動。
如圖2所示，處理液供給裝置係包含：將來自潤洗液供 給源之潤洗液引導至第1潤洗液噴嘴36的第1潤洗液配管40；與對第1潤洗液配管40內部進行開閉的第1潤洗液閥41。處理液供給裝置係進一步包含：將來自潤洗液供給源之潤洗液引導至第2潤洗液噴嘴37的第2潤洗液配管42；與對第2潤洗液配管42內部進行開閉的第2潤洗液閥43。
在第1潤洗液閥41打開時，室溫(例如25℃)之潤洗液 係由第1潤洗液噴嘴36吐出。同樣地，在第2潤洗液閥43打開時，室溫(例如25℃)之潤洗液係依由第2潤洗液噴嘴37吐出。供給至第1潤洗液噴嘴36之潤洗液，為純水(脫離子水：Deionzied water)。供給至第2潤洗液噴嘴37之潤洗液為碳酸水。
供給至第1潤洗液噴嘴36及第2潤洗液噴嘴37之潤洗 液並不限於純水及碳酸水，，亦可為電解離子水、氫水、臭氧水、IPA(異丙醇)或稀釋濃度(例如，10~100ppm左右)的鹽酸水等。碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、IPA及稀釋濃度的鹽酸水，均為電阻率較SPM高、且電氣流通之抗靜電液的一例。
如圖2所示，杯6係配置於較旋轉夾頭5所保持之基板 W更靠外方。杯6包圍著旋轉底盤7。若在依旋轉夾頭5使基板W旋轉之狀態下將處理液供給至基板W，則處理液由基板W飛散至基板W周圍。在處理液供給至基板W時，向上開放之杯6之上端部係配置於較旋轉底盤7更上方。從而，由基板W周圍所排出之藥液或潤洗液等處理液係由杯6所承接。然後，由杯6承接之處理液被送至未圖示的回收裝置或排液裝置。
如圖2所示，加熱裝置係包含：配置在保持於旋轉夾頭 5之基板W上方的紅外線加熱器58；前端部安裝有紅外線加熱器58的加熱器臂59；與藉由使加熱器臂59移動，而使紅外線加熱器58移動的加熱器移動裝置60。
如圖2所示，紅外線加熱器58包含：發出含紅外線之 光的紅外線燈61；與收容紅外線燈61之燈箱62。紅外線燈61配置於燈箱62內。如圖3所示，燈箱62於俯視下小於基板W。從而，紅外線加熱器58係於俯視下小於基板W。紅外線燈61及燈箱62係安裝於加熱器臂59。從而，紅外線燈61及燈箱62係與加熱器臂59一起移動。
如圖4所示，紅外線燈61係連接於控制裝置3。供給至 紅外線燈61的電力係由控制裝置3所調整。紅外線燈61為例如鹵素燈。紅外線燈61亦可取代鹵素燈，而為碳加熱器等其他發熱體。紅外線燈61係包含燈絲、與收容燈絲的石英管。燈箱62之至少一部分為由石英等具有光穿透性及耐熱性的材料所形成。從而，在紅外線燈61發光時，來自紅外線燈61之光將穿透燈箱62而由燈箱62外面射出至外方。
如圖4所示，燈箱62係具有與基板W上面平行的底壁。 紅外線燈61係配置於底壁上方。底壁之下面包含與基板W上面平行且平坦之基板對向面58a。在紅外線加熱器58配置於基板W上方的狀態下，紅外線加熱器58之基板對向面58a係隔著間隔而與基板W上面於上下方向上呈相對向。若於此狀態下紅外線燈61發光，則含有紅外線之光係由基板對向面58a朝基板W上面，照射至基板W上面。基板對向面58a為例如直徑小於基板W半徑的圓形。基板對向面58a並不限於圓形，亦可為長度方向之長度為基板W半徑以上且未滿基板W 直徑的矩形狀，或可為圓形及矩形以外的形狀。
如圖4所示，紅外線燈61係包含：沿著水平面配置之 有端的圓環部63；與由圓環部63之一端部及另一端部朝上方延伸之一對的鉛直部64。燈箱62係包含使紅外線穿透的穿透構件。穿透構件包含：於上下方向延伸的筒狀的收容部65；與塞住收容部65下端之圓板狀的底板部66。燈箱62進一步包含：塞住收容部65上端的蓋構件67；與支撐紅外線燈61之一對鉛直部64的支撐構件68。紅外線燈61係經由支撐構件68而支撐於蓋構件67。紅外線燈61之圓環部63係配置於藉由收容器65與底板部66與蓋構件67所畫分的空間中。底板路66配置於紅外線燈61下方，隔著間隔而於上下方向上與紅外線燈61相對向。
如圖2所示，加熱器移動裝置60係依既定高度保持著 紅外線加熱器58。如圖3所示，加熱器移動裝置60係藉由在旋轉夾頭5周圍於朝鉛直方向延伸之加熱器旋動軸線A4周圍使加熱器臂59旋動，而使紅外線加熱器58水平移動。藉此，照射紅外線之照射位置(基板W上面內之一部分區域)於基板W上面內移動。加熱器移動裝置60係使紅外線加熱器58於俯視下沿著通過基板W中心之軌跡水平移動。從而，紅外線加熱器58係於包含旋轉夾頭5上方之水平面內移動。 又，加熱器移動裝置60係藉由使紅外線加熱器58於鉛直方向上移動，而改變基板對向面58a與基板W間的距離。
如圖4所示，來自紅外線加熱器58之光照射至基板W 上面內之照射位置。控制裝置3係於紅外線加熱器58發出紅外線的狀態下，一邊藉由旋轉夾頭5使基板W旋轉，一邊藉加熱器移動裝置60使紅外線加熱器58於加熱器旋動軸線A4周圍旋動。藉此，基板W上 面被作為加熱位置之照射位置所掃描。因此，在紅外線燈61依處理液等液體被保持於基板W上之狀態發出紅外線時，基板W及處理液的溫度上升。
圖5為表示藉處理單元2所進行之處理例之概略的時序 圖。圖6為表示供給至基板W之SPM液溫之變化的圖表。圖7為表示SPM液溫到達剝離溫度前之基板W狀態的概略圖。如圖7所示，以下說明由藉由含有位於表層之硬化層與由硬化層所被覆之非硬化層的抗蝕劑(光阻劑之薄膜)部分覆蓋表面(裝置形成面)，且形成於表面之圖案全體配置於此抗蝕劑內部之基板W，去除抗蝕劑的抗蝕劑剝離步驟。又，以下主要參照圖2及圖5。並適當參照圖6及圖7。
在藉處理單元2對基板W進行處理時，係進行將基板 W搬入至腔室4內的搬入步驟(圖5之步驟S1)。具體而言，控制裝置3係依所有噴嘴等自旋轉夾頭5上方退避的狀態，使保持著基板W之基板搬送機器人CR之手部進入至腔室4內。然後，控制裝置3藉由基板搬送機器人CR將基板W載置於複數之夾銷8上。其後，控制裝置3使基板搬送機器人CR之手部自腔室4內退避。又，控制裝置3係在將基板W載置於複數之夾銷8上後，使各夾銷8由開位置移動至閉位置。其後，控制裝置3藉由旋轉馬達10使基板W之旋轉開始。
接著，進行將屬於抗靜電液一例之碳酸水供給至基板W 的抗靜電液供給步驟(圖5之步驟S2)。具體而言，控制裝置3係藉由第3噴嘴移動裝置39，使作為抗靜電液噴嘴之第2潤洗液噴嘴37由退避位置移動至處理位置。其後，控制裝置3打開第2潤洗液閥43，將室溫之碳酸水朝基板W上面中央部藉第2潤洗液噴嘴37吐出。然後，當第2潤洗液閥43打開並經過既定時間，則控制裝置3關閉第2潤洗 液閥43，使來自第2潤洗液噴嘴37之碳酸水吐出停止。其後，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置39，使第2潤洗液噴嘴37自基板W上方退避。
由第2潤洗液噴嘴37所吐出之碳酸水，係在著液於基 板W上面後，因離心力而沿基板W上面流動至外方。因此，碳酸水供給至基板W上面全域，於基板W上形成用以覆蓋基板W上面全域的碳酸水液膜。因此，在基板W呈帶電的情況，電荷由基板W移動至碳酸水，電荷由基板被去除。尤其是由於碳酸水之電阻率較SPM之電阻率大，故電荷由基板W緩慢移動至碳酸水。因此，可防止因急遽之電荷移動所造成之發熱或放電傷及形成於基板W之裝置的情形。
尚且，在第2潤洗液噴嘴37吐出碳酸水時，控制裝置3 可使對基板W上面之碳酸水之著液位置於中央部靜止，亦可使其於中央部與周緣部之間移動。又，控制裝置3係在於基板W上形成碳酸水液膜後，使基板W依低旋轉速度(例如1~30rpm)旋轉，或可在使基板W之旋轉停止的同時，使來自第2潤洗液噴嘴37之碳酸水吐出停止，藉此，依碳酸水吐出停止的狀態，將被覆基板W上面全域之碳酸水液膜保持於基板W上。
接著，並行地進行將室溫之過氧化氫水供給至基板W的第1過氧化氫水供給步驟(圖5之步驟S3)、與藉由紅外線加熱器58對基板W及基板W上之液體進行加熱的加熱步驟(圖5之步驟S4)。
關於第1過氧化氫水供給步驟，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11由退避位置移動至處理位置。藉此，第1藥液噴嘴11配置於基板W上方。其後，控制裝置3係依硫酸閥19關閉的狀態，打開過氧化氫水閥24，將室溫之過氧化氫 水朝旋轉中之基板W之上面中央部由第1藥液噴嘴11吐出。在第1藥液噴嘴11吐出過氧化氫水時，控制裝置3可使對基板W上面之過氧化氫水之著液位置於中央部靜止，亦可使其於中央部與周緣部之間移動。
