WO2021210599A1

WO2021210599A1 - 基板の洗浄方法

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Publication number: WO2021210599A1
Application number: PCT/JP2021/015404
Authority: WO
Inventors: 山田晃平
Original assignee: 花王株式会社
Priority date: 2020-04-15
Filing date: 2021-04-14
Publication date: 2021-10-21
Also published as: TW202215172A; JPWO2021210599A1; CN115280244A

Abstract

一態様において、樹脂マスク除去性に優れ、銅の腐食及び変色を抑制できる洗浄方法を提供する。　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（ＮＨ4 +、成分Ｂ）、チオグリコール酸（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂの成分Ｃに対するモル比（Ｂ／Ｃ）が１．５以上である洗浄剤組成物を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板から樹脂マスクを剥離する工程を含む、基板の洗浄方法に関する。

Description

基板の洗浄方法

　本開示は、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物、これを用いる基板の洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。

　近年、パーソナルコンピュータや各種電子デバイスにおいては、低消費電力化、処理速度の高速化、小型化が進み、これらに搭載されるパッケージ基板などの配線は年々微細化が進んでいる。このような微細配線並びにピラーやバンプといった接続端子形成にはこれまでメタルマスク法が主に用いられてきたが、汎用性が低いことや配線等の微細化への対応が困難になってきたことから、他の新たな方法へと変わりつつある。

　新たな方法の一つとして、ドライフィルムレジストをメタルマスクに代えて厚膜樹脂マスクとして使用する方法が知られている。この樹脂マスクは最終的に剥離・除去されるが、剥離・除去等の洗浄に使用する洗浄剤として、アルカリ剤と水とを含む樹脂マスク剥離用洗浄剤が知られている。

　例えば、特開２０１４－７８００９号公報（特許文献１）には、厚いフィルム・レジストの下にある基板構造にダメージを与えることなく、フィルム・レジストを効果的に除去するのに有効な組成物として、アルカノールアミン、有機溶媒、水、水酸化物、及び、腐食防止剤を含有する組成物が記載されている。
　特開２０１５－７９２４４号公報（特許文献２）には、はんだバンプの加熱処理後の樹脂マスク層の除去の促進とはんだ腐食の抑制とを両立でき、はんだ接続信頼性を向上させうる洗浄剤として、特定の第四級アンモニウム水酸化物、水溶性アミン、酸又はそのアンモニウム塩、及び、水を含有する樹脂マスク層用洗浄剤組成物が記載されている。

　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（ＮＨ₄ ⁺、成分Ｂ）、チオグリコール酸（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂの成分Ｃに対するモル比（Ｂ／Ｃ）が１．５以上である洗浄剤組成物を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板から樹脂マスクを剥離する工程を含む、基板の洗浄方法に関する。

　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法に関する。

　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（ＮＨ₄ ⁺、成分Ｂ）、チオグリコール酸（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂの成分Ｃに対するモル比（Ｂ／Ｃ）が１．５以上である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物に関する。

　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（ＮＨ₄ ⁺、成分Ｂ）、チオグリコール酸（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂの成分Ｃに対するモル比（Ｂ／Ｃ）が１．５以上である洗浄剤組成物の、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板の洗浄への使用に関する。

　プリント基板等に微細配線を形成する上で、樹脂マスクの残存はもちろんのこと、微細配線やバンプ形成に用いられるはんだやめっき液等に含まれる助剤等の残存を低減するため、洗浄剤組成物には高い洗浄性が要求される。
　ここで、樹脂マスクとは、光や電子線等によって現像液に対する溶解性等の物性が変化するレジストを用いて形成されるものである。レジストは、光や電子線との反応方法から、ネガ型とポジ型に大きく分けられている。ネガ型レジストは、露光されると現像液に対する溶解性が低下する特性を有し、ネガ型レジストを含む層（以下、「ネガ型レジスト層」ともいう）は、露光及び現像処理後に露光部が樹脂マスクとして使用される。ポジ型レジストは、露光されると現像液に対する溶解性が増大する特性を有し、ポジ型レジストを含む層（以下、「ポジ型レジスト層」ともいう）は、露光及び現像処理後に露光部が除去され、未露光部が樹脂マスクとして使用される。このような特性を有する樹脂マスクを使用することで、金属配線、金属ピラーやハンダバンプといった回路基板の微細な接続部を形成することができる。樹脂マスクは、微細配線やバンプ形成後に除去されなければならない。

　しかしながら、配線が微細化するにつれて、微細な隙間にある樹脂マスクを除去することが困難になってきており、洗浄剤組成物には、高い樹脂マスク除去性が要求される。さらに、配線や接続端子の多くに使用される銅の腐食や変色はパッケージ基板の品質及び価値の低下を招くことから、洗浄剤組成物には高い腐食及び変色の防止能が要求される。また、銅の変色は、例えば、銅表面に硫化物が生じることにより起こることが知られており、洗浄工程後に銅除去工程（例えば、シードエッチ工程）を行う場合、変色した銅を除去することは難しい。

