ES2317578T3 - Solucion acuosa y metodo para eliminar contaminantes ionicos de la superficie de una pieza de trabajo. - Google Patents
Solucion acuosa y metodo para eliminar contaminantes ionicos de la superficie de una pieza de trabajo. Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 150000002357 guanidines Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000002169 ethanolamines Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 13
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- STIAPHVBRDNOAJ-UHFFFAOYSA-N carbamimidoylazanium;carbonate Chemical compound NC(N)=N.NC(N)=N.OC(O)=O STIAPHVBRDNOAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CJFCGSLFEZPBNJ-UHFFFAOYSA-N carbamimidoylazanium;phosphate Chemical compound NC([NH3+])=N.NC([NH3+])=N.NC([NH3+])=N.[O-]P([O-])([O-])=O CJFCGSLFEZPBNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-O guanidinium Chemical compound NC(N)=[NH2+] ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 5
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- RYKLZUPYJFFNRR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypiperidin-2-one Chemical compound OC1CCCNC1=O RYKLZUPYJFFNRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical class NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006679 Mentha X verticillata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002899 Mentha suaveolens Nutrition 0.000 description 1
- 235000001636 Mentha x rotundifolia Nutrition 0.000 description 1
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUASJQSBFUVWJQ-UHFFFAOYSA-N [N].NC(N)=N Chemical compound [N].NC(N)=N FUASJQSBFUVWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N azane;7-fluoro-2,1,3-benzoxadiazole-4-sulfonic acid Chemical compound N.OS(=O)(=O)C1=CC=C(F)C2=NON=C12 JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 150000004697 chelate complex Chemical class 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoboron Chemical compound [B]N(C)C YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- AEDZKIACDBYJLQ-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;hydrate Chemical compound O.OCCO AEDZKIACDBYJLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYAKTBUPMOOXNW-UHFFFAOYSA-N guanidine;sulfuric acid Chemical compound NC(N)=N.NC(N)=N.OS(O)(=O)=O UYAKTBUPMOOXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical class O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 1
- FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J tin(4+);disulfate Chemical compound [Sn+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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Abstract
Un método para eliminar contaminantes iónicos de la superficie de una pieza de trabajo, teniendo dicha superficie una máscara de resistencia a la soldadura y una capa superior superficial, comprendiendo el método tratar la pieza de trabajo con una solución acuosa, conteniendo la solución: a) por lo menos un primer compuesto elegido del grupo constituido por compuestos de etanolamina y/o sus sales; b) por lo menos un segundo compuesto elegido del grupo constituido por disolventes alcohólicos; y c) por lo menos un tercer compuesto elegido del grupo constituido por compuestos de guanidina y/o sus sales.
Description
Solución acuosa y método para eliminar
contaminantes iónicos de la superficie de una pieza de trabajo.
El invento se refiere a un método para eliminar
contaminantes iónicos de la superficie de una pieza de trabajo que
tiene un máscara que resiste la soldadura y una capa superior
superficial. El método sirve, de preferencia, para producir
vehículos de circuito eléctrico, mas específicamente para producir
placas de circuito impreso, en particular para producir contactos
sobre portadores de circuito, tal como contactos de conector de
borde y contactos de botón pulsador sobre placas de circuito
impreso.
Durante la fabricación de portadores de circuito
eléctrico, se aplican capas orgánicas y/o metálicas sobre las
superficies de cobre del material de base. Estas capas pueden
desempeñar diferentes funciones. Las capas orgánicas pueden
utilizarse, por ejemplo, para estructurar las superficies de cobre
en los procesos subsiguientes. Para esta finalidad, se aplican
fotorresistores sobre las superficies de cobre de modo que se cubran
por completo. Por consiguiente las capas pueden exponerse
parcialmente a la luz utilizando una fotomáscara especial que forma
imágenes de estructuras de línea deseadas sobre el fotorresistor.
Luego las estructuras de imagen se revelan con productos químicos
correspondientes. Dependiendo del tipo de fotorresistor, que puede
ser negativo o positivo, las áreas que se han expuesto a la luz o
las que no se han expuesto se separan debido al revelado de modo
que áreas de la capa de cobre situadas por debajo quedan expuestas.
Estas áreas pueden luego grabarse de forma selectiva o plaquearse
con cobre u otros metales utilizando una deposición sin corriente
eléctrica, un método químico o electroquímico.