由第1藥液噴嘴11所吐出之過氧化氫水，係著液於由 碳酸水所被覆之基板W之上面中央部。因此，基板W上之碳酸水係由中央部被推流至其周圍。著液於基板W上面中央部的過氧化氫水，係藉由離心力而沿著基板W上面流動至外方。同樣地，基板W上之碳酸水係藉由離心力而沿著基板W上面流動至外方。因此，俯視下呈圓形之過氧化氫水之液膜的外緣由基板W中央部瞬間擴展至基板W周緣，基板W上之碳酸水於短時間內被過氧化氫水所置換。藉此，由基板W去除碳酸水。
關於加熱步驟，控制裝置3係藉由控制加熱器移動裝置 60，使紅外線加熱器58由退避位置移動至處理位置。又，控制裝置3係在紅外線加熱器58移動至基板W上方前或移動後，使紅外線加熱器58開始發光。藉此，紅外線加熱器58之溫度上升至SPM對基板W之供給開始時之SPM液溫以上的加熱溫度(例如120℃以下)，並維持於加熱溫度。其後，控制裝置3係藉由加熱器移動裝置60使紅外線加熱器58移動，而使對基板W上面之紅外線的照射位置於基板W上面內移動。藉此，基板W及基板W上之液體的溫度接近加熱溫度。控制裝置3係在進行了既定時間之由紅外線加熱器58對基板W的加熱後，使紅外線加熱器58停止發光。其後，控制裝置3係藉由控制加熱器移動裝置60，使紅外線加熱器58自基板W上方退避。
接著，並行地進行將屬於抗蝕劑剝離液一例之SPM供 給至基板W的SPM供給步驟(圖5之步驟S5)、與藉由對硫酸與過氧化氫水之混合比進行變更而使供給至基板W之SPM液溫上升的液溫上升步驟(圖5之步驟S6)。
關於SPM供給步驟，控制裝置3係在停止紅外線加熱器 58的發光後，依第1藥液噴嘴11於基板W上方吐出過氧化氫水之狀態，打開硫酸閥19。藉此，硫酸及過氧化氫水依既定混合比混合，生成SPM。因此，較混合前之硫酸及過氧化氫水之溫度高的初期溫度(例如50℃)的SPM，係朝旋轉中之基板W上面由第1藥液噴嘴11吐出。 在第1藥液噴嘴11吐出SPM時，控制裝置3可使相對基板W上面之SPM著液位置於中央部靜止，亦可使其於中央部與周緣部之間移動。
關於液溫上升步驟，如圖6所示，控制裝置3係藉由對 硫酸流量調整閥20及過氧化氫水流量調整閥25之至少一者的開度進行變更，而依將來自第1藥液噴嘴11之SPM吐出流量維持為一定、且使硫酸相對於過氧化氫水的比例減少的方式，使硫酸及過氧化氫水之混合比由初期混合比連續或階段性地慢慢變更為剝離混合比。具體而言，控制裝置3係在使與過氧化氫水混合之硫酸的流量減少的同時，使與硫酸混合之過氧化氫水的流量增加。藉此，因硫酸及過氧化氫水之混合所生成的熱量增加，SPM液溫緩慢上升。因此，生成較初期溫度高溫之剝離溫度(例如160℃)的SPM，將其由第1藥液噴嘴11吐出。
由第1藥液噴嘴11所吐出之SPM，係在著液於基板W 上面後，藉由離心力而沿著基板W上面流動至外方。從而，SPM被供給至基板W上面全域，基板W上之過氧化氫水被置換為SPM。因此，在基板W上形成被覆基板W上面全域的SPM液膜。到達剝離溫度前之SPM，係與基板W上之抗蝕劑進行化學反應。藉此，如圖7所示， 於抗蝕劑之硬化層形成孔，抗蝕劑之非硬化層由硬化層露出。因此，即使SPM液溫由初期溫度上升為剝離溫度，而抗蝕劑之非硬化層因氣化等而發生膨脹，抗蝕劑成分將經由硬化層之孔移動到硬化層外。因此，可防止因硬化層之破裂所造成的圖案損傷。再者，由於SPM液溫由初期溫度上升至剝離溫度、抗蝕劑之剝離能力提高，故可確實去除表層硬化之抗蝕劑。藉此，可於防止圖案損傷之下、去除抗蝕劑。
接著，進行將室溫之過氧化氫水供給至基板W的第2 過氧化氫水供給步驟(圖5之步驟S7)。具體而言，控制裝置3係依第1藥液噴嘴11於基板W上方吐出SPM的狀態、亦即硫酸閥19及過氧化氫水閥24打開之狀態，關閉硫酸閥19。藉此，停止硫酸對第1藥液噴嘴11的供給，僅有室溫之過氧化氫水朝旋轉中之基板W之上面由第1藥液噴嘴11吐出。在第1藥液噴嘴11吐出過氧化氫水時，控制裝置3可使相對基板W上面之過氧化氫水之著液位置於中央部靜止，亦可使其於中央部與周緣部之間移動。
由第1藥液噴嘴11所吐出之過氧化氫水，係著液於由 SPM所被覆之基板W之上面中央部。因此，基板W上之SPM係由中央部被推流至其周圍。著液於基板W上面中央部的過氧化氫水，係藉由離心力而沿著基板W上面流動至外方。同樣地，基板W上之SPM係藉由離心力而沿著基板W上面流動至外方。因此，俯視下呈圓形之過氧化氫水之液膜的外緣由基板W中央部瞬間擴展至基板W周緣，基板W上之SPM於短時間內被過氧化氫水所置換。藉此，由基板W去除SPM。
接著，進行將屬於潤洗液一例的室溫之純水供給至基板 W的第1潤洗液供給步驟(圖5之步驟S8)。具體而言，控制裝置3係 藉由控制第3噴嘴移動裝置39，使第1潤洗液噴嘴36由退避位置移動至處理位置。其後，控制裝置3係打開第1潤洗液閥41，將室溫之純水朝基板W上面中央部由第1潤洗液噴嘴36吐出。然後，在第1潤洗液閥41打開經過既定時間時，控制裝置3係關閉第1潤洗液閥41，使來自第1潤洗液噴嘴36的純水吐出停止。其後，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置39，使第1潤洗液噴嘴36由基板W上方退避。
由第1潤洗液噴嘴36所吐出之純水，係著液於由藥液 所覆蓋之基板W上面中央部。因此，基板W上之藥液係由中央部推流至其周圍。著液於基板W上面中央部的純水，係藉由離心力而沿著基板W上面流動至外方。同樣地，基板W上之藥液係藉由離心力而沿著基板W上面流動至外方。因此，俯視下呈圓形之純水液膜之外緣由基板W中央部瞬間擴展至基板W周緣，基板W上之藥液於短時間內被純水所置換。藉此，基板W上之藥液被純水所沖洗。
接著，進行將SC1供給至基板W的SC1供給步驟(圖5 之步驟S9)。具體而言，控制裝置3係藉由控制第2噴嘴移動裝置31，使第2藥液噴嘴29由退避位置移動至處理位置。控制裝置3係在使第2藥液噴嘴29配置於基板W上方後，打開第2藥液閥34，將SC1朝旋轉之基板W上面由第2藥液噴嘴29吐出。控制裝置3係藉由於此狀態下控制第2噴嘴移動裝置31，使相對於基板W上面之SC1著液位置於中央部與周緣部之間移動。然後，當打開第2藥液閥34並經過既定時間，則控制裝置3係關閉第2藥液閥34使SC1吐出停止。其後，控制裝置3藉由控制第2噴嘴移動裝置31，使第2藥液噴嘴29自基板W上方退避。
由第2藥液噴嘴29所吐出之SC1，係著液於基板W上 面後，藉由離心力而沿著基板W上面流動至外方。因此，基板W上之純水被SC1推流至外方，排出至基板W周圍。藉此，基板W上之純水之液膜，被置換為覆蓋基板W上面全域的SC1液膜。再者，控制裝置3係依基板W旋轉中之狀態，使SC1對基板W上面之著液位置於中央部與周緣部之間移動，故SC1之著液位置係通過基板W上面全域，掃描基板W上面全域。因此，由第2藥液噴嘴29吐出之SC1，被供給至基板W上面全域，對基板W上面全域進行均勻處理。
接著，進行將屬於潤洗液一例的室溫之純水供給至基板 W的第2潤洗液供給步驟(圖5之步驟S10)。具體而言，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置39，使第1潤洗液噴嘴36由退避位置移動至處理位置。其後，控制裝置3係在第1潤洗液噴嘴36配置於基板W上方後，打開第1潤洗液閥41，將純水朝旋轉狀態之基板W上面由第1潤洗液噴嘴36吐出。藉此，基板W上之SC1被純水推流至外方，排出至基板W周圍。因此，基板W上之SC1之液膜，被置換為覆蓋基板W上面全域的純水液膜。然後，當第1潤洗液閥41打開並經過既定時間，則控制裝置3係關閉第1潤洗液閥41，使純水吐出停止。 其後，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1潤洗液噴嘴36由基板W上方退避。
接著，進行使基板W乾燥的乾燥步驟(圖5之步驟S11)。 具體而言，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，將基板W加速至自抗靜電液供給步驟(圖5之步驟S2)至第2潤洗液供給步驟(圖5之步驟S10)為止之旋轉速度更大的乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，依乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，較大之離心力施加至基板W上的液體，使附著於基板W之液體甩至基板W周圍。如此，由基板W去除液體，使 基板W乾燥。然後，當開始進行基板W之高速旋轉並經過既定時間，則控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，使由旋轉夾頭5所進行之基板W旋轉停止。
