JP2011009452A5 - - Google Patents
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- シリコンを含み、かつ主表面を有する半導体基板を準備する工程と、
前記主表面の上にメタル層とシリコン層とを下から順に積層した積層ゲートを形成する工程と、
前記主表面と前記シリコン層表面との各々にシリサイドを形成する工程と、
前記主表面と前記積層ゲート表面との各々の前記シリサイドの上に絶縁層を形成する工程と、
前記半導体基板の主表面と前記積層ゲートの表面との各々の前記シリサイドが前記絶縁層から露出するようにシェアードコンタクトホールを前記絶縁層に形成する工程と、
前記シェアードコンタクトホールに硫酸洗浄、過酸化水素水洗浄およびＡＰＭ洗浄をそれぞれ別工程で行うことにより前記シェアードコンタクトホールに形成された変質層を除去する工程とを含む、半導体装置の洗浄方法。
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