En caso que las capas metálicas se graben
parcialmente o se depositen como se ha descrito, los portadores de
circuito obtenidos tienen ciertas estructuras de línea. Para formar
estructuras complejas pueden repetirse las etapas del método. Se
compactan capas individuales para formar circuitos multicapa. Con el
fin de permitir que el componente electrónico sea montado sobre los
portadores de circuito provistos con las estructuras de línea, se
depositan a continuación capas adicionales tal como capas de oro,
plata, estaño, níquel, utilizando una deposición sin corriente
eléctrica, un método químico o electroquímico para formar la capa
superior superficial utilizando antisoldadura. Por otra parte
estas capas superiores superficiales sirven para formar áreas
superficiales soldables necesarias para montar los componentes.
Por otra parte, son también apropiadas áreas de superficie de oro
para unir componentes semiconductores alojados o descubiertos.
Estas capas superiores superficiales sirven
también además como capas protectoras previstas para impedir que
las superficies de cobre se oxiden y preservar su soldabilidad.
Estas capas superiores son necesarias puesto que la fabricación del
portador del circuito y su ulterior elaboración, por ejemplo, el
montaje de componentes, usualmente no tendrá lugar en el mismo
sitio de fabricación, por lo que el ulterior procesado solo tendrá
lugar en una etapa posterior.
Las capas de oro y plata se forman también,
por ejemplo, como capas superiores superficiales para fabricación
de contactos eléctricos separables, por ejemplo conectores macho
para conectar el portador de circuito insertándolos en enchufes
tomas contacto y áreas de contacto para fabricación de botones
pulsadores.
Una vez se ha completado el portador de
circuito, o sea, después que la capa de remate superior se ha
aplicado, los portadores de circuito se lavan a fondo una vez mas,
antes de secarse y luego guardarse o someterse a ulterior
procesado, con el fin de limpiarlos de cualquier contaminante iónico
originado de las varias etapas del método y mas concretamente
causados por el método de deposición para producir las capas de
remate superficiales.
Las pruebas se llevan a cabo para controlar la
limpieza y con el fin de determinar la concentración de
contaminación superficial del portador de circuito. En estas
pruebas estandarizadas (por ejemplo el método de prueba
IPC-TM-650, desarrollado por
Technical Commitees of IPC/Association Connecting Electronic
Industries - Detection y Measurement of ionizable Surface
Contaminants by Resistivity of Solvent Extract (ROSE)), y todavía
cualquier contaminante iónico adherido se extrae por ejemplo
manualmente de la superficie del portador de circuito utilizando una
mezcla de agua(desionizada)/2-propanol. El
extracto se recoge en su totalidad y se determina su resistencia
eléctrica o su conductividad. La concentración de los contaminantes
iónicos en unidades de una solución de NaCl estandard puede
determinarse a partir de una línea de calibraje (directa) obtenida
trazando los valores de la resistividad de la conductividad
eléctrica, respectivamente, como una función de los valores de
concentración de diversas soluciones de NaCl corrientes. En base
al volumen utilizado y el tamaño de la superficie del portador de
circuito, se obtiene la contaminación iónica para cada área en
\mug/cm^{2} o \mug/pulgada^{2}.
Con la limpieza de la superficie de los
portadores de circuito es principalmente necesario evitar el riesgo
de corrosión por contacto de las estructuras conductoras causado por
los contaminantes iónicos. Este riesgo aumenta en particular sobre
la base de aumentar la miniaturización de los portadores de
circuito o de aumentar la complejidad de las estructuras de línea
por área superficial sobre los portadores de circuito. Esto se
debe a que, con los valores de contaminación sobre la superficie de
los portadores de circuito que permanecen sobre los mismos, las
estructuras conductoras mas complejas encuentran contaminantes
iónicos estadísticamente con mayor frecuencia, con el riesgo de
aumentar fuertemente la corrosión de contacto como resultado de
esto. También las estructuras conductoras mas finas son mucho mas
vulnerables con respecto a su funcionalidad, por ejemplo con
respecto a su comportamiento de impedancia, que las mas grandes, de
modo que debido a la presencia de contaminantes, estas estructuras
de conductor mas finas con frecuencia se vuelven inútiles, por
ejemplo para montaje de componentes. Además, el puenteo de
contaminantes iónicos puede producir también fuga de corriente o
aún corto circuitos entre estructuras conductoras adyacentes, lo que
puede afectar adversamente o aún destruir el portador de circuito y
los componentes situados sobre este mediante las fluctuaciones de
impedancia en los conductores.
En la práctica se ha encontrado que, en
particular, en el caso de portadores de circuito con máscaras de
resistencia a soldadura y a pesar de repetir las etapas de lavado,
las soluciones y métodos utilizados no son suficientes o son
deficientes para eliminar los contaminantes iónicos que se
encuentran sobre la superficie después de la deposición de las
capas de superiores superficiales. Como resultado las superficies
tienen altas concentraciones indeseables de contaminantes iónicos
aún después de la limpieza, conduciendo estos contaminantes en el
ulterior procesado a los problemas aquí antes citados.
