JP2002164316A - 基板洗浄方法および基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄方法および基板洗浄装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板乾燥に要する時間を短縮することで、基板
の生産効率を向上させることが可能な基板洗浄方法およ
び基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 ウエハ回転部１０によってウエハＷが回
転させられ、上ノズル６４および下ノズル１４より洗浄
液としてのふっ酸がウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給さ
れて、ふっ酸によるウエハＷの洗浄が行われる（洗浄工
程）。次に、上ノズル６４および下ノズル１４よりリン
ス液としてのＨＦＥのウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給
されて、ウエハＷ表面のふっ酸が洗い流される（リンス
工程）。最後に、上貫通孔６３および下貫通孔１３から
ガス加熱機構５２で加熱された窒素ガスがウエハＷの両
面Ｗａ，Ｗｂに供給されると同時に、ウエハ回転部１０
によってウエハＷがさらに高速回転され、ウエハＷ表面
のリンス液が振り切り乾燥させられる（乾燥工程）。
の生産効率を向上させることが可能な基板洗浄方法およ
び基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 ウエハ回転部１０によってウエハＷが回
転させられ、上ノズル６４および下ノズル１４より洗浄
液としてのふっ酸がウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給さ
れて、ふっ酸によるウエハＷの洗浄が行われる（洗浄工
程）。次に、上ノズル６４および下ノズル１４よりリン
ス液としてのＨＦＥのウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給
されて、ウエハＷ表面のふっ酸が洗い流される（リンス
工程）。最後に、上貫通孔６３および下貫通孔１３から
ガス加熱機構５２で加熱された窒素ガスがウエハＷの両
面Ｗａ，Ｗｂに供給されると同時に、ウエハ回転部１０
によってウエハＷがさらに高速回転され、ウエハＷ表面
のリンス液が振り切り乾燥させられる（乾燥工程）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプ
レイ・パネル）基板、磁気ディスク用のガラス基板やセ
ラミック基板、あるいは、光または光磁気ディスク用の
樹脂基板などのような各種の基板に洗浄処理を施すため
の基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプ
レイ・パネル）基板、磁気ディスク用のガラス基板やセ
ラミック基板、あるいは、光または光磁気ディスク用の
樹脂基板などのような各種の基板に洗浄処理を施すため
の基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程には、半導体ウエ
ハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に成膜やエ
ッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形
成していく工程が含まれる。微細加工のためにはウエハ
の両面、特に薄膜が形成されるウエハの一方面（薄膜形
成面）を清浄に保つ必要があるから、必要に応じてウエ
ハの洗浄処理が行われる。たとえば、ウエハの薄膜形成
面上に形成された薄膜を研磨剤を用いて研磨処理（以
下、ＣＭＰ処理という）した後には、研磨剤（スラリ
ー）がウエハ両面に残留しているから、このスラリーを
除去する必要がある。
ハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に成膜やエ
ッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形
成していく工程が含まれる。微細加工のためにはウエハ
の両面、特に薄膜が形成されるウエハの一方面（薄膜形
成面）を清浄に保つ必要があるから、必要に応じてウエ
ハの洗浄処理が行われる。たとえば、ウエハの薄膜形成
面上に形成された薄膜を研磨剤を用いて研磨処理（以
下、ＣＭＰ処理という）した後には、研磨剤（スラリ
ー）がウエハ両面に残留しているから、このスラリーを
除去する必要がある。
【０００３】上述のような従来のウエハの洗浄を行うウ
エハ洗浄方法としては、たとえば、ウエハの両面に対向
する両面ブラシによってウエハの両面をスクラブ洗浄
（スクラブ洗浄処理）した後、回転するウエハ両面にふ
っ酸を供給してウエハの両面を洗浄（洗浄処理）し、次
に、回転するウエハ両面に純水を供給してウエハ表面に
残留するふっ酸を洗い流し（リンス処理）、そして、純
水の供給を停止させた状態でウエハを高速回転させてウ
エハ表面の水分を振り切り乾燥（スピン乾燥処理）して
いた。
エハ洗浄方法としては、たとえば、ウエハの両面に対向
する両面ブラシによってウエハの両面をスクラブ洗浄
（スクラブ洗浄処理）した後、回転するウエハ両面にふ
っ酸を供給してウエハの両面を洗浄（洗浄処理）し、次
に、回転するウエハ両面に純水を供給してウエハ表面に
残留するふっ酸を洗い流し（リンス処理）、そして、純
水の供給を停止させた状態でウエハを高速回転させてウ
エハ表面の水分を振り切り乾燥（スピン乾燥処理）して
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ウエハ洗浄方法によると、リンス処理において用いられ
ている純水の蒸発速度が小さいため、スピン乾燥処理に
おいて、この純水を振り切り乾燥させるのに長い時間が
かかっていた。このため、装置全体の処理タクトが長く
なって、時間当たりのウエハの生産枚数が少なくなって
生産効率の低下につながり、問題となっていた。なお、
たとえば、スピン乾燥処理のみを行う装置を別に用意す
れば処理タクトが長くなることを防止できるが、そうす
ると、装置の占有スペースが増加してしまって、限られ
たクリーンルームの面積内に収容できる装置台数が少な
くなるため、結局、生産効率の低下につながってしま
う。
ウエハ洗浄方法によると、リンス処理において用いられ
ている純水の蒸発速度が小さいため、スピン乾燥処理に
おいて、この純水を振り切り乾燥させるのに長い時間が
かかっていた。このため、装置全体の処理タクトが長く
なって、時間当たりのウエハの生産枚数が少なくなって
生産効率の低下につながり、問題となっていた。なお、
たとえば、スピン乾燥処理のみを行う装置を別に用意す
れば処理タクトが長くなることを防止できるが、そうす
ると、装置の占有スペースが増加してしまって、限られ
たクリーンルームの面積内に収容できる装置台数が少な
くなるため、結局、生産効率の低下につながってしま
う。
【０００５】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、基板乾燥に要する時間を短縮することで、
基板の生産効率を向上させることが可能な基板洗浄方法
および基板洗浄装置を提供することにある。
題を解決し、基板乾燥に要する時間を短縮することで、
基板の生産効率を向上させることが可能な基板洗浄方法
および基板洗浄装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の技術的課題を解決