　そこで、本開示は、一態様において、樹脂マスク除去性に優れ、銅の腐食及び変色を抑制できる基板の洗浄方法及び樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物を提供する。

　本開示は、アンモニウムイオンとチオグリコール酸とを特定のモル比で含む洗浄剤組成物を用いることで、銅の腐食を抑制しつつ、基板表面から樹脂マスクを効率よく除去できるという知見に基づく。

　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（ＮＨ₄ ⁺、成分Ｂ）、チオグリコール酸（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂの成分Ｃに対するモル比（Ｂ／Ｃ）が１．５以上である洗浄剤組成物（以下、「本開示の洗浄剤組成物」ともいう）を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板から樹脂マスクを剥離する工程を含む、基板の洗浄方法（以下、「本開示の洗浄方法」ともいう）に関する。

　本開示によれば、樹脂マスク除去性に優れ、銅の腐食及び変色を抑制できる洗浄方法を提供できる。そして、本開示の洗浄方法を用いることによって、高い収率で高品質の電子部品が得られうる。更に、本開示の洗浄方法を用いることによって、微細な配線パターンを有する電子部品を効率よく製造できる。

　本開示の効果発現の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。
　アルカリ剤は、樹脂マスク内に浸透して樹脂マスクに配合されているアルカリ可溶性樹脂の解離を促進し、更に解離によって生じる電荷の反発を起こすことによって樹脂マスクの剥離を促進することで樹脂マスク除去性が向上すると考えられる。一方で、アルカリ剤は銅のエッチング（腐食）に関与していると考えられる。チオグリコール酸はアルカリ剤による銅のエッチングを抑制することができるが、銅との塩を形成し銅の変色を招くと考えられる。水を含有する洗浄剤組成物において、アンモニウムイオンとチオグリコール酸を特定の比率で組み合わせることにより、チオグリコール酸に対して過剰に存在するアンモニウムイオンがチオグリコール酸の銅塩の形成を抑え、アルカリ剤の存在下で銅のエッチング（腐食）抑制と良好な剥離性能を発現しつつ、銅の変色を抑制できると考えられる。
　但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

　本開示において剥離・除去される樹脂マスクとは、エッチング、めっき、加熱等の処理から物質表面を保護するためのマスク、すなわち、保護膜として機能するマスクである。樹脂マスクとしては、一又は複数の実施形態において、露光及び現像工程後のレジスト層、露光及び現像の少なくとも一方の処理が施された（以下、「露光及び／又は現像処理された」ともいう）レジスト層、あるいは、硬化したレジスト層が挙げられる。樹脂マスクを形成する樹脂材料としては、一又は複数の実施形態において、フィルム状の感光性樹脂、レジストフィルム、又はフォトレジストが挙げられる。レジストフィルムは汎用のものを使用できる。

［洗浄剤組成物］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（成分Ｂ）、チオグリコール酸（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂの成分Ｃに対するモル比（Ｂ／Ｃ）が１．５以上である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物である。本開示の洗浄剤組成物によれば、一又は複数の実施形態において、銅の腐食抑制と良好な樹脂マスク剥離性能を発現しつつ、銅の変色を抑制できる。本開示の洗浄剤組成物によれば、一又は複数の実施形態において、微細な隙間にある樹脂マスクを効率よく剥離して除去できる。本開示の洗浄剤組成物によれば、一又は複数の実施形態において、基板樹脂へのダメージを抑制できる。基板樹脂としては、例えば、ソルダーレジストが挙げられる。

［アルカリ剤（成分Ａ）］
　本開示の洗浄剤組成物に含まれるアルカリ剤（以下、単に「成分Ａ」ともいう）としては、一又は複数の実施形態において、無機アルカリ及び有機アルカリから選ばれる少なくとも１種が挙げられ、排水処理負荷低減の観点から、無機アルカリが好ましい。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

　無機アルカリとしては、一又は複数の実施形態において、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の、水酸化物、炭酸塩又は珪酸塩等が挙げられ、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、珪酸ナトリウム及び珪酸カリウムから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸カリウムから選ばれる１種又は２種以上の組合せが好ましく、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムの少なくとも一方がより好ましく、水酸化カリウムが更に好ましい。本開示において、無機アルカリには、アンモニア（ＮＨ₃）及びアンモニウムイオン（ＮＨ₄ ⁺）は含まれない。

　有機アルカリとしては、一又は複数の実施形態において、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、有機アミン等が挙げられる。テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物が挙げられる。有機アミンとしては、例えば、下記式（ＩＩ）で表されるアミン等が挙げられる。成分Ａとしては、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク除去性向上の観点から、式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物と式（ＩＩ）で表されるアミンとの組合せを用いることが好ましい。