Un detergente para limpiar componentes y
unidades para equipo radioelectrónico se describe en Chem. Abstr.
95:221722 relativo a SU 859 433 A1. Este detergente contiene,
i.a. trietanolamina y etanol.
Además, Chem Abstr. 130:155316 relativo a CN
1124185 A describe un agente de limpieza para industria de
semiconductores, conteniendo el agente, i.a., etanolamina,
etanol y agua.
Además, la US 6.566.315 B2 describe
formulaciones que incluyen un agente quelante compuesto de
1,3-dicarbonilo y agentes inhibidores de cobre para
extraer residuos de substratos semiconductores conteniendo
estructuras de cobre. Estas formulaciones contienen, i.a.,
trietanolamina, agua etilenglicol.
Además, la WO 99/16855 A1 describe composiciones
de limpieza y métodos para limpiar materiales de resina y
poliméricos utilizados en la fabricación, mas específicamente en la
fabricación de lentes ópticas. Las composiciones contienen
etanolamina y alcoholes.
Además la US 6.121.217 A describe composiciones
de separación de residuo de proceso de semiconductores de
alcanolamina y un procedimiento. Las composiciones contienen una
alcanolamina y un disolvente polar como agua o un disolvente
orgánico polar como etilenglicol o sus éteres.
Chem. Abstr. 137:187413 relativo a CN 131 6495
describe un detergente a base de agua para la limpieza de placas de
circuito impreso. El detergente contiene, i.a., alcanolamina
y etanol u otro alcohol alifático.
Además, Chem. Abs. 137:187414 relativo a CN
1316417 A describe un detergente líquido para la limpieza de partes
metálicas o semiconductores. Este detergente contiene, i.a.,
alcanolamina, un alcohol alifático C16-C18 y
etilenglicol.
Además, DE 199 45 221 A1 describe un agente de
lavado para rodillos, conteniendo este agente, i.a., un
alcohol monovalente y un alcohol amino, por ejemplo,
2-propanol y
2-amino-2-(metil-1-propanol).
Además, la DE 195 18 990 A1 describe un agente
para la limpieza de cabezas de chorro de tinta y sus boquillas.
Este agente contiene, i.a., agua D.I, trietanolamina y
etilenglicol.
El problema subyacente del presente invento es
evitar las desventajas conocidas de las soluciones y métodos para
la limpieza de la superficie de portadores de circuito que tienen
estructuras de cobre cubiertas parcialmente con una máscara
resistente la soldadura y parcialmente con capas de remate
superficiales conductoras.
Constituye por tanto un objeto del invento el
encontrar una solución química para eliminar contaminantes iónicos
de la superficie de una pieza de trabajo que tiene una máscara
resistente a la soldadura y una capa superior superficial.
Constituye otro objeto del invento hallar una
solución química para reducir por lo menos fuertemente y de forma
fiable contaminantes iónicos de la superficie de una pieza de
trabajo de esta índole.
Constituye otro objeto del invento hallar una
solución química para eliminar contaminantes iónicos de la
superficie de esta pieza de trabajo que sea de costo eficiente y
fácil de manipular.
Constituye otro objeto del presente invento
encontrar un método de eliminar contaminantes iónicos de la
superficie de una pieza de trabajo de este tipo.
Es todavía otro objeto del presente invento
encontrar un método para separar contaminantes iónicos de la
superficie de una pieza de trabajo de esta índole que sea de costo
eficiente y de fácil prestación.
La solución de estos objetos se obtiene con el
método de eliminar contaminantes iónicos de la superficie de una
pieza de trabajo que tiene una máscara de resistencia a la soldadura
y una capa superior superficial de la reivindicación 1. Las
modalidades preferidas del invento se exponen en las
reivindicaciones anexas.
El invento sirve para separar contaminantes
iónicos de la superficie de una pieza de trabajo, mas concretamente
después que una capa superficial de superficie conductora se ha
depositado sobre la pieza de trabajo, mas concretamente sobre áreas
de superficie de cobre o estructuras de cobre que no están cubiertas
con una máscara resistente a la soldadura sobre la superficie de la
pieza de trabajo, para formar áreas soldables y/o unibles sobre
estas áreas superficiales, así como la fabricación de contactos
tales como contactos conectores de borde y contactos de botón
pulsador.