接著，進行由腔室4內搬出基板W的搬出步驟(圖5之 步驟S12)。具體而言，控制裝置3係將各夾銷8由閉位置移動至開位置，解除由旋轉夾頭5對基板W的把持。其後，控制裝置3係依所有噴嘴等自旋轉夾頭5上方退避的狀態，使基板搬送機器人CR之手部進入至腔室4內。然後，控制裝置3係於基板搬送機器人CR之手部保持旋轉夾頭5上之基板W。其後，控制裝置3使基板搬送機器人CR之手部自腔室4退避。藉此，由腔室4搬出處理完成的基板W。
如上述般，第1實施形態中係藉由混合硫酸與過氧化氫 水，而生成SPM。然後，所生成之SPM係供給至由抗蝕劑所被覆的基板W。抗蝕劑之表層係因離子注入或乾式蝕刻所造成之變質而呈硬化，抗蝕劑之內部係由位於表層之硬化層所密閉。用於SPM生成的硫酸與過氧化氫水的混合比，係在進行SPM對基板W之供給時被變更，藉此，供給至基板W之SPM之液溫上升至適合於抗蝕劑剝離的剝離溫度。位於抗蝕劑表層之硬化層，係與液溫上升之SPM進行反應。藉此，在SPM液溫上升的過程中，於硬化層形成連接抗蝕劑內部及外部的孔。從而，即使抗蝕劑之非硬化層發生氣化，氣化成分仍經由硬化層之孔而排出，故抗蝕劑內壓不易上升。因此，相較於在起初即對基板W供給剝離溫度之SPM的情形，本發明不易發生抗蝕劑破裂(硬化層破裂)。藉此，可於抑制或防止配置於抗蝕劑內之圖案的損傷之下，由基板W去除抗蝕劑。
另外，第1實施形態係在將SPM供給至基板W前加熱 基板W，使基板W溫度接近在對基板W開始供給SPM時之SPM液溫(初期溫度)。從而，可抑制或防止因SPM供給開始而抗蝕劑溫度急遽上升的情形。因此，即使在SPM初期溫度較高的情況，仍可抑制或防止SPM供給開始時抗蝕劑內壓急遽提高的情形。如此，可抑制或防止因抗蝕劑之破裂所引起的圖案損傷發生。
另外，第1實施形態係在SPM供給至基板W前對基板 W供給電氣流通的抗靜電液。因此，在基板W呈帶電的情況，電荷由基板W移動至抗靜電液，將電荷由基板W去除。尤其是由於抗靜電液之電阻率較SPM之電阻率大，故電荷由基板W緩慢移動至抗靜電液。因此，可防止因急遽之電荷移動所造成之發熱或放電而傷及形成於基板W之裝置的情形。藉此，可抑制或防止基板W的品質降低。
另外，第1實施形態係在抗靜電液被供給至基板W後 將過氧化氫水供給至基板W。其後，將SPM供給至基板W。殘留於基板W之抗靜電液係藉由過氧化氫水之供給而自基板W去除。從而，SPM係依抗靜電液殘留量減少的狀態下供給至基板W。抗靜電液與SPM一般係反應性較高。因此，可抑制或防止SPM過剩地升溫的情形。 又，可抑制或防止SPM及抗靜電液僅在基板W之一部分區域混合、使SPM濃度均勻降低的情形。如此，可抑制或防止基板W品質降低。
另外，第1實施形態係在將抗靜電液供給至基板W後， 將較SPM之初期溫度(對基板W之SPM供給開始時之SPM液溫)更低溫之過氧化氫水供給至基板W。然後，在過氧化氫水保持於基板W時加熱基板W，使基板W溫度接近SPM初期溫度。從而，可抑制或防止因SPM供給開始而抗蝕劑溫度急遽上升的情形。如此，可抑制或防止因抗蝕劑破裂所引起的圖案損傷發生。
圖8為本發明第2實施形態之基板處理裝置101的概略 平面圖。圖9為由水平觀看基板處理裝置101所具備之腔室104之內部的概略圖。
如圖8所示般，基板處理裝置101係對半導體晶體等之 圓板狀基板W依單片進行處理的單片式裝置。基板處理裝置101包括：藉處理液或處理氣體對基板W進行處理的複數之處理單元102；對各處理單元102之腔室104進行基板W之搬入及搬出的基板搬送機器人CR1；與控制基板處理裝置101所具備之裝置的動作或閥之開閉等的控制裝置103。
如圖9所示，各處理單元102為單片式之單元。各處理 單元102包含：具有內部空間之箱形腔室104，於腔室104內以水平姿勢保持一片基板W，於通過基板W中心之鉛直之旋轉軸線A5周圍使基板W旋轉的旋轉夾頭105；將SPM(含有H2SO4與H2O2的混合液)供給至保持於旋轉夾頭105之基板W的SPM供給裝置106；與在旋轉軸線A5周圍包圍旋轉夾頭105的筒狀之杯107。
如圖9所示，作為旋轉夾頭105例如可採用夾持式者。 具體而言，旋轉夾頭105係具備：旋轉馬達108；與此旋轉馬達108之驅動軸一體化之旋轉軸109；幾乎水平地安裝於旋轉軸109上端之圓板狀的旋轉底盤110；與在旋轉底盤110周緣部之複數處依幾乎等角度間隔所設置的複數個之挾持構件111。複數個挾持構件111係依幾乎水平之姿勢挾持基板W。於此狀態下，驅動旋轉馬達108時，藉其驅動力使旋轉底盤110於既定之旋轉軸線A5周圍旋轉，與該旋轉底盤110同時，在基板W保持幾乎水平姿勢的狀態下，繞旋轉軸線A5周圍旋轉。
另，旋轉夾頭105不限於夾持式，亦可採用例如真空吸 附式(真空夾頭)，即，利用真空吸附基板W背面，以水平姿勢保持基板W，進而在該狀態下，繞鉛直旋轉軸線周圍旋轉，藉此，使保持於旋轉夾頭105之基板W旋轉。
如圖9所示，SPM供給裝置106包括：將SPM朝基板 W上面吐出的SPM噴嘴(混合液噴嘴，混合部)112；於前端部安裝著SPM噴嘴112的第4噴嘴臂113；與藉由使第4噴嘴臂113移動，而使SPM噴嘴112移動的第4噴嘴移動裝置114。
SPM噴嘴112為例如依連續流之狀態吐出SPM或過氧 化氫水的直流噴嘴，依朝垂直於基板W上面之方向吐出處理液的垂直姿勢安裝於第4噴嘴臂113。第4噴嘴臂113係於水平方向延伸，設置成可在旋轉夾頭105周圍朝鉛直方向延伸之既定的搖動軸線周圍旋轉。又，SPM噴嘴112可依使SPM或過氧化氫水著液於較吐出口靠內方(旋轉軸線A5側)之位置的方式，依朝相對於基板W上面呈傾斜之方向吐出SPM或過氧化氫水的向內姿勢，保持於第4噴嘴臂113；亦可依使SPM或過氧化氫水著液於較吐出口靠外方(旋轉軸線A5之相反側)之位置的方式，依朝相對於基板W上面呈傾斜之吐出方向吐出SPM或過氧化氫水的向外姿勢，保持於第4噴嘴臂113。
第4噴嘴移動裝置114係藉由使第4噴嘴臂113在既定 之搖動軸線(未圖示)周圍旋動，而於俯視下沿著通過基板W上面中央部之軌跡使SPM噴嘴112水平移動。第4噴嘴移動裝置114係於由SPM噴嘴112所吐出之SPM著液於基板W上面之處理位置、與SPM噴嘴112在俯視下退避至旋轉夾頭105周圍的退避位置之間，使SPM噴嘴112水平移動。再者，第4噴嘴移動裝置114係於由SPM噴嘴112所吐出之SPM或過氧化氫水著液於基板W上面中央部的中央位置、由 SPM噴嘴112所吐出之SPM或過氧化氫水著液於基板W上面周緣部的周緣位置之間，使SPM噴嘴112水平移動。中央位置及周緣位置均為處理位置。
SPM供給裝置106係包括：將硫酸供給至SPM噴嘴112 的硫酸供給單元115；與將過氧化氫水供給至SPM噴嘴112的過氧化氫水供給單元116。硫酸供給單元115係包括：連接於SPM噴嘴112，由硫酸供給源(未圖示)供給硫酸的硫酸配管117；在硫酸配管117之中途部，由SPM噴嘴112側起依序介存安裝的硫酸閥118及硫酸流量調整閥119；與將硫酸維持為較室溫高之溫度(60~90℃之範圍內的一定溫度。例如80℃)的加熱器120。其雖未圖示，硫酸流量調整閥119係包括：內部設有閥座之閥體；對閥座進行開閉的閥盤；與使閥盤在開位置與閉位置之間移動的致動器。關於其他之流量調整閥亦相同。
對硫酸進行加熱之加熱器120係如圖9所示般，可為單 程方式之加熱器，亦可為藉由使硫酸在含有加熱器之循環路徑內部循環而加熱硫酸的循環方式加熱器。
過氧化氫水供給裝置116係包括：連接於SPM噴嘴 112，由過氧化氫水供給源(未圖示)供給過氧化氫水的過氧化氫水配管124；在過氧化氫水配管124之中途部，由SPM噴嘴112側起依序介存安裝的過氧化氫水閥125及過氧化氫水流量調整閥126。未經溫度調節之室溫(約25℃)左右的過氧化氫水係通過過氧化氫水配管124而供給至SPM噴嘴112。
圖10為表示SPM噴嘴112之構成的圖解性剖面圖。SPM 噴嘴112為例如具有所謂直流噴嘴的構成。SPM噴嘴112係具備形成略圓筒狀的殼體151。SPM噴嘴112係依殼體151之中心軸線於鉛直 方向上延伸之鉛直姿勢，安裝於第4噴嘴臂113(參照圖9)。殼體151具備：第1圓筒部157；較第1圓筒部157更小徑且與第1圓筒部157同軸的圓筒形狀的第2圓筒部158。由於第2圓筒部158較第1圓筒部157更小軸，故第2圓筒部158內部之流路剖面較第1圓筒部157之流路剖面為更小面積。
