KR20120082443A - 루테늄계 금속의 에칭용 조성물 및 그 조제 방법 - Google Patents

루테늄계 금속의 에칭용 조성물 및 그 조제 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120082443A
KR20120082443A KR1020127012256A KR20127012256A KR20120082443A KR 20120082443 A KR20120082443 A KR 20120082443A KR 1020127012256 A KR1020127012256 A KR 1020127012256A KR 20127012256 A KR20127012256 A KR 20127012256A KR 20120082443 A KR20120082443 A KR 20120082443A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
ruthenium
composition
bromine
acid
Prior art date
Application number
KR1020127012256A
Other languages
English (en)
Inventor
후유키 사토
야스오 사이토
Original Assignee
쇼와 덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쇼와 덴코 가부시키가이샤 filed Critical 쇼와 덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20120082443A publication Critical patent/KR20120082443A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/32—Alkaline compositions
    • C23F1/40—Alkaline compositions for etching other metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

적어도 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물 및 물이 첨가, 혼합되어서 이루어지고, 합계 질량에 대하여 상기 브롬 함유 화합물의 첨가량이 브롬 원소량으로서 2~25질량%, 산화제의 첨가량이 0.1~12질량%이고, 또한 pH가 10 이상 12 미만인 루테늄계 금속의 에칭용 조성물이다. 루테늄계 금속에 대하여 효율적인 에칭을 행할 수 있다.

Description

루테늄계 금속의 에칭용 조성물 및 그 조제 방법{COMPOSITION FOR ETCHING RUTHENIUM-BASED METAL AND METHOD FOR PREPARING SAME}
본 발명은 루테늄계 금속의 에칭용 조성물 및 그 조제 방법에 관한 것이다. 본 발명은 특히 금속 루테늄 및 루테늄을 주성분으로서 포함하는 루테늄 합금의 에칭 용도에 적합한 조성물 및 그 조제 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스에 있어서의 배리어 메탈로서 루테늄의 사용이 검토되고 있다. 이것은 루테늄이 배리어성을 나타내기 때문이고, 추가적으로 배선 금속에 구리를 사용했을 경우에 양호한 밀착성을 나타내어 산화되어도 도전성을 유지하기 때문이다. 또한, 루테늄은 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등에 있어서의 커패시터용 전극 재료나, 자성체 소자의 자화 방향을 안정화시키기 위한 재료로서도 주목받고 있다.
루테늄을 규소 웨이퍼 등의 기판 상에 스퍼터링법, CVD법 등에 의해 성막시킬 때에 루테늄이 기판의 이면 및 엣지에도 부착된다. 이면 및 엣지에 잔류한 루테늄 박막은 방치하면 박리 등에 의해 기판 표면에서 디바이스를 구성하는 부분에 부착되거나, 반도체 디바이스 제조 장치를 통하여 다른 기판의 오염을 초래하는 원인이 되어 제품의 신뢰성이나 제품 수율의 저하로 이어진다. 따라서, 기판의 이면 및 엣지를 물리적 또는 화학적으로 세정하여 루테늄을 제거할 필요가 있다.
루테늄이 기판의 이면 및 엣지에 퇴적된 기판을 세정하는 수단으로서 에칭용 조성물을 사용한 세정이 고려된다. 그러나, 루테늄은 백금족의 원소이고, 그 에칭은 용이하지는 않다.
현재, 반도체 디바이스의 제조 공정에 사용되는 루테늄의 에칭용 조성물로서는 세륨염, 질산으로 이루어지는 것이 알려져 있다(특허문헌 1). 그러나, 세륨염이 에칭 실시 중에 침전물을 생성하는 경우가 있어 제조 공정에 있어서 처리조 바닥 등에 발생하는 침전물을 제거할 필요가 있다. 또한, 금속 이온에 의한 오염을 기피하는 반도체 디바이스에 대하여 사용하기 위해서는 에칭 실시 후에 기판 표면에 잔류하는 세륨염 유래 성분을 제거해야만 한다. 그러나, 세륨염 유래 성분은 순수나 통상의 산으로는 제거하기 어려워 불화수소산 등의 약액으로 재차 세정할 필요가 있다.
또한, 과요오드산 또는 과요오드산염을 사용한 에칭용 조성물이 개시되어 있다(특허문헌 2). 그러나, 과요오드산 또는 과요오드산염은 비용이 비싸 생산 공정에서 대량으로 사용하는 경우에는 적합하지 않다.
한편, 규소 기판 표면에의 루테늄의 접착성 향상 및 배리어성 향상 등을 목적으로 해서 배리어 메탈로서 탄탈이 동시에 사용되는 경우가 있다(특허문헌 3). 그러나, 상기의 어느 에칭용 조성물도 탄탈을 포함하는 루테늄 합금막에 대하여는 에칭 레이트가 낮아 실용에 적합하지 않다. 탄탈은 불화수소산을 포함하는 산성 수용액, 또는 30질량% 이상의 수산화칼륨 등의 농후한 강염기성 수용액에 용해되는 것은 알려져 있지만, 기존의 루테늄의 에칭용 조성물과의 복합화는 침전의 발생 등의 이유에 의해 곤란하다.
또한, 차아염소산 나트륨을 사용한 루테늄의 에칭 방법이 개시되어 있다(특허문헌 4). 그러나, 이것을 반도체 디바이스에 대하여 사용할 경우에는 오염원이 되는 나트륨 이온을 포함한다고 하는 문제가 발생하고, 또한 액 수명도 충분하다고는 말할 수 없다.
특허문헌 5에는 브롬화수소산 및 산화제(과산화수소 또는 질산)를 사용한 에칭용 조성물이 개시되어 있다. 그러나, 이 에칭용 조성물은 인듐인 화합물 반도체에 대하여 사용되고 있고, 루테늄계 금속의 에칭에 유효한지는 개시되어 있지 않다. 또한, 이 에칭용 조성물은 산성이고, 염기성은 아니다.