　上記式（Ｉ）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。

　上記式（ＩＩ）において、Ｒ⁵は、水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基を示し、Ｒ⁶は、水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ⁷は、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種か、あるいは、式（ＩＩ）において、Ｒ⁵は、メチル基、エチル基、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ⁶とＲ⁷は互いに結合して式（ＩＩ）中のＮ原子と共にピロリジン環又はピペラジン環を形成する。

　式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物としては、例えば、第４級アンモニウムカチオンとヒドロキシドとからなる塩等が挙げられる。第４級アンモニウム水酸化物の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、２－ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシエチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ジエチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ジプロピルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）エチルアンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラキス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、及びテトラキス（２－ヒドロキシプロピル）アンモニウムヒドロキシドから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドがより好ましい。

　式（ＩＩ）で表されるアミンとしては、例えば、アルカノールアミン、１～３級アミン及び複素環化合物等が挙げられる。アミンの具体例としては、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルモノエタノールアミン、Ｎ－メチルイソプロパノールアミン、Ｎ－エチルモノエタノールアミン、Ｎ－エチルイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ－ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ－ジメチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－メチルジイソプロパノールアミン、Ｎ－ジエチルモノエタノールアミン、Ｎ－ジエチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジイソプロパノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）イソプロパノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）ジエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）ジイソプロパノールアミン、１－メチルピペラジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピロリジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン、エチレンジアミン及びジエチレントリアミンから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、モノエタノールアミン及びジエタノールアミンが好ましく、モノエタノールアミンがより好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、樹脂マスク除去性向上及び銅腐食抑制の観点から、０．５質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、そして、同様の観点から、８質量％以下が好ましく、６質量％以下がより好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、０．５質量％以上８質量％以下が好ましく、２質量％以上６質量％以下がより好ましい。成分Ａが２種以上の組合せである場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。

　本開示において「洗浄剤組成物の使用時における各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物の洗浄への使用を開始する時点での各成分の含有量をいう。

[アンモニウムイオン：ＮＨ₄ ⁺（成分Ｂ）]
　本開示の洗浄剤組成物に含まれるアンモニウムイオン（以下、「成分Ｂ」ともいう）は、化学式ＮＨ₄ ⁺で表されるアンモニウムイオンである。
　成分Ｂの供給源としては、一又は複数の実施形態において、アンモニウムイオン（ＮＨ₄ ⁺）を供給できる化合物であれば特に限定されないが、樹脂マスク除去性及び銅腐食抑制の観点から、アンモニア及び有機酸のアンモニウム塩の少なくとも１種が挙げられる。アンモニアは気体状でも用いることができるが、作業性の観点から水溶液（アンモニア水）として用いることが好ましい。有機酸のアンモニウム塩としては、例えば、チオグリコール酸（成分Ｃ）のアンモニウム塩等が挙げられる。成分Ｂの供給源は、樹脂マスク除去性及び銅腐食抑制の観点から、アンモニアとチオグリコール酸（成分Ｃ）のアンモニウム塩との組み合わせ、またはアンモニアとカルボン酸のアンモニウム塩との組み合わせが好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物の使用時における、洗浄剤組成物１００ｇに対する成分Ｂの含有量（ｍｏｌ／１００ｇ）は、樹脂マスク除去性向上及び銅腐食抑制の観点から、０．０２ｍｏｌ／１００ｇ以上が好ましく、０．０４ｍｏｌ／１００ｇ以上がより好ましく、そして、同様の観点から、０．０８ｍｏｌ／１００ｇ以下が好ましく、０．０６ｍｏｌ／１００ｇ以下がより好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における、洗浄剤組成物１００ｇに対する成分Ｂの含有量（ｍｏｌ／１００ｇ）は、０．０２ｍｏｌ／１００ｇ以上０．０８ｍｏｌ／１００ｇ以下が好ましく、０．０４ｍｏｌ／１００ｇ以上０．０６ｍｏｌ／１００ｇ以下がより好ましい。

[チオグリコール酸（成分Ｃ）]
　本開示の洗浄剤組成物に含まれるチオグリコール酸（成分Ｃ）の供給源としては、チオグリコール酸又はその塩が挙げられる。例えば、チオグリコール酸のアンモニウム塩は、成分Ｂ及び成分Ｃの供給源となり得る。例えば、チオグリコール酸モノエタノールアミンは、成分Ａ及び成分Ｃの供給源となり得る。