於殼體151之側壁之下部分，形成用於導入硫酸的硫酸 導入口152、與用於導入過氧化氫水的過氧化氫水導入口153。硫酸導入口152係配置於較過氧化氫水導入口153更下方。於硫酸導入口152連接著硫酸配管117，於過氧化氫水導入口153連接著過氧化氫水配管124。藉由殼體151之第1圓筒部157區隔形成混合室154。
當打開硫酸閥118(參照圖9)及過氧化氫水閥125(參照圖 9)，則來自硫酸配管117的硫酸係由硫酸導入口152供給至混合室154，同時，來自過氧化氫水配管124之過氧化氫水係由過氧化氫水導入口153供給至混合室154。流入至混合室154的硫酸及過氧化氫水，在其內部被充分混合(攪拌)。藉此混合，硫酸與過氧化氫水均勻混合，藉由硫酸與過氧化氫水的反應而生成硫酸及過氧化氫水的混合液(SPM)，此SPM被加熱至較混合前之硫酸及過氧化氫水之溫度更高的溫度(100℃以上。例如160℃)。用於將所生成之SPM朝外部空間155吐出的吐出口156係於殼體151之第2圓筒部158之前端(下端)呈開口。在混合室154所生成的高溫SPM，係通過第2圓筒部158，由吐出口156吐出。SPM係含有強氧化力之過氧單硫酸(Peroxomonosulfuric acid)。
如圖9所示，於硫酸配管117中SPM噴嘴112與硫酸閥 118之間的第1分岐位置117A，分枝連接著用於吸引硫酸配管117內 之硫酸的硫酸吸引配管121之一端。於硫酸吸引配管121係介存安裝著硫酸吸引閥122，硫酸吸引配管121之另一端則連接於吸引裝置123。第2實施形態中，吸引裝置123係設為經常作動狀態。當打開硫酸吸引閥122，則硫酸吸引配管121內部被排氣，在較硫酸閥118更下游側之硫酸吸引配管121之內部的硫酸係經由硫酸吸引配管121而被吸引裝置123所吸引。
如圖9所示，於過氧化氫水配管124中SPM噴嘴112 與過氧化氫水閥125之間的第2分岐位置124A，分岐連接著用於吸引過氧化氫水配管124內之過氧化氫水的過氧化氫水吸引配管127之一端。於過氧化氫水吸引配管127係介存安裝著過氧化氫水吸引閥128，過氧化氫水吸引配管127之另一端則連接於吸引裝置123。當打開過氧化氫水吸引閥128，則過氧化氫水吸引配管127內部被排氣，在較過氧化氫水閥125更下游側之過氧化氫水配管124之內部的過氧化氫水係經由過氧化氫水吸引配管127而被吸引裝置123所吸引。於第2實施形態中，藉由吸引裝置123、過氧化氫水吸引配管127及過氧化氫水吸引閥128構成專利請求範圍的吸引單元。
尚且，圖9係以將用於吸引過氧化氫水之吸引裝置123 與用於吸引硫酸之吸引裝置共用的情況為例所表示，但亦可個別地設置用於吸引硫酸之吸引裝置123、與用於吸引過氧化氫水之吸引裝置。
如圖9所示，處理單元102係包括：將SC1(含有NH4OH 與H2O2的混合液)朝基板W上面吐出的SC1噴嘴133；於前端部安裝著SC1噴嘴133的第5噴嘴臂134；與藉由使第5噴嘴臂134移動，而使SC1噴嘴133移動的第5噴嘴移動裝置135。
如圖9所示，處理單元102係包含：將SC1引導至SC1 噴嘴133的SC1配管136；與對SC1配管136內部進行開關的SC1閥137。當打開SC1閥137，則來自SC1藥液供給源之SC1係由SC1配管136供給至SC1噴嘴133。藉此，SC1(液體)由SC1噴嘴133吐出。
如圖9所示，處理單元102係包括將蝕刻液朝基板W上 面吐出的蝕刻液噴嘴141。蝕刻液噴嘴141係例如依連續流之狀態吐出液體的直流噴嘴，於旋轉夾頭105上方，將其吐出口朝基板W上面中央部固定地配置。於蝕刻液噴嘴141，連接著供給來自蝕刻液供給源之蝕刻液的蝕刻液配管142。於蝕刻液配管142之中途部，介存安裝著用於切換來自蝕刻液噴嘴141之蝕刻液的供給/供給停止的蝕刻液閥143。作為蝕刻液，採用例如氫氧酸(HF)。
如圖9所示，處理單元102係包括將潤洗液朝基板W上 面吐出的潤洗液噴嘴138。潤洗液噴嘴138係例如依連續流之狀態吐出液體的直流噴嘴，於旋轉夾頭105上方，將其吐出口朝基板W上面中央部固定地配置。於潤洗液噴嘴138，連接著供給來自潤洗液供給源之潤洗液的潤洗液配管139。於潤洗液配管139之中途部，介存安裝著用於切換來自潤洗液噴嘴138之潤洗液的供給/供給停止的潤洗液閥140。作為供給至潤洗液噴嘴138的潤洗液，採用例如DIW(去離子水)，亦可採用碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水、還原水(氫水)等作為潤洗液。
尚且，蝕刻液噴嘴141及潤洗液噴嘴138並不需要分別 對旋轉夾頭5固定地配置，例如，亦可於旋轉夾頭105上方在水平面內安裝於可搖動的臂，藉此臂的搖動使基板W上面之蝕刻液及潤洗液的著液位置進行掃描，即所謂的掃描噴嘴的形態。
如圖9所示，杯107係配置於較旋轉夾頭105所保持之 基板W更靠外方。杯107包圍著旋轉底盤110。在依旋轉夾頭105使基板W旋轉之狀態下將處理液(蝕刻液或SPM、SC1、潤洗液)供給至基板W時，處理液由基板W的周緣部飛散至基板W周圍。在處理液供給至基板W時，向上開放之杯107之上端部係配置於較旋轉底盤110更上方。從而，由基板W周圍所排出之處理液係由杯107所承接。然後，由杯107承接之處理液被送至回收裝置(未圖示)或排液裝置(未圖示)。
如圖8及圖9所示，控制裝置103為例如包含微電腦的 構成。控制裝置103係依照事先決定的程式，控制旋轉馬達108、噴嘴移動裝置114、135、加熱器120、吸引裝置123等之動作。再者，控制裝置103係控制硫酸閥118、過氧化氫水閥125、吸引閥122、128、SC1閥137、潤洗液閥140、蝕刻液閥143等之開關，同時控制流量調整閥119、126的開度。
圖11A、11B為用於說明藉基板處理裝置101所處理之 基板W之表面狀態一例的剖面圖。
如圖11A所示，基板W為例如在表面上配置了抗蝕劑 302的半導體晶圓。光刻步驟中，係在基板W表面上配置抗蝕劑302，對此抗蝕劑進行光照射(UV照射)(光刻)，藉此對抗蝕劑302進行圖案轉印。如圖11A所示，例如於基板W表面形成氧化矽膜301，於此氧化矽膜301上配置抗蝕劑302。圖案轉印後之抗蝕劑302具有藉光刻步驟所形成的圖案溝303。以下，針對由此種基板W表面將不需要之抗蝕劑302去除的抗蝕劑去除處理之一例處理例進行說明。又，以下處理例中，在抗蝕劑去除處理之前，將氧化矽膜301進行蝕刻為既定圖案。
圖12為表示藉處理單元102所進行之抗蝕劑去除處理 之處理例概略的流程圖。圖13A至13E為用於說明圖12之處理例中之硫酸配管117及過氧化氫水配管124內之狀態的圖。參照圖9及圖12，說明抗蝕劑去除處理。亦適當併合參照圖13A至13E。
在藉處理單元102對基板W進行抗蝕劑去除處理時， 係於腔室104內部搬入離子注入處理後之基板W(參照圖11A)(圖12之步驟S21)。具體而言，控制裝置103係依所有噴嘴等由旋轉夾頭105上方退避的狀態，使保持著基板W之基板搬送機器人CR1之手部進入至腔室104內，藉此使基板W依其表面朝上方的狀態交接至旋轉夾頭105。其後，控制裝置103藉由旋轉馬達108使基板W之旋轉開始(圖12之步驟S22)。使基板W上升至事先決定之液處理速度(300~1000rpm範圍內，例如500rpm)，維持於此液處理速度。
在基板W之旋轉速度到達液處理速度時，接著，進行 蝕刻液供給步驟(圖12之步驟S23)。具體而言，控制裝置103係打開蝕刻液閥143，朝旋轉狀態之基板W上面中央部，由蝕刻液噴嘴141吐出蝕刻液(氫氧酸(HF))。由蝕刻液噴嘴141吐出之蝕刻液，係供給至基板W上面中央部，受到因基板W旋轉所造成之離心力，而在基板W上面上朝基板W周緣流動。藉此，基板W上面全域被蝕刻液之液膜所被覆。藉此蝕刻液，如圖11B所示，由基板W上面(表面)上，將氧化矽膜301之對應圖案溝303的部分去除，於氧化矽膜301形成既定圖案。於蝕刻處理後，基板W之表面顯示疏水性。
當蝕刻液之吐出開始經過事先決定之時間，則關閉蝕刻 液閥143使蝕刻液吐出停止，接著，進行對基板W供給DIW等潤洗液的第1潤洗液供給步驟(圖12之步驟S24)。具體而言，控制裝置103係打開潤洗液閥140，朝旋轉狀態之基板W上面中央部，由潤洗液噴 嘴138吐出潤洗液。藉此，基板W上之蝕刻液被潤洗液推流至外方，由基板W周圍排出。因此，基板W上之蝕刻液液膜被置換為覆蓋基板W上面全域的潤洗液液膜。
當潤洗液之吐出開始經過事先決定之時間，則關閉潤洗 液閥140使潤洗液吐出停止，接著，進行對基板W供給SPM的SPM供給步驟(圖12之步驟S25)。具體而言，控制裝置103係藉由控制第4噴嘴移動裝置114，使SPM噴嘴112由退避位置移動至處理位置。藉此，使SPM噴嘴112配置於基板W上方。