La solución del invento es un método para
eliminar contaminantes iónicos de la superficie de una pieza de
trabajo, teniendo dicha superficie una máscara resistente a la
soldadura y una capa de remate superficial, comprendiendo el método
tratar la pieza de trabajo con una solución acuosa, conteniendo la
solución:
- a)
- por lo menos un primer compuesto elegido del grupo que comprende compuestos de etanolamina y sus sales;
- b)
- por lo menos un segundo compuesto elegido del grupo que comprende disolventes alcohólicos; y
- c)
- por lo menos un tercer compuesto elegido del grupo que comprende compuestos de guanidina y sus sales.
El método se utiliza de preferencia para
producir portadores de circuito eléctrico tal como placas de
circuito impreso y pueden utilizarse en líneas verticales y/u
horizontales. El método del invento puede utilizarse mas
específicamente para aplicarse sobre portadores de circuitos para
producir contactos tales como contactos de conector de borde y
contactos de botón pulsador.
El método del invento es simple, fácil de llevar
a cabo y de costo eficiente. Sirve para eliminar contaminantes
iónicos de la superficie de una pieza de trabajo que tiene una
máscara resistente a la soldadura y una capa superior superficial
recubierta sobre estructuras de cobre, comprendiendo el método
tratar la pieza de trabajo con la solución acuosa del invento una
vez que se ha depositado la capa superior. Las piezas de trabajo
incluyen, de preferencia, portadores de circuito eléctrico tal como
placas de circuito impreso que tienen áreas soldables y/o unibles
así como contactos tal como contactos de conector de borde y
contactos de botón pulsador.
Con el método del invento pueden eliminarse los
problemas que surgen de utilizar los medios conocidos. Las
superficies fuertemente limpiadas requeridas en particular como un
resultado de la miniaturización creciente se hace posible con la
solución acuosa del invento.
Se ha encontrado que los valores de
contaminación pueden reducirse fuertemente, utilizando la solución
acuosa del invento. Dependiendo del material utilizado para la
máscara de resistencia a la soldadura, la cantidad de contaminantes
iónicos sobre la superficie de las piezas de trabajo pueden
reducirse del 50 al 87% con respecto a métodos convencionales. Se
ha encontrado que los problemas principales en la eliminación de
contaminantes iónicos de la superficie de las piezas de trabajo
tiene lugar cuando las máscaras de resistencia a la soldadura no se
curan apropiadamente o han estado afectadas por los procesos para
depositar las capas superiores. En estos casos una mejora
importante en la limpieza sobre las soluciones y métodos
convencionales se ha obtenido utilizando el presente invento.
Pruebas comparativas con las placas de circuito impreso con y sin
máscaras de resistencia a la soldadura pueden también evidenciar
que los contaminantes iónicos no se originan en los baños de
deposición (metal) utilizados para la formación de las capas
superiores superficiales (metal). Puede mostrarse que los
contaminantes iónicos también se arrancan de las máscaras de
resistencia a la soldadura que son atacadas por los productos
químicos del baño agresivo de los baños de deposición.
Sin limitar la idea general del invento el
efecto de limpieza de la solución acuosa utilizada en el invento es
posiblemente debido al hecho de que la máscara de resistencia a la
soldadura se disuelve ligeramente por la solución acuosa del
invento si se lleva a cabo el método del invento, causando esto que
se liberen los contaminantes iónicos de la máscara de resistencia a
la soldadura y que se absorban o unan a la solución acuosa. De otro
modo sin la solución acuosa los contaminantes se liberarían de la
máscara de resistencia a la soldadura solo en una etapa posterior,
conduciendo así a un punto de tiempo posterior a la ocurrencia de
las contaminaciones indeseables sobre la superficie de la pieza de
trabajo.
La calidad de limpieza de la superficie de la
pieza de trabajo se controla, como ya se ha descrito antes, con
pruebas estandarizadas. Estas pruebas se llevan a cabo, de
preferencia de conformidad con los métodos de prueba manual
IPC-TM-650, que se incorporan aquí
como referencia (método de prueba:
IPC-TM-650 bajo el apartado Nº
2.3.25, desarrollado por Technical Committees de IPC/Association
Connecting Electronic Industries - Detection and Measurement of
Ionizable Surface Contaminants by Resistivity of Solvent Extract
(ROSE). En esta prueba se sumerge preferentemente una placa de
circuito impreso en una mezcla de alcohol/agua compuesta por 75% (o
50%) de 2-propanol y 25% (0 50%) de agua D.I.
(desionizada). El agua debe tener una resistencia de mas de 1
M\Omega. 2-propanol debe tener la pureza
"Electronic Grade". Además no deben utilizarse instrumentos de
vidrio.
