TWI672360B - 具有針對兩種晶格方向低選擇比（Ｓｉ（１００）／Ｓｉ（１１１））及低二氧化矽蝕刻率之矽蝕刻劑組合物 - Google Patents
具有針對兩種晶格方向低選擇比（Ｓｉ（１００）／Ｓｉ（１１１））及低二氧化矽蝕刻率之矽蝕刻劑組合物 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI672360B TWI672360B TW107100337A TW107100337A TWI672360B TW I672360 B TWI672360 B TW I672360B TW 107100337 A TW107100337 A TW 107100337A TW 107100337 A TW107100337 A TW 107100337A TW I672360 B TWI672360 B TW I672360B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sio
- less
- etchant composition
- compound
- etching rate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
Abstract
本發明係針對特殊之矽蝕刻劑組合物同時具有對兩種晶格方向低選擇比(Si(100)/Si(111))及低二氧化矽蝕刻率，適用於半導體製程，其包含以蝕刻劑組合物總重量計，約0.5重量%至約5重量%的至少一種四級銨氫氧化物、約5重量%至55重量%的至少一種一級胺化合物、約15重量%至80重量%的至少一種多元醇化合物、及約10重量%至35重量%的水性介質。其中比起存於基材上的二氧化矽，該組合物優先蝕刻存於前述基材上的矽。
Description
本發明係關於一種蝕刻劑組合物，且特別係關於一種矽蝕刻劑組合物，其具備對兩種晶格方向低選擇比(Si(100)/Si(111))及保護二氧化矽的功能，本發明之蝕刻劑組合物可應用於積體電路。
半導體製程中的閘極製程是影響電晶體性能的關鍵因素之一。閘極長度(Gate length)代表半導體的製程線寬，跟隨莫爾定律(Moore’s law)的幅度縮小，達到低耗電、提升運算效能、縮小元件尺寸以提升產能的目標。由於其線寬最小，相關製程也最需要特殊的蝕刻劑。閘極圖形的定義以乾式蝕刻(dry etch)為主流，其優點是非等向性(anisotropy)佳，但先天的電漿非選擇性物理碰撞特性(non-selective physical bombardment)，降低與其他基材的蝕刻選擇性。隨著高深寬比的立體式電晶體所衍生的複雜製程，各基材的蝕刻選擇性要求提高。因此高二氧化矽選擇性的矽蝕刻劑在製程中扮演重要的一環，已成為先進製程的主流矽蝕刻劑。
傳統上使用單純TMAH溶液蝕刻Silicon時，晶格方向Si(100)/Si(111)的選擇比多為30以上，對SiO2的蝕刻率為5Å/min以上，不能有效保護二氧化矽結構，因此無法應用在先進半導體製程。
目前市場的矽蝕刻液配方多數無保護二氧化矽的功能，亦無考量在高深寬比結構所需要的低立體障礙化學分子，導致無法在有效時間內完成矽的蝕刻而產生矽殘留，延長蝕刻時間，使二氧化矽層受損。因此開發一具有選擇性的矽蝕刻技術是產業亟須發展的領域。
有鑑於上述之發明背景中，為了符合產業上特別之需求，本發明提供一種具有對兩種晶格方向低選擇比(Si(100)/Si(111))的矽蝕刻技術可用以解決上述傳統技藝未能達成之標的。
本發明之一目的在於提供一種蝕刻劑組合物，包含銨化物、胺化物與多元醇，藉以保護二氧化矽不受攻擊，同時對兩種晶格方向具有低選擇比(Si(100)/Si(111))，其適用於室溫到90℃之操作範圍。本發明之蝕刻劑組合物包含，以組合物總重量計，約0.5重量%至約5重量%的至少一種四級銨氫氧化物、約5重量%至55重量%的至少一種一級胺化合物、約15重量%至約80重量%的至少一種多元醇化合物、及約10重量%至35重量%的水性介質。
本發明之另一目的在於提供一種蝕刻方法，該蝕刻方法比起存於基材上的二氧化矽能優先蝕刻存於前述基材上的矽。具體的，上述的蝕刻方法係使用一種蝕刻劑組合物對同時存在矽(100)、矽(111)和二氧化矽的基材表面進行處理，藉此達到Si(100)/Si(111)蝕刻率選擇比小於4及對SiO2蝕刻率小於1Å/min和保護二氧化矽不受蝕刻大於30分鐘的效果。
根據本發明上述之目的，本發明提供一種蝕刻劑組合物，該蝕刻劑組合物包含至少一銨化物、至少一胺化物與至少一多元醇化合物。其中上述之蝕刻劑組合物之組成重量百分比為0.5重量%至5重量%的至少一銨化物、5重量%至55重量%的至少一胺化物與15重量%至80重量%的至少一多元醇化合物。其中上述之蝕刻劑組合物更包含一10重量%至35重量%的水性介質。上述之至少一銨化物更包含至少一種四級銨化物。上述之至少一四級銨化物更包含至少一種四級銨氫氧化物，且該四級銨氫氧化物係俱有通式R1R2R3R4N+OH-，其中R1、R2、R3及R4可獨立為相同或不同之直鏈或分支C1-C4-烷基。上述之四級銨氫氧化物係為氫氧化四甲基銨(TMAH)。所述之至少一胺化物更包含至少一一級胺化合物，該一級胺化合物包含：2-氨基乙醇(2-aminoethanol)、3-氨基-1-丙醇(3-Aminopropan-1-ol)和4-氨基-1-丁醇(4-Amino-1-butanol)。上述之至少一多元醇化合物更包含：乙二醇(Ethane-1,2-diol)、1,2-丙二醇(1,2-propanediol)和1,3-丙二醇(1,3-propanediol)。上述之蝕刻劑組合物具有矽Si(111)蝕刻速率>200Å/min(60℃)。上述之蝕刻劑組合物具有Si(100)/Si(111)蝕刻率選擇比小於4。
