JPH11251312A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11251312A JPH11251312A JP5466898A JP5466898A JPH11251312A JP H11251312 A JPH11251312 A JP H11251312A JP 5466898 A JP5466898 A JP 5466898A JP 5466898 A JP5466898 A JP 5466898A JP H11251312 A JPH11251312 A JP H11251312A
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- baking
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポストベーク時のＳＯＧ膜のクラック発生を
防止する半導体装置の製造法を提供する。 【解決手段】 主面上に配線１２を形成した半導体基板
１１の上にＣＶＤ膜１３を形成し、ＣＶＤ膜表面に窒素
或は酸素プラズマ処理を行って、ＣＶＤ膜表面を親水性
に変質させる。その後、Ｓｉ−Ｏ結合を含むＳＯＧ溶液
１４を塗布し、ＳＯＧ溶液１４を３００℃でプリベーク
した後、ポストベーク処理を行うことにより、クラック
の発生しないＳＯＧ膜１５を焼成する。
防止する半導体装置の製造法を提供する。 【解決手段】 主面上に配線１２を形成した半導体基板
１１の上にＣＶＤ膜１３を形成し、ＣＶＤ膜表面に窒素
或は酸素プラズマ処理を行って、ＣＶＤ膜表面を親水性
に変質させる。その後、Ｓｉ−Ｏ結合を含むＳＯＧ溶液
１４を塗布し、ＳＯＧ溶液１４を３００℃でプリベーク
した後、ポストベーク処理を行うことにより、クラック
の発生しないＳＯＧ膜１５を焼成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関わり、特に、層間絶縁膜のクラックを防止する
半導体装置の製造方法に関するものである。
方法に関わり、特に、層間絶縁膜のクラックを防止する
半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の大集積化が急速に進
むにつれ、配線等による下地の段差を少なくする層間絶
縁膜の平坦化技術が用いられている。平坦化技術として
は、配線間の窪みに無機系塗布ガラス（以下、ＳＯＧと
いう）等の塗布材料で埋め込む方法がこれまで広く用い
られている。
むにつれ、配線等による下地の段差を少なくする層間絶
縁膜の平坦化技術が用いられている。平坦化技術として
は、配線間の窪みに無機系塗布ガラス（以下、ＳＯＧと
いう）等の塗布材料で埋め込む方法がこれまで広く用い
られている。
【０００３】以下、従来の半導体装置の製造方法につい
て説明する。図２は従来の半導体装置の製造方法の断面
図を示すものであり、ＳＯＧ（スピンオンガラスの略）
を活用した従来の平坦化技術について、図面を用いて説
明する。図２において、１は半導体基板、２は金属等の
配線、３はＣＶＤ法によって形成した絶縁膜（以下、Ｃ
ＶＤ膜という）、４は無機系塗布ガラス溶液（ＳＯＧ溶
液）、５はＳＯＧ溶液４を硬化したＳＯＧ膜である。
て説明する。図２は従来の半導体装置の製造方法の断面
図を示すものであり、ＳＯＧ（スピンオンガラスの略）
を活用した従来の平坦化技術について、図面を用いて説
明する。図２において、１は半導体基板、２は金属等の
配線、３はＣＶＤ法によって形成した絶縁膜（以下、Ｃ
ＶＤ膜という）、４は無機系塗布ガラス溶液（ＳＯＧ溶
液）、５はＳＯＧ溶液４を硬化したＳＯＧ膜である。
【０００４】従来の半導体装置の製造方法は、まず、主
面に配線２を形成した半導体基板１（図２（ａ）を参
照）の上に絶縁膜となるＣＶＤ膜３を形成する（図２
（ｂ）を参照）。次に、ＣＶＤ膜３の上にリンを含んだ
ＳＯＧ溶液４を回転塗布する（図２（ｃ）を参照）。Ｓ
ＯＧは、Ｓｉ−Ｏ結合を含む無機系塗布ガラス材料であ
る。ＳＯＧ溶液４を塗布した後、２００℃程度のプリベ
ークを行い、その後４００℃から４５０℃の温度範囲内
でポストベークを行う。この２段階のベーク処理によ
り、ＳＯＧ溶液４を焼成してＳｉ−Ｏ結合を含む無機膜
（ＳＯＧ膜５）を形成する（図２（ｄ）を参照）。
面に配線２を形成した半導体基板１（図２（ａ）を参
照）の上に絶縁膜となるＣＶＤ膜３を形成する（図２
（ｂ）を参照）。次に、ＣＶＤ膜３の上にリンを含んだ
ＳＯＧ溶液４を回転塗布する（図２（ｃ）を参照）。Ｓ
ＯＧは、Ｓｉ−Ｏ結合を含む無機系塗布ガラス材料であ
る。ＳＯＧ溶液４を塗布した後、２００℃程度のプリベ
ークを行い、その後４００℃から４５０℃の温度範囲内
でポストベークを行う。この２段階のベーク処理によ
り、ＳＯＧ溶液４を焼成してＳｉ−Ｏ結合を含む無機膜
（ＳＯＧ膜５）を形成する（図２（ｄ）を参照）。
【０００５】多層構造の配線を施す場合は、更にこの
後、ＣＶＤ膜３およびＳＯＧ膜５の所定箇所に開口部
（図示せず）を形成した後、第２層目の配線（図示せ
ず）を形成して、複数の配線層を用いた配線が行われ
る。
後、ＣＶＤ膜３およびＳＯＧ膜５の所定箇所に開口部
（図示せず）を形成した後、第２層目の配線（図示せ
ず）を形成して、複数の配線層を用いた配線が行われ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の方法では、ポストベークでＳＯＧ溶液４を焼成する際
には、低温（約２００℃）のプリベークによって、事前
にＳＯＧの溶剤を揮発させ、ＳＯＧ膜５を焼成する際の
収縮応力によって、ＳＯＧ膜５が破損することを防止す
る配慮がなされていた。
の方法では、ポストベークでＳＯＧ溶液４を焼成する際
には、低温（約２００℃）のプリベークによって、事前
にＳＯＧの溶剤を揮発させ、ＳＯＧ膜５を焼成する際の
収縮応力によって、ＳＯＧ膜５が破損することを防止す
る配慮がなされていた。
【０００７】しかし、ＣＶＤ膜３の表面は、ＣＶＤ装置
内でのプラズマ発生に伴う発熱やＣＶＤ膜３形成後の加
熱処理等によって、ＣＶＤ膜３表面の膜質が疎水性にな
り易い。ＣＶＤ膜３の表面が疎水性になると、後工程で
ＳＯＧ溶液４を塗布する際にＳＯＧ溶液４の濡れ性が低
下し、下地の凹部にＳＯＧ溶液が溜まり過ぎることがあ
る。この液溜まり部分（膜厚が厚くなる部分）が生じる
と、その後ＳＯＧを焼成する時に、液溜まり部分でスト
レスが生じ、ＳＯＧ膜５を破損する。
内でのプラズマ発生に伴う発熱やＣＶＤ膜３形成後の加
熱処理等によって、ＣＶＤ膜３表面の膜質が疎水性にな
り易い。ＣＶＤ膜３の表面が疎水性になると、後工程で
ＳＯＧ溶液４を塗布する際にＳＯＧ溶液４の濡れ性が低
下し、下地の凹部にＳＯＧ溶液が溜まり過ぎることがあ
る。この液溜まり部分（膜厚が厚くなる部分）が生じる
と、その後ＳＯＧを焼成する時に、液溜まり部分でスト
レスが生じ、ＳＯＧ膜５を破損する。
【０００８】ＳＯＧの収縮は、ＳＯＧ溶液４中の溶剤や
水分が脱離する時に起きる現象で、塗布直後から最終の
焼成温度である４００℃までの間に水分脱離量のピーク
が２箇所存在することを昇温脱離分析により明らかにし
た。その分析結果を図３に示す。図３は、昇温脱離分析
を示す図であり、横軸を温度（℃）、縦軸を排出ガス中
の水分の割合（％）として表し、５０℃から４５０℃ま
で温度を上昇させつつ、排出ガス中に含まれる水分の割
合を調べた。図３に示すように、１００℃までの温度範
囲では温度の上昇に比例して水分の脱離量が増大し、第
１の水分脱離のピークは１７０℃前後に在る。この付近
の温度では、水分の脱離に伴って、溶剤が揮発する。更
に温度上昇させると、水分の脱離量が減少する傾向とな
り、２７０℃付近でボトムとなる。そこから更に温度上
昇させると、水分の脱離量が再び上昇傾向となり、第２
の水分脱離のピークは３７０℃前後に在る。この付近の
温度では、ＳＯＧ膜５中の有機物質が脱離され、有機物
質に付随する水分が脱離される。この２度の水分脱離時
にその度に膜収縮が発生するのであるが、ＳＯＧ膜のク
ラックは第２の水分脱離時の膜収縮によって発生するこ
とが既に判明している。なお、第２の水分脱離のピーク
はＳＯＧ溶液中にリンを含有させると顕著に現れ、第１
の水分脱離のピークはリンの含有量には左右されない。
図２中の実線（１）はリンの含有量が４ｗｔ％の時のデ
ータ、図２中の破線（２）はリンの含有量が２ｗｔ％の
時のデータである。
水分が脱離する時に起きる現象で、塗布直後から最終の
焼成温度である４００℃までの間に水分脱離量のピーク
が２箇所存在することを昇温脱離分析により明らかにし
た。その分析結果を図３に示す。図３は、昇温脱離分析
を示す図であり、横軸を温度（℃）、縦軸を排出ガス中
の水分の割合（％）として表し、５０℃から４５０℃ま
で温度を上昇させつつ、排出ガス中に含まれる水分の割
合を調べた。図３に示すように、１００℃までの温度範
囲では温度の上昇に比例して水分の脱離量が増大し、第
１の水分脱離のピークは１７０℃前後に在る。この付近
の温度では、水分の脱離に伴って、溶剤が揮発する。更
に温度上昇させると、水分の脱離量が減少する傾向とな
り、２７０℃付近でボトムとなる。そこから更に温度上
昇させると、水分の脱離量が再び上昇傾向となり、第２
の水分脱離のピークは３７０℃前後に在る。この付近の
温度では、ＳＯＧ膜５中の有機物質が脱離され、有機物
質に付随する水分が脱離される。この２度の水分脱離時
にその度に膜収縮が発生するのであるが、ＳＯＧ膜のク
ラックは第２の水分脱離時の膜収縮によって発生するこ
とが既に判明している。なお、第２の水分脱離のピーク
はＳＯＧ溶液中にリンを含有させると顕著に現れ、第１
の水分脱離のピークはリンの含有量には左右されない。
図２中の実線（１）はリンの含有量が４ｗｔ％の時のデ
ータ、図２中の破線（２）はリンの含有量が２ｗｔ％の
時のデータである。
【０００９】プリベーク温度を２００℃で実施した場
合、第１の水分の脱離量が不十分であり、プリベーク後
のＳＯＧ膜中に水分が残存することになる。第１の水分
脱離で残存した水分が、ポストベークを行う際に第２の
水分の脱離量を増加させることになり、水分の脱離量が
過剰になる。そして、ポストベーク時のＳＯＧ膜の収縮
率が大きくなり、クラックの発生を促す要因となってい
た。
合、第１の水分の脱離量が不十分であり、プリベーク後
のＳＯＧ膜中に水分が残存することになる。第１の水分
脱離で残存した水分が、ポストベークを行う際に第２の
水分の脱離量を増加させることになり、水分の脱離量が
過剰になる。そして、ポストベーク時のＳＯＧ膜の収縮
率が大きくなり、クラックの発生を促す要因となってい
た。
【００１０】本発明の目的は、ＳＯＧ膜のクラックを防
止できる半導体装置の製造方法を提供することである。
止できる半導体装置の製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第
１の配線を形成する第１の工程と、前記第１の配線を含
む前記半導体基板の上にＣＶＤ法によって絶縁膜を形成
する第２の工程と、その後、前記絶縁膜の表面を窒素あ
るいは酸素によるプラズマ処理を行う第３の工程と、そ
の後、無機系塗布ガラスを塗布した後に加熱処理してＳ
ＯＧ膜を形成する第４の工程とからなる。
に本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第
１の配線を形成する第１の工程と、前記第１の配線を含
む前記半導体基板の上にＣＶＤ法によって絶縁膜を形成
する第２の工程と、その後、前記絶縁膜の表面を窒素あ
るいは酸素によるプラズマ処理を行う第３の工程と、そ
の後、無機系塗布ガラスを塗布した後に加熱処理してＳ
ＯＧ膜を形成する第４の工程とからなる。
【００１２】この構成によって、ＳＯＧを塗布する前
に、ＣＶＤ膜の表面を窒素あるいは酸素によるプラズマ
処理を行い、ＣＶＤ膜の膜質を疎水性から親水性に変え
る。これにより、下地段差による凹部にＳＯＧが過剰に
溜まることを抑えて、ＳＯＧ膜を焼成するから、この凹
部におけるＳＯＧ膜のクラックを無くすことができる。
に、ＣＶＤ膜の表面を窒素あるいは酸素によるプラズマ
処理を行い、ＣＶＤ膜の膜質を疎水性から親水性に変え
る。これにより、下地段差による凹部にＳＯＧが過剰に
溜まることを抑えて、ＳＯＧ膜を焼成するから、この凹
部におけるＳＯＧ膜のクラックを無くすことができる。
【００１３】また、第２の発明は、上記第１の発明の構
成の第４の工程において、Ｓｉ−Ｏ結合を含む無機系塗
布ガラスを塗布して形成したＳＯＧ膜を、２７０℃〜３
３０℃で低温加熱した後、ポストベークで焼成する構成
を有する。この構成によって、低温加熱時に水分を十分
に脱離し、ＳＯＧ膜をポストベークする際に、水分の脱
離量を抑制して、クラックの発生を防止することができ
る。
成の第４の工程において、Ｓｉ−Ｏ結合を含む無機系塗
布ガラスを塗布して形成したＳＯＧ膜を、２７０℃〜３
３０℃で低温加熱した後、ポストベークで焼成する構成
を有する。この構成によって、低温加熱時に水分を十分
に脱離し、ＳＯＧ膜をポストベークする際に、水分の脱
離量を抑制して、クラックの発生を防止することができ
る。
【００１４】また、第３の発明は、前記第１の発明の構
成の第４の工程において、リンを含む無機系塗布ガラス
を塗布して形成したＳＯＧ膜を、低温加熱した後ポスト
ベークで焼成する構成を有する。
成の第４の工程において、リンを含む無機系塗布ガラス
を塗布して形成したＳＯＧ膜を、低温加熱した後ポスト
ベークで焼成する構成を有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１６】図１は、本発明の第１および第２の実施形
態における半導体装置の製造方法の工程断面図を示すも
ので、まず第１の実施形態について説明する。図１にお
いて、１１はシリコンや化合物半導体等による半導体基
板、１２はアルミニウムまたはアルミニウム合金等によ
る配線、１３はＣＶＤ法によって形成した絶縁膜（ＣＶ
Ｄ膜）、１４はＳＯＧ溶液である。そして、仕上がり状
態（図１（ｄ）を参照）の構造は図２の従来例と同様な
ものである。従来例と異なるのはＣＶＤ膜１３を形成し
た後、プラズマ処理を追加した点である。
態における半導体装置の製造方法の工程断面図を示すも
ので、まず第１の実施形態について説明する。図１にお
いて、１１はシリコンや化合物半導体等による半導体基
板、１２はアルミニウムまたはアルミニウム合金等によ
る配線、１３はＣＶＤ法によって形成した絶縁膜（ＣＶ
Ｄ膜）、１４はＳＯＧ溶液である。そして、仕上がり状
態（図１（ｄ）を参照）の構造は図２の従来例と同様な
ものである。従来例と異なるのはＣＶＤ膜１３を形成し
た後、プラズマ処理を追加した点である。
【００１７】以下、本実施形態の半導体装置の製造方法
について、工程の順を追って詳しく説明する。まず、シ
リコン等の半導体基板１１の主面上にアルミニウムまた
はアルミニウム合金の金属を蒸着した後、その金属を食
刻して所望パターンの配線１２を形成する（図１の
（ａ）を参照）。
について、工程の順を追って詳しく説明する。まず、シ
リコン等の半導体基板１１の主面上にアルミニウムまた
はアルミニウム合金の金属を蒸着した後、その金属を食
刻して所望パターンの配線１２を形成する（図１の
（ａ）を参照）。
【００１８】次に、配線１２を形成した半導体基板１１
に対して、ＳｉＨ4（モノシラン）とＮ2Ｏを導入して約
６０ＷのＲＦパワーによるプラズマ処理を行い、配線１
２を含む半導体基板１１の表面全域に４００ｎｍから５
００ｎｍの膜厚の絶縁膜（ＣＶＤ膜１３）を形成する
（図１の（ｂ）を参照）。
に対して、ＳｉＨ4（モノシラン）とＮ2Ｏを導入して約
６０ＷのＲＦパワーによるプラズマ処理を行い、配線１
２を含む半導体基板１１の表面全域に４００ｎｍから５
００ｎｍの膜厚の絶縁膜（ＣＶＤ膜１３）を形成する
（図１の（ｂ）を参照）。
【００１９】その後、ＣＶＤ膜１３をエッチングしない
窒素ガスあるいは酸素ガスを導入して２００Ｗから５０
０ＷのＲＦパワーによるプラズマ処理をＣＶＤ膜１３の
表面に行う（図１の（ｂ）を参照）。この時、プラズマ
処理前には疎水性であったＣＶＤ膜１３の表面を親水性
に変質させる。
窒素ガスあるいは酸素ガスを導入して２００Ｗから５０
０ＷのＲＦパワーによるプラズマ処理をＣＶＤ膜１３の
表面に行う（図１の（ｂ）を参照）。この時、プラズマ
処理前には疎水性であったＣＶＤ膜１３の表面を親水性
に変質させる。
【００２０】その後、Ｓｉ−Ｏ結合を含む無機系塗布ガ
ラス（ＳＯＧ）溶液１４を、ＣＶＤ膜１３の表面に１０
０ｎｍから２００ｎｍの膜厚で回転塗布する（図１の
（ｃ）を参照）。ここでは、ＣＶＤ膜１３表面が親水性
になっているため、ＣＶＤ膜１３とＳＯＧ溶液１４との
なじみが良い。従って、ＳＯＧ溶液を回転塗布する際
に、ＳＯＧ溶液１４がＣＶＤ膜１３上を移動しやすく、
従来例に比べて膜厚の不均一さの少ない状態でＳＯＧ溶
液１４を塗布できる。
ラス（ＳＯＧ）溶液１４を、ＣＶＤ膜１３の表面に１０
０ｎｍから２００ｎｍの膜厚で回転塗布する（図１の
（ｃ）を参照）。ここでは、ＣＶＤ膜１３表面が親水性
になっているため、ＣＶＤ膜１３とＳＯＧ溶液１４との
なじみが良い。従って、ＳＯＧ溶液を回転塗布する際
に、ＳＯＧ溶液１４がＣＶＤ膜１３上を移動しやすく、
従来例に比べて膜厚の不均一さの少ない状態でＳＯＧ溶
液１４を塗布できる。
【００２１】その後、従来例と同じ条件の低温（２００
℃）でのプリベークを行った後、４００℃から４５０
℃、約３０分の条件でポストベークを行って焼成する。
この２段階のベーク処理により、Ｓｉ−Ｏ結合を含むＳ
ＯＧ膜１５を形成する（図１の（ｄ）を参照）。
℃）でのプリベークを行った後、４００℃から４５０
℃、約３０分の条件でポストベークを行って焼成する。
この２段階のベーク処理により、Ｓｉ−Ｏ結合を含むＳ
ＯＧ膜１５を形成する（図１の（ｄ）を参照）。
【００２２】上述の第１の実施形態の製造方法によれ
ば、ＳＯＧ溶液を塗布する前にＣＶＤ膜１３の表面を、
窒素あるいは酸素によるプラズマ処理することによっ
て、ＣＶＤ膜１３の表面を親水性に変質させる。そし
て、ＳＯＧ溶液の液溜まりを少なくし、ポストベーク時
に発生しやすいＳＯＧ膜１３の破損を防止できる。
ば、ＳＯＧ溶液を塗布する前にＣＶＤ膜１３の表面を、
窒素あるいは酸素によるプラズマ処理することによっ
て、ＣＶＤ膜１３の表面を親水性に変質させる。そし
て、ＳＯＧ溶液の液溜まりを少なくし、ポストベーク時
に発生しやすいＳＯＧ膜１３の破損を防止できる。
【００２３】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について説明する。上述の第１の実施形態のプ
リベークの温度が２００℃であったのに対して、第２の
実施形態では、３００℃でプリベークする点で異なり、
その他の条件は第１の実施形態と同様である。
実施形態について説明する。上述の第１の実施形態のプ
リベークの温度が２００℃であったのに対して、第２の
実施形態では、３００℃でプリベークする点で異なり、
その他の条件は第１の実施形態と同様である。
【００２４】即ち、ＣＶＤ膜１３の表面に窒素ガスある
いは酸素ガスを導入したプラズマ処理を行った後、Ｓｉ
−Ｏ結合を含む無機系塗布ガラス（ＳＯＧ）溶液１４
を、ＣＶＤ膜１３の表面に１００ｎｍから２００ｎｍの
膜厚で回転塗布する（図１の（ｃ）を参照）。
いは酸素ガスを導入したプラズマ処理を行った後、Ｓｉ
−Ｏ結合を含む無機系塗布ガラス（ＳＯＧ）溶液１４
を、ＣＶＤ膜１３の表面に１００ｎｍから２００ｎｍの
膜厚で回転塗布する（図１の（ｃ）を参照）。
【００２５】その後、低温でのプリベークを行う。プリ
ベークの条件としては、１５０℃から５０℃のピッチで
上昇させて最終温度を３００℃とし、その各温度で１分
間づつの加熱処理する手段、あるいは、３００℃の一定
温度で３分間の加熱処理する手段のどちらであっても良
い。
ベークの条件としては、１５０℃から５０℃のピッチで
上昇させて最終温度を３００℃とし、その各温度で１分
間づつの加熱処理する手段、あるいは、３００℃の一定
温度で３分間の加熱処理する手段のどちらであっても良
い。
【００２６】その後、３００℃の減圧炉あるいは常圧炉
内に投入し、１０℃／分の速度で昇温させ、４００℃か
ら４５０℃の一定温度で、約３０分の条件でポストベー
クを行って焼成する。この２段階のベーク処理により、
Ｓｉ−Ｏ結合を含むＳＯＧ膜１５を形成する（図１の
（ｄ）を参照）。
内に投入し、１０℃／分の速度で昇温させ、４００℃か
ら４５０℃の一定温度で、約３０分の条件でポストベー
クを行って焼成する。この２段階のベーク処理により、
Ｓｉ−Ｏ結合を含むＳＯＧ膜１５を形成する（図１の
（ｄ）を参照）。
【００２７】この方法によると、従来より高い温度であ
る３００℃でプリベークするため、ポストベーク前にＳ
ＯＧ膜１５中の水分を十分に脱離させて、ポストベーク
時の水分の脱離量を少なくし、ポストベーク時の収縮応
力を小さくして、ＳＯＧ膜１５でクラックが発生する余
裕度を拡大できる。
る３００℃でプリベークするため、ポストベーク前にＳ
ＯＧ膜１５中の水分を十分に脱離させて、ポストベーク
時の水分の脱離量を少なくし、ポストベーク時の収縮応
力を小さくして、ＳＯＧ膜１５でクラックが発生する余
裕度を拡大できる。
【００２８】なお、プリベークの温度としては、２７０
℃から３３０℃の温度範囲で上記３００℃と同等な結果
が得られた。また、ＳＯＧ溶液として、リンを含んだＳ
ＯＧ溶液を使用した場合のＳＯＧクラックの発生頻度
は、従来例に比べ大幅に低減することができた。
℃から３３０℃の温度範囲で上記３００℃と同等な結果
が得られた。また、ＳＯＧ溶液として、リンを含んだＳ
ＯＧ溶液を使用した場合のＳＯＧクラックの発生頻度
は、従来例に比べ大幅に低減することができた。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明は、ＣＶＤ膜の表面
に窒素あるいは酸素ガスによるプラズマ処理を行って、
ＣＶＤ膜表面の膜質を親水性に変えた後、ＳＯＧ溶液を
回転塗布するから、凹部におけるＳＯＧ溶液の液溜まり
を少なくでき、ＳＯＧ膜の膜厚の不均一さが少なくな
り、ポストベーク時に生じやすいＳＯＧクラックを防止
できる。
に窒素あるいは酸素ガスによるプラズマ処理を行って、
ＣＶＤ膜表面の膜質を親水性に変えた後、ＳＯＧ溶液を
回転塗布するから、凹部におけるＳＯＧ溶液の液溜まり
を少なくでき、ＳＯＧ膜の膜厚の不均一さが少なくな
り、ポストベーク時に生じやすいＳＯＧクラックを防止
できる。
【００３０】また、第２の発明では、従来より高い温
度、即ち２５０〜３５０℃でＳＯＧ膜をプリベークする
ことにより、ポストベーク前にＳＯＧ膜中の水分を十分
少なくして、ポストベーク時に生じやすいＳＯＧ膜のク
ラックを防止し、欠陥のない絶縁膜を形成できる。
度、即ち２５０〜３５０℃でＳＯＧ膜をプリベークする
ことにより、ポストベーク前にＳＯＧ膜中の水分を十分
少なくして、ポストベーク時に生じやすいＳＯＧ膜のク
ラックを防止し、欠陥のない絶縁膜を形成できる。
【図１】本発明の実施形態における半導体装置の製造方
法の工程断面図
法の工程断面図
【図２】従来の半導体装置の製造方法の工程断面図
【図３】昇温脱離分析を説明するための図
１１ 半導体基板 １２ 配線 １３ 絶縁膜（ＣＶＤ膜） １４ ＳＯＧ溶液 １５ ＳＯＧ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に第１の配線を形成する第
１の工程と、 前記第１の配線を含む前記半導体基板の上にＣＶＤ法に
よって絶縁膜を形成する第２の工程と、 その後、前記絶縁膜の表面を窒素あるいは酸素によるプ
ラズマ処理を行う第３の工程と、 その後、無機系塗布ガラスを塗布した後に加熱処理して
ＳＯＧ膜を形成する第４の工程とからなる半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】 第４の工程において、Ｓｉ−Ｏ結合を含
む無機系塗布ガラスを塗布して形成したＳＯＧ膜を、２
７０℃〜３３０℃で低温加熱した後、ポストベークで焼
成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項３】 第４の工程において、リンを含む無機系
塗布ガラスを塗布して形成したＳＯＧ膜を、低温加熱し
た後ポストベークで焼成することを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5466898A JPH11251312A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5466898A JPH11251312A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251312A true JPH11251312A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12977166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5466898A Pending JPH11251312A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251312A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551442B2 (en) | 2000-07-24 | 2003-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor device and system for producing the same |
| JP2007509499A (ja) * | 2003-10-21 | 2007-04-12 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 低ｋ誘電体を半導体製造プロセスにおいて形成する方法 |
| KR20160120678A (ko) * | 2015-04-08 | 2016-10-18 | 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 | 기판 코팅 방법 |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP5466898A patent/JPH11251312A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551442B2 (en) | 2000-07-24 | 2003-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor device and system for producing the same |
| JP2007509499A (ja) * | 2003-10-21 | 2007-04-12 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 低ｋ誘電体を半導体製造プロセスにおいて形成する方法 |
| JP4659751B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2011-03-30 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 低ｋ誘電体を半導体製造プロセスにおいて形成する方法 |
| KR20160120678A (ko) * | 2015-04-08 | 2016-10-18 | 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 | 기판 코팅 방법 |
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