するための、請求項１に係る発明は、回転している基板
に酸またはアルカリの薬液を含む洗浄液を供給して、基
板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程の後、回転して
いる基板に有機溶剤を含むリンス液を供給して、基板表
面の上記洗浄液を洗い流すリンス工程と、このリンス工
程の後、基板に対する上記リンス液の供給が停止してい
る状態で基板を回転させて、基板表面の上記リンス液を
振り切り乾燥させる乾燥工程と、を備えることを特徴と
する基板洗浄方法である。
するための、請求項１に係る発明は、回転している基板
に酸またはアルカリの薬液を含む洗浄液を供給して、基
板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程の後、回転して
いる基板に有機溶剤を含むリンス液を供給して、基板表
面の上記洗浄液を洗い流すリンス工程と、このリンス工
程の後、基板に対する上記リンス液の供給が停止してい
る状態で基板を回転させて、基板表面の上記リンス液を
振り切り乾燥させる乾燥工程と、を備えることを特徴と
する基板洗浄方法である。
【０００７】この請求項１に係る発明の基板洗浄方法に
よると、洗浄工程後に基板表面に残留する洗浄液は、リ
ンス工程において有機溶剤を含むリンス液によって洗い
流され、その後、このリンス工程後に基板表面に残留す
るリンス液は、乾燥工程において基板回転によって振り
切り乾燥される。有機溶剤を含むリンス液は、従来の純
水などのリンス液に比べて蒸発速度が早いので、リンス
工程において基板表面の洗浄液を洗い流すとともに、乾
燥工程において基板の回転にともなって即座に蒸発す
る。このため、乾燥工程における基板乾燥に要する時間
を短縮することができ、基板の生産効率を向上させるこ
とができる。
よると、洗浄工程後に基板表面に残留する洗浄液は、リ
ンス工程において有機溶剤を含むリンス液によって洗い
流され、その後、このリンス工程後に基板表面に残留す
るリンス液は、乾燥工程において基板回転によって振り
切り乾燥される。有機溶剤を含むリンス液は、従来の純
水などのリンス液に比べて蒸発速度が早いので、リンス
工程において基板表面の洗浄液を洗い流すとともに、乾
燥工程において基板の回転にともなって即座に蒸発す
る。このため、乾燥工程における基板乾燥に要する時間
を短縮することができ、基板の生産効率を向上させるこ
とができる。
【０００８】なお、洗浄液に含まれる「酸またはアルカ
リの薬液」は、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢酸などの無
機酸、アンモニアなどの無機アルカリ、蓚酸やクエン酸
などの有機酸、またはＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド）などの有機アルカリなどであ
ってもよい。また、リンス液に含まれる「有機溶剤」
は、ハイドロフルオルエーテル（以下、ＨＦＥとい
う）、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、エタノー
ル、メタノール、ｎ−酢酸ブチル、ＭＥＫ（メチルエチ
ルケトン）、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）、ア
セトン、またはTrans-1,2-ジクロロエチレンなどであっ
てもよい。
リの薬液」は、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢酸などの無
機酸、アンモニアなどの無機アルカリ、蓚酸やクエン酸
などの有機酸、またはＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド）などの有機アルカリなどであ
ってもよい。また、リンス液に含まれる「有機溶剤」
は、ハイドロフルオルエーテル（以下、ＨＦＥとい
う）、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、エタノー
ル、メタノール、ｎ−酢酸ブチル、ＭＥＫ（メチルエチ
ルケトン）、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）、ア
セトン、またはTrans-1,2-ジクロロエチレンなどであっ
てもよい。
【０００９】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
記載の基板洗浄方法において、上記有機溶剤がハイドロ
フルオロエーテルであることを特徴とする基板洗浄方法
である。
記載の基板洗浄方法において、上記有機溶剤がハイドロ
フルオロエーテルであることを特徴とする基板洗浄方法
である。
【００１０】この請求項２に係る発明の基板洗浄方法に
よると、リンス工程において基板に供給されるリンス液
にはハイドロフルオルエーテル（ＨＦＥ）が含まれてい
る。このため、表面張力および粘度が従来の純水などの
リンス液に比べて著しく低いＨＦＥを含むリンス液は、
基板表面のリセス部やスクラッチ部などの凹部内に容易
に侵入できるので、基板表面の凹部内の異物を良好に除
去したり、該凹部内に残留する洗浄液を良好に洗い流す
ことができる。また、このＨＦＥを含むリンス液自体の
蒸発速度も速いので、乾燥工程において基板乾燥に要す
る時間を短縮することができ、基板の生産効率を向上さ
せることができる。さらには、ＨＦＥは無毒でありオゾ
ン破壊係数が０であることから、地球環境にやさしく、
その回収・廃棄に対する処理コストも軽減できるという
利点も持ちあわせている。
よると、リンス工程において基板に供給されるリンス液
にはハイドロフルオルエーテル（ＨＦＥ）が含まれてい
る。このため、表面張力および粘度が従来の純水などの
リンス液に比べて著しく低いＨＦＥを含むリンス液は、
基板表面のリセス部やスクラッチ部などの凹部内に容易
に侵入できるので、基板表面の凹部内の異物を良好に除
去したり、該凹部内に残留する洗浄液を良好に洗い流す
ことができる。また、このＨＦＥを含むリンス液自体の
蒸発速度も速いので、乾燥工程において基板乾燥に要す
る時間を短縮することができ、基板の生産効率を向上さ
せることができる。さらには、ＨＦＥは無毒でありオゾ
ン破壊係数が０であることから、地球環境にやさしく、
その回収・廃棄に対する処理コストも軽減できるという
利点も持ちあわせている。
【００１１】また、請求項３に係る発明は、請求項１ま
たは２に記載の基板洗浄方法において、上記乾燥工程
は、基板表面に気体を供給しつつ基板を乾燥させること
を特徴とする基板洗浄方法である。
たは２に記載の基板洗浄方法において、上記乾燥工程
は、基板表面に気体を供給しつつ基板を乾燥させること
を特徴とする基板洗浄方法である。
【００１２】この請求項３に係る発明の基板洗浄方法に
よると、乾燥工程において基板が回転されるとともに基
板表面に気体が供給されるので、基板表面でのリンス液
の蒸発が促進される。したがって、気体の供給、基板の
回転、およびリンス液蒸発速度の速さの協働作用によ
り、さらに基板乾燥に要する時間を短縮することがで
き、基板の生産効率をさらに向上させることができる。
よると、乾燥工程において基板が回転されるとともに基
板表面に気体が供給されるので、基板表面でのリンス液
の蒸発が促進される。したがって、気体の供給、基板の
回転、およびリンス液蒸発速度の速さの協働作用によ
り、さらに基板乾燥に要する時間を短縮することがで
き、基板の生産効率をさらに向上させることができる。
【００１３】なお、基板表面に供給される気体として
は、窒素、ヘリウム、またはアルゴンなどの不活性ガス
