JP2021040151A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- （Ａ）次亜塩素酸イオン、
（Ｂ１）アルキルアンモニウムイオン、および
（Ｃ）溶媒
を含み、２５℃でのｐＨが７を超え１２．０未満である、半導体ウェハを洗浄するための処理液の製造方法であって、
（ａ）アルキルアンモニウムが付加されたイオン交換樹脂を準備する工程、及び
（ｂ）前記アルキルアンモニウムが付加されたイオン交換樹脂と次亜塩素酸イオンとを含む水溶液とを接触させる工程
を含む、処理液の製造方法。 - 請求項１に記載の処理液の製造方法であって、
前記（ｂ）工程の後にｐＨを調整する工程（ｃ）を含む、処理液の製造方法。 - 半導体ウェハを洗浄するための処理液であって、
（Ａ）次亜塩素酸イオン、および
（Ｃ）溶媒
を含み、
前記（Ａ）次亜塩素酸イオンの濃度が、０．０５～２０．０質量％であり、
２５℃でのｐＨが８以上１２．０未満である処理液。 - 半導体ウェハを洗浄するための処理液であって、
（Ａ）次亜塩素酸イオン、
（Ｂ１）アルキルアンモニウムイオン、および
（Ｃ）溶媒
を含み、
前記（Ａ）次亜塩素酸イオンの濃度が、０．０５～２０．０質量％であり、
２５℃でのｐＨが８以上１２．０未満である処理液。 - 表面に貴金属類を有する半導体ウェハを洗浄し、該貴金属類を除去するための処理液であって、
（Ａ）次亜塩素酸イオン、および
（Ｃ）溶媒
を含み、２５℃でのｐＨが７を超え１２．０未満である処理液。 - 表面にルテニウムおよびタングステンからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を有する半導体ウェハを洗浄し、該金属を除去するための処理液であって、
（Ａ）次亜塩素酸イオン、および
（Ｃ）溶媒
を含み、前記（Ａ）次亜塩素酸イオンの濃度が、０．０５～２０．０質量％である処理液。 - 前記（Ａ）次亜塩素酸イオンの濃度が、０．０５～４質量％である、請求項６に記載の処理液。
- 半導体用処理液であって、
（Ａ）次亜塩素酸イオン、
（Ｂ１）アルキルアンモニウムイオン、および
（Ｃ）溶媒
を含み、前記（Ａ）次亜塩素酸イオンの濃度が、０．０５～２０．０質量％であり、且つ前記溶媒（Ｃ）が有機溶媒を含む処理液。 - 前記（Ａ）次亜塩素酸イオンの濃度が、０．０５～４質量％である、請求項８に記載の処理液。
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