그 이외의 루테늄에 대한 에칭 방법으로서 기판에 형성된 루테늄 막을 pH12 이상 또한 산화환원전위가 300mV vs. SHE 이상의 약액으로 에칭하는 것을 특징으로 하는 루테늄 막의 에칭 방법(특허문헌 6), 카르복실산 및/또는 암모니아, 과산화 수소, 물을 포함하여 이루어지고, 그 수용액이 산성인 것을 특징으로 하는 루테늄의 에칭용 조성물(추가로 브롬화수소산을 포함하는 각종 산을 첨가할 수 있다)이 개시되어 있다(특허문헌 7). 그러나, 이들은 대상이 되는 금속이 단체의 루테늄이고, 루테늄 합금막에 대하여 적용할 수 있는지의 여부에 관해서는 언급되어 있지 않다.
일본 특허공개 2001-237389호 공보 일본 특허공개 2006-148149호 공보 일본 특허공표 2008-541428호 공보 일본 특허공개 2001-240985호 공보 일본 특허공개 2004-361434호 공보 일본 특허공개 2002-161381호 공보 일본 특허공개 2008-42014호 공보
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이고, 그 목적은 금속 루테늄 및 탄탈 등의 기타 금속을 일정 비율로 포함하는 루테늄을 주성분으로 하는 루테늄 합금(본 발명에서는 이들을 총칭해서 루테늄계 금속이라고 하는 경우가 있다)의 막에 대하여 효율적인 에칭이 가능해지는 에칭용 조성물 및 그 조제 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 루테늄 또는 루테늄을 주성분으로서 함유하는 루테늄 합금 막의 에칭용 조성물에 대해서 예의 검토한 결과, 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물 및 물이 소정량 첨가된 염기성 조성물이 Si, Si3N4, SiO2 등의 규소계 기판 및 박막에 대미지를 주는 일없이 루테늄 또는 루테늄 합금막을 선택적으로 에칭할 수 있는 것을 찾아내고, 본 발명을 완성하는데 이르렀다. 즉, 본 발명은 소정량의 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물 및 물이 첨가된 조성물이고, 염기성인 것을 특징으로 하는 루테늄계 금속의 에칭용 조성물 및 그 조제 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 예를 들면 하기의 사항을 포함한다.
[1] 적어도 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물 및 물이 첨가, 혼합되어서 이루어지고, 합계 질량에 대하여 상기 브롬 함유 화합물의 첨가량이 브롬 원소량으로서 2~25질량%, 산화제의 첨가량이 0.1~12질량%이며, 또한 pH가 10 이상 12 미만인 것을 특징으로 하는 루테늄계 금속의 에칭용 조성물.
[2] 적어도 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물 및 물이 첨가, 혼합되어서 이루어지고, 합계 질량에 대하여 상기 브롬 함유 화합물의 첨가량이 브롬 원소량으로서 2~25질량%, 산화제의 첨가량이 0.1~12질량%이며, 또한 pH가 10 이상 14 이하인 것을 특징으로 하는 루테늄 합금의 에칭용 조성물.
[3] 상기 브롬 함유 화합물이 브롬화수소, 브롬화나트륨, 브롬화칼륨, 브롬화테트라메틸암모늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 [1] 또는 [2]에 기재된 에칭용 조성물.
[4] 상기 산화제가 과산화수소 및/또는 질산인 [1]~[3] 중 어느 하나에 기재된 에칭용 조성물.
[5] 상기 염기 화합물로서 수산화테트라메틸암모늄, 수산화칼륨, 수산화나트륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 [1]~[4] 중 어느 하나에 기재된 에칭용 조성물.
[6] 상기 pH가 10.5 이상 12 미만인 [1]에 기재된 에칭용 조성물.
[7] 상기 pH가 10.5 이상 13 이하인 [2]에 기재된 에칭용 조성물.
[8] 상기 루테늄계 금속이 루테늄을 70원자% 이상 함유하는 [1]에 기재된 에칭용 조성물.
[9] 상기 루테늄계 금속이 금속 루테늄인 [1]에 기재된 에칭용 조성물.
[10] 상기 루테늄계 금속이 탄탈을 0.01원자% 이상 30원자% 이하 함유하는 [8]에 기재된 에칭용 조성물.
[11] 상기 루테늄 합금이 루테늄을 70원자% 이상 99.99원자% 이하 함유하는 [2]에 기재된 에칭용 조성물.
[12] 상기 루테늄 합금이 탄탈을 0.01원자% 이상 30원자% 이하 함유하는 [11]에 기재된 에칭용 조성물.
[13] 상기 브롬 함유 화합물로서 브롬화수소산을, 산화제로서 과산화수소 수용액 및/또는 질산을 사용하여 적어도 브롬화수소와 산화제가 첨가된 혼합 수용액을 조제하는 공정과, 첨가된 브롬화수소 농도가 브롬 원소량으로서 2~25질량%, 산화제 농도가 0.1~12질량%이고, 또한 소정의 pH가 되도록 상기 혼합 수용액에 염기 화합물을 첨가하는 공정을 갖는 [1]~[12] 중 어느 하나에 기재된 에칭용 조성물의 조제 방법.
[14] 상기 [13]의 조제 방법에 의해 조제된 에칭용 조성물로 기판에 퇴적된 루테늄계 금속막 및/또는 루테늄 합금막을 에칭하는 기판의 처리 방법.
(발명의 효과)
본 발명의 에칭용 조성물에 의하면 루테늄 막 및/또는 루테늄 합금막을 반도체 웨이퍼 등의 기판 재료에 대하여 선택적으로 에칭을 할 수 있기 때문에 루테늄 막 및/또는 루테늄 합금막을 사용한 반도체 웨이퍼 등의 기판의 이면 및 엣지 세정에 유효하다. 또한, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 구성되는 반도체 소자, 자성체 소자, 배선, 배리어 메탈, 라이너 메탈, 전극의 제조 공정이나, 루테늄계 금속 중에 포함되는 원소의 분석을 행하기 위한 전처리에 사용하는 용해액 등의 루테늄계 금속을 용해하는 용도에 널리 사용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에서 얻어진 루테늄 막 및 루테늄탄탈 합금막의 에칭 레이트를 나타내는 도면이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 에칭용 조성물은 적어도 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물 및 물이 혼합되어서 이루어지는 조성물이고, pH가 10 이상인 염기성 조건에 있어서 사용하는 것이다. 본 발명자는 브롬 함유 화합물을 산성 조건에서 산화제에 의해 산화함으로써 얻어지는 산화물을 포함하는 염기성 수용액이 루테늄계 금속의 에칭능을 갖는 성분(화학종)을 포함하는 것을 찾아냈다.