使SPM噴嘴112配置於基板W上方後，控制裝置103 如圖13A所示般，同時打開硫酸閥118及過氧化氫水閥125。
藉此，使在硫酸配管117內部流通的硫酸供給至SPM噴 嘴112，同時使在過氧化氫水配管124流通的過氧化氫水供給至SPM噴嘴112。然後，在SPM噴嘴112的混合室154混合硫酸與過氧化氫水，生成高溫(例如160℃)之SPM。將此SPM朝依液處理速度旋轉中之基板W上面，如圖13A所示，由SPM噴嘴112之吐出口156吐出。 控制裝置103係藉由控制第4噴嘴移動裝置114，於此狀態使相對基板W上面之SPM著液位置於中央部與周緣部之間移動。
由SPM噴嘴112所吐出之SPM，係著液於基板W上面 後，藉由離心力而沿著基板W上面流動至外方。因此，SPM被供給至基板W上面全域，在基板W上形成被覆基板W上面全域的SPM液膜。藉此，抗蝕劑膜與SPM進行化學反應，使基板W上之抗蝕劑膜藉SPM由基板W被去除。進而，控制裝置103係依基板W旋轉中之狀態，使相對基板W上面之SPM著液位置於中央部與周緣部之間移動，故SPM之著液位置係通過基板W上面全域，掃描基板W上面全 域。因此，由SPM噴嘴112吐出之SPM，被供給至基板W上面全域，對基板W上面全域進行均勻處理。
當SPM之吐出開始經過事先決定之SPM處理時間，則 控制裝置103關閉硫酸閥118及過氧化氫水閥125。藉此，停止SPM吐出。
接著，進行將過氧化氫水供給至基板W的過氧化氫水 供給步驟(圖12之步驟S26)。具體而言，控制裝置103係藉由控制第4噴嘴移動裝置114，將SPM噴嘴112配置於基板W上面中央部上方，其後，如圖13B所示，於硫酸閥118維持為關閉之狀態下，打開過氧化氫水閥125。藉此，使硫酸未流通於硫酸配管117內部，僅有過氧化氫水於過氧化氫水配管124內部流通而供給至SPM噴嘴112。供給至SPM噴嘴112的過氧化氫水，係經由SPM噴嘴112內部由SPM噴嘴112之吐出口156吐出。此過氧化氫水係朝依液處理速度旋轉中之基板W上面中央部，如圖13B所示，由SPM噴嘴112之吐出口156吐出。
著液於基板W上面中央部之過氧化氫水，係朝基板W 周緣於基板W上流動到外方。基板W上之SPM被置換為過氧化氫水，其後，基板W之上面全域被過氧化氫水之液膜所被覆。
尚且，以上係針對在由SPM供給步驟(圖12之步驟S25) 移行為過氧化氫水供給步驟(圖12之步驟S26)時，將過氧化氫水閥125暫時關閉者進行說明，但亦可在SPM供給步驟(圖12之步驟S25)結束後，於維持過氧化氫水閥125打開之狀態之下、僅關閉硫酸閥118，藉此移行至過氧化氫水供給步驟(圖12之步驟S26)。
當由過氧化氫水之吐出開始並經過事先決定之過氧化 氫水供給時間，則控制裝置103係關閉過氧化氫水閥125，使來自SPM 噴嘴112之過氧化氫水的吐出停止。
來自SPM噴嘴112之過氧化氫水的吐出停止後，存在 於過氧化氫水配管124內部的過氧化氫水被吸引。具體而言，如圖13C所示，控制裝置103係於維持過氧化氫水閥125關閉之狀態下，打開過氧化氫水吸引閥128。藉此，使呈經常作動狀態之吸引裝置123的作用有效化，存在於較過氧化氫水閥125更下游側之過氧化氫水配管124內部的過氧化氫水，係經由過氧化氫水吸引配管127被吸引裝置123所吸引。藉由以吸引裝置123所進行之過氧化氫水配管124內部的吸引，由過氧化氫水配管124內排除一部分之過氧化氫水，如圖13C所示，過氧化氫水之前端面由過氧化氫水配管124前端大幅後退。控制裝置103係在經過既定時間後關閉過氧化氫水吸引閥128，藉此，結束過氧化氫水配管124之內部的吸引。
吸引後，控制裝置103係藉由控制第4噴嘴移動裝置 114，使SPM噴嘴112由基板W上方退避至退避位置。
尚且，於硫酸閥118之關閉後，有硫酸少量逐漸地由硫 酸配管117進入至SPM噴嘴112內(硫酸之滴液)的情形。由於硫酸比重較過氧化氫水大，故滴液之硫酸係於SPM噴嘴112內朝下方移動。
此時，假設在將硫酸導入口152(參照圖10)配置於較過 氧化氫水導入口153(參照圖10)更上方的情況，隨著過氧化氫水配管124內之過氧化氫水的吸引，有朝下方移動之硫酸被吸引至過氧化氫水配管124之虞。其結果，有硫酸與過氧化氫水於過氧化氫水配管124內混合接觸而進行反應之虞。
相對於此，第2實施形態中，係於SPM噴嘴112中將 硫酸導入口152配置於較過氧化氫水導入口153更下方。滴液之硫酸 係由下方側之硫酸導入口152朝下方移動，但藉由過氧化氫水配管124內之過氧化氫水的吸引，於SPM噴嘴112內移動之硫酸並不被吸引至過氧化氫水配管124。因此，於過氧化氫水配管124內不易發生硫酸與過氧化氫水的混合接觸。藉此，可防止於過氧化氫水配管124內之硫酸與過氧化氫水的混合接觸。
另一方面，在來自SPM噴嘴112之過氧化氫水的吐出 停止後，存在於硫酸配管117內部之硫酸不被吸引。因此，硫酸之前端面位於硫酸配管117之前端(與SPM噴嘴112連接的位置)。
當過氧化氫水之吐出開始並經過事先決定之過氧化氫 水供給時間，接著，進行將DIW等潤洗液供給至基板W的第2潤洗液供給步驟(圖12之步驟S27)。具體而言，控制裝置103係打開潤洗液閥140，朝基板W上面中央部由潤洗液閥138吐出潤洗液。由潤洗液閥138所吐出之潤洗液，係著液於由過氧化氫水所被覆之基板W的上面中央部。著液於基板W上面中央部之潤洗液，受到基板W旋轉所造成之離心力而於基板W上面上朝基板W周緣部流動。藉此，基板W上之過氧化氫水被潤洗液推流至外方，排出至基板W周圍。因此，基板W上之過氧化氫水之液膜，被置換為覆蓋基板W上面全域的潤洗液液膜。藉此，基板W上面全域被過氧化氫水所沖洗。然後，當打開潤洗液閥140並經過既定時間，則控制裝置103係關閉潤洗液閥140，使來自潤洗液閥138之潤洗液的吐出停止。
當潤洗液之吐出開始並經過既定時間，接著，實行將 SC1供給至基板W的SC1供給步驟(圖12之步驟S28)。具體而言，控制裝置103係藉由控制第5噴嘴移動裝置135，使SC1噴嘴133由退避位置移動至處理位置。控制裝置103係在使SC1噴嘴133配置於 基板W上方後，打開SC1閥137，將SC1朝旋轉狀態之基板W上面由SC1噴嘴133吐出。控制裝置103係藉由於此狀態下控制第5噴嘴移動裝置135，使相對於基板W上面之SC1著液位置於中央部與周緣部之間移動。然後，當打開SC1閥137並經過既定時間，則控制裝置103係關開SC1閥137使SC1吐出停止。其後，控制裝置103藉由控制第5噴嘴移動裝置135，使SC1噴嘴133由基板W上方退避。
由SC1噴嘴133所吐出之SC1，係在著液於基板W的 上面後，藉由離心力而沿著基板W上面朝外方流動。因此，基板W上之潤洗液被SC1推流至外方，排出至基板W周圍。藉此，基板W上之潤洗液之液膜，被置換為覆蓋基板W上面全域的SC1液膜。再者，控制裝置103係於基板W旋轉之狀態下，使對於基板W上面之SC1著液位置於中央部與周緣部之間移動，故SC1之著液位置通過基板W上面全域，掃描基板W之上面全域。因此，由SC1噴嘴133所吐出之SC1被供給至基板W上面全域，基板W上面全域被均勻處理。
接著，進行對基板W供給DIW等潤洗液的第3潤洗液 供給步驟(圖12之步驟S29)。具體而言，控制裝置103係打開潤洗液閥140，朝旋轉狀態之基板W上面中央部，由潤洗液噴嘴138吐出潤洗液。藉此，基板W上之SC1被潤洗液推流至外方，由基板W周圍排出。因此，基板W上之SC1液膜被置換為覆蓋基板W上面全域的潤洗液液膜。然後，當潤洗液閥140打開並經過既定時間後，控制裝置103關閉潤洗液閥140使潤洗液吐出停止。
接著，進行使基板W乾燥的旋轉乾燥步驟(圖12之步驟 S30)。具體而言，控制裝置103係藉由控制旋轉馬達108，將基板W加速至自SPM供給步驟(圖12之步驟S25)至第3潤洗液供給步驟(圖 12之步驟S29)為止之旋轉速度更大的乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，依乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，較大之離心力施加至基板W上的液體，使附著於基板W之液體甩至基板W周圍。如此，自基板W去除液體，使基板W乾燥。然後，當開始基板W之高速旋轉並經過既定時間，則控制裝置103係藉由控制旋轉馬達108，使由旋轉夾頭105所進行之基板W旋轉停止(圖12之步驟S31)。