を用いるのが好ましい。これによれば、基板表面での酸
化を防止できるので、基板表面のいわゆるウォーターマ
ークの発生を防止できる。また、気体の供給は基板の回
転中心に向けて行うことが好ましい。
は、窒素、ヘリウム、またはアルゴンなどの不活性ガス
を用いるのが好ましい。これによれば、基板表面での酸
化を防止できるので、基板表面のいわゆるウォーターマ
ークの発生を防止できる。また、気体の供給は基板の回
転中心に向けて行うことが好ましい。
【００１４】また、請求項４に係る発明は、請求項３に
記載の基板洗浄方法において、上記乾燥工程において基
板表面に供給される気体は、加熱された気体であること
を特徴とする基板洗浄方法である。
記載の基板洗浄方法において、上記乾燥工程において基
板表面に供給される気体は、加熱された気体であること
を特徴とする基板洗浄方法である。
【００１５】この請求項４に係る発明の基板洗浄方法に
よると、乾燥工程において基板が回転されるとともに基
板表面に加熱された気体が供給される。このため、基板
表面でのリンス液の蒸発がさらに促進される。したがっ
て、加熱された気体の供給、基板の回転、およびリンス
液蒸発速度の速さの協働作用により、さらに基板乾燥に
要する時間を短縮することができ、基板の生産効率をさ
らに向上させることができる。
よると、乾燥工程において基板が回転されるとともに基
板表面に加熱された気体が供給される。このため、基板
表面でのリンス液の蒸発がさらに促進される。したがっ
て、加熱された気体の供給、基板の回転、およびリンス
液蒸発速度の速さの協働作用により、さらに基板乾燥に
要する時間を短縮することができ、基板の生産効率をさ
らに向上させることができる。
【００１６】なお、気体の加熱温度としては、３０〜１
２０℃、好ましくは、基板への気体供給時点で有機溶剤
の沸点以上となる温度がより好ましい。
２０℃、好ましくは、基板への気体供給時点で有機溶剤
の沸点以上となる温度がより好ましい。
【００１７】また、請求項５に係る発明は、請求項３ま
たは４に記載の基板洗浄方法において、基板表面に対向
する平面で基板表面を覆いつつ基板を乾燥させることを
特徴とする基板洗浄方法である。
たは４に記載の基板洗浄方法において、基板表面に対向
する平面で基板表面を覆いつつ基板を乾燥させることを
特徴とする基板洗浄方法である。
【００１８】この請求項５に係る発明の基板洗浄方法に
よると、乾燥工程において基板が回転されつつ基板表面
に気体が供給されるとともに、その基板表面が平面で覆
われる。すなわち、基板表面と平面とで挟まれた空間に
気体が供給されることとなる。このため、基板表面での
気体が円滑に流れるので、基板表面でのリンス液の蒸発
がさらに促進される。したがって、気体の円滑な供給、
基板の回転、およびリンス液蒸発速度の速さの協働作用
により、さらに基板乾燥に要する時間を短縮することが
でき、基板の生産効率をさらに向上させることができ
る。
よると、乾燥工程において基板が回転されつつ基板表面
に気体が供給されるとともに、その基板表面が平面で覆
われる。すなわち、基板表面と平面とで挟まれた空間に
気体が供給されることとなる。このため、基板表面での
気体が円滑に流れるので、基板表面でのリンス液の蒸発
がさらに促進される。したがって、気体の円滑な供給、
基板の回転、およびリンス液蒸発速度の速さの協働作用
により、さらに基板乾燥に要する時間を短縮することが
でき、基板の生産効率をさらに向上させることができ
る。
【００１９】なお、基板表面に対向する平面が形成され
る部材自体は、いかなる形状でもよく、たとえば、所定
の厚みの円板や角板などの平板、または立体的な形状で
あってもよい。また、基板表面に対向する平面は、基板
の回転軸と同一の軸を中心に回転させてもよく、この場
合、平面の回転中心から基板の回転中心に向けて気体を
供給するのが好ましい。
る部材自体は、いかなる形状でもよく、たとえば、所定
の厚みの円板や角板などの平板、または立体的な形状で
あってもよい。また、基板表面に対向する平面は、基板
の回転軸と同一の軸を中心に回転させてもよく、この場
合、平面の回転中心から基板の回転中心に向けて気体を
供給するのが好ましい。
【００２０】次に、請求項６に係る発明は、基板を保持
しつつ回転させる基板回転手段と、この基板回転手段に
よって回転されている基板に、酸またはアルカリの薬液
を含む洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、上記基板回
転手段によって回転されている基板に、有機溶剤を含む
リンス液を供給するリンス液供給手段と、を備えること
を特徴とする基板洗浄装置である。
しつつ回転させる基板回転手段と、この基板回転手段に
よって回転されている基板に、酸またはアルカリの薬液
を含む洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、上記基板回
転手段によって回転されている基板に、有機溶剤を含む
リンス液を供給するリンス液供給手段と、を備えること
を特徴とする基板洗浄装置である。
【００２１】請求項５に係る発明の基板洗浄装置による
と、請求項１の発明と同様に、洗浄液供給手段からの酸
またはアルカリの薬液を含む洗浄液によって基板を洗浄
した後、基板表面に残留する洗浄液を、リンス液供給手
段からの有機溶剤を含むリンス液によって洗い流し、そ
の後、基板表面に残留するリンス液を、基板回転手段に
よる基板回転によって振り切り乾燥させることができ
る。このため、請求項１に記載した発明と同様な効果を
奏する基板処理方法を提供できる。
と、請求項１の発明と同様に、洗浄液供給手段からの酸
またはアルカリの薬液を含む洗浄液によって基板を洗浄
した後、基板表面に残留する洗浄液を、リンス液供給手
段からの有機溶剤を含むリンス液によって洗い流し、そ
の後、基板表面に残留するリンス液を、基板回転手段に
よる基板回転によって振り切り乾燥させることができ
る。このため、請求項１に記載した発明と同様な効果を
奏する基板処理方法を提供できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、上述の技術的課題を解決
するための本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置を、
添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の
一実施形態に係る基板洗浄装置の主要部の構成を簡略的
に示す側面図である。なお、この基板洗浄装置は、別の
両面洗浄装置において、ＣＭＰ処理後のウエハＷの両面
をスクラブ洗浄して、比較的大きな異物を除去した後
に、主にウエハＷの上面Ｗａ（薄膜形成面）を再度洗浄
して比較的微細な異物を除去する装置である。また、こ
の基板洗浄装置に対するウエハＷの搬出または搬入は、
図示しない吸着保持するハンドを有するウエハ搬送ロボ
ット等によって適宜行われている。
するための本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置を、
添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の
一実施形態に係る基板洗浄装置の主要部の構成を簡略的
に示す側面図である。なお、この基板洗浄装置は、別の
両面洗浄装置において、ＣＭＰ処理後のウエハＷの両面
をスクラブ洗浄して、比較的大きな異物を除去した後
に、主にウエハＷの上面Ｗａ（薄膜形成面）を再度洗浄
して比較的微細な異物を除去する装置である。また、こ
の基板洗浄装置に対するウエハＷの搬出または搬入は、
図示しない吸着保持するハンドを有するウエハ搬送ロボ