본 발명의 에칭용 조성물에 사용되는 브롬 함유 화합물로서는 브롬화수소, 브롬화나트륨, 브롬화칼륨, 브롬화테트라메틸암모늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하다. 브롬 함유 화합물로서 단체의 브롬을 직접 산화시킴으로써도 마찬가지의 효과는 얻어지지만, 브롬은 매우 강한 부식성 및 독성을 가져 보존이나 운반이 용이하지 않으며, 브롬화수소와 비교해서 고가이다. 또한, 차아브롬산도 에칭능을 갖지만, 산성 용액에서는 분해되기 쉽고, 염기성 용액에 있어서도 그 안정성은 충분하지 않고 고가이다. 상기 브롬 함유 화합물은 에칭용 조성물의 조제시에 수용액 또는 고체로서 첨가할 수 있다. 상기 브롬 함유 화합물 중에서도 저렴한 브롬화수소를 사용하는 것이 바람직하다. 브롬화수소는 브롬화수소 가스로서 액 중으로의 버블링에 의해 첨가할 수도 있지만, 수용액인 브롬화수소산을 사용하는 것이 취급이 용이한 점에서 바람직하다. 브롬화수소를 대신하는 브롬 함유 화합물로서 브롬화나트륨, 브롬화칼륨, 브롬화테트라메틸암모늄 등의 브롬화물염을 사용할 수도 있다. 그 경우에는 효율적으로 산화 반응을 일으키기 위해서 강산을 동시에 첨가하는 것이 바람직하다. 강산은 산성도가 높은 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 염산, 황산, 질산 등을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 질산은 산화제로서의 기능을 겸비하기 때문에 특히 바람직하다(표 2의 실시예 8~실시예 13). 또한, 에칭용 조성물의 성능을 향상시키기 위해서 브롬, 차아브롬산, 차아브롬산염, 아브롬산, 아브롬산염, 브롬산, 브롬산염을 필요에 따라서 첨가해도 된다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합해도 된다.
브롬 함유 화합물은 에칭 조성물 중에 브롬 원소량으로서 2~25질량%, 보다 바람직하게는 4~16질량%, 더욱 바람직하게는 9~16질량% 첨가된다(표 1, 표 2). 브롬 함유 화합물의 첨가 농도가 브롬 원소량으로서 2질량%보다 낮으면 에칭에 기여하는 성분(화학종)의 발생 농도가 낮기 때문에 양호한 에칭을 할 수 없다. 한편, 브롬 함유 화합물의 첨가 농도가 브롬 원소량으로서 25질량%보다 높아도 대폭적인 에칭 레이트의 향상은 보이지 않으므로 경제적으로 불리하다.
본 발명의 에칭용 조성물에 사용되는 산화제는 브롬 함유 화합물을 산화시켜 루테늄 금속의 에칭에 유효한 화학종을 생성시키는 기능을 가진 화합물이고, 구체예로서는 과산화수소, 질산, 질산염, 황산, 황산염, 과황산, 과황산염, 퍼옥소이황산, 퍼옥소이황산염, 불소, 염소, 차아염소산, 차아염소산염, 아염소산, 아염소산염, 염소산, 염소산염, 과염소산, 과염소산염, 브롬, 차아브롬산, 차아브롬산염, 아브롬산, 아브롬산염, 브롬산, 브롬산염, 과브롬산, 과브롬산염, 요오드, 차아요오드산, 차아요오드산염, 아요오드, 아요오드산염, 요오드산, 요오드산염, 과요오드산, 과요오드산염, 4산화루테늄, 과망간산염, 오존, 세륨염을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 조합해도 된다. 첨가시에는 수용액 또는 고체로서 첨가할 수 있다. 산화제의 산화력을 증가시키기 위하여 브롬 함유 화합물과 혼합할 때에 비등하지 않는 온도 범위에서 가열해도 된다. 이들 산화제 중 보다 바람직하게는 과산화수소, 질산이다. 브롬 함유 화합물로서 브롬화수소산을 사용할 경우 과산화수소는 금속 이온을 포함하지 않고, 저렴하게 고순도품이 입수 가능하며, 브롬화수소산을 효과적으로 산화시킬 수 있는 점에서 바람직하고, 취급이 용이한 점에서 과산화수소 수용액을 사용하는 것이 바람직하다.
산화제의 첨가 농도는 그 종류에 따라 적절한 농도는 다르지만, 일반적으로는 에칭 조성물의 0.1~12질량%가 되도록 첨가되고, 과산화수소의 경우에는 바람직하게는 0.5~10질량%, 보다 바람직하게는 2.5~10질량%가 되도록 첨가되며(표 1), 질산의 경우에는 바람직하게는 4~10질량%, 보다 바람직하게는 4~5질량%가 되도록 첨가되는(표 2) 것이 좋다. 산화제의 첨가 농도가 0.1질량%보다 낮으면 브롬 함유 화합물을 충분히 산화시킬 수 없기 때문에 에칭 레이트가 매우 낮아 실용으로 제공되지 않는다. 또한, 산화제의 첨가 농도가 12질량%보다 많으면 루테늄계 금속의 에칭에 기여하는 성분을 적절하게 발생시킬 수 없어 에칭 레이트가 저하된다.