接著，由腔室104內搬出基板W(圖12之步驟S32)。具 體而言，控制裝置103係依所有噴嘴等由旋轉夾頭105上方退避的狀態，使基板搬送機器人CR1之手部進入至腔室104內部。然後，控制裝置103係於基板搬送機器人CR1之手部保持旋轉夾頭105上之基板W。其後，控制裝置103係使基板搬送機器人CR1之手部自腔室104退避。藉此，由腔室104搬出處理完成的基板W。
接著，在對下一個基板W進行處理的情況，係將下一 個未處理基板W搬入至腔室104內部。然後，實行與圖12所示處理例同等的處理。
在對下一個基板W的抗蝕劑去除處理中的SPM供給步 驟(圖12之步驟S25)的開始時間點，如圖13C所示，過氧化氫水之前端面係由過氧化氫水配管124之前端大幅退後。另一方面，硫酸之前端面位於硫酸配管117之前端(與SPM噴嘴112連接之位置)。因此，於SPM供給步驟(圖12之步驟S25)中，控制裝置103係如圖13D所示，當同時打開硫酸閥118及過氧化氫水閥125，則來自硫酸配管117之硫酸係較來自過氧化氫水配管124之過氧化氫水更早供給至SPM噴嘴112，其結果，對於表面為疏水面之基板W，由SPM噴嘴112之吐出口156先行吐出硫酸。
然後，如圖13E所示，來自過氧化氫水配管124之過氧 化氫水被供給至SPM噴嘴112，於SPM噴嘴112內部使硫酸與過氧化氫水混合，由SPM噴嘴112之吐出口156吐出SPM。
如以上，根據第2實施形態，在對基板W供給SPM時， 硫酸於硫酸配管117內部流通而供給至SPM噴嘴112，同時，過氧化氫水於過氧化氫水配管124內部流通而供給至SPM噴嘴112。然後，於SPM噴嘴112所生成之SPM被供給至基板W。
又，在對基板W供給過氧化氫水時，係不對SPM噴嘴 112供給硫酸，僅有過氧化氫水於過氧化氫水配管124內部流通並供給至SPM噴嘴112。然後，對基板W供給過氧化氫水。
過氧化氫水之供給結束後，存在於過氧化氫水配管124 內部的過氧化氫水被吸引。藉此，由過氧化氫水配管124內排除全部或一部分之過氧化氫水，其結果，過氧化氫水配管124內之過氧化氫水之前端面後退。
由於過氧化氫水配管124內之過氧化氫水之前端面後 退，故在下次之SPM之供給開始時，硫酸較SPM更早供給至基板W。 藉此，在下次之SPM之供給開始時，可確實防止過氧化氫水的先行供給。從而，不致導致SPM之消耗量增大或產率降低，可確實防止過氧化氫水對基板W的先行供給；如此，即使在因蝕刻處理之結果而基板W表面顯示疏水性的情況，仍可抑制或防止基板W表面之顆粒發生。
圖14為說明本發明第3實施形態中SPM供給裝置206 之硫酸配管117及過氧化氫水配管124內之狀態的圖。
於第3實施形態中，與第2實施形態相同的構成係加註 與圖8至13E之情況相同的符號，並省略說明。
SPM供給裝置206係包括：用於吐出SPM之SPM噴嘴 (混合液噴嘴)213；用於使硫酸與過氧化氫水混合的混合部215；使混合部215與SPM噴嘴213之間連接的SPM供給配管(混合液供給配管)214。
硫酸供給單元115及過氧化氫水供給單元116係分別連 接於混合部215。具體而言，硫酸配管117之前端及過氧化氫水配管124之前端係分別連接於混合部215。又，圖14中省略了加熱器120(參照圖9)的圖示，但硫酸供給單元115係包括加熱器120的構成。
具備此種SPM供給裝置206的基板處理裝置201中， 係進行與圖12之處理例相同的抗蝕劑去除處理。於抗蝕劑去除處理中，僅說明基板處理裝置201之特徵性部分。
於SPM供給步驟(圖12之步驟S25)，控制裝置103係 打開硫酸閥118及過氧化氫水閥125。藉此，使在硫酸配管117內部流通的硫酸供給至混合部215，同時使在過氧化氫水配管124流通的過氧化氫水供給至混合部215。在混合部215混合硫酸與過氧化氫水，生成高溫(例如160℃)之SPM。將此SPM經由SPM供給配管214內部提供至SPM噴嘴213，由SPM噴嘴213吐出。來自SPM噴嘴213之SPM被供給至基板W上面。
於過氧化氫水供給步驟(圖12之步驟S26)，控制裝置103 係於硫酸閥118維持為關閉之狀態下，打開過氧化氫水閥125。藉此，使硫酸未流通於硫酸配管117內部，僅有過氧化氫水於過氧化氫水配管124內部流通而供給至混合部215。供給至混合部215的過氧化氫水，係經由SPM供給配管214內部提供至SPM噴嘴213，由SPM噴嘴213吐出。來自SPM噴嘴213之過氧化氫水係供給至基板W上面。
在過氧化氫水供給步驟(圖12之步驟S26)結束後(來自 SPM噴嘴213之過氧化氫水的吐出停止後)，存在於SPM供給配管214內部及過氧化氫水配管124內部的過氧化氫水被吸引。具體而言，控制裝置103係於維持過氧化氫水閥125關閉之狀態下，打開過氧化氫水吸引閥128。藉此，使呈經常作動狀態之吸引裝置123的作用有效化，存在於SPM供給配管214內部之過氧化氫水及較過氧化氫水閥125更下游側之過氧化氫水配管124內部的過氧化氫水，係經由過氧化氫水吸引配管127被吸引裝置123所吸引。藉由以吸引裝置123所進行之過氧化氫水配管124內部的吸引，使存在於SPM供給配管214內部之所有過氧化氫水及存在於過氧化氫水配管124內部之一部分之過氧化氫水被排除，過氧化氫水之前端面大幅後退至過氧化氫水配管124的中途部。控制裝置103係在經過既定時間後關閉過氧化氫水吸引閥128，藉此，結束過氧化氫水配管124之內部及SPM供給配管214之內部的吸引。
接著，在對下一個基板W的抗蝕劑去除處理中的SPM 供給步驟(圖12之步驟S25)的開始時間點，過氧化氫水之前端面係大幅退後至過氧化氫水配管124之中途部，但硫酸之前端面位於硫酸配管117之前端。因此，於SPM供給步驟(圖12之步驟S25)中，當控制裝置103同時打開硫酸閥118及過氧化氫水閥125，則來自硫酸配管117之硫酸係較來自過氧化氫水配管124之過氧化氫水更早供給至混合部215，其結果，由SPM噴嘴213較SPM先行吐出硫酸。
藉此，發揮與第2實施形態相同之作用效果。
為了使第2及第3實施形態之發明效果更加明顯，以下使用圖15A至15D，說明其他形態之基板處理裝置401之SPM供給方法。
圖15A至15D為表示其他形態之基板處理裝置401中， 用於對基板供給SPM之構成一例的圖解性圖。用於進行抗蝕劑去除處理之基板處理裝置401係包括：用於吐出SPM之SPM噴嘴403；用於使硫酸(H2SO4)與過氧化氫水(H2O2)混合的混合部405；與使混合部405與SPM噴嘴403之間連接的SPM供給配管404。於混合部405，分別連接著：由硫酸供給源(未圖示)供給硫酸的硫酸配管406；與由過氧化氫水供給源(未圖示)供給過氧化氫水的過氧化氫水配管408。於硫酸配管406及過氧化氫水配管408之中途部，分別介存安裝著硫酸閥407及過氧化氫水閥409。
於由此種基板處理裝置401所進行之抗蝕劑去除處理 中，係實行對基板表面供給SPM的SPM供給步驟，接著SPM供給步驟，實行對基板表面供給過氧化氫水的過氧化氫水供給步驟。
於SPM供給步驟，係如圖15A所示，同時打開硫酸閥 407及過氧化氫水閥409。藉此，使在硫酸配管406內部流通之硫酸供給至混合部405，同時，使在過氧化氫水配管408流通之過氧化氫水供給至混合部405。於混合部405中使硫酸與過氧化氫水混合而生成SPM，此SPM係經由SPM供給配管404內部提供至SPM噴嘴403，由SPM噴嘴403吐出。來自SPM噴嘴403之SPM被供給至基板上面。
另一方面，於過氧化氫水供給步驟中，如圖15B所示， 係於硫酸閥407維持為關閉之狀態下，打開過氧化氫水閥409。藉此，使硫酸未流通於硫酸配管406內部，僅有過氧化氫水於過氧化氫水配管408內部流通而供給至混合部405。供給至混合部405的過氧化氫水，係經由SPM供給配管404內部提供至SPM噴嘴403，由SPM噴嘴403吐出。來自SPM噴嘴403之過氧化氫水係供給至基板上面。
在來自SPM噴嘴403之過氧化氫水的吐出停止後，SPM 之前端面位於SPM供給配管404之前端附近。又，如圖15C之虛線所示，由SPM供給配管404之中途部之分岐位置404A分岐出SPM吸引配管410，在於此SPM吸引配管410、經由吸引閥411使吸引裝置412連接的情況，係在來自SPM噴嘴403之過氧化氫水之吐出停止後，打開吸引閥411，使較分岐位置404A更下游側之SPM供給配管404內的SPM被吸引。SPM之吸引係進行至SPM前端面後退至SPM供給配管404中途部之既定的待機位置為止。