　本開示の洗浄剤組成物の使用時におけるチオグリコール酸（以下、「成分Ｃ」ともいう）の含有量（質量％）は、樹脂マスク除去性向上及び銅腐食抑制の観点から、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、そして、同様の観点から、３質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｃの含有量は、０．５質量％以上３質量％以下が好ましく、１質量％以上２質量％以下がより好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物の使用時における、洗浄剤組成物１００ｇに対する成分Ｃの含有量（ｍｏｌ／１００ｇ）は、樹脂マスク除去性向上及び銅腐食抑制の観点から、０．００５ｍｏｌ／１００ｇ以上が好ましく、０．０１ｍｏｌ／１００ｇ以上がより好ましく、そして、同様の観点から、０．０３ｍｏｌ／１００ｇ以下が好ましく、０．０２ｍｏｌ／１００ｇ以下がより好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における、洗浄剤組成物１００ｇに対する成分Ｃの含有量は、０．００５ｍｏｌ／１００ｇ以上０．０３ｍｏｌ／１００ｇ以下が好ましく、０．０１ｍｏｌ／１００ｇ以上０．０２ｍｏｌ／１００ｇ以下がより好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂの成分Ｃに対するモル比（Ｂ／Ｃ）（成分Ｂの含有量／成分Ｃの含有量）は、樹脂マスク除去性向上、銅腐食抑制及び銅変色抑制の観点から、１．５以上であって、２以上が好ましく、３以上がより好ましく、そして、同様の観点から、５以下が好ましく、４以下がより好ましい。より具体的には、モル比（Ｂ／Ｃ）は、２以上５以下が好ましく、３以上４以下がより好ましい。

［水（成分Ｄ）］
　本開示の洗浄剤組成物に含まれる水（以下、「成分Ｄ」ともいう）としては、一又は複数の実施形態において、イオン交換水、ＲＯ水、蒸留水、純水、超純水等が挙げられる。

　本開示の洗浄剤組成物中の成分Ｄの含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び後述する任意成分を除いた残余とすることができる。具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量は、樹脂マスク除去性向上、銅腐食抑制、排水処理負荷低減、及び基板に対する影響低減の観点から、４５質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上が更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、９９質量％以下が好ましく、９８質量％以下がより好ましく、９７質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量は、４５質量％以上９９質量％以下が好ましく、６０質量％以上９８質量％以下がより好ましく、８０質量％以上９７質量％以下が更に好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄの合計量は、樹脂マスク除去性向上及び銅腐食抑制の観点から、６０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上が更に好ましい。

［有機溶剤（成分Ｅ）］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、有機溶剤（以下、「成分Ｅ」ともいう）をさらに含有することができる。成分Ｅは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　成分Ｅとしては、一又は複数の実施形態において、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤が挙げられる。
　グリコールエーテルとしては、樹脂マスク除去性向上、銅腐食抑制、及び基板に対する影響低減の観点から、炭素数１以上８以下のアルコールにエチレングリコールが１以上３モル以下付加した構造を有する化合物が挙げられる。グリコールエーテルの具体例としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ）、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、及びジエチレングリコールジエチルエーテルから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
　芳香族ケトンとしては、樹脂マスク除去性向上、銅腐食抑制、及び基板に対する影響低減の観点から、アセトフェノン等が挙げられる。

　本開示の洗浄剤組成物が成分Ｅを含有する場合、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｅの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点からは、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、そして、銅腐食抑制、排水処理負荷低減、及び基板に対する影響低減の観点から、４０質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、６質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｅの含有量は、１質量％以上４０質量％以下が好ましく、２質量％以上２０質量％以下がより好ましく、３質量％以上６質量％以下が更に好ましい。成分Ｅが２種以上の組合せである場合、成分Ｅの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［キレート剤（成分Ｆ）］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、キレート剤（以下、「成分Ｆ」ともいう）をさらに含有することができる。成分Ｆは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　成分Ｆとしては、例えば、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物が挙げられ、樹脂マスク除去性向上及び銅腐食抑制の観点から、前記酸基を好ましくは４以下有する化合物であることが好ましい。成分Ｆの具体例としては、一又は複数の実施形態において、アミノトリメチレンホスホン酸、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、エチドロン酸（１－ヒドロキシエタン－１、１－ジホスホン酸、ＨＥＤＰ）などが挙げられる。これらの中でも、環境負荷低減の観点から、窒素原子を含まない化合物である２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、エチドロン酸（ＨＥＤＰ）等が好ましい。

　成分Ｆの分子量は、樹脂マスク除去性向上及び銅腐食抑制の観点から、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物が成分Ｆを含有する場合、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｆの含有量は、樹脂マスク除去性向上及び銅腐食抑制の観点から、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、そして、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｆの含有量は、０．５質量％以上５質量％以下が好ましく、１質量％以上３質量％以下がより好ましい。成分Ｆが２種以上の組合せである場合、成分Ｆの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［その他の成分］
　本開示の洗浄剤組成物は、前記成分Ａ～Ｆ以外に、必要に応じてその他の成分をさらに含有することができる。その他の成分としては、通常の洗浄剤に用いられうる成分を挙げることができ、例えば、成分Ｅ以外の有機溶剤、界面活性剤、成分Ｆ以外のキレート剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、高分子化合物、可溶化剤、酸化防止剤、防腐剤、消泡剤、抗菌剤等が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時におけるその他の含有量は、０質量％以上２質量％以下が好ましく、０質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０質量％以上１．３質量％以下が更に好ましく、０質量％以上１質量％以下がより更に好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、フッ素化合物を含有しないものとすることができる。