본 발명의 에칭용 조성물에 있어서 염기 화합물은 에칭용 조성물의 pH를 염기성으로 조정하기 위해서 사용하는 것이고, 그 첨가량은 원하는 에칭 레이트가 얻어지도록 pH를 조정하기 위해서 임의로 가감할 수 있다. 본 발명의 루테늄계 금속의 에칭 조성물의 pH는 10 이상 12 미만이고, 보다 바람직하게는 10.5 이상 12 미만이다. 또한, 본 발명의 루테늄 합금의 에칭 조성물의 pH는 10 이상 14 이하이고, 보다 바람직하게는 10.5 이상 13 이하이다. 에칭용 조성물의 pH가 10 미만이면 루테늄계 금속의 에칭 레이트가 10㎚/min 미만으로 매우 낮아 실용으로 제공되지 않는다. 본 발명의 에칭용 조성물은 사용(에칭시의) 온도 하에서 상기 pH 범위 내의 pH값을 나타내는 것이다. 즉, 에칭 조성물을 실온보다 높은 온도, 예를 들면 50℃로 가온시켜 사용하는 경우에는 50℃에서의 pH가 상기 범위 내인 것을 의미한다. 실온(25℃)에서 조제된 본 발명의 에칭용 조성물의 실온(25℃)과 50℃에서의 pH값은 대략 동일하지만, 사용 중에 pH가 변화하는 경우가 있다. 본 발명의 에칭용 조성물은 에칭 처리 중에 에칭 온도 하에서 상기 pH 범위 내에서 사용된다.
본 발명에 있어서 「루테늄계 금속」이란, 루테늄을 70원자% 이상 함유하는 금속 이외에 루테늄의 산화물(RuOx), 질화물(RuN), 산질화물(RuNO)을 가리킨다. 즉, 금속 루테늄 단체, 루테늄을 70원자% 이상 함유하는 합금, 루테늄의 산화물(RuOx), 질화물(RuN), 산질화물(RuNO)을 포함한다. 본 발명에 있어서 「루테늄 합금」이란 루테늄을 70원자% 이상 함유하고, 또한 불가피적으로 함유되는 농도보다 높은 농도의 루테늄 이외의 금속을 포함하는 합금을 가리킨다. 즉, 금속 루테늄으로서 시판되고 있는 것의 순도보다 루테늄의 함유량이 낮은 것은 본 발명의 「루테늄 합금」에 포함된다. 따라서, 본 발명의 「루테늄 합금」에 포함되는 루테늄의 상한값은 99.99원자%이다.
본 발명의 에칭용 조성물에 사용되는 염기 화합물로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모니아, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화마그네슘, 수산화테트라에틸암모늄, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 피페리딘, 피페라진, N-메틸모르폴린, 콜린, 이미다졸, 이미다졸륨 유도체, 피리딘, 피리디늄 유도체, 피롤, 피롤리듐 유도체, 구아니딘 등이 사용된다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 조합해서 사용해도 된다. 이들 중에서는 수산화나트륨 및 수산화칼륨은 높은 에칭 레이트가 얻어지고, 입수도 용이하기 때문에 바람직하다. 테트라메틸암모늄하이드록사이드는 금속 이온을 포함하지 않기 때문에 반도체 디바이스 용도에 적합하고, 높은 에칭 레이트가 얻어지기 때문에 보다 바람직하다. 상기 염기 화합물은 에칭용 조성물의 조제시에 수용액 또는 고체로서 첨가할 수 있다.
본 발명의 에칭용 조성물은 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물 및 물이 첨가, 혼합되어서 이루어지는 규정량의 브롬 함유 화합물, 산화제 및 pH를 갖는 조성물을 의도하지만, 이들 성분이 혼합되어서 반응하여 조성물 중에 실존하는 브롬 함유 화합물, 산화제로서의 농도가 규정의 첨가량으로부터 벗어나는 것도 본 발명의 범위에 포함된다. 반응 생성물로서는 주로 브롬, 차아브롬산, 차아브롬산 이온, 아브롬산, 아브롬산 이온, 브롬산, 브롬산 이온, 브롬화물 이온을 들 수 있다.
본 발명의 에칭 조성물을 조제할 때의 순서는 바람직하게는 산화제에 대하여 브롬 함유 화합물을 첨가하고, 이 혼합물에 염기 화합물을 첨가해서 pH를 적절하게 조정함으로써 행하여진다. 보다 구체적으로 브롬 함유 화합물로서 브롬화수소산을 사용하는 경우를 예시하면, 우선 브롬화수소산과 산화제의 수용액을 각각 수용액 중의 브롬화수소와 산화제의 농도를 고려해서 원하는 혼합비가 되도록 혼합하고, 이어서 이 혼합물의 pH를 측정하면서 염기 화합물을 원하는 pH가 될 때까지 첨가하는 방법을 들 수 있다. 또한, 에칭용 조성물로서의 성능을 만족시키는 것이라면 이 방법 이외에 의해 조제된 것이어도 된다.
본 발명의 에칭 조성물은 일반적으로는 수용액으로서 사용하지만, 필요에 따라서 아세토니트릴, 아세톤, 메탄올, 에탄올로 대표되는 물과 혼화되는 유기 용매를 첨가할 수도 있다.
본 발명의 에칭 조성물에는 조성물 중에 함유되는 첨가제의 석출 방지나 에칭 스컴의 기판 표면에의 부착 억제 등의 목적으로 필요에 따라서 알킬트리메틸암모늄브로마이드, 알킬황산나트륨이나 폴리에틸렌글리콜모노-4-알킬페닐에테르 등의 계면활성제를 첨가할 수 있다. 이들 이외에도 에칭 성능에 영향을 주지 않는 것이면 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 에칭 조성물에는 루테늄계 금속이 본 발명의 에칭용 조성물에 의해 용해됨으로써 생기는 루테늄 이온 등의 포집, 및 산화제의 분해를 방지하기 위해서 EDTA(에틸렌디아민테트라아세트산), 티오요소, 요소, 아세틸아세톤, 카테콜, 피로갈롤, 히드로퀴논, 레조르시놀, 시트르산, 포름산, 아스코르브산, 옥살산, 아세트산, 타르타르산, 숙신산, 숙신산 이미드, 말론산, 말산, 말레산, 글루타르산, 아디프산, D-글루칸산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 2-옥소글루타르산, 트리멜리트산, 엔도탈, 글루탐산, 메틸숙신산, 시트라말산, 에틸렌디아민, o-페난트롤린, 2,2'-비피리딘, 4,4'-비피리딘, 피라진, 시안산, 티오시안산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 크레아틴, 크레아티닌, 시아누르산, 술팜산, 멜라민, 히단토인, 뷰렛, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 및 그들의 유도체 등의 유기산, 무기산이나 킬레이트제를 본 발명의 에칭 조성물의 에칭 성능을 저해하지 않는 범위에서 첨가할 수 있다. 이들 첨가제는 염의 형태로 첨가해도 된다. 이들 이외에도 에칭 성능에 영향을 주지 않는 것이면 첨가는 한정되는 것은 아니다.
