JP2020096161A5 - - Google Patents

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Claims (9)

  1. シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程用のエッチング液であって、
    pKaが2以下の高温安定化剤と、リン酸と、珪素化合物を含む溶液と、水とを配合してなり、
    高温安定化剤の質量(M1)に対するリン酸の質量(M2)の比(質量比M2/M1)が800以上である、エッチング液。
  2. 前記溶液は、シリカ及びアルカリを含む溶液である、請求項に記載のエッチング液。
  3. 前記溶液は、シリカの少なくとも一部をアルカリで溶解したシリカ溶解液である、請求項1又は2に記載のエッチング液。
  4. pKaが2以下の高温安定化剤は、pKaが2以下の有機酸である、請求項1からのいずれかに記載のエッチング液。
  5. 25℃におけるpHが2以下である、請求項1からのいずれかに記載のエッチング液。
  6. エッチング温度が110℃以上180℃以下である、請求項1からのいずれかに記載のエッチング液。
  7. エッチング液のフィルタ通液量が10g/3分以上である、請求項1からのいずれかに記載のエッチング液。
  8. 請求項1からのいずれかに記載のエッチング液を用いて、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程を含む、エッチング方法。
  9. 請求項1からのいずれかに記載のエッチング液を用いて、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程を含む、半導体基板の製造方法。
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