如此，在對下一個基板W的抗蝕劑去除處理中的SPM 供給的開始時間點，於SPM供給配管404內部殘存著過氧化氫水。因此，當為了SPM之供給而打開硫酸閥407及過氧化氫水閥409，且由混合部405使SPM供給至SPM供給配管404，則如圖15D所示，殘存於SPM供給配管404之過氧化氫水較SPM更早供給至SPM噴嘴403，其結果，由SPM噴嘴403較SPM先行吐出過氧化氫水。
然而，在抗蝕劑去除處理之前，為了由基板表面去除矽 氧化膜等，有對基板施行濕式蝕刻的情形。此濕式蝕刻係對基板表面供給氫氟酸(HF)的處理。此時，濕式蝕刻後之基板表面呈疏水性(例如，接觸角為90度以上)。接著濕式蝕刻(HF處理)，進行SPM之供給。
然而，在基板表面顯示疏水性的情況，當較SPM先行 對基板表面供給過氧化氫水，則基板表面之過氧化氫水的接觸角變大。因此，SPM不擴展為液膜狀，而成為液滴狀。當SPM形成液滴狀，則SPM與基板表面間之氣液界面增大。其結果，有在一連串處理後之基板表面發生顆粒之虞。
為了迴避過氧化氫水之先行吐出，亦可考慮在SPM之 供給之前，進行將SPM供給配管404內部之過氧化氫水排出的預排除。然而，為了預排除的實行，由於通常必須使SPM噴嘴403暫時歸位至原位(home position)，故需要用於SPM噴嘴403之移動時間或排液的動作時間；其結果，有裝置之產率降低之虞。又，藉由預排除所排出之過氧化氫水通常被排液，故對原本不需要排液之過氧化氫水進行排液，結果亦有過氧化氫水之消耗量增大的問題。
相對於此，第2及第3實施形態中，係在下次之SPM供 給開始時，較SPM先行對基板W供給硫酸。藉此，在下次之SPM供給開始時，可確實防止過氧化氫水之先行供給。從而，不致導致SPM之消耗量增大或產率降低，可確實防止過氧化氫水對基板W的先行供給；如此，即使在因蝕刻處理之結果而基板W表面顯示疏水性的情況，仍可抑制或防止基板W表面之顆粒發生。
以上說明了本發明之3個實施形態，但本發明亦可依其 他實施形態所實施。
例如，上述實施形態中，雖針對在SPM供給步驟前藉 紅外線加熱器58對基板W進行加熱的情況進行說明，但亦可省略加熱步驟。
另外，於上述第1實施形態中，雖針對在SPM供給步 驟前將屬於抗靜電液一例之碳酸水供給至基板W的情況進行說明，但亦可省略抗靜電液供給步驟。此時，如圖16所示之變形處理例，除了抗靜電液供給步驟之外，亦可省略在SPM供給步驟前將抗靜電液自基板W去除的第1過氧化氫水供給步驟。
另外，亦可設為將第3實施形態之構成組合至第1實施 形態的構成。具體而言，如圖2中二點虛線所示般，於硫酸配管18中， 在混合閥16與硫酸閥19間之分岐位置23A，亦可分枝連接著用於吸引硫酸配管18內之硫酸的硫酸吸引配管71之一端。於硫酸吸引配管71係介存安裝著硫酸吸引閥72，硫酸吸引配管71之另一端連接於吸引裝置73。吸引裝置73係設為經常作動狀態。當打開硫酸吸引閥72，則硫酸吸引配管71內部被排氣，在較硫酸閥19更下游側之硫酸吸引配管71之內部的硫酸係經由硫酸吸引配管71而被吸引裝置73所吸引。
另外，如圖2中二點虛線所示般，於過氧化氫水配管23 中，在混合閥16與過氧化氫水閥24間之分岐位置23A，亦可分枝連接著用於吸引過氧化氫水配管23內之過氧化氫水的過氧化氫水吸引配管74之一端。於過氧化氫水吸引配管74係介存安裝著過氧化氫水吸引閥75，過氧化氫水吸引配管74之另一端連接於吸引裝置73。當打開過氧化氫水吸引閥75，則過氧化氫水吸引配管74內部被排氣，在較過氧化氫水閥24更下游側之過氧化氫水配管23之內部的過氧化氫水係經由過氧化氫水吸引配管74而被吸引裝置73所吸引。此實施形態中，係由吸引裝置73、過氧化氫水吸引配管74及過氧化氫水吸引閥75，構成吸引單元。亦可個別設置用於吸引硫酸之吸引裝置73、與用於吸引過氧化氫水之吸引裝置。
在將第3實施形態組合至第1實施形態的構成中，可考 慮實行圖16所示變形處理的情況。此時，過氧化氫水供給步驟(圖16之步驟S7)結束後，存在於第1藥液配管14內部及過氧化氫水配管23內部的過氧化氫水被吸引。具體而言，控制裝置3係於維持過氧化氫水閥24關閉之狀態下，打開過氧化氫水吸引閥75。藉此，使呈經常作動狀態之吸引裝置73的作用有效化，存在於第1藥液配管14內部之過氧化氫水及存在於較過氧化氫水閥24更下游側之過氧化氫水配管 23內部的過氧化氫水，係經由過氧化氫水吸引配管74被吸引裝置73所吸引。藉此，存在於第1藥液配管14內部之所有過氧化氫水、及存在於過氧化氫水配管23內部之一部分過氧化氫水被排除，過氧化氫水之前端面大幅後退至過氧化氫水配管23中途部。在經過既定時間後，控制裝置3係關閉過氧化氫水吸引閥75，藉此，結束過氧化氫水配管23之內部及第1藥液配管14之內部的吸引。
在對下一個基板W的處理(圖16之處理例)中SPM供給 步驟(圖16之步驟S5)開始時間點，過氧化氫水之前端面係大幅後退至過氧化氫水配管23的中途部，但硫酸之前端面係位於硫酸配管18之前端。因此，於SPM供給步驟(圖16之步驟S5)中，當控制裝置3同時打開硫酸閥19及過氧化氫水閥24，則來自硫酸配管18之硫酸係較來自過氧化氫水配管23之過氧化氫水更早供給至混合閥16，其結果，由第1藥液噴嘴11較SPM先行吐出硫酸。藉此，除了第1實施形態之作用效果之外，尚發揮第3實施形態之作用效果。
又，在將第2實施形態組合至第1實施形態的構成中， 亦可實行圖16所示之變形處理例。此時，藉由控制裝置3進行圖13A至13E所示之閥開關動作相同的閥開關。藉此，除了第1實施形態之作用效果之外，尚發揮第2實施形態之作用效果。
又，上述第1實施形態中，雖說明了SPM及過氧化氫 水由共通之噴嘴(第1藥液噴嘴11)吐出的情況，但亦可使SPM及過氧化氫水由個別的噴嘴吐出。
又，上述第1實施形態中，雖說明了依使紅外線加熱器 58進行之基板W加熱停止的狀態下，將SPM供給至基板W的情況，但亦可依SPM保持於基板W的狀態，藉紅外線加熱器58對基板W進 行加熱。又，對基板W進行加熱之加熱裝置，並不限定於紅外線加熱器58，亦可為具備電熱線的電熱器。
又，上述第1實施形態中，雖說明了一邊使第1藥液噴 嘴11吐出SPM、一邊以SPM液膜被覆基板W上面全域的情況，但控制裝置3亦可在硫酸及過氧化氫水之混合比到達剝離混合比後，使基板W依低速旋轉速度(例如1~30rpm)進行旋轉、或使基板W之旋轉停止，同時使來自第1藥液噴嘴11的SPM吐出停止，藉此，依SPM吐出停止的狀態，將被覆基板W上面全域之SPM液膜保持於基板W上。
另外，上述第1實施形態中，雖說明了依使紅外線加熱 器58所進行之基板W等之加熱停止的狀態，使SPM供給步驟(圖5之步驟S5)中之SPM吐出開始的情況，但亦可在SPM供給步驟之途中使紅外線加熱器58所進行之基板W等的加熱開始(再開)。具體而言，SPM供給步驟之初期，雖然SPM溫度較低，但其後由於SPM溫度上升，故亦可例如由SPM供給步驟之後半起開始由紅外線加熱器58所進行之基板W等的加熱。
又，上述第1實施形態中，係針對旋轉夾頭5為具備複 數之夾銷8的夾持式夾頭的情況進行說明，但旋轉夾頭5亦可為使基板W下面(背面)吸附於旋轉底盤7(吸附底盤)上面的真空式夾頭。
另外，上述第1實施形態中，係針對將第1藥液噴嘴11 及第2藥液噴嘴29安裝於各別之噴嘴臂的情況進行說明，但亦可安裝於共通的噴嘴臂。同樣地，紅外線加熱器58亦可與第1藥液噴嘴11等吐出處理液的處理液噴嘴安裝於共通的臂。又，雖針對將第1潤洗液噴嘴36及第2潤洗液噴嘴37安裝於共通之噴嘴臂的情況進行說明，但亦可安裝於個別的噴嘴臂。
又，上述第2及第3實施形態中，雖列舉了在SPM對 基板W的供給後，僅吸引過氧化氫水配管124內的例子，但不僅是過氧化氫水配管124內部，亦可一併吸引硫酸配管117。此時，且體而言，控制裝置103係於維持硫酸閥118關閉之狀態下，打開硫酸吸引閥122。藉此，使呈經常作動狀態之吸引裝置123的作用有效化，存在於較硫酸閥118更下游側之硫酸配管117內部的硫酸，係經由硫酸吸引配管121被吸引裝置123所吸引。此時，因硫酸配管117之內部吸引而使硫酸之前端面由硫酸配管117之前端大幅後退，但必須依硫酸前端面之由硫酸配管117前端的後退距離較上述過氧化氫水前端面之由過氧化氫水配管124前端的後退距離更短的方式，設定硫酸吸引閥122的開放時間，此時，在下次之SPM供給步驟(圖12之步驟S25)之開始時，對基板W較SPM先行供給硫酸。