또한, 액 수명을 안정화시키기 위해서 염산, 염화물을 첨가할 수 있다. 염화물로서는, 예를 들면 염화나트륨, 염화칼륨, 염화암모늄, 염화테트라메틸암모늄을 들 수 있다.
본 발명의 에칭용 조성물을 이용하여 처리되는 루테늄 또는 루테늄 합금막의 기판에의 성막 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, CVD(Chemical Vapor Deposition), ALD(Atomic Layer Deposition), 스퍼터링, 진공증착법 등 어느 방법이나 사용할 수 있고, 또한 성막 조건도 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서의 루테늄을 주성분으로서 포함하는 루테늄 합금에 포함되는 다른 금속의 대표 예로서는 탄탈을 들 수 있다. 루테늄계 금속, 루테늄 합금 중에 포함되는 탄탈이 20원자% 이하이면 약간의 에칭 레이트에 차가 있지만 본 발명의 에칭 조성물에 의해 에칭할 수 있다. 그 이상의 함유량을 갖는 것에 있어서도 에칭 레이트의 저하가 일어나지만, 에칭은 가능하다. 루테늄 합금 중에 함유되어도 되는 탄탈 이외의 금속으로서는 Si, Cu, Hf, Zr, Al, V, Co, Ni, Mn, Au, Rh, Pd, Ti, W, Mo를 들 수 있고, 이들의 산화물, 질화물, 실리사이드가 함유되어 있어도 된다. 이들의 합계량이 30원자%를 초과하지 않는 범위에서 루테늄 합금막에 함유되어 있어도 실용적인 에칭 레이트를 얻을 수 있다.
본 발명의 에칭용 조성물은 Si, SiO2, SiC, Si3N4 등의 규소를 주로 포함하는 기판 재료에 대하여 대미지를 주지 않고 루테늄계 금속막을 선택적으로 에칭할 수 있다.
본 발명의 에칭용 조성물에 첨가하는 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물의 양을 변경함으로써 에칭용 조성물의 pH, 에칭 레이트, 액 수명을 조정할 수 있다.
본 발명의 에칭용 조성물에 pH의 완충 작용을 갖는 성분을 첨가하면 pH를 안정시켜서 에칭을 행할 수 있다. pH 완충 성분으로서는 염기성 조건으로 pH를 안정화시킬 수 있는 것이면 되고, 인산, 폴리인산, 붕산, 시트르산, 프탈산, 아세트산, 탄산, 및 그 염 등을 들 수 있다. 이들 이외에도 에칭 성능에 영향을 주지 않는 것이면 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 에칭용 조성물은 가온해서 사용해도 된다. 바람직하게는 15~60℃에서 에칭 처리를 행함으로써 뛰어난 에칭 레이트 및 액 수명이 얻어진다. 15℃보다 낮은 온도에서 사용했을 경우 에칭 레이트의 저하가 일어나고, 60℃보다 높은 온도에서 사용했을 경우 에칭 조성물 성분의 휘발 및 분해가 가속되어 액 수명이 저하되는 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다. 본 발명의 에칭용 조성물은 상술한 바와 같이 사용(에칭시의) 온도 하에서 상기 pH 범위 내의 pH값을 나타내는 것이다.
본 발명의 에칭용 조성물은 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물, 및 첨가제에 대해서 금속 성분을 포함하지 않는 것을 선택함으로써 반도체 디바이스를 금속에 의해 오염시키지 않고 에칭 처리할 수 있다. 한편, 금속 성분을 포함하는 조성물을 사용하는 경우에는 MEMS 디바이스 등의 금속에 대한 오염에 유의하지 않아도 되는 전자 디바이스에 사용할 수 있는 이외에 금속에 대한 오염에 대하여 문제가 있는 전자 디바이스에서는 본 발명의 처리액으로 에칭 처리를 행한 후에 희염산 등으로 세정 처리하면 사용할 수 있다.
상기 루테늄계 금속막을 사용하는 전자 디바이스로서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 디스플레이 디바이스, 반도체 디바이스, MEMS 디바이스, 프린트 배선 기판 등을 들 수 있다. 최종 제품에 루테늄 또는 루테늄계 금속막이 남지 않아도 제조 프로세스의 도중에 루테늄계 금속막을 사용하여 에칭용 조성물로 루테늄계 금속막을 모두 용해 제거하는 것도 포함된다.
본 발명의 루테늄계 금속의 에칭용 조성물에 의한 규소 웨이퍼 등의 기판에의 처리는 통상은 매엽법을 이용하여 기판 이면 및 엣지에 에칭용 조성물을 공급함으로써 이루어진다. 추가하여, 예를 들면 배치법 등의 다른 방법에 의해 처리할 수도 있다. 또한, 이들 처리는 교반이나 요동, 초음파를 가하면서 행할 수도 있다. 또한, 이면 및 엣지면뿐만 아니라, 기판에 구성되는 반도체 소자, 자성체 소자, 배선, 배리어 메탈, 라이너 메탈, 전극의 제작에도 사용할 수 있다.
본 발명의 루테늄계 금속의 에칭용 조성물은 금속막 중에 포함되는 루테늄 금속 이외의 여러 가지 원소의 분석을 행하기 위한 전처리에 사용하는 용해액으로서 사용할 수 있다. 예를 들면, 루테늄을 포함하는 금속 박막을 본 발명의 에칭용 조성물로 용해하고, 그 이외의 전처리를 조합해서 ICP 발광 분광 분석법, ICP 질량 분석법이나 원자 흡광 분석법에 의한 측정을 위한 시료로서 제공할 수 있다.
실시예
이하 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에만 제한되는 것은 아니다.