Los contaminantes iónicos son barridos de la
superficie de la placa de circuito impreso utilizando la mezcla de
alcohol/agua. La mezcla se recoge cuidadosamente. Los
contaminantes iónicos sobre la placa de circuito impreso (y/o
contenidos en la máscara de resistencia a la soldadura), que se
extraen con la mezcla, hacen que aumente la conductividad eléctrica
de la mezcla de alcohol/agua. La conductividad se determina durante
la medición total (30 minutos) y se expresa en equivalente de NaCl
\mug/cm^{2} o \mug/pulgada^{2}, determinándose el
equivalente NaCl mediante una línea calibraje (directa) en donde los
valores de ciertas concentraciones estandard de soluciones de NaCl
se trazan frente a los valores de correspondientes conductividades
eléctricas.
La solución acuosa utilizada en el invento tiene
de preferencia un pH de mas de 7. Se prefiere particularmente una
gama de pH de mas de 9. Es mas preferido un pH en una gama en
exceso de 11.
Con el fin de obtener el efecto de limpieza
descrito mediante la eliminación de contaminantes iónicos, la
solución acuosa utilizada en el invento contiene por lo menos un
primer compuesto (compuesto de etanolamina y/o su sal) de
preferencia en una gama de concentración de 5 a 25 g/l, siendo
particularmente preferida una concentración de alrededor de 14 g/l
(todos los primeros compuestos tomados juntos). De preferencia se
adiciona monoetanolamina como un compuesto de etanolamina.
La concentración del disolvente alcohólico
oscila de preferencia entre 0,5 y 5 g/l, siendo particularmente
preferida una concentración de alrededor de 1 g/l (todos los
disolventes alcohólicos tomados juntos). Se adiciona
preferentemente disolventes alcohólicos de bajo peso molecular tal
como metanol, etanol, n-butanol,
iso-butanol o ter-butanol. Se
prefiere particularmente 2-propanol.
En la solución acuosa utilizada en el invento
los compuestos de guanidina y/o sus sales actúan probablemente como
complejos quelatos con respecto a los contaminantes iónicos con
coordinación directa de los iones metálicos/metales con los
fragmentos de estructura conteniendo nitrógeno de la guanidina.
Este efecto se mejora posiblemente por las otras sustancias de la
solución acuosa del invento.
La concentración de por lo menos un tercer
compuesto (compuestos de guanidina y/o sus sales) de preferencia
oscila entre 0,5 y 5 g/l, siendo particularmente preferida una
concentración de alrededor de 1,5 g/l (todos los terceros
compuestos tomados juntos). Se prefiere particularmente carbonato
de guanidinio, fosfato de guanidinio o sulfato de guanidinio. Los
aniones de sal conteniendo oxígeno de los compuestos de guanidinio
mejoran posiblemente la eficacia del complejo de quelato a través de
efectos de electrones.
En una composición preferida la solución acuosa
del invento contiene 1,5 g de carbonato de guanidinio, 14 g de
monoetanolamina (850 ml/l) y 1 g de 2-propanol,
basado en un litro de agua desionizada. Para la solución acuosa se
prefiere particularmente un pH a 9 - 12.
Para el tratamiento la solución acuosa utilizada
en el invento puede calentarse con el fin de mejorar el efecto de
limpieza, habiéndose encontrado que los contaminantes iónicos pueden
de este modo eliminarse mas eficientemente. Durante el tratamiento
de la pieza de trabajo la solución acuosa del invento tiene de
preferencia una temperatura que oscila entre 50 - 70ºC. Se
prefiere particularmente una temperatura de alrededor de 60ºC.
La pieza de trabajo se trata preferentemente con
la solución acuosa durante un tiempo de 0,5 a 2 minutos. Se
prefiere particularmente un minuto.
La concentración de los contaminantes iónicos
puede reducirse adicionalmente si se lava la pieza de trabajo con
agua desionizada por lo menos una vez antes de tratarse con la
solución acuosa utilizada en el invento.
Como alternativa, o en adición, la pieza de
trabajo puede lavarse con agua desionizada por lo menos una vez
después de haberse tratado con la solución acuosa utilizada en el
invento.
Para mejorar la vida de almacenamiento de la
pieza de trabajo, mas específicamente para preservar la propiedad
de unión y soldadura de las áreas de la pieza de trabajo revestidas
con la capa superior superficial, dicha pieza de trabajo puede
secarse en una secadora después de haberse lavado con el agua
desionizada, reduciendo esto también el riesgo de corrosión.