根據本發明上述之目的，本發明更提供一種Si/SiOx之蝕刻方法，該Si/SiOx之蝕刻方法係使用一蝕刻劑組合物以使Si(100)/Si(111)蝕刻率選擇比小於4及對SiOx蝕刻率小於1Å/min，其中，該蝕刻劑組合物包含至少一銨化物、至少一胺化物與至少一多元醇化合物。其中上述之蝕刻劑組合物之組成重量百分比為0.5重量%至5重量%的至少一銨化物、5重量%至55重量%的至少一胺化物與15重量%至80重量%的至少一多元醇化合物。上述之蝕刻劑組合物更包含至少一四級銨氫氧化物與至少一一級胺化合物。所述之四級銨氫氧化物係俱有通式R1R2R3R4N+OH-，其中R1、R2、R3及R4可獨立為相同或不同之直鏈或分支C1-C4-烷基。所述之一級胺化合物包含：2-氨基乙醇(2-aminoethanol)、3-氨基-1-丙醇(3-Aminopropan-1-ol)和4-氨基-1-丁醇(4-Amino-1-butanol)。所述之多元醇化合物包含：乙二醇(Ethane-1,2-diol)、1,2-丙二醇(1,2-propanediol)和1,3-丙二醇(1,3-propanediol)。
本發明在此所探討的方向為半導體之蝕刻技術，為了能徹底地瞭解本發明，將在下列的描述中提出詳盡的結構及其元件與方法步驟。顯然地，本發明的施行並未限定於矽蝕刻之技藝者所熟習的特殊細節。另一方面，眾所周知的結構及其元件或步驟並未描述於細節中，以避免造成本發明不必要之限制。此外，為提供更清楚之描述及使熟悉該項技藝者能理解本發明之發明內容，圖示內各部分並沒有依照其相對之尺寸而繪圖，某些尺寸與其他相關尺度之比例會被突顯而顯得誇張，且不相關之細節部分亦未完全繪出，以求圖示之簡潔。本發明的較佳實施例會詳細描述如下，然而除了這些詳細描述之外，本發明還可以廣泛地施行在其他的實施例中，且本發明範圍不受限定，其以之後的專利範圍為準。
根據本發明之一第一實施例，本發明提供一種蝕刻劑組合物，其包含：至少一銨化物、至少一胺化物與至少一多元醇化合物，其中上述之銨化物更包含至少一四級銨化物(例如，四級銨氫氧化物)，胺化物更包含至少一一級胺化合物，與至少一多元醇化合物。此外，組合物總重量計，約0.5重量%至約5重量%的至少一銨化物、約5重量%至55重量%的至少一胺化合物、約15重量%至約80重量%的至少一多元醇化合物，及約10重量%至35重量%的水性介質。本發明所使用之水性介質在任何比例下俱有完全的混和相容性。
於一具體實施例，適用於本發明蝕刻劑組合物中之四級銨氫氧化物係俱通式R1R2R3R4N+OH-，其中R1、R2、R3及R4可獨立為相同或不同之直鏈或分支C1-C4-烷基(較佳為C1)。在本發明之具體實施態樣中，R1、R2、R3及R4最佳為CH3，所對應的物質是氫氧化四甲基銨(TMAH)。
於一具體實施例，本發明所使用之四級銨氫氧化物的含量，以蝕刻劑組合物總重量計，為約0.5重量%至約5重量%，較佳為約1.0重量%至約2.5重量%。
於一具體實施例，本發明所使用之一級胺化合物，例如2-氨基乙醇(2-aminoethanol)、3-氨基-1-丙醇(3-Aminopropan-1-ol)、4-氨基-1-丁醇(4-Amino-1-butanol)，最佳為2-氨基乙醇(2-aminoethanol)。本發明所使用之一級胺化合物，以蝕刻劑組合物總重量計，為約5重量%至約55重量%，更佳為40%至55%。
於一具體實施例，本發明所使用之多元醇化合物，例如(但不限於)乙二醇(Ethane-1,2-diol)、1,2-丙二醇(1,2-propanediol)、1,3-丙二醇(1,3-propanediol)，最佳為乙二醇(Ethane-1,2-diol)。
於一具體實施例，本發明所使用之多元醇化合物，以蝕刻劑組合物總重量計，為約15重量%至約80重量%，更佳為20%至75%。
於一具體實施例，本發明之蝕刻劑組合物具矽蝕刻速率>200Å/min(60℃)及對SiO2蝕刻率小於1Å/min和保護二氧化矽在30分鐘之內不被蝕刻。
根據本發明之一第二實施例，本發明提供一種蝕刻方法，該方法係使用一種蝕刻劑組合物對同時存在矽(100)、矽(111)和二氧化矽的基材表面進行處理，藉此達到Si(100)/Si(111)蝕刻率選擇比小於4及對SiO2蝕刻率小於1Å/min和保護二氧化矽不受蝕刻>30分鐘的效果，其中所述的蝕刻劑組合物包含以蝕刻劑組合物總重量計，約1.0重量%至約2.5重量%的至少一種四級銨氫氧化物、約40重量%至55重量%的至少一種一級胺化合物、約20重量%至約75重量%的至少一種多元醇化合物、和餘量的水性介質。
於一具體實施例，其中所述之四級銨氫氧化物係俱有通式R1R2R3R4N+OH-，其中R1、R2、R3及R4可獨立為相同或不同之直鏈或分支C1-C4-烷基。較佳的，所述之四級銨氫氧化物是氫氧化四甲基銨(TMAH)。
於一具體實施例，其中所述之一級胺化合物包含：2-氨基乙醇(2-aminoethanol)、3-氨基-1-丙醇(3-Aminopropan-1-ol)和4-氨基-1-丁醇(4-Amino-1-butanol)。最佳為2-氨基乙醇(2-aminoethanol)。