1㎜ 두께의 규소 웨이퍼 상에 루테늄 막, 또는 루테늄에 20원자%의 탄탈을 포함하는 합금막을 각각 스퍼터링으로 성막했다. 막두께는 모두 50㎚로 했다. 이들 기판을 3㎜×3㎜로 잘라내어 에칭 레이트를 측정하기 위한 샘플편을 얻었다.
Si, SiO2에 대해서는 Si는 규소 웨이퍼를 그대로, SiO2는 규소 웨이퍼 상에 50㎚의 막두께로 스퍼터링에 의해 SiO2막을 형성한 것을 이용하여 평가했다. 이들 기판을 길이 15㎜×폭 5㎜로 잘라내어 에칭 레이트를 측정하기 위한 샘플편을 얻었다. Si3N4에 대해서는 1㎜ 두께의 규소 웨이퍼 상에 스퍼터링으로 마찬가지로 성막을 행하여 샘플편을 얻었다.
실시예 1
유리제 용기에 1mL의 35질량% 과산화수소 수용액(키시다카가쿠제)을 넣고, 상온의 수욕에서 냉각하면서 4mL의 48질량% 브롬화수소산(와코쥰야쿠제)을 천천히 적하하고, 밀폐되지 않을 정도로 마개를 막아 3시간 방치했다. 이어서, 9mL의 35질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액(SAChem제, 5수화물을 순수로 희석 조제한 것)을 첨가하고, pH11이 될 때까지 미량의 35질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액을 더 첨가함으로써 표 1에 기재한 조성의 에칭용 조성물을 얻었다. 이때의 에칭용 조성물의 액온은 25℃이었다. 표 1에 나타낸 성분 이외의 잔부는 순수(이온 교환수)이다. pH의 조정 및 측정에는 호리바세이사쿠쇼제 pH 미터 : F-52[pH 전극(9611-10D) 사용]를 사용했다.
폴리에틸렌제 샘플 튜브에 조제한 에칭용 조성물을 0.5mL 투입하고, 항온조를 이용하여 50℃로 보온했다. 50℃에서의 에칭용 조성물의 pH는 10.9이었다. 이것에 상기 루테늄 또는 루테늄탄탈 합금막이 형성된 샘플편을 투입해서 정치하고, 금속막이 소실될 때까지의 시간을 육안으로 관찰해서 계측하여 에칭 레이트를 산출했다. 산출에는 최저 2회의 측정을 행하고, 그 평균값을 사용했다. 결과를 표 1에 나타냈다. 또한, 에칭 종료시의 에칭용 조성물의 50℃에서의 pH는 10.7이었다.
또한, 에칭용 조성물에 의해 상기 Si, SiO2, Si3N4 에칭 레이트 측정용 샘플편을 에칭했다. 에칭시에는 폴리에틸렌제 샘플 튜브에 에칭용 조성물을 0.2mL 투입하고, 항온조를 이용하여 50℃로 보온하고, 이것에 상기 샘플편을 투입해서 50분간 정치함으로써 실시했다. 샘플편은 일부가 에칭용 조성물로부터 노출되도록 배치하고, 표면 조도계로 에칭 조성물에 침지된 부분과 침지되어 있지 않은 부분의 단차를 측정하여 에칭 레이트를 산출했다. 산출에는 최저 2회의 측정을 행하고, 그 평균값을 사용했다. 결과를 표 1에 아울러 나타냈다.
실시예 2~실시예 13, 비교예 1~비교예 6
실시예 1과 같은 순서로 표 1 및 표 2에 기재된 조성이 되도록 각각 에칭용 조성물을 조제하고, 루테늄, 루테늄탄탈 합금, Si, SiO2, Si3N4의 에칭 레이트를 표 1 및 표 2에 기재된 온도에서 측정했다. 그 결과를 표 1 및 표 2에 나타냈다. 또한, 실시예 8~실시예 13, 비교예 5~비교예 6의 에칭용 조성물의 조제에는 97질량% 발연질산(와코쥰야쿠제)을, 실시예 7의 에칭용 조성물의 조제에는 50질량% 수산화칼륨 용액(키시다카가쿠제, 시판의 고체를 순수로 용해한 것)을, 실시예 13의 에칭용 조성물의 조제에는 40질량% 브롬화나트륨 수용액(와코쥰야쿠제, 시판의 고체를 순수로 용해한 것)을 사용했다. 또한, 비교예 3 및 비교예 4의 에칭용 조성물의 조제에는 35질량% 염산(와코쥰야쿠제), 56질량% 요오드화수소산(와코쥰야쿠제)을 사용했다.
Figure pct00001
Figure pct00002
실시예 14
실시예 1과 마찬가지의 순서로 브롬화수소 14질량%, 과산화수소 5%인 pH가 다른 에칭용 조성물을 조제하고, 루테늄 막 및 루테늄탄탈 합금막의 에칭 레이트를 50℃에서 측정했다. 그 결과를 도 1에 나타냈다.
표 1의 실시예 1, 실시예 5 및 표 2의 실시예 8, 실시예 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 에칭용 조성물에서는 100㎚/min 이상의 높은 에칭 레이트가 얻어졌다. 산화제를 과산화수소(표 1), 질산(표 2)으로 한 경우 모두 pH11 부근에서 에칭 레이트가 극대가 되는 경향을 나타냈다. 온도를 상온(25℃)으로 해서 평가를 행한 표 1의 실시예 6, 염기 화합물로서 수산화칼륨을 사용한 표 1의 실시예 7에서도 마찬가지의 결과가 얻어졌다. 일반적으로 반도체 디바이스의 이면 및 엣지에 퇴적된 루테늄 막을 제거하기 위해서는 10㎚/min 정도 이상의 에칭 레이트를 갖는 것이 생산성의 관점에서 바람직하지만, 본 발명의 에칭용 조성물은 그 요건을 만족시킨다. 상온에서의 처리가 가능하면 기판의 세정 장치를 간이하게 할 수 있고, 에칭용 조성물의 분해나 휘발이 안정적으로 된다는 점에서 보다 바람직하다.
또한, 표 1의 비교예 1에 나타내는 바와 같이 pH9 미만의 영역에서는 루테늄 및 루테늄탄탈 합금에 대하여 에칭을 행할 수 없었다. 표 1의 비교예 3, 비교예 4에 나타내는 바와 같이 브롬화수소산 대신에 염산, 요오드화수소산을 사용한 경우에는 루테늄 및 루테늄탄탈 합금의 에칭을 행할 수 없었다.