ット等によって適宜行われている。
【００２３】ここで、まず、基板洗浄装置の構成につい
て説明すると、この基板洗浄装置は、ウエハＷを保持し
つつ、ウエハＷの中心を通りウエハＷに垂直な回転軸Ｒ
を中心に回転させるウエハ回転部１０と、ウエハ上面Ｗ
ａおよび下面Ｗｂに洗浄液としてのふっ酸（酸の薬液）
を供給するふっ酸供給部２０と、ウエハ上面Ｗａおよび
下面Ｗｂにリンス液としてのＨＦＥ（有機溶剤）を供給
するＨＦＥ供給部３０と、ウエハ回転部１０を取り囲む
ように設けられ、ふっ酸やＨＦＥなどの洗浄液を集める
洗浄液集液部４０と、ウエハ上面Ｗａおよび下面Ｗｂに
窒素ガスを供給するガス供給部５０と、ウエハ回転部１
０によって保持されたウエハＷの上面に対向して配置さ
れた回転円板部６０とからなっている。なお、この一実
施形態におけるＨＦＥは、たとえば、構造式がＣＦ３Ｃ
Ｆ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＨ３のもの（沸点６１℃）であ
る。
て説明すると、この基板洗浄装置は、ウエハＷを保持し
つつ、ウエハＷの中心を通りウエハＷに垂直な回転軸Ｒ
を中心に回転させるウエハ回転部１０と、ウエハ上面Ｗ
ａおよび下面Ｗｂに洗浄液としてのふっ酸（酸の薬液）
を供給するふっ酸供給部２０と、ウエハ上面Ｗａおよび
下面Ｗｂにリンス液としてのＨＦＥ（有機溶剤）を供給
するＨＦＥ供給部３０と、ウエハ回転部１０を取り囲む
ように設けられ、ふっ酸やＨＦＥなどの洗浄液を集める
洗浄液集液部４０と、ウエハ上面Ｗａおよび下面Ｗｂに
窒素ガスを供給するガス供給部５０と、ウエハ回転部１
０によって保持されたウエハＷの上面に対向して配置さ
れた回転円板部６０とからなっている。なお、この一実
施形態におけるＨＦＥは、たとえば、構造式がＣＦ３Ｃ
Ｆ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＨ３のもの（沸点６１℃）であ
る。
【００２４】ウエハ回転部１０は、図示しない回転駆動
源から回転駆動力を伝達されて回転軸Ｒを中心として回
転するスピン軸１１と、このスピン軸１１の上端部に設
けられ、上面に設けられた複数の保持ピン１２ａにより
ウエハＷを下面Ｗｂ側から保持するスピンチャック１２
とからなっている。これらの構成により、ウエハ回転部
１０は、ウエハＷを保持しつつ、ウエハＷに垂直なウエ
ハの回転軸Ｒを中心としてウエハＷを回転させることが
できるようになっている。また、スピン軸１１の内部に
は、スピン軸１１の長さ方向に沿って貫通する下貫通孔
１３が形成されており、この下貫通孔１３には、スピン
チャック１２の上面付近で開口し、ウエハの下面Ｗｂに
ふっ酸およびＨＦＥを供給するための管状の下ノズル１
４が挿通されている。
源から回転駆動力を伝達されて回転軸Ｒを中心として回
転するスピン軸１１と、このスピン軸１１の上端部に設
けられ、上面に設けられた複数の保持ピン１２ａにより
ウエハＷを下面Ｗｂ側から保持するスピンチャック１２
とからなっている。これらの構成により、ウエハ回転部
１０は、ウエハＷを保持しつつ、ウエハＷに垂直なウエ
ハの回転軸Ｒを中心としてウエハＷを回転させることが
できるようになっている。また、スピン軸１１の内部に
は、スピン軸１１の長さ方向に沿って貫通する下貫通孔
１３が形成されており、この下貫通孔１３には、スピン
チャック１２の上面付近で開口し、ウエハの下面Ｗｂに
ふっ酸およびＨＦＥを供給するための管状の下ノズル１
４が挿通されている。
【００２５】一方、このウエハ回転部１０とは、ウエハ
Ｗを挟んで反対側に配置される回転円板部６０は、図示
しない回転駆動源から回転駆動力を伝達されて回転軸Ｒ
を中心として回転するスピン軸６１と、このスピン軸６
１の下端部に設けられ、ウエハの上面Ｗａに対してほぼ
平行に対向する下面６２ａを有する円板６２とからなっ
ている。これらの構成により、回転円板部６０は、ウエ
ハの上面Ｗａを円板６２の下面６２ａで覆いつつ、回転
軸Ｒを中心として円板６２を回転させることができるよ
うになっている。また、スピン軸６１の内部には、スピ
ン軸６１の長さ方向に沿って貫通する上貫通孔６３が形
成されており、この上貫通孔６３には、円板６２の下面
６２ａ付近で開口し、ウエハの上面Ｗａにふっ酸および
ＨＦＥを供給するための管状の上ノズル６４が挿通され
ている。
Ｗを挟んで反対側に配置される回転円板部６０は、図示
しない回転駆動源から回転駆動力を伝達されて回転軸Ｒ
を中心として回転するスピン軸６１と、このスピン軸６
１の下端部に設けられ、ウエハの上面Ｗａに対してほぼ
平行に対向する下面６２ａを有する円板６２とからなっ
ている。これらの構成により、回転円板部６０は、ウエ
ハの上面Ｗａを円板６２の下面６２ａで覆いつつ、回転
軸Ｒを中心として円板６２を回転させることができるよ
うになっている。また、スピン軸６１の内部には、スピ
ン軸６１の長さ方向に沿って貫通する上貫通孔６３が形
成されており、この上貫通孔６３には、円板６２の下面
６２ａ付近で開口し、ウエハの上面Ｗａにふっ酸および
ＨＦＥを供給するための管状の上ノズル６４が挿通され
ている。
【００２６】なお、図示はしていないが、円板６２を昇
降させることのできる昇降機構が別途設けられている。
この昇降機構により、円板６２の下面６２ａとウエハの
上面Ｗａとの間隔を適宜可変させることができるように
なっている。
降させることのできる昇降機構が別途設けられている。
この昇降機構により、円板６２の下面６２ａとウエハの
上面Ｗａとの間隔を適宜可変させることができるように
なっている。
【００２７】また、ふっ酸供給部２０は、上ノズル６４
および下ノズル１４それぞれとふっ酸供給源とを連通接
続するふっ酸供給パイプ２１，２２と、このふっ酸供給
パイプ２１，２２それぞれの途中部に介装された開閉可
能なふっ酸供給バルブ２３，２４と、からなっている。
および下ノズル１４それぞれとふっ酸供給源とを連通接
続するふっ酸供給パイプ２１，２２と、このふっ酸供給
パイプ２１，２２それぞれの途中部に介装された開閉可
能なふっ酸供給バルブ２３，２４と、からなっている。
【００２８】また、ＨＦＥ供給部３０は、上ノズル６４
および下ノズル１４それぞれとＨＦＥ供給源とを連通接
続するＨＦＥ供給パイプ３１，３２と、このＨＦＥ供給
パイプ３１，３２それぞれの途中部に介装された開閉可
能なＨＦＥ供給バルブ３３，３４と、からなっている。
および下ノズル１４それぞれとＨＦＥ供給源とを連通接
続するＨＦＥ供給パイプ３１，３２と、このＨＦＥ供給
パイプ３１，３２それぞれの途中部に介装された開閉可
能なＨＦＥ供給バルブ３３，３４と、からなっている。
【００２９】また、洗浄液集液部４０は、スピンチャッ
ク１２の側方周囲を取り囲むような環状に形成されて、
回転するウエハＷやスピンチャック１２から飛散した洗
浄液を集めるためのカップ４１と、このカップ４１の底
部に設けられ、カップ４１によって受け止められた洗浄
液を下方へ流出させるドレン口４２と、からなってい
る。
ク１２の側方周囲を取り囲むような環状に形成されて、
回転するウエハＷやスピンチャック１２から飛散した洗
浄液を集めるためのカップ４１と、このカップ４１の底
部に設けられ、カップ４１によって受け止められた洗浄
液を下方へ流出させるドレン口４２と、からなってい
る。
【００３０】さらに、ガス供給部５０は、上貫通孔６３
および下貫通孔１３それぞれと窒素ガス供給源とを連通
接続するガス供給パイプ５１と、このガス供給パイプ５
１の途中部に介装されてガス供給パイプ５１を流通する
窒素ガスを加熱するガス加熱機構５２と、ガス供給パイ
プ５１の途中部に介装された開閉可能なガス供給バルブ