於一具體實施例，其中所述之多元醇化合物包含：乙二醇(Ethane-1,2-diol)、1,2-丙二醇(1,2-propanediol)和1,3-丙二醇(1,3-propanediol)。
最佳為乙二醇(Ethane-1,2-diol)。
顯然地，依照上面實施例中的描述，本發明可能有許多的修正與差異。因此需在其附加的權利請求項之範圍內加以理解，除上述詳細描述外，本發明還可以廣泛地在其他的實施例中施行。上述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾，均應包含在下述申請專利範圍內。
Claims (14)
- 一種使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物，該使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物包含至少一銨化物、至少一胺化物與至少一多元醇化合物，其中上述之矽蝕刻劑組合物之組成重量百分比為0.5重量%至5重量%的至少一銨化物、5重量%至55重量%的至少一胺化物與15重量%至80重量%的至少一多元醇化合物。
- 如申請專利範圍第1項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物，其中上述之矽蝕刻劑組合物更包含一10重量%至35重量%的水性介質。
- 如申請專利範圍第1項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物，其中上述之至少一銨化物更包含至少一種四級銨化物。
- 如申請專利範圍第3項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物，其中上述之至少一四級銨化物更包含至少一種四級銨氫氧化物，且該四級銨氫氧化物係俱有通式R1R2R3R4N+OH-，其中R1、R2、R3及R4可獨立為相同或不同之直鏈或分支C1-C4-烷基。
- 如申請專利範圍第4項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物，其中上述之四級銨氫氧化物係為氫氧化四甲基銨(TMAH)。
- 如申請專利範圍第1項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物，其中所述之至少一胺化物更包含至少一一級胺化合物，該一級胺化合物包含：2-氨基乙醇(2-aminoethanol)、3-氨基-1-丙醇(3-Aminopropan-1-ol)和4-氨基-1-丁醇(4-Amino-1-butanol)。
- 如申請專利範圍第1項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物，其中上述之至少一多元醇化合物更包含：乙二醇(Ethane-1,2-diol)、1,2-丙二醇(1,2-propanediol)和1,3-丙二醇(1,3-propanediol)。
- 如申請專利範圍第1項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物，其中上述之使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物具有矽Si(111)蝕刻速率>200Å/min(60℃)。
- 如申請專利範圍第1項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物，其中上述之使SiOx蝕刻率小於1Å/min的矽蝕刻劑組合物具有Si(100)/Si(111)蝕刻率選擇比小於4。
- 一種使SiOx蝕刻率小於1Å/min之蝕刻方法，該使SiOx蝕刻率小於1Å/min之蝕刻方法係使用一矽蝕刻劑組合物，該矽蝕刻劑組合物包含至少一銨化物、至少一胺化物與至少一多元醇化合物，其中上述之矽蝕刻劑組合物之組成重量百分比為0.5重量%至5重量%的至少一銨化物、5重量%至55重量%的至少一胺化物與15重量%至80重量%的至少一多元醇化合物。
- 如申請專利範圍第10項所述之使SiOx蝕刻率小於1Å/min之蝕刻方法，其中上述之矽蝕刻劑組合物更包含至少一四級銨氫氧化物與至少一一級胺化合物。
- 如申請專利範圍第11項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min之蝕刻方法，其中所述之四級銨氫氧化物係俱有通式R1R2R3R4N+OH-，其中R1、R2、R3及R4可獨立為相同或不同之直鏈或分支C1-C4-烷基。
- 如申請專利範圍第11項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min之蝕刻方法，其中所述之一級胺化合物更包含：2-氨基乙醇(2-aminoethanol)、3-氨基-1-丙醇(3-Aminopropan-1-ol)和4-氨基-1-丁醇(4-Amino-1-butanol)。
- 如申請專利範圍第10項所述的使SiOx蝕刻率小於1Å/min之蝕刻方法，其中所述之多元醇化合物更包含：乙二醇(Ethane-1,2-diol)、1,2-丙二醇(1,2-propanediol)和1,3-丙二醇(1,3-propanediol)。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107100337A TWI672360B (zh) | 2018-01-04 | 2018-01-04 | 具有針對兩種晶格方向低選擇比（Ｓｉ（１００）／Ｓｉ（１１１））及低二氧化矽蝕刻率之矽蝕刻劑組合物 |