본 발명의 에칭용 조성물은 규소계 재료(Si, Si3N4, SiO2)를 에칭하지 않기 때문에 이들에 대하여 루테늄계 금속의 선택적인 에칭을 행할 수 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, pH10 이상으로 루테늄계 금속의 에칭을 하는 것이 가능했다. 또한, pH에 의해 에칭 레이트가 변화하여 본 발명의 에칭용 조성물에 의해 pH11 부근에서 높은 루테늄계 금속의 에칭 레이트가 얻어졌다.
<산업상의 이용 가능성>
본 발명은 루테늄계 금속의 효율적인 에칭을 행할 수 있는 에칭용 조성물을 제공하므로 산업상 유용하다.

Claims (14)

  1. 적어도 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물 및 물이 첨가, 혼합되어서 이루어지고, 합계 질량에 대하여 상기 브롬 함유 화합물의 첨가량이 브롬 원소량으로서 2~25질량%, 산화제의 첨가량이 0.1~12질량%이고, 또한 pH가 10 이상 12 미만인 것을 특징으로 하는 루테늄계 금속의 에칭용 조성물.
  2. 적어도 브롬 함유 화합물, 산화제, 염기 화합물 및 물이 첨가, 혼합되어서 이루어지고, 합계 질량에 대하여 상기 브롬 함유 화합물의 첨가량이 브롬 원소량으로서 2~25질량%, 산화제의 첨가량이 0.1~12질량%이고, 또한 pH가 10 이상 14 이하인 것을 특징으로 하는 루테늄 합금의 에칭용 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 브롬 함유 화합물은 브롬화수소, 브롬화나트륨, 브롬화칼륨, 브롬화테트라메틸암모늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산화제는 과산화수소 및/또는 질산인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 염기 화합물로서 수산화테트라메틸암모늄, 수산화칼륨, 수산화나트륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 pH는 10.5 이상 12 미만인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 pH는 10.5 이상 13 이하인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 루테늄계 금속은 루테늄을 70원자% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 루테늄계 금속은 금속 루테늄인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 루테늄계 금속은 탄탈을 0.01원자% 이상 30원자% 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 루테늄 합금은 루테늄을 70원자% 이상 99.99원자% 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 루테늄 합금은 탄탈을 0.01원자% 이상 30원자% 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 에칭용 조성물을 조제하는 방법으로서:
    상기 브롬 함유 화합물로서 브롬화수소산을, 상기 산화제로서 과산화수소 수용액 및/또는 질산을 사용하여 적어도 브롬화수소와 산화제가 첨가된 혼합 수용액을 조제하는 공정과,
    첨가된 브롬화수소 농도가 브롬 원소량으로서 2~25질량%, 산화제 농도가 0.1~12질량%이고, 또한 소정의 pH가 되도록 상기 혼합 수용액에 염기 화합물을 첨가하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물의 조제 방법.
  14. 제 13 항에 기재된 에칭용 조성물의 조제 방법에 의해 조제된 에칭용 조성물로 기판에 퇴적된 루테늄계 금속막 및/또는 루테늄 합금막을 에칭하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법.
KR1020127012256A 2009-12-17 2010-12-15 루테늄계 금속의 에칭용 조성물 및 그 조제 방법 KR20120082443A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009286552 2009-12-17
JPJP-P-2009-286552 2009-12-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120082443A true KR20120082443A (ko) 2012-07-23

Family

ID=44167352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127012256A KR20120082443A (ko) 2009-12-17 2010-12-15 루테늄계 금속의 에칭용 조성물 및 그 조제 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20120256122A1 (ko)
EP (1) EP2514855A1 (ko)
JP (1) JPWO2011074601A1 (ko)
KR (1) KR20120082443A (ko)
CN (1) CN102652188A (ko)
SG (1) SG181763A1 (ko)
TW (1) TWI425120B (ko)
WO (1) WO2011074601A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160110099A (ko) * 2015-03-11 2016-09-21 우에무라 고교 가부시키가이샤 금속 패턴 외 석출 방지 처리제, 및 이것을 사용한 프린트 배선 기판과 패키지의 제조 방법

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140318584A1 (en) * 2011-01-13 2014-10-30 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for the removal of particles generated by cerium-containing solutions
EP2798669B1 (en) * 2011-12-28 2021-03-31 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
JP5923033B2 (ja) * 2012-12-25 2016-05-24 三和油化工業株式会社 クロム系硬質皮膜用剥離液
JP6460729B2 (ja) * 2014-10-31 2019-01-30 富士フイルム株式会社 基板処理方法、及び、半導体素子の製造方法
WO2016068183A1 (ja) 2014-10-31 2016-05-06 富士フイルム株式会社 ルテニウム除去組成物、及び、磁気抵抗メモリの製造方法
JP6142408B2 (ja) * 2015-03-13 2017-06-07 奥野製薬工業株式会社 治具用電解剥離剤
CN105177578B (zh) * 2015-10-19 2018-06-08 江苏理工学院 用于铜基钯镍合金镀层退镀的退镀液及退镀方法
US11035044B2 (en) * 2017-01-23 2021-06-15 Versum Materials Us, Llc Etching solution for tungsten and GST films
JP6798045B2 (ja) * 2018-01-16 2020-12-09 株式会社トクヤマ 次亜塩素酸イオンを含む半導体ウェハの処理液
JP6552676B2 (ja) * 2018-05-10 2019-07-31 富士フイルム株式会社 ルテニウム含有膜が形成された基板におけるルテニウム付着物除去用除去液
JP6901998B2 (ja) * 2018-06-15 2021-07-14 株式会社トクヤマ ４級アルキルアンモニウムイオン、亜塩素酸イオン、及び次亜塩素酸イオンを含む酸化性組成物
JP7219061B2 (ja) 2018-11-14 2023-02-07 関東化学株式会社 ルテニウム除去用組成物
EP3894512A4 (en) 2018-12-14 2022-08-24 Entegris, Inc. RUTHENIUM ETCHING COMPOSITION AND PROCESS
KR20210127920A (ko) 2019-02-13 2021-10-25 가부시끼가이샤 도꾸야마 오늄염을 포함하는 반도체 웨이퍼의 처리액
JP7081010B2 (ja) * 2019-02-13 2022-06-06 株式会社トクヤマ オニウム塩を含む半導体ウェハの処理液
JPWO2020166676A1 (ja) * 2019-02-13 2021-12-16 株式会社トクヤマ 次亜塩素酸イオン、及びｐＨ緩衝剤を含む半導体ウェハの処理液