５３と、からなっている。なお、ガス加熱機構５２は、
たとえば、ウエハＷ表面への供給時点で、窒素ガス温度
がＨＦＥの沸点（６１℃）以上となるように、１００℃
程度の温度に窒素ガスを加熱している。
および下貫通孔１３それぞれと窒素ガス供給源とを連通
接続するガス供給パイプ５１と、このガス供給パイプ５
１の途中部に介装されてガス供給パイプ５１を流通する
窒素ガスを加熱するガス加熱機構５２と、ガス供給パイ
プ５１の途中部に介装された開閉可能なガス供給バルブ
５３と、からなっている。なお、ガス加熱機構５２は、
たとえば、ウエハＷ表面への供給時点で、窒素ガス温度
がＨＦＥの沸点（６１℃）以上となるように、１００℃
程度の温度に窒素ガスを加熱している。
【００３１】ここで、次に、以上のような構成を有する
基板洗浄装置による洗浄処理の動作（基板洗浄方法）に
ついて説明する。
基板洗浄装置による洗浄処理の動作（基板洗浄方法）に
ついて説明する。
【００３２】まず、図示しないウエハ搬送ロボットによ
って、予め両面が予備洗浄されたウエハＷが基板洗浄装
置内に搬入され、スピンチャック１２の上に載置されて
複数の保持ピン１２ａに保持される。次に、ウエハＷを
保持したスピンチャック１２が図示しない回転駆動源に
よって高速で回転されて、ウエハＷが回転軸Ｒを中心に
回転される。そして、まず、ふっ酸供給バルブ２３，２
４が開成されて、上ノズル６４および下ノズル１４より
洗浄液としてのふっ酸がウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供
給され、ふっ酸によるウエハＷの洗浄が行われる。
って、予め両面が予備洗浄されたウエハＷが基板洗浄装
置内に搬入され、スピンチャック１２の上に載置されて
複数の保持ピン１２ａに保持される。次に、ウエハＷを
保持したスピンチャック１２が図示しない回転駆動源に
よって高速で回転されて、ウエハＷが回転軸Ｒを中心に
回転される。そして、まず、ふっ酸供給バルブ２３，２
４が開成されて、上ノズル６４および下ノズル１４より
洗浄液としてのふっ酸がウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供
給され、ふっ酸によるウエハＷの洗浄が行われる。
【００３３】そして、所定時間の経過後、ふっ酸供給バ
ルブ２３，２４が閉成されて、上ノズル６４および下ノ
ズル１４からのふっ酸の供給が停止させられると、次
に、ウエハＷの回転は維持されたまま、ＨＦＥ供給バル
ブ３３，３４が開成されて、上ノズル６４および下ノズ
ル１４よりリンス液としてのＨＦＥのウエハＷの両面Ｗ
ａ，Ｗｂに供給されて、ＨＦＥによるウエハＷのリンス
が開始され、ウエハＷ表面のふっ酸が洗い流される。そ
して、所定時間の経過後、ＨＦＥ供給バルブ３３，３４
が閉成されて、上ノズル６４および下ノズル１４からの
ＨＦＥの供給が停止させられる。
ルブ２３，２４が閉成されて、上ノズル６４および下ノ
ズル１４からのふっ酸の供給が停止させられると、次
に、ウエハＷの回転は維持されたまま、ＨＦＥ供給バル
ブ３３，３４が開成されて、上ノズル６４および下ノズ
ル１４よりリンス液としてのＨＦＥのウエハＷの両面Ｗ
ａ，Ｗｂに供給されて、ＨＦＥによるウエハＷのリンス
が開始され、ウエハＷ表面のふっ酸が洗い流される。そ
して、所定時間の経過後、ＨＦＥ供給バルブ３３，３４
が閉成されて、上ノズル６４および下ノズル１４からの
ＨＦＥの供給が停止させられる。
【００３４】以上により、ウエハＷに対して、まず洗浄
液としてのふっ酸によるウエハＷの洗浄処理（洗浄工
程）、およびリンス液としてのＨＦＥによるウエハＷの
リンス処理（リンス工程）が完了する。なお、以上に説
明したウエハＷの搬入から洗浄処理、リンス処理に至る
までの期間については、上述の図示しない昇降機構によ
り、円板６２はウエハＷから離間した高さ（たとえば、
ウエハ上面Ｗａと円板の下面６２ａとの間隔が５０〜１
００ｍｍとなるような高さ）に位置している。
液としてのふっ酸によるウエハＷの洗浄処理（洗浄工
程）、およびリンス液としてのＨＦＥによるウエハＷの
リンス処理（リンス工程）が完了する。なお、以上に説
明したウエハＷの搬入から洗浄処理、リンス処理に至る
までの期間については、上述の図示しない昇降機構によ
り、円板６２はウエハＷから離間した高さ（たとえば、
ウエハ上面Ｗａと円板の下面６２ａとの間隔が５０〜１
００ｍｍとなるような高さ）に位置している。
【００３５】これに引き続いて、円板６２が、図示しな
い昇降機構によりウエハＷに接近した高さ（たとえば、
ウエハ上面Ｗａと円板の下面６２ａとの間隔が０．１〜
１０ｍｍとなるような高さ）に位置するとともに、ガス
供給バルブ５３が開成されて、上貫通孔６３および下貫
通孔１３からガス加熱機構５２で加熱された窒素ガスが
ウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給される。そして、これ
と同時に、ウエハ回転部１０によってウエハＷがさらに
高速回転され、ウエハＷ表面のリンス液が振り切り乾燥
させられる（乾燥工程）。なお、このウエハＷの乾燥時
においては、ウエハＷに対するＨＦＥの供給は停止され
ている。
い昇降機構によりウエハＷに接近した高さ（たとえば、
ウエハ上面Ｗａと円板の下面６２ａとの間隔が０．１〜
１０ｍｍとなるような高さ）に位置するとともに、ガス
供給バルブ５３が開成されて、上貫通孔６３および下貫
通孔１３からガス加熱機構５２で加熱された窒素ガスが
ウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給される。そして、これ
と同時に、ウエハ回転部１０によってウエハＷがさらに
高速回転され、ウエハＷ表面のリンス液が振り切り乾燥
させられる（乾燥工程）。なお、このウエハＷの乾燥時
においては、ウエハＷに対するＨＦＥの供給は停止され
ている。
【００３６】そして、所定時間の経過後、このウエハＷ
の回転が停止された後、ガス供給バルブ５３が閉成され
て、上貫通孔６３および下貫通孔１３からの窒素ガスの
供給が停止される。そして、図示しない昇降機構により
円板６２がウエハＷから離間され、図示しないウエハ搬
送ロボットによってウエハＷが基板洗浄装置から搬出さ
れて、１枚のウエハＷに対するこの基板処理装置での洗
浄処理、リンス処理、および乾燥処理が終了する。
の回転が停止された後、ガス供給バルブ５３が閉成され
て、上貫通孔６３および下貫通孔１３からの窒素ガスの
供給が停止される。そして、図示しない昇降機構により
円板６２がウエハＷから離間され、図示しないウエハ搬
送ロボットによってウエハＷが基板洗浄装置から搬出さ
れて、１枚のウエハＷに対するこの基板処理装置での洗
浄処理、リンス処理、および乾燥処理が終了する。
【００３７】<本実施形態の効果>
【００３８】以上のようなこの一実施形態の基板洗浄装
置および基板洗浄方法によれば、洗浄処理後にウエハＷ
表面に残留する洗浄液としてのふっ酸は、リンス液とし
てのＨＦＥによって洗い流され、その後、ウエハＷ表面
に残留するＨＦＥは、ウエハＷの回転によって振り切り
乾燥される。有機溶剤としてのＨＦＥは、従来の純水な
どのリンス液に比べて蒸発速度が速いので、ウエハＷ表
面のふっ酸を洗い流すとともに、乾燥工程においてウエ
ハＷの回転にともなって即座に蒸発する。このため、乾
燥工程におけるウエハＷの乾燥に要する時間を短縮する
ことができ、ウエハＷの生産効率を向上させることがで
きる。
置および基板洗浄方法によれば、洗浄処理後にウエハＷ
表面に残留する洗浄液としてのふっ酸は、リンス液とし
てのＨＦＥによって洗い流され、その後、ウエハＷ表面
に残留するＨＦＥは、ウエハＷの回転によって振り切り