　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び任意成分（成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）由来の有機物の総含有量は、排水処理負荷低減、及び基板に対する影響低減の観点から、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１６質量％以下がより更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、２質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、４質量％以上が更に好ましく、６質量％以上がより更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び任意成分（成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）由来の有機物の総含有量は、２質量％以上３０質量％以下が好ましく、３質量％以上２５質量％以下がより好ましく、４質量％以上２０質量％以下が更に好ましく、６質量％以上１６質量％以下がより更に好ましい。

［洗浄剤組成物の製造方法］
　本開示の洗浄剤組成物は、アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（成分Ｂ）の供給源、チオグリコール酸（成分Ｃ）又はその塩、水（成分Ｄ）及び必要に応じて上述の任意成分を公知の方法で配合することにより製造できる。例えば、本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（成分Ｂ）の供給源、チオグリコール酸（成分Ｃ）又はその塩、及び水（成分Ｄ）を配合してなるものとすることができる。
　したがって、本開示は、少なくともアルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（成分Ｂ）の供給源、チオグリコール酸（成分Ｃ）又はその塩、及び水（成分Ｄ）を配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（成分Ｂ）の供給源、チオグリコール酸（成分Ｃ）又はその塩、水、及び必要に応じて上述した任意成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。

　本開示の洗浄剤組成物は、そのまま洗浄に使用する形態であってもよく、分離や析出等を起こして保管安定性を損なわない範囲で水（成分Ｄ）の量を減らした濃縮物として調製してもよい。洗浄剤組成物の濃縮物は、輸送及び貯蔵の観点から、希釈倍率３倍以上の濃縮物とすることが好ましく、保管安定性の観点から、希釈倍率３０倍以下の濃縮物とすることが好ましい。洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に各成分（成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ、及び、その他の成分）が上述した含有量（すなわち、洗浄時の含有量）になるよう水（成分Ｄ）で希釈して使用することができる。更に洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に各成分を別々に添加して使用することもできる。本開示において濃縮液の洗浄剤組成物の「使用時」又は「洗浄時」とは、洗浄剤組成物の濃縮物が希釈された状態をいう。

［被洗浄物］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板の洗浄に使用されうる。銅含有金属層は、一又は複数の実施形態において、銅めっき層である。銅めっき層は、例えば、無電解銅めっき法により形成することができる。
　本開示の洗浄剤組成物は、その他の一又は複数の実施形態において、樹脂マスクが付着した被洗浄物の洗浄に使用されうる。被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、表面に銅含有金属部位を有する被洗浄物が挙げられ、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられる。電子部品としては、例えば、プリント基板、ウエハ、銅板及びアルミニウム板等の金属板から選ばれる少なくとも１つの部品が挙げられる。前記製造中間物は、電子部品の製造工程における中間製造物であって、樹脂マスク処理後の中間製造物を含む。樹脂マスクが付着した被洗浄物の具体例としては、例えば、樹脂マスクを使用した半田付けやめっき処理（銅めっき、アルミニウムめっき、ニッケルめっき等）等の処理を行う工程を経ることにより、配線や接続端子等が基板表面に形成された電子部品等が挙げられる。したがって、本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物の、電子部品の製造における洗浄剤としての使用に関する。
　また、本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、微細な隙間にある樹脂マスクの除去性に優れる。被洗浄物としては、洗浄剤組成物の樹脂マスク除去性を発揮する観点から、微細な隙間を有する基板であって、その隙間に樹脂マスクが存在していることが好ましい。微細な隙間を有する基板としては、基板が銅の配線（ライン）を有しており、配線の間隔（スペース）の最小値が、好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは６μｍ以下である基板が挙げられる。
　また、本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、基板樹脂へのダメージを抑制できる。被洗浄物としては、洗浄剤組成物の基板樹脂への低ダメージ性を発揮する観点から、表面に樹脂を有する基板が挙げられ、例えば、基板がソルダーレジスト樹脂を有する基板であることが好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、洗浄効果の点から、樹脂マスク、あるいは、更にめっき処理及び／又は加熱処理された樹脂マスクが付着した被洗浄物の洗浄に好適に用いられうる。樹脂マスクとしては、例えば、ネガ型樹脂マスクでもよいし、ポジ型樹脂マスクでもよい。本開示においてネガ型樹脂マスクとは、ネガ型レジストを用いて形成されるものであり、例えば、露光及び／又は現像処理されたネガ型レジスト層が挙げられる。本開示においてポジ型樹脂マスクとは、ポジ型レジストを用いて形成されるものであり、例えば、露光及び／又は現像処理されたポジ型レジスト層が挙げられる。