| CN201811559290.8A CN110003911B (zh) | 2018-01-04 | 2018-12-18 | 具有针对两种晶格方向低选择比(Si(100)/Si(111))及低二氧化硅蚀刻率的硅蚀刻剂组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107100337A TWI672360B (zh) | 2018-01-04 | 2018-01-04 | 具有針對兩種晶格方向低選擇比（Ｓｉ（１００）／Ｓｉ（１１１））及低二氧化矽蝕刻率之矽蝕刻劑組合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201930557A TW201930557A (zh) | 2019-08-01 |
| TWI672360B true TWI672360B (zh) | 2019-09-21 |
Family
ID=67165183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107100337A TWI672360B (zh) | 2018-01-04 | 2018-01-04 | 具有針對兩種晶格方向低選擇比（Ｓｉ（１００）／Ｓｉ（１１１））及低二氧化矽蝕刻率之矽蝕刻劑組合物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110003911B (zh) |
| TW (1) | TWI672360B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112480928A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 利绅科技股份有限公司 | 硅蚀刻组成物及其作用于硅基材的蚀刻方法 |
| US20220290049A1 (en) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | LCY Chemical Corp. | Composition of etchant, method for forming semiconductor device using the same, and semiconductor device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101531950A (zh) * | 2008-03-13 | 2009-09-16 | 气体产品与化学公司 | 含有氨基苯磺酸的半水性溶脱和清洗组合物 |
| CN101663620A (zh) * | 2007-04-13 | 2010-03-03 | 安集微电子（上海）有限公司 | 低蚀刻性光刻胶清洗剂 |
| WO2014094356A1 (zh) * | 2012-12-17 | 2014-06-26 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种光刻胶去除剂 |
| TW201700725A (zh) * | 2015-06-23 | 2017-01-01 | 易安愛富科技有限公司 | 清洗液組合物 |
| TW201726895A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-08-01 | 慧盛材料美國責任有限公司 | 蝕刻組合物及其使用方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8349739B2 (en) * | 2008-08-29 | 2013-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conformal etch material and process |
| JP5869368B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2016-02-24 | 富士フイルム株式会社 | キャパシタ構造の形成方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液 |
| CN108998032B (zh) * | 2017-06-06 | 2021-06-04 | 关东鑫林科技股份有限公司 | 蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法 |
-
2018
- 2018-01-04 TW TW107100337A patent/TWI672360B/zh active
- 2018-12-18 CN CN201811559290.8A patent/CN110003911B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101663620A (zh) * | 2007-04-13 | 2010-03-03 | 安集微电子（上海）有限公司 | 低蚀刻性光刻胶清洗剂 |