Un efecto de limpieza particularmente bueno con
valores de contaminación correspondientemente bajos se observa en
particular cuando las máscaras de resistencia a la soldadura
utilizadas se obtienen de compuestos orgánicos tales como acrilatos
de resina epoxi, por ejemplo, las máscaras Taiyo PSR 4000 MH, Taiyo
PSR 4000 MP, Taiyo 4000 AUS 5, Taiyo 4000 GHP 3. Estas se llenan
adicionalmente con materiales inorgánicos tal como, por ejemplo,
SiO_{2} o
Al_{2}O_{3}.
Al_{2}O_{3}.
Las capas superiores superficiales conductoras
depositadas se eligen, de preferencia del grupo constituido por
bismuto, estaño, oro, plata, paladio y níquel o sus aleaciones.
Las capas superiores superficiales conductoras
depositadas pueden servir, por ejemplo, como capas unibles y
soldables o como contactos eléctricos/capas de contacto para botones
pulsadores o contactos conectadores de borde. Las capas superiores
superficiales pueden depositarse utilizando por ejemplo un método
electroquímico, uno sin corriente eléctrica o químico. Se prefiere
la deposición química a través de reacción de intercambio de carga
entre los metales disolviéndose parcialmente un metal (aquí cobre o
una aleación de cobre) mientras el metal disuelto se deposita. Es
por tanto particularmente preferida una capa superior superficial
obtenida con la deposición química de plata de inmersión o estaño
de inmersión (depositado a través de una reacción de intercambio de
carga). Se prefiere también la deposición sin corriente eléctrica
de, por ejemplo, níquel aplicándose sobre este oro de inmersión.
Para formar una capa de
níquel-oro sin corriente eléctrica con un método sin
corriente eléctrica, se trata primero la superficie de cobre con un
baño para la deposición de núcleos de paladio sobre la superficie.
A continuación en otro baño que contiene iones de níquel, por
ejemplo en forma de una sal sulfato, así como un agente reductor
puede llevarse a cabo chapado del metal. El agente reductor
usualmente utilizado es sal hipofosfito, por ejemplo la sal sódica,
o el ácido correspondiente. En este caso se forma una capa de
níquel/fósforo. Si ha de formarse una capa de níquel/boro se
utiliza como el agente reductor un borano, por ejemplo dimetil
amino borano o un hidrido-borato tal como boro
hidruro sódico. En caso que deban depositarse capas de níquel puro,
el agente reductor utilizado de preferencia es hidrazina un
derivado de hidrazina. Estos baños contienen adicionalmente
agentes acomplejantes, mas específicamente ácidos carboxílicos
orgánicos, agentes de ajuste del pH tal como amonio o acetato, así
como agentes estabilizantes tal como compuestos de azufre o sales de
plomo. La capa de oro se aplica a la capa de níquel que se ha
depositado con un método sin corriente eléctrica, de preferencia en
un proceso de intercambio de carga.
Para formar una capa delgada química la
superficie de cobre se pone en contacto con una solución que
contiene iones de estaño(II), por ejemplo sulfato de
estaño(II), y ácido tal como ácido sulfúrico, así como
tiourea o un derivado de tiourea. La capa fina se forma sobre la
superficie de cobre a través de reacción de intercambio de carga,
disolviéndose el cobre en favor del estaño.
Para depositar capas de plata de inmersión, las
estructuras de cobre sobre la pieza de trabajo pueden tratarse con
una solución acídica conteniendo iones de plata.
Las piezas de trabajo pueden tratarse en líneas
de inmersión de corriente. Para el tratamiento de placas de
circuito impreso se ha encontrado particularmente ventajoso utilizar
lo que se denomina líneas conducción en donde las placas de
circuito impreso se conducen a través de una trayectoria horizontal
mientras que se ponen en contacto con las soluciones de tratamiento
a través de boquillas apropiadas tal como boquillas de
pulverización o flujo. Para esta finalidad las placas de circuito
impreso pueden mantenerse horizontal o verticalmente o en cualquier
otra orientación.
Los ejemplos que siguen sirven para ampliar la
explicación del invento:
Para esta finalidad placas de circuito impreso
con varias máscaras de resistencia a la soldadura que cubren
parcialmente las estructuras de cobre sobre la placa de circuito
impreso se trataron utilizando varios métodos de deposición para
formar capas superiores superficiales. A continuación las placas de
circuito impreso se trataron con o sin solución acuosa utilizada en
el invento. A continuación se determinó la cantidad de
contaminantes iónicos formados sobre las placas de circuito impreso
de conformidad con las pruebas estandarizadas descritas
anteriormente.