[洗浄方法]
　本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板（被洗浄物）から樹脂マスクを剥離する工程（以下、単に「剥離工程」ともいう）を含む。前記剥離工程は、一又は複数の実施形態において、被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む。本開示の洗浄方法によれば、銅の腐食及び変色を抑制しつつ、樹脂マスクを効率よく剥離して除去できる。本開示の洗浄方法によれば、一又は複数の実施形態において、微細な隙間にある樹脂マスクを効率よく剥離して除去できる。本開示の洗浄方法によれば、一又は複数の実施形態において、基板樹脂へのダメージを抑制できる。基板樹脂としては、例えば、ソルダーレジストが挙げられる。

　本開示の洗浄剤組成物を用いて被洗浄物から樹脂マスクを剥離する方法、又は、被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法としては、例えば、洗浄剤組成物を入れた洗浄浴槽内へ浸漬することで接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）、浸漬中に超音波照射する超音波洗浄方法等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。被洗浄物としては、上述した被洗浄物を挙げることができる。

　本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことができる。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水ですすぐ工程を含むことができる。

　本開示の洗浄方法は、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示の洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的高周波数であることがより好ましい。前記超音波の照射条件は、同様の観点から、例えば、２６～７２ｋＨｚ、８０～１５００Ｗが好ましく、３６～７２ｋＨｚ、８０～１５００Ｗがより好ましい。

　本開示の洗浄方法において、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、洗浄剤組成物の温度は４０℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましく、そして、基板に対する影響低減の観点から、７０℃以下が好ましく、６０℃以下がより好ましい。

［電子部品の製造方法］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板（被洗浄物）を洗浄する工程（洗浄工程）を含む、電子部品の製造方法（以下、「本開示の電子部品の製造方法」ともいう）に関する。被洗浄物としては、上述した被洗浄物を挙げることができる。本開示の電子部品の製造方法は、一又は複数の実施形態において、前記洗浄工程の後、銅を含む金属層をエッチングする工程を含むことができる。
　本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を用いて洗浄を行うことにより、銅の腐食及び変色を抑制しつつ、電子部品に付着した樹脂マスクを効果的に除去できるため、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。更に、本開示の洗浄方法を行うことにより、電子部品に付着した樹脂マスクの除去が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。

［キット］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法及び本開示の電子部品の製造方法のいずれかに使用するためのキット（以下、「本開示のキット」ともいう）に関する。本開示のキットは、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキットである。本開示のキットによれば、樹脂マスク除去性に優れ、銅の腐食及び変色を抑制できる洗浄剤組成物が得られうる。

　本開示のキットの一実施形態としては、成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）と、成分Ｃを含有する溶液（第３液）とを、相互に混合されない状態で含み、第１液、第２液及び第３液から選ばれる少なくとも１つは、水（成分Ｄ）の一部又は全部を更に含有し、第１液と第２液と第３液は使用時に混合されるキット（３液型洗浄剤組成物）が挙げられる。第１液と第２液と第３液が混合された後、必要に応じて水（成分Ｄ）で希釈されてもよい。第１液、第２液及び第３液の各々には、必要に応じて上述した任意成分が含まれていてもよい。
　本開示のキットのその他の実施形態としては、成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂ及び成分Ｃを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されない状態で含み、第１液及び第２液の少なくとも一方は、水（成分Ｄ）の一部又は全部を更に含有し、第１液と第２液とは使用時に混合される、キット（２液型洗浄剤組成物）が挙げられる。第１液と第２液とが混合された後、必要に応じて水（成分Ｄ）で希釈されてもよい。第１液及び第２液の各々には、必要に応じて上述した任意成分が含まれていてもよい。

　以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。

１．実施例１～９及び比較例１～３の洗浄剤組成物の調製
　表１～２に示す各成分を表１～２に記載の配合量（質量％、有効分）で配合し、それを攪拌して混合することにより、実施例１～９及び比較例１～３の洗浄剤組成物を調製した。調製した各洗浄剤組成物中のアンモニウムイオン（成分Ｂ）の含有量（mol/100g、有効分）、チオグリコール酸（成分Ｃ）の含有量（質量％、mol/100g、有効分）、及び、アンモニウムイオン／チオグリコール酸のモル比（Ｂ／Ｃ）を表１～２に示した。

　実施例１～９及び比較例１～３の洗浄剤組成物の調製には、下記のものを使用した。
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド［昭和電工株式会社製、濃度２５％］（成分Ａ）
ＭＥＡ：モノエタノールアミン［株式会社日本触媒製］（成分Ａ）
アンモニア［富士フィルム和光純薬株式会社、一級、２５％水溶液］（成分Ｂの供給源）
チオグリコール酸アンモニウム[東京化成工業株式会社製、６０％水溶液]（成分Ｂ及び成分Ｃの供給源）
水［オルガノ株式会社製純水装置G-10DSTSETで製造した1μS/ｃｍ以下の純水］（成分Ｄ）
ＢＤＧ：ブチルジグリコール［日本乳化剤株式会社製、ジエチレングリコールモノブチルエーテル］（成分Ｅ）
ＨＥＤＰ：エチドロン酸［イタルマッチジャパン株式会社製、Dequest2010、濃度６０％］（成分Ｆ）
ギ酸アンモニウム［富士フィルム和光純薬株式会社］
ジメチルスルホキシド［富士フィルム和光純薬株式会社］