| CN101531950A (zh) * | 2008-03-13 | 2009-09-16 | 气体产品与化学公司 | 含有氨基苯磺酸的半水性溶脱和清洗组合物 |
| WO2014094356A1 (zh) * | 2012-12-17 | 2014-06-26 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种光刻胶去除剂 |
| TW201700725A (zh) * | 2015-06-23 | 2017-01-01 | 易安愛富科技有限公司 | 清洗液組合物 |
| TW201726895A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-08-01 | 慧盛材料美國責任有限公司 | 蝕刻組合物及其使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110003911B (zh) | 2021-07-27 |
| TW201930557A (zh) | 2019-08-01 |
| CN110003911A (zh) | 2019-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7282938B2 (ja) | 窒化ケイ素含有基板をエッチングするための組成物および方法 | |
| EP3089200B1 (en) | Titanium nitride hard mask removal | |
| JP7452782B2 (ja) | 表面処理方法およびそのための組成物 | |
| KR102653096B1 (ko) | 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| KR101953380B1 (ko) | 실리콘질화막 식각 조성물 | |
| CN110437837B (zh) | 用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法 | |
| JP2012033561A (ja) | 窒化ケイ素用エッチング液 | |
| TWI672360B (zh) | 具有針對兩種晶格方向低選擇比（Ｓｉ（１００）／Ｓｉ（１１１））及低二氧化矽蝕刻率之矽蝕刻劑組合物 | |
| KR102602860B1 (ko) | 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| KR20190081343A (ko) | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
| JP2023534014A (ja) | タングステン膜に対する窒化チタン膜のエッチング選択比を調節するためのエッチング液組成物、及びこれを用いたエッチング方法 | |
| JP2022524543A (ja) | 半導体装置の製造の間に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング溶液及び方法 | |
| JP2022520655A (ja) | シリコン窒化膜エッチング組成物 | |
| KR101630654B1 (ko) | 에칭방법, 이것을 사용한 반도체 기판 제품 및 반도체 소자의 제조방법 | |
| EP3975223A1 (en) | Protective fluid for alumina | |
| KR102379072B1 (ko) | 식각액 조성물 | |
| KR102629576B1 (ko) | 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| KR102443313B1 (ko) | 실란 화합물을 포함하는 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| KR20210100765A (ko) | 두가지 결정격자 방향에 대해 낮은 선택비(Si(100)/Si(111)) 및 낮은 이산화실리콘 식각율을 갖는 실리콘 식각용액 조성물 | |
| TWI839022B (zh) | 鉬膜蝕刻劑組成物及使用該組成物的蝕刻方法 | |
| KR102629575B1 (ko) | 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| US20230374383A1 (en) | Etching Composition, Etching Method, Method for Manufacturing Semiconductor Device, and Method for Manufacturing Gate-All-Around-Type Transistor | |
| TWI710667B (zh) | 用於氮化矽的蝕刻組成物與半導體元件的蝕刻方法 | |
| KR102378930B1 (ko) | 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| WO2023163002A1 (ja) | 組成物、並びにこれを用いた半導体基板の製造方法およびエッチング方法 |