乾燥される。有機溶剤としてのＨＦＥは、従来の純水な
どのリンス液に比べて蒸発速度が速いので、ウエハＷ表
面のふっ酸を洗い流すとともに、乾燥工程においてウエ
ハＷの回転にともなって即座に蒸発する。このため、乾
燥工程におけるウエハＷの乾燥に要する時間を短縮する
ことができ、ウエハＷの生産効率を向上させることがで
きる。
【００３９】また、この一実施形態の基板洗浄装置およ
び基板洗浄方法によれば、リンス処理においてウエハＷ
に供給されるリンス液はハイドロフルオルエーテル（Ｈ
ＦＥ）であるる。このため、表面張力および粘度が従来
の純水などのリンス液に比べて著しく低いＨＦＥを含む
リンス液は、ウエハＷ表面のリセス部やスクラッチ部な
どの凹部内に容易に侵入できるので、ウエハＷ表面の凹
部内の異物を良好に除去したり、該凹部内に残留する洗
浄液を良好に洗い流すことができる。また、このＨＦＥ
を含むリンス液自体の蒸発速度も速いので、乾燥処理に
おいてウエハＷの乾燥に要する時間を短縮することがで
き、基板の生産効率を向上させることができる。さらに
は、ＨＦＥは無毒でありオゾン破壊係数が０であること
から、地球環境にやさしく、その回収・廃棄に対する処
理コストも軽減できるという利点も持ちあわせている。
び基板洗浄方法によれば、リンス処理においてウエハＷ
に供給されるリンス液はハイドロフルオルエーテル（Ｈ
ＦＥ）であるる。このため、表面張力および粘度が従来
の純水などのリンス液に比べて著しく低いＨＦＥを含む
リンス液は、ウエハＷ表面のリセス部やスクラッチ部な
どの凹部内に容易に侵入できるので、ウエハＷ表面の凹
部内の異物を良好に除去したり、該凹部内に残留する洗
浄液を良好に洗い流すことができる。また、このＨＦＥ
を含むリンス液自体の蒸発速度も速いので、乾燥処理に
おいてウエハＷの乾燥に要する時間を短縮することがで
き、基板の生産効率を向上させることができる。さらに
は、ＨＦＥは無毒でありオゾン破壊係数が０であること
から、地球環境にやさしく、その回収・廃棄に対する処
理コストも軽減できるという利点も持ちあわせている。
【００４０】また、この一実施形態の基板洗浄装置およ
び基板洗浄方法によれば、乾燥処理においてウエハＷが
回転されるとともにウエハＷ表面に気体（窒素ガス）が
供給されるので、ウエハＷ表面でのリンス液の蒸発が促
進される。したがって、さらにウエハＷの乾燥に要する
時間を短縮することができ、ウエハＷの生産効率をさら
に向上させることができる。さらには、ウエハＷ表面に
供給される気体は、不活性ガスの１つである窒素ガスで
あるので、ウエハＷ表面での酸化を防止でき、ウエハＷ
表面のウォーターマークの発生を防止できる。
び基板洗浄方法によれば、乾燥処理においてウエハＷが
回転されるとともにウエハＷ表面に気体（窒素ガス）が
供給されるので、ウエハＷ表面でのリンス液の蒸発が促
進される。したがって、さらにウエハＷの乾燥に要する
時間を短縮することができ、ウエハＷの生産効率をさら
に向上させることができる。さらには、ウエハＷ表面に
供給される気体は、不活性ガスの１つである窒素ガスで
あるので、ウエハＷ表面での酸化を防止でき、ウエハＷ
表面のウォーターマークの発生を防止できる。
【００４１】また、この一実施形態の基板洗浄装置およ
び基板洗浄方法によれば、乾燥処理においてウエハＷが
回転されるとともに、ガス加熱機構５２によって１００
℃程度に加熱された窒素ガスがウエハＷ表面に供給され
る。このため、ウエハＷ表面でのリンス液の蒸発がさら
に促進される。したがって、さらにウエハＷの乾燥に要
する時間を短縮することができ、ウエハＷの生産効率を
さらに向上させることができる。なお、窒素ガスの加熱
温度としては、ウエハＷへの供給時で有機溶剤の沸点以
上となっていることがより好ましい。
び基板洗浄方法によれば、乾燥処理においてウエハＷが
回転されるとともに、ガス加熱機構５２によって１００
℃程度に加熱された窒素ガスがウエハＷ表面に供給され
る。このため、ウエハＷ表面でのリンス液の蒸発がさら
に促進される。したがって、さらにウエハＷの乾燥に要
する時間を短縮することができ、ウエハＷの生産効率を
さらに向上させることができる。なお、窒素ガスの加熱
温度としては、ウエハＷへの供給時で有機溶剤の沸点以
上となっていることがより好ましい。
【００４２】また、この一実施形態の基板洗浄装置およ
び基板洗浄方法によれば、乾燥処理においてウエハＷが
回転されつつウエハＷ表面に窒素ガスが供給されるとと
もに、そのウエハＷ表面が平面６２ａで覆われる。すな
わち、ウエハＷ表面と平面６２ａとで挟まれた空間に窒
素ガスが供給されることとなる。このため、ウエハＷ表
面での窒素ガスが円滑に流れるので、ウエハＷ表面での
リンス液の蒸発がさらに促進される。したがって、さら
にウエハＷの乾燥に要する時間を短縮することができ、
ウエハＷの生産効率をさらに向上させることができる。
び基板洗浄方法によれば、乾燥処理においてウエハＷが
回転されつつウエハＷ表面に窒素ガスが供給されるとと
もに、そのウエハＷ表面が平面６２ａで覆われる。すな
わち、ウエハＷ表面と平面６２ａとで挟まれた空間に窒
素ガスが供給されることとなる。このため、ウエハＷ表
面での窒素ガスが円滑に流れるので、ウエハＷ表面での
リンス液の蒸発がさらに促進される。したがって、さら
にウエハＷの乾燥に要する時間を短縮することができ、
ウエハＷの生産効率をさらに向上させることができる。
【００４３】<他の実施形態>
【００４４】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は、さらに他の形態で実施することも
できる。たとえば、上述した一実施形態においては、ウ
エハＷに対して、ふっ酸およびＨＦＥを供給するノズル
は、同一のノズル１４，６４で兼用されているが、それ
ぞれ別のノズルであってもよい。
したが、この発明は、さらに他の形態で実施することも
できる。たとえば、上述した一実施形態においては、ウ
エハＷに対して、ふっ酸およびＨＦＥを供給するノズル
は、同一のノズル１４，６４で兼用されているが、それ
ぞれ別のノズルであってもよい。
【００４５】また、上述した一実施形態においては、リ
ンス処理におけるリンス液として、構造式がＣＦ３ＣＦ
２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＨ３のＨＦＥが用いられているが、
たとえば、構造式がＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＨ２
ＣＨ３のもの（沸点７８℃）であってもよい。なお、Ｈ
ＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）とは、エーテル類の
水素原子の一部が弗素原子で置換され、塩素原子を含ま
ない弗素化エーテルのことをさす。
ンス処理におけるリンス液として、構造式がＣＦ３ＣＦ
２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＨ３のＨＦＥが用いられているが、
たとえば、構造式がＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＨ２
ＣＨ３のもの（沸点７８℃）であってもよい。なお、Ｈ
ＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）とは、エーテル類の
水素原子の一部が弗素原子で置換され、塩素原子を含ま
ない弗素化エーテルのことをさす。
【００４６】さらに、このリンス液は、ＨＦＥで構成さ
れていたが、有機溶剤を含むものなら何でもよい。すな
わち、ＨＦＥ、ＩＰＡ、エタノール、メタノール、ｎ−