TW202105508A (zh) * 2019-04-02 2021-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
JPWO2021005980A1 (ko) * 2019-07-05 2021-01-14
US11674230B2 (en) 2019-09-27 2023-06-13 Tokuyama Corporation Treatment liquid for semiconductor with ruthenium and method of producing the same
JP6874231B1 (ja) * 2019-09-27 2021-05-19 株式会社トクヤマ ＲｕＯ４ガスの発生抑制剤及びＲｕＯ４ガスの発生抑制方法
JP6895577B2 (ja) * 2019-11-21 2021-06-30 東京応化工業株式会社 エッチング液、エッチング液の製造方法、被処理体の処理方法、及びルテニウム含有配線の製造方法
US11898081B2 (en) 2019-11-21 2024-02-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Ruthenium-etching solution, method for manufacturing ruthenium-etching solution, method for processing object to be processed, and method for manufacturing ruthenium-containing wiring
WO2021172397A1 (ja) * 2020-02-25 2021-09-02 株式会社トクヤマ ルテニウムの半導体用処理液
WO2022030627A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10 株式会社トクヤマ 半導体ウエハ用処理液
CN116097405A (zh) 2020-08-07 2023-05-09 株式会社德山 包含次溴酸离子和pH缓冲剂的半导体晶片的处理液
WO2022138561A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 株式会社トクヤマ 遷移金属を含む半導体の処理方法、遷移金属を含む半導体の製造方法、および半導体用処理液
TW202244325A (zh) * 2021-03-31 2022-11-16 日商德山股份有限公司 半導體用處理液
US20230420267A1 (en) * 2022-05-27 2023-12-28 Tokyo Electron Limited Oxygen-free etching of non-volatile metals
CN115044376B (zh) * 2022-06-30 2023-12-29 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种掺钪氮化铝蚀刻液及其应用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490756B (en) * 1999-08-31 2002-06-11 Hitachi Ltd Method for mass production of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic components
JP3619745B2 (ja) 1999-12-20 2005-02-16 株式会社日立製作所 固体表面の処理方法及び処理液並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法
JP3645144B2 (ja) 2000-02-24 2005-05-11 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP3585437B2 (ja) * 2000-11-22 2004-11-04 株式会社荏原製作所 ルテニウム膜のエッチング方法
JP4125180B2 (ja) 2003-05-30 2008-07-30 株式会社フジクラ 光モジュール、光モジュールの製造方法、光送受信システム
US7476290B2 (en) * 2003-10-30 2009-01-13 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20060251872A1 (en) 2005-05-05 2006-11-09 Wang Jenn Y Conductive barrier layer, especially an alloy of ruthenium and tantalum and sputter deposition thereof
JP4199232B2 (ja) 2005-12-15 2008-12-17 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の量産方法
JP2007258274A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Ebara Corp 基板処理方法、及び基板処理装置
JP4867520B2 (ja) 2006-08-08 2012-02-01 東ソー株式会社 エッチング用組成物及びエッチング方法
JP2008280605A (ja) * 2006-12-21 2008-11-20 Tosoh Corp エッチング用組成物及びエッチング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160110099A (ko) * 2015-03-11 2016-09-21 우에무라 고교 가부시키가이샤 금속 패턴 외 석출 방지 처리제, 및 이것을 사용한 프린트 배선 기판과 패키지의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20120256122A1 (en) 2012-10-11
JPWO2011074601A1 (ja) 2013-04-25
WO2011074601A1 (ja) 2011-06-23
SG181763A1 (en) 2012-07-30
CN102652188A (zh) 2012-08-29
EP2514855A1 (en) 2012-10-24
TW201144484A (en) 2011-12-16
TWI425120B (zh) 2014-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120082443A (ko) 루테늄계 금속의 에칭용 조성물 및 그 조제 방법
EP3004287B1 (en) Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
KR102102792B1 (ko) 티타늄 나이트라이드의 선택적인 에칭을 위한 조성물 및 방법
JP5687685B2 (ja) エッチャント組成物および方法
US9365934B2 (en) Liquid composition used in etching copper- and titanium-containing multilayer film, etching method in which said composition is used, method for manufacturing multilayer-film wiring, and substrate
EP3726565A1 (en) Treatment liquid for semiconductor wafers, which contains hypochlorite ions
KR20100107399A (ko) 금과 니켈의 선택 에칭액
KR20100110745A (ko) 식각액 조성물 및 방법
CN112647079A (zh) 一种金属钨和铜的选择性蚀刻液
TW202035355A (zh) 含有鎓鹽的半導體晶圓之處理液
TWI810469B (zh) 釕的半導體用處理液及其製造方法
JP2013004871A (ja) 金属エッチング用組成物、および金属エッチング用組成物を用いた半導体装置の製造方法
JP2024024074A (ja) 次亜塩素酸イオン、及びｐＨ緩衝剤を含む半導体ウェハの処理液
WO2014115758A1 (ja) エッチング液
JP7399314B2 (ja) モリブデンをエッチングするための方法及び組成物
US20240014045A1 (en) Semiconductor wafer processing liquid containing hypobromite ions and ph buffering agent
US20220328320A1 (en) Semiconductor treatment liquid
JP7342288B2 (ja) 遷移金属の半導体の処理方法、および遷移金属酸化物の還元剤含有処理液
KR102142419B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
WO2021049064A1 (ja) 過硫酸成分を含む硫酸溶液中の酸化剤濃度の低下抑制方法
WO2021172397A1 (ja) ルテニウムの半導体用処理液
JP2008101255A (ja) エッチング用組成物及びエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee