JP2006270032A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 基板の付着物を除去する基板の表面処理方法であって、
   前記基板を薬液によって洗浄する薬液洗浄ステップと、
   前記付着物を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
   前記混合気体の雰囲気に暴露された前記付着物を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の表面処理方法。
2. 前記付着物暴露ステップは、前記基板にプラズマレスエッチング処理を施すことを特徴とする請求項１記載の基板の表面処理方法。
3. 前記付着物暴露ステップは、前記基板に乾燥洗浄処理を施すことを特徴とする請求項１又は２記載の基板の表面処理方法。
4. 前記付着物暴露ステップにおける前記所定の圧力は６．７×１０^−２〜４．０Ｐａであり、前記付着物加熱ステップにおける前記所定の温度は１００〜２００℃であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の基板の表面処理方法。
5. 前記付着物は前記基板に形成されたシリコン酸化物であることを特徴する請求項１乃至４記載の基板の表面処理方法。
6. 前記付着物の形状を測定し、該測定された形状に応じて前記混合気体における前記アンモニアに対する前記弗化水素の体積流量比、及び前記所定の圧力の少なくとも１つを決定する生成物生成条件決定ステップを、さらに有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板の表面処理方法。
7. 前記薬液洗浄ステップの後に前記基板をリンス液で洗浄するリンス液洗浄ステップをさらに有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板の表面処理方法。
8. 前記リンス液洗浄ステップの後に前記基板を回転乾燥するスピンドライ乾燥ステップをさらに有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板の表面処理方法。
9. 基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
   前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
   前記基板表面に親水性層を形成する薬液によって前記基板を洗浄する親水処理洗浄ステップと、
   前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
   前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
10. 前記薬液はＳＣ１及びＳＣ２のいずれか一方であることを特徴とする請求項９記載の基板の洗浄方法。
11. 前記親水性層はシリコン自然酸化膜であることを特徴とする請求項９又は１０記載の基
    板の洗浄方法。
12. 基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
    前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
    前記基板表面に疎水性表面を形成する薬液によって前記基板を洗浄する疎水処理洗浄ステップと、
    前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
    前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
13. 前記薬液はＨＦ水溶液であることを特徴とする請求項１２記載の基板の洗浄方法。
14. 基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
    前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
    ＳＣ１によって前記基板を洗浄する第１のウエット洗浄ステップと、
    ＳＣ２によって前記第１のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第２のウエット洗浄ステップと、
    弗化水素水溶液によって前記第２のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第３のウエット洗浄ステップと、
    前記第３のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を乾燥させる乾燥ステップと、
    前記乾燥ステップにおいて乾燥された前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
    前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
15. 基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
    前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
    ＳＣ１によって前記基板を洗浄する第１のウエット洗浄ステップと、
    弗化水素水溶液によって前記第１のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第２のウエット洗浄ステップと、
    前記第２のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を乾燥させる乾燥ステップと、
    前記乾燥ステップにおいて乾燥された前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
    前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
16. 基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
    前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
    ＳＣ１によって前記基板を洗浄する第１のウエット洗浄ステップと、
    ＳＣ２によって前記第１のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第２のウエット洗浄ステップと、
    前記第２のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を乾燥させる乾燥ステップと、
    前記乾燥ステップにおいて乾燥された前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
    前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
17. 基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
    前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
    ＳＣ１によって前記基板を洗浄する第１のウエット洗浄ステップと、
    弗化水素水溶液によって前記第１のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第２のウエット洗浄ステップと、
    ＳＣ２によって前記第２のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第３のウエット洗浄ステップと、
    前記第３のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を乾燥させる乾燥ステップと、
    前記乾燥ステップにおいて乾燥された前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
    前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。