酢酸ブチル、ＭＥＫ、ＭＩＢＫ、アセトンまたはTrans-
1,2-ジクロロエチレン等の有機溶剤単体の溶液であって
もよいし、あるいは、少なくともこれらの有機溶剤を含
む混合液であってもよい。混合液としては、ＨＦＥとＩ
ＰＡとが９５：５の比率で混合された混合液（沸点５
４．５℃）、ＨＦＥとTrans-1,2-ジクロロエチレンとが
５０：５０の比率で混合された混合液（沸点４１℃）、
およびＨＦＥとTrans-1,2-ジクロロエチレンとエタノー
ルが５２．７：４４．６：２．７の比率で混合された混
合液（沸点４０℃）などがある。
れていたが、有機溶剤を含むものなら何でもよい。すな
わち、ＨＦＥ、ＩＰＡ、エタノール、メタノール、ｎ−
酢酸ブチル、ＭＥＫ、ＭＩＢＫ、アセトンまたはTrans-
1,2-ジクロロエチレン等の有機溶剤単体の溶液であって
もよいし、あるいは、少なくともこれらの有機溶剤を含
む混合液であってもよい。混合液としては、ＨＦＥとＩ
ＰＡとが９５：５の比率で混合された混合液（沸点５
４．５℃）、ＨＦＥとTrans-1,2-ジクロロエチレンとが
５０：５０の比率で混合された混合液（沸点４１℃）、
およびＨＦＥとTrans-1,2-ジクロロエチレンとエタノー
ルが５２．７：４４．６：２．７の比率で混合された混
合液（沸点４０℃）などがある。
【００４７】また、上述した一実施形態においては、洗
浄処理における洗浄液は、ふっ酸で構成されていたが、
酸又はアルカリの薬液を含むものなら何でもよい。たと
えば、洗浄液は、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢酸などの
無機酸、アンモニアなどの無機アルカリ、蓚酸やクエン
酸などの有機酸、またはＴＭＡＨなどの有機アルカリ等
であってもよい。
浄処理における洗浄液は、ふっ酸で構成されていたが、
酸又はアルカリの薬液を含むものなら何でもよい。たと
えば、洗浄液は、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢酸などの
無機酸、アンモニアなどの無機アルカリ、蓚酸やクエン
酸などの有機酸、またはＴＭＡＨなどの有機アルカリ等
であってもよい。
【００４８】また、上述した一実施形態においては、乾
燥処理における気体は、不活性ガスとしての窒素ガスで
構成されていたが、たとえば、ヘリウムやアルゴンなど
の他の不活性ガス、またはクリーンエア（清浄化された
空気）等であってもよい。ただし、上述したように、不
活性ガスである方が、ウォーターマークの発生を防止で
きるのでより好ましい。
燥処理における気体は、不活性ガスとしての窒素ガスで
構成されていたが、たとえば、ヘリウムやアルゴンなど
の他の不活性ガス、またはクリーンエア（清浄化された
空気）等であってもよい。ただし、上述したように、不
活性ガスである方が、ウォーターマークの発生を防止で
きるのでより好ましい。
【００４９】また、上述した一実施形態においては、乾
燥処理における気体（窒素ガス）の加熱温度は、１００
℃としたが、３０〜１２０℃のうちの所定の温度であっ
てもよい。好ましくは、窒素ガスをウエハＷ表面へ供給
した時点で、有機溶剤の沸点以上となる温度、たとえば
５０〜１２０℃がより好ましい。
燥処理における気体（窒素ガス）の加熱温度は、１００
℃としたが、３０〜１２０℃のうちの所定の温度であっ
てもよい。好ましくは、窒素ガスをウエハＷ表面へ供給
した時点で、有機溶剤の沸点以上となる温度、たとえば
５０〜１２０℃がより好ましい。
【００５０】また、上述した一実施形態においては、ウ
エハ上面Ｗａを覆う平面６２ａが形成される部材（円板
６２）の形状を円板状としたが、これに限らず、角板な
どの平板であってもよいし、平板状ではなく立体的な形
状であってもよい。
エハ上面Ｗａを覆う平面６２ａが形成される部材（円板
６２）の形状を円板状としたが、これに限らず、角板な
どの平板であってもよいし、平板状ではなく立体的な形
状であってもよい。
【００５１】また、上述した一実施形態においては、ふ
っ酸などの洗浄液やＨＦＥなどのリンス液をウエハＷに
供給するのみであるが、たとえば、さらに、これら洗浄
液やリンス液の供給と同時に、ＰＶＡ（ポリビニルアル
コール）からなるスポンジブラシをウエハＷに押し付け
つつ自転させてスクラブ洗浄するようにしてもよい。あ
るいは、さらに、これらの洗浄液に超音波振動を付与し
て、ウエハＷ表面を超音波洗浄するようにしてもよい。
これにより、基板の洗浄効果をさらに向上させることが
できる。
っ酸などの洗浄液やＨＦＥなどのリンス液をウエハＷに
供給するのみであるが、たとえば、さらに、これら洗浄
液やリンス液の供給と同時に、ＰＶＡ（ポリビニルアル
コール）からなるスポンジブラシをウエハＷに押し付け
つつ自転させてスクラブ洗浄するようにしてもよい。あ
るいは、さらに、これらの洗浄液に超音波振動を付与し
て、ウエハＷ表面を超音波洗浄するようにしてもよい。
これにより、基板の洗浄効果をさらに向上させることが
できる。
【００５２】また、上述した一実施形態において、ふっ
酸及びＨＦＥをウエハＷに供給するための上ノズル６４
および下ノズル１４は、ウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに対
応してそれぞれ設けられて、ウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂ
を洗浄できるようになっているが、少なくともウエハＷ
のいずれか一方の面に対応するノズルが設けられて、ウ
エハＷの片面ＷａまたはＷｂを洗浄するだけでもよい。
酸及びＨＦＥをウエハＷに供給するための上ノズル６４
および下ノズル１４は、ウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに対
応してそれぞれ設けられて、ウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂ
を洗浄できるようになっているが、少なくともウエハＷ
のいずれか一方の面に対応するノズルが設けられて、ウ
エハＷの片面ＷａまたはＷｂを洗浄するだけでもよい。
【００５３】また、上述した一実施形態において、ウエ
ハ回転機構１０は、上面に設けられた複数の保持ピン１
２ａによりウエハＷを下面Ｗｂ側から保持するスピンチ
ャック１２によって、ウエハＷを保持しつつ回転させる
ようにしていたが、ウエハＷの下面Ｗｂを吸着保持しつ
つウエハＷを回転させるスピンチャックであってもよ
い。あるいは、ウエハ回転機構１０は、ウエハＷの周縁
部の端面に当接しつつウエハＷの回転軸Ｒに平行な軸を
中心に回転する少なくとも３つのローラピンのようなも
のであってもよい。これによれば、、ウエハ両面Ｗａ，
Ｗｂの全域を良好に洗浄できる。
ハ回転機構１０は、上面に設けられた複数の保持ピン１
２ａによりウエハＷを下面Ｗｂ側から保持するスピンチ
ャック１２によって、ウエハＷを保持しつつ回転させる
ようにしていたが、ウエハＷの下面Ｗｂを吸着保持しつ
つウエハＷを回転させるスピンチャックであってもよ
い。あるいは、ウエハ回転機構１０は、ウエハＷの周縁
部の端面に当接しつつウエハＷの回転軸Ｒに平行な軸を
中心に回転する少なくとも３つのローラピンのようなも
のであってもよい。これによれば、、ウエハ両面Ｗａ，
Ｗｂの全域を良好に洗浄できる。
【００５４】また、上述した一実施形態においては、ウ
エハＷに対して、洗浄液による洗浄処理の後、リンス液
によるリンス処理および乾燥処理の一連の処理を順に施
して、このウエハＷに対する処理を終了しているが、こ
れに限らず、乾燥処理の後で、再度、リンス処理および