２．洗浄剤組成物の評価（実施例１～９及び比較例１～２）
　調製した実施例１～９及び比較例１～２の洗浄剤組成物について下記評価を行った。

［テストピース１の作製］
　ＰＫＧ基板回路形成用感光性フィルムを無電解めっき後の基板表面に下記条件でラミネートし、露光処理して硬化（露光工程）することで樹脂マスク（硬化したレジスト層）を有する基板（テストピース１、３０ｍｍ×５０ｍｍ）を得た。
（１）ラミネート：クリーンローラー（株式会社レヨーン工業製、ＲＹ－５０５Ｚ）及び真空アプリケータ（ローム＆ハース社製、ＶＡ７０２４／ＨＰ５）を用いてローラー温度５０℃、ローラー圧１．４Ｂａｒで行う。
（２）露光：プリント基板用直接描画装置（株式会社ＳＣＲＥＥＮグラフィックアンドプレシジョンソリューションズ製、ＭｅｒｃｕｒｅｘＬＩ－９５００）を用い、露光量１５ｍＪ／ｃｍ²で露光を行う。

［洗浄試験］
　トール型の２００ｍＬガラスビーカーに、実施例１～９及び比較例１～２の各洗浄剤組成物を１００ｇ添加して５０℃に加温し、回転子（フッ素樹脂（ＰＴＦＥ）、φ８ｍｍ×２５ｍｍ）を用いて回転数６００ｒｐｍで撹拌した状態で、テストピース１を１０分間浸漬する。そして、１００ｍＬガラスビーカーに水を１００ｇ添加したすすぎ槽へ浸漬してすすいだ後、窒素ブローにて乾燥する。

［樹脂マスクの剥離時間（剥離性（除去性）の評価）］
　前記の洗浄試験において、目視観察にて樹脂マスクが完全に除去されるまでの時間（分）を測定する。

［Ｃｕエッチングレートの評価（銅の腐食（腐食性）の評価）］
　各洗浄剤組成物を２．５Ｌ調整して５０℃に加温し、充円錐ノズル（J020、株式会社いけうち製）をスプレーノズルとして取り付けたボックス型スプレー洗浄機にて循環しながら、表面に銅めっき（面積は片面あたり２５ｃｍ²、両面で５０ｃｍ²）を施したテストピース２（表面に銅めっき層を有する基板）に対して４分間スプレー（圧力：０．０５ＭＰａ、スプレー距離：８０ｍｍ）する。洗浄剤組成物を希釈した後、ＩＣＰ分析法（Agilent Technologies製Agilent5110 ICP-OES）で銅の溶出量を測定し、下記式により、銅の密度を8.94g/cm³として溶出量からＣｕエッチングレート（μm/min）を評価した。Ｃｕエッチングレートの数値が低いほど、銅腐食抑制効果に優れると判断できる。
Ｃｕエッチングレート（μm/min）＝銅の溶出量（重量）÷銅の密度÷めっき面積÷処理時間

[基板上の銅の外観（銅の変色の評価）]
　前記のエッチングレートの評価において、銅部分の変色の有無を目視で観察する。

［基板樹脂へのダメージの評価］
　ソルダーレジスト樹脂を有する基板（テストピース３）について上記洗浄試験を行い、前後で基板の樹脂部分に色等の変化が生じるかを目視で確認し、下記評価基準で評価する。
＜評価基準＞
Ａ：洗浄試験の前後で変化が見られない。
Ｂ：洗浄試験の前後で変化が見られる。

　表１に示すとおり、実施例１～９の洗浄剤組成物は、モル比Ｂ／Ｃが所定の範囲内ではない比較例１、成分Ｃを含まない比較例２に比べて、銅の腐食及び変色を抑制可能で、樹脂マスク除去性に優れていることがわかった。
　また、実施例３の洗浄剤組成物について、チオグリコール酸アンモニウムに代えてチオグリセロールを用いた場合、実施例３に比べて、樹脂マスク除去性及び銅の変色抑制効果が劣る結果が得られた（データ示さず）。

３．洗浄剤組成物の評価（実施例８及び比較例３）
　調製した実施例８及び比較例３の洗浄剤組成物を用いて下記の評価を行った。

［厚膜ＤＦを有するテストピース４の作製］
　ＰＫＧ基板回路形成用感光性厚膜フィルム（厚み１４０μｍ）を無電解めっき後の基板表面に下記条件でラミネートし、露光処理して硬化（露光工程）することで樹脂マスク（硬化したレジスト層）を有する基板（テストピース４、３０ｍｍ×５０ｍｍ）を得た。
（１）ラミネート：クリーンローラー（株式会社レヨーン工業製、ＲＹ－５０５Ｚ）及び真空アプリケータ（ローム＆ハース社製、ＶＡ７０２４／ＨＰ５）を用いてローラー温度５０℃、ローラー圧１．４Ｂａｒで行う。
（２）露光：プリント基板用直接描画装置（株式会社ＳＣＲＥＥＮグラフィックアンドプレシジョンソリューションズ製、ＭｅｒｃｕｒｅｘＬＩ－９５００）を用い、露光量１５ｍＪ／ｃｍ²で露光を行う。