又，上述第2及第3實施形態中，於蝕刻液供給步驟時 雖例示了氫氟酸(HF)作為供給至基板W的蝕刻液，但作為其他之蝕刻液，亦可使用氟硝酸(氫氟酸與硝酸(HNO3)的混合液)、緩衝氫氟酸(BHF)、氟化銨、HFEG(氫氟酸與乙二醇的混合液)等。在將此等使用作為蝕刻液的情況，蝕刻處理後之基板W表面顯示疏水性。
另外，上述第2及第3實施形態中，雖以將來自SPM供 給裝置106、206之SPM用於去除抗蝕劑的情形為例進行了說明，但亦可用於在氧化膜去除後之聚合物去除等的洗淨。
另外，上述各實施形態中，雖針對基板處理裝置1、101、 201為對圓板狀基板W進行處理之裝置的情況進行說明，但基板處理裝置1、101、201亦可為對液晶顯示裝置用基板等之多角形基板W進行處理的裝置。
雖針對本發明之實施形態進行了詳細說明，但此等僅為用於闡明本發明之技術內容的具體例，本發明並不應限定於此等具體例而解釋，本發明之精神及範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。
本申請案係分別與於2013年10月24日向日本專利局提出之日本專利特願2013-221489號及於2013年12月4日向日本專利局提出之特願2013-251192號對應，該等申請案之所有揭示內容均藉由引用而併入本文中。
3‧‧‧控制裝置
58‧‧‧紅外線加熱器
58a‧‧‧基板對向面
61‧‧‧紅外線燈
62‧‧‧燈箱
63‧‧‧圓環部
64‧‧‧鉛直部
65‧‧‧收容部
66‧‧‧底板部
67‧‧‧蓋構件
68‧‧‧支撐構件
W‧‧‧基板

Claims (15)

  1. 一種基板處理方法，係由在表層硬化之抗蝕劑內配置有圖案之基板去除上述抗蝕劑者，其包括：SPM供給步驟，係將藉由使硫酸與過氧化氫水混合而生成之SPM供給至基板；與液溫上升步驟，係與上述SPM供給步驟並行地對用於SPM生成之硫酸與過氧化氫水之混合比進行變更，藉此使上述SPM供給步驟中供給至基板之SPM之液溫上升。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，進一步包括：加熱步驟，係在上述SPM供給步驟前，藉由將基板加熱，使基板溫度接近上述液溫上升步驟之開始時之SPM液溫。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，進一步包括：抗靜電液供給步驟，係在上述SPM供給步驟前，將電阻率較SPM大之導電性之抗靜電液供給至基板。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中，進一步包括：過氧化氫水供給步驟，係在上述抗靜電液供給步驟之後且上述SPM供給步驟之前，對基板供給過氧化氫水，藉此沖洗殘留於基板的抗靜電液。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，上述過氧化氫水供給步驟係將較上述液溫上升步驟開始時之SPM液溫更低溫之過氧化氫水供給至基板的步驟；上述基板處理方法亦可進一步包括：加熱步驟，係與上述過氧化氫水供給步驟並行，藉由將基板及基板上之過氧化氫水加熱，使基板溫度接近上述液溫上升步驟之開始時之SPM液溫。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，上述SPM供給步 驟係包括：將硫酸經由硫酸配管供給至混合部，並且將過氧化氫水經由過氧化氫水配管供給至上述混合部，將在上述混合部使硫酸與過氧化氫水混合而生成的SPM，供給至上述基板的步驟；上述基板處理方法係進一步包括：在上述SPM供給步驟之實行結束後，經由上述過氧化氫水配管將過氧化氫水供給至上述混合部，藉此將過氧化氫水供給至上述基板的過氧化氫水供給步驟；與在上述過氧化氫水供給步驟之實行結束後，對上述過氧化氫水配管之內部進行吸引的吸引步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中，上述SPM供給步驟係包括：閥同時打開步驟，係同時打開用於開關上述硫酸配管之硫酸閥、與用於開關上述過氧化氫水配管之過氧化氫水閥。
  8. 一種基板處理裝置，係由在表層硬化之抗蝕劑內配置有圖案之基板去除上述抗蝕劑者，其包括：SPM生成單元，係藉由將硫酸與過氧化氫水混合而生成SPM；SPM供給單元，係將藉由上述SPM生成單元所生成之SPM供給至基板；混合比變更單元，係將用於SPM生成之硫酸與過氧化氫水之混合比進行變更；與控制裝置，係控制上述SPM生成單元、SPM供給單元、及混合比變更單元；上述控制裝置係實行：SPM供給步驟，係將藉由使硫酸與過氧化氫水於上述SPM生成單元中混合而生成之SPM，藉由上述SPM供給單元供給至基板；與液溫上升步驟，係與上述SPM供給步驟並行地，藉由上述混合比變 更單元將用於SPM生成之硫酸與過氧化氫水之混合比進行變更，藉此使上述SPM供給步驟中供給至基板之SPM之液溫上升。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置進一步包括：對基板進行加熱的加熱單元；上述控制裝置係進一步實行：在上述SPM供給步驟前，使上述加熱單元加熱基板，藉此使基板溫度接近上述液溫上升步驟之開始時之SPM液溫的加熱步驟。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係進一步包括：抗靜電液供給單元，係將電阻率較SPM大之導電性之抗靜電液供給至基板；上述控制裝置係進一步實行：在上述SPM供給步驟前，將電阻率較SPM大之導電性之抗靜電液藉由上述抗靜電液供給單元供給至基板的抗靜電液供給步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係進一步包括：將過氧化氫水供給至基板的過氧化氫水供給單元；上述控制裝置係進一步實行：過氧化氫水供給步驟，係在上述抗靜電液供給步驟之後且上述SPM供給步驟之前，使上述過氧化氫水供給單元對基板供給過氧化氫水，藉此沖洗殘留於基板的抗靜電液。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係進一步包括對基板進行加熱的加熱單元；上述過氧化氫水供給單元係將較上述液溫上升步驟開始時之SPM液溫更低溫之過氧化氫水供給至基板者；上述控制裝置係進一步實行：加熱步驟，係與上述過氧化氫水供給步驟並行，藉由使上述加熱單元加熱基板及基板上之過氧化氫水，而 使基板溫度接近上述液溫上升步驟之開始時之SPM液溫。
  13. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述SPM生成單元係包括：混合部；硫酸供給單元，係具有連接於上述混合部的硫酸配管，經由上述硫酸配管將硫酸供給至上述混合部；與過氧化氫水供給單元，係具有連接於上述混合部的過氧化氫水配管，經由上述過氧化氫水配管將過氧化氫水供給至上述混合部；上述SPM生成單元係將由上述硫酸配管所供給之硫酸與由上述過氧化氫水配管所供給之過氧化氫水，於上述混合部混合而生成SPM者；上述基板處理裝置進一步包括：吸引單元，係具有連接於上述過氧化氫水配管、用於對該過氧化氫水配管內部進行吸引之過氧化氫水吸引配管，經由上述過氧化氫水吸引配管，對上述過氧化氫水配管內部進行吸引；藉由上述控制裝置所實行之上述SPM供給步驟，係包括：將硫酸經由上述硫酸配管供給至上述混合部，並且將過氧化氫水經由上述過氧化氫水配管供給至上述混合部，藉此將在上述混合部所生成的SPM供給至上述基板的步驟；上述控制裝置係進一步實行下述步驟的單元：在上述SPM供給步驟之實行結束後，經由上述過氧化氫水配管將過氧化氫水供給至上述混合部，藉此將過氧化氫水供給至上述基板的過氧化氫水供給步驟；與在上述過氧化氫水供給步驟之實行結束後，對上述過氧化氫水配管之內部進行吸引的吸引步驟。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，上述混合部係包括：混合室，用於將硫酸與過氧化氫水混合；與混合液噴嘴，具有 用於將在上述混合室所混合生成之SPM予以吐出之吐出口；於上述混合室接連著上述過氧化氫水配管。
  15. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置進一步含有：用於吐出SPM之混合液噴嘴；與連接上述混合部與上述混合液噴嘴，將藉上述混合部所生成之SPM供給至上述混合液噴嘴的混合液供給配管。
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