JP2020096161A5 - - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 6
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (9)
- シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程用のエッチング液であって、
pKaが2以下の高温安定化剤と、リン酸と、珪素化合物を含む溶液と、水とを配合してなり、
高温安定化剤の質量(M1)に対するリン酸の質量(M2)の比(質量比M2/M1)が800以上である、エッチング液。 - 前記溶液は、シリカ及びアルカリを含む溶液である、請求項1に記載のエッチング液。
- 前記溶液は、シリカの少なくとも一部をアルカリで溶解したシリカ溶解液である、請求項1又は2に記載のエッチング液。
- pKaが2以下の高温安定化剤は、pKaが2以下の有機酸である、請求項1から3のいずれかに記載のエッチング液。
- 25℃におけるpHが2以下である、請求項1から4のいずれかに記載のエッチング液。
- エッチング温度が110℃以上180℃以下である、請求項1から5のいずれかに記載のエッチング液。
- エッチング液のフィルタ通液量が10g/3分以上である、請求項1から6のいずれかに記載のエッチング液。
- 請求項1から7のいずれかに記載のエッチング液を用いて、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程を含む、エッチング方法。
- 請求項1から7のいずれかに記載のエッチング液を用いて、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程を含む、半導体基板の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW108131445A TWI765175B (zh) | 2018-08-31 | 2019-08-30 | 蝕刻液 |
SG11202101593YA SG11202101593YA (en) | 2018-08-31 | 2019-08-30 | Etching liquid |
PCT/JP2019/034193 WO2020045644A1 (ja) | 2018-08-31 | 2019-08-30 | エッチング液 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018162917 | 2018-08-31 | ||
JP2018162917 | 2018-08-31 | ||
JP2018225074 | 2018-11-30 | ||
JP2018225074 | 2018-11-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020096161A JP2020096161A (ja) | 2020-06-18 |
JP2020096161A5 true JP2020096161A5 (ja) | 2021-06-10 |
JP7096800B2 JP7096800B2 (ja) | 2022-07-06 |
Family
ID=71085068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019146516A Active JP7096800B2 (ja) | 2018-08-31 | 2019-08-08 | エッチング液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7096800B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102325905B1 (ko) * | 2021-03-22 | 2021-11-12 | 연세대학교 산학협력단 | 실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3467411B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2003-11-17 | 松下電器産業株式会社 | エッチング液,その製造方法及びエッチング方法 |
JP4586628B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2010-11-24 | 和光純薬工業株式会社 | 半導体基板表面処理剤及び処理方法 |
JP2012033561A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Sanyo Chem Ind Ltd | 窒化ケイ素用エッチング液 |
-
2019
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