\vskip1.000000\baselineskip
Se trataron placas de circuito impreso con
cuatro máscaras de resistencia a la soldadura diferentes (Taiyo PSR
4000 MH, Taiyo PSR 4000 MP, Taiyo 4000 AUS 5, Taiyo 4000 GHP 3) con
un método de deposición de estaño de conformidad con la Tabla 1 y
se aplicó una capa de estaño de inmersión de 1 \mum de espesor.
El baño de deposición de estaño contuvo mentansulfonato de
estaño(II), ácido metansulfónico y tiourea. Después de la
deposición se trató una placa de cada tipo de placa de circuito
impreso de conformidad con el invento y una placa no de conformidad
con el invento (para referencia).
La solución acuosa utilizada en el invento tuvo
la composición siguiente, basado en un litro de agua
desionizada:
1,5 g/l de carbonato de guanidinio (pureza del
98%)
1,4 g/l de monoetanolamina (850 ml/l en agua
desionizada)
1 g/l de isopropanol
pH de alrededor de 10,5.
\vskip1.000000\baselineskip
A continuación se determinó la cantidad de los
contaminantes iónicos utilizando la prueba estandarizada. Los
resultados se exponen en la Tabla 2.
Los resultados muestran que la extensión de la
contaminación iónica pudo reducirse considerablemente con el método
de tratamiento del invento. La cantidad de contaminantes iónicos se
redujo en el 58% para MP y 87% para AUS 5.
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Se trataron dos placas de circuito impreso, cada
una revestida con la máscara de resistencia a la soldadura Taiko
PSR 4000 MP con un método llevado a cabo verticalmente para
deposición de placa de inmersión de conformidad con la Tabla 3,
aplicándose una capa de plata de 1 \mum de espesor. El baño de
deposición de plata contuvo metansulfonato de plata y ácido
metansulfónico. Después de la deposición se trató una placa de cada
tipo de placa de circuito impreso de conformidad con el invento, y
una placa no de conformidad con el invento (para referencia).
A continuación se determinó la cantidad de
contaminantes iónicos sobre las placas utilizando la prueba
estandarizada. Los resultados se exponen en la Tabla 4.
Los resultados muestran que la extensión de la
contaminación iónica puede reducirse considerablemente con el
método de tratamiento del invento. La cantidad de contaminantes
iónicos se redujo en alrededor del 63%.
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Claims (18)
1. Un método para eliminar contaminantes
iónicos de la superficie de una pieza de trabajo, teniendo dicha
superficie una máscara de resistencia a la soldadura y una capa
superior superficial, comprendiendo el método tratar la pieza de
trabajo con una solución acuosa, conteniendo la solución:
- a)
- por lo menos un primer compuesto elegido del grupo constituido por compuestos de etanolamina y/o sus sales;
- b)
- por lo menos un segundo compuesto elegido del grupo constituido por disolventes alcohólicos; y
- c)
- por lo menos un tercer compuesto elegido del grupo constituido por compuestos de guanidina y/o sus sales.
\vskip1.000000\baselineskip
2. El método de conformidad con la
reivindicación 1, en donde dicho por lo menos un compuesto de
etanolamina es monoetanolamina.
3. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde dicho por lo menos un
disolvente alcohólico se elige del grupo que comprende
2-propanol y n-propanol.
4. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde por lo menos una sal de
dichos compuestos de guanidina se elige del grupo que comprende
carbonato de guanidinio, fosfato de guanidinio y sulfato de
guanidinio.
5. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde la concentración de
dicho por lo menos un primer compuesto oscila entre alrededor de 5 y
alrededor de 25 g/l.
6. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde la concentración de
dicho por lo menos un disolvente alcohólico oscila entre alrededor
de 0,5 y alrededor de 5 g/l.
7. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde la concentración de
dicho por lo menos un tercer compuesto oscila entre alrededor de 0,5
y alrededor de 5 g/l.
8. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde el pH de dicha solución
acuosa es en exceso de alrededor de 7.
9. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde el pH de dicha solución
acuosa es en exceso de alrededor de 11.
10. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde dicho método se utiliza
en la producción de portadores de circuito eléctrico en líneas
verticales y/u horizontales.
11. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones 1 a 9, en donde dicho método se utiliza en la
producción de contactos eléctricos sobre portadores de circuito
eléctrico.
12. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde dicha solución acuosa
para eliminar contaminantes iónicos tiene una temperatura que oscila
entre alrededor de 50ºC y alrededor de
70ºC.
70ºC.
13. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde dicha pieza de trabajo
se tata con dicha solución acuosa para eliminar contaminantes
iónicos durante un tiempo de alrededor de 0,5 minutos a alrededor
de 2 minutos.
14. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde dicha máscaraa de
resistencia la soldadura es del tipo Taiyo PSR 4000 MH, Taiyo PSR
4000 MP, Taiyo AUS 5 o Taiyo 4000 GHP 3.
15. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde dicha capa superior
superficial se obtiene de un metal elegido del grupo constituido por
bismuto, estaño, oro, plata, paladio y níquel y sus aleaciones.
16. El método de conformidad con la
reivindicación 15, en donde dicha capa superior superficial se
deposita sobre dicha superficie de pieza de trabajo utilizando un
método de deposición elegido del grupo que comprende métodos sin
corriente eléctrica, químicos y electroquímicos.
17. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde dicha capa superior
superficial es por lo menos una capa superior superficial soldable y
unible.
18. El método de conformidad con cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en donde dicho método comprende
además lavar dicha pieza de trabajo por lo menos una vez con agua
desionizada antes y/o después de someterse a un tratamiento con
dicha solución acuosa.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005041533 | 2005-08-31 | ||
DE102005041533A DE102005041533B3 (de) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | Lösung und Verfahren zum Entfernen von ionischen Verunreinigungen von einem Werkstück |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ES2317578T3 true ES2317578T3 (es) | 2009-04-16 |
Family
ID=37136928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES06791636T Active ES2317578T3 (es) | 2005-08-31 | 2006-08-21 | Solucion acuosa y metodo para eliminar contaminantes ionicos de la superficie de una pieza de trabajo. |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080200360A1 (es) |
EP (1) | EP1917340B1 (es) |
JP (1) | JP4852610B2 (es) |
KR (1) | KR101264460B1 (es) |
CN (1) | CN101253258B (es) |
AT (1) | ATE417916T1 (es) |
DE (2) | DE102005041533B3 (es) |
ES (1) | ES2317578T3 (es) |
MY (1) | MY145146A (es) |
TW (1) | TWI378997B (es) |
WO (1) | WO2007025675A1 (es) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5977727B2 (ja) * | 2013-11-13 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
US11473036B2 (en) | 2017-07-04 | 2022-10-18 | Atotech Deutschland Gmbh | Cleaning solution for cleaning metal surfaces |
US11304304B2 (en) | 2019-11-11 | 2022-04-12 | International Business Machines Corporation | Ionic contaminant cleaning |
EP4276219A1 (en) | 2022-05-09 | 2023-11-15 | Atotech Deutschland GmbH & Co. KG | Process for wet-chemical formation of a stable tin oxide layer for printed circuit boards (pcbs) |
CN115287130A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-11-04 | 鹤山市世安电子科技有限公司 | 一种pcb离子污染清洗剂 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2005
- 2005-08-31 DE DE102005041533A patent/DE102005041533B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-21 US US11/995,138 patent/US20080200360A1/en not_active Abandoned
- 2006-08-21 MY MYPI20072259A patent/MY145146A/en unknown
- 2006-08-21 ES ES06791636T patent/ES2317578T3/es active Active
- 2006-08-21 EP EP06791636A patent/EP1917340B1/en active Active
- 2006-08-21 AT AT06791636T patent/ATE417916T1/de active
- 2006-08-21 JP JP2008528389A patent/JP4852610B2/ja active Active
- 2006-08-21 WO PCT/EP2006/008315 patent/WO2007025675A1/en active Application Filing
- 2006-08-21 CN CN2006800319294A patent/CN101253258B/zh active Active
- 2006-08-21 DE DE602006004361T patent/DE602006004361D1/de active Active
- 2006-08-31 TW TW095132206A patent/TWI378997B/zh active
-
2008
- 2008-01-25 KR KR1020087002126A patent/KR101264460B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4852610B2 (ja) | 2012-01-11 |
TWI378997B (en) | 2012-12-11 |
TW200720427A (en) | 2007-06-01 |
JP2009506216A (ja) | 2009-02-12 |
US20080200360A1 (en) | 2008-08-21 |
WO2007025675A8 (en) | 2008-01-24 |
EP1917340A1 (en) | 2008-05-07 |
WO2007025675A1 (en) | 2007-03-08 |
KR101264460B1 (ko) | 2013-05-14 |
DE602006004361D1 (de) | 2009-01-29 |
KR20080039386A (ko) | 2008-05-07 |
CN101253258B (zh) | 2011-04-13 |
EP1917340B1 (en) | 2008-12-17 |
MY145146A (en) | 2011-12-30 |
CN101253258A (zh) | 2008-08-27 |
ATE417916T1 (de) | 2009-01-15 |
DE102005041533B3 (de) | 2007-02-08 |
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