JP2010205782A5 - - Google Patents

Description

なお、当然ながら、上述した実施の形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。
また、本発明は以下の態様を含む。
［１］Ｎｉを含むシリサイド層の上面に形成された絶縁層をドライエッチングして、前記Ｎｉを含むシリサイド層を露出させる工程と、
前記Ｎｉを含むシリサイド層を還元水で洗浄する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
［２］前記還元水は、塩基性でかつ還元性を有する水溶液である［１］に記載の半導体装置の製造方法。
［３］前記還元水は、アンモニアを０．０１ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下の範囲で含有する水素水または電解還元水である［１］または［２］に記載の半導体装置の製造方法。
［４］前記還元水は、ｐＨが７より大きく、ＯＲＰ（酸化還元電位）が負である［１］乃至［３］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［５］前記Ｎｉを含むシリサイド層を露出させる工程後、酸化性ガスを含んだガスによる処理を施すことなく、かつｐＨ≦７である液体にさらすことなく、前記還元水で洗浄する工程と、を含む［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［６］前記絶縁層に凹部を形成する工程と、
前記凹部を還元水で洗浄する工程と、をさらに含む［１］乃至［５］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［７］前記還元水で洗浄する工程後、ｐＨ≦７である液体にさらすことなく、さらに乾燥処理を施す工程と、を含む［１］乃至［６］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［８］前記乾燥処理を施す工程後、さらに前記凹部にバリアメタルおよび金属膜を形成する工程と、を含む［７］に記載の半導体装置の製造方法。
［９］前記乾燥処理を施す工程後、前記酸化性ガスを含んだガスによる処理を施すことなく、かつ前記ｐＨ≦７である液体にさらすことなく、前記凹部に前記バリアメタルおよび前記金属膜を形成する工程と、を含む［７］または［８］に記載の半導体装置の製造方法。
［１０］前記絶縁層は、少なくとも、第１の絶縁膜と、その上面に形成された第２の絶縁膜と、を含む［６］乃至［９］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［１１］前記凹部を形成する工程が、レジストをマスクとして前記第２の絶縁膜を選択的にエッチングする工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記第２の絶縁膜をマスクとして前記第１の絶縁膜を選択的にエッチングする工程と、を含む［１０］に記載の半導体装置の製造方法。
［１２］前記第１の絶縁膜は、シリコン窒化膜である［１０］または［１１］に記載の半導体装置の製造方法。
［１３］前記第２の絶縁膜は、シリコン酸化膜である［１０］乃至［１２］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［１４］前記Ｎｉを含むシリサイド層は、ＮｉＳｉ層、ＮｉＰｔＳｉ層、およびこれらの積層から選択される［１］乃至［１３］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［１５］前記還元水で洗浄する工程後、前記Ｎｉを含むシリサイド層が前記還元水で覆われてから、前記凹部に前記バリアメタルおよび前記金属膜を形成する工程までの間に、前記Ｎｉを含むシリサイド層は水にさらされることがない［８］乃至［１４］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。

Claims (1)

1. Ｎｉを含むシリサイド層の上面に形成された絶縁層をドライエッチングして、前記Ｎｉを含むシリサイド層を露出させる工程と、
   前記Ｎｉを含むシリサイド層を還元水で洗浄する工程と、を含む半導体装置の製造方法。