［細線回路パターンを有するテストピース５の作製］
　ＰＫＧ基板回路形成用感光性フィルムを無電解めっき後の基板表面に下記条件でラミネートし、露光処理して硬化（露光工程）した後、電解めっきを行うことでライン／スペースが５μｍ／５μｍの樹脂マスク（硬化したレジスト層）と細線回路パターンを有する基板（テストピース５、３０ｍｍ×５０ｍｍ）を得た。
（１）ラミネート：クリーンローラー（株式会社レヨーン工業製、ＲＹ－５０５Ｚ）及び真空アプリケータ（ローム＆ハース社製、ＶＡ７０２４／ＨＰ５）を用いてローラー温度５０℃、ローラー圧１．４Ｂａｒで行う。
（２）露光：プリント基板用直接描画装置（株式会社ＳＣＲＥＥＮグラフィックアンドプレシジョンソリューションズ製、ＭｅｒｃｕｒｅｘＬＩ－９５００）を用い、露光量１５ｍＪ／ｃｍ²で露光を行う。

［洗浄試験］
　トール型の２００ｍＬガラスビーカーに、実施例８及び比較例３の各洗浄剤組成物を１００ｇ添加して５０℃に加温し、回転子（フッ素樹脂（ＰＴＦＥ）、φ８ｍｍ×２５ｍｍ）を用いて回転数６００ｒｐｍで撹拌した状態で、テストピース４又は５を１０分間浸漬する。そして、１００ｍＬガラスビーカーに水を１００ｇ添加したすすぎ槽へ浸漬してすすいだ後、窒素ブローにて乾燥する。

［樹脂マスクの剥離時間（除去性の評価）］
　テストピース４の前記の洗浄試験において、目視観察にて樹脂マスクが完全に除去されるまでの時間（分）を測定する。

［細線回路パターンの剥離性（除去性の評価）］
　光学顕微鏡「デジタルマイクロスコープＶＨＸ－２０００」（株式会社キーエンス製）を用いて、前記洗浄試験を行った後のテストピース５の細線回路パターン内に残存する樹脂マスクの有無を１０００倍に拡大して目視確認した。

　表２に示すとおり、実施例８の洗浄剤組成物は、成分Ｃを含まない比較例３に比べて、樹脂マスク除去性に優れていることがわかった。

　本開示によれば、樹脂マスク除去性に優れ、銅の腐食及び変色を抑制可能な洗浄方法を提供できる。本開示の洗浄方法は、樹脂マスクが付着した電子部品の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。

Claims

　アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（ＮＨ₄ ⁺、成分Ｂ）、チオグリコール酸（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂの成分Ｃに対するモル比（Ｂ／Ｃ）が１．５以上である洗浄剤組成物を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板から樹脂マスクを剥離する工程を含む、基板の洗浄方法。
　銅含有金属層が、銅めっき層である、請求項１に記載の洗浄方法。
　樹脂マスクが、硬化したレジスト層である、請求項１又は２に記載の洗浄方法。
　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量が６０質量％以上である、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄方法。
　成分Ａがテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドである、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄方法。
　基板が銅の配線を有しており、配線の間隔の最小値が１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄方法。
　基板がソルダーレジスト樹脂を有する基板である、請求項１から６のいずれかに記載の洗浄方法。
　請求項１から７のいずれかに記載の洗浄方法を用いて、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板を洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
　アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（ＮＨ₄ ⁺、成分Ｂ）、チオグリコール酸（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、
　成分Ｂの成分Ｃに対するモル比（Ｂ／Ｃ）が１．５以上である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物。
　成分Ａがテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドである、請求項９に記載の洗浄剤組成物。
　成分Ａの含有量が０．５質量％以上１０質量％以下であり、成分Ｃの含有量が０．４質量％以上４質量％以下である、請求項９又は１０に記載の洗浄剤組成物。
　成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄの合計量が９０質量％以上である、請求項９から１１のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　成分Ｄの含有量が６０質量％以上である、請求項９から１２のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　アルカリ剤（成分Ａ）、アンモニウムイオン（ＮＨ₄ ⁺、成分Ｂ）、チオグリコール酸（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂの成分Ｃに対するモル比（Ｂ／Ｃ）が１．５以上である洗浄剤組成物の、表面に銅含有金属層及び樹脂マスクを有する基板の洗浄への使用。