乾燥処理を繰り返し施してもよい。すなわち、洗浄処理
の後、リンス処理、乾燥処理、リンス処理、乾燥処理の
順にウエハＷに処理を施すようにしてもよい。このよう
にすれば、リンス処理におけるリンス効率を向上させる
ことができる。
エハＷに対して、洗浄液による洗浄処理の後、リンス液
によるリンス処理および乾燥処理の一連の処理を順に施
して、このウエハＷに対する処理を終了しているが、こ
れに限らず、乾燥処理の後で、再度、リンス処理および
乾燥処理を繰り返し施してもよい。すなわち、洗浄処理
の後、リンス処理、乾燥処理、リンス処理、乾燥処理の
順にウエハＷに処理を施すようにしてもよい。このよう
にすれば、リンス処理におけるリンス効率を向上させる
ことができる。
【００５５】また、上述した一実施形態においては、Ｃ
ＭＰ処理後のウエハＷを洗浄する場合について説明して
いるが、これに限られるものではなく、本発明は、広
く、ウエハＷを洗浄するものに対して適用することがで
きる。
ＭＰ処理後のウエハＷを洗浄する場合について説明して
いるが、これに限られるものではなく、本発明は、広
く、ウエハＷを洗浄するものに対して適用することがで
きる。
【００５６】さらに、上述した一実施形態においては、
半導体ウエハＷを洗浄する場合について説明している
が、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プ
ラズマ・ディスプレイ・パネル）基板、磁気ディスク用
のガラス基板やセラミック基板、あるいは、光または光
磁気ディスク用の樹脂基板などのような他の各種の基板
の洗浄に対して広く適用することができる。また、その
基板の形状についても、上述した一実施形態の円形基板
の他、正方形や長方形の角型基板に対しても、本発明を
適用することができる。
半導体ウエハＷを洗浄する場合について説明している
が、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プ
ラズマ・ディスプレイ・パネル）基板、磁気ディスク用
のガラス基板やセラミック基板、あるいは、光または光
磁気ディスク用の樹脂基板などのような他の各種の基板
の洗浄に対して広く適用することができる。また、その
基板の形状についても、上述した一実施形態の円形基板
の他、正方形や長方形の角型基板に対しても、本発明を
適用することができる。
【００５７】また、以上に記載したすべての実施形態を
任意に組み合わせて実施することが可能である。その
他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で種々の
設計変更を施すことが可能である。
任意に組み合わせて実施することが可能である。その
他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で種々の
設計変更を施すことが可能である。
【００５８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１に
係る発明の基板洗浄方法によると、乾燥工程における基
板乾燥に要する時間を短縮することができ、基板の生産
効率を向上させることができるという効果を奏する。
係る発明の基板洗浄方法によると、乾燥工程における基
板乾燥に要する時間を短縮することができ、基板の生産
効率を向上させることができるという効果を奏する。
【００５９】請求項２に係る発明の基板洗浄方法による
と、乾燥工程において基板乾燥に要する時間を短縮する
ことができ、基板の生産効率を向上させることができる
とともに、地球環境にやさしく、その回収・廃棄に対す
る処理コストも軽減できるという効果を奏する。
と、乾燥工程において基板乾燥に要する時間を短縮する
ことができ、基板の生産効率を向上させることができる
とともに、地球環境にやさしく、その回収・廃棄に対す
る処理コストも軽減できるという効果を奏する。
【００６０】請求項３に係る発明の基板洗浄方法による
と、さらに基板乾燥に要する時間を短縮することがで
き、基板の生産効率をさらに向上させることができると
いう効果を奏する。
と、さらに基板乾燥に要する時間を短縮することがで
き、基板の生産効率をさらに向上させることができると
いう効果を奏する。
【００６１】請求項４に係る発明の基板洗浄方法による
と、さらに基板乾燥に要する時間を短縮することがで
き、基板の生産効率をさらに向上させることができると
いう効果を奏する。
と、さらに基板乾燥に要する時間を短縮することがで
き、基板の生産効率をさらに向上させることができると
いう効果を奏する。
【００６２】請求項５に係る発明の基板洗浄方法による
と、さらに基板乾燥に要する時間を短縮することがで
き、基板の生産効率をさらに向上させることができると
いう効果を奏する。
と、さらに基板乾燥に要する時間を短縮することがで
き、基板の生産効率をさらに向上させることができると
いう効果を奏する。
【００６３】請求項６に係る発明の基板洗浄装置による
と、請求項１に記載した発明と同様な効果を奏すること
ができる。
と、請求項１に記載した発明と同様な効果を奏すること
ができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の構成
を簡略的に示す側面図である。
を簡略的に示す側面図である。
１０ ウエハ回転機構（基板回転手段） １１ スピン軸 １２ スピンチャック １２ａ 保持ピン １３ 下貫通孔 １４ 下ノズル ２０ ふっ酸供給部（洗浄液供給手段） ２１，２２ ふっ酸供給パイプ ２３，２４ ふっ酸供給バルブ ３０ ＨＦＥ供給部（リンス液供給手段） ３１，３２ ＨＦＥ供給パイプ ３３，３４ ＨＦＥ供給バルブ ４０ 洗浄液集液部 ４１ カップ ４２ ドレン口 ５０ ガス供給部 ５１ ガス供給パイプ ５２ ガス加熱機構 ５３ ガス供給バルブ ６０ 回転円板部 ６１ スピン軸 ６２ 円板 ６２ａ 円板の下面（基板表面を覆う平面） ６３ 上貫通孔 ６４ 上ノズル Ｒ ウエハの回転軸 Ｗ ウエハ（基板） Ｗａ ウエハ上面 Ｗｂ ウエハ下面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｚ Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ 1/1333 ５００ 1/1333 ５００
Claims (6)
- 【請求項１】 回転している基板に酸またはアルカリの
薬液を含む洗浄液を供給して、基板を洗浄する洗浄工程
と、 この洗浄工程の後、回転している基板に有機溶剤を含む
リンス液を供給して、基板表面の上記洗浄液を洗い流す
リンス工程と、 このリンス工程の後、基板に対する上記リンス液の供給
が停止している状態で基板を回転させて、基板表面の上
記リンス液を振り切り乾燥させる乾燥工程と、を備える
ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 【請求項２】 上記有機溶剤は、ハイドロフルオロエー
テルであることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄
方法。 - 【請求項３】 上記乾燥工程は、基板表面に気体を供給
しつつ基板を乾燥させることを特徴とする請求項１また
は２に記載の基板洗浄方法。 - 【請求項４】 上記乾燥工程において基板表面に供給さ
れる気体は、加熱された気体であることを特徴とする請
求項３に記載の基板洗浄方法。 - 【請求項５】 上記乾燥工程は、基板表面に対向する平
面で基板表面を覆いつつ基板を乾燥させることを特徴と
する請求項３または４に記載の基板洗浄方法。 - 【請求項６】 基板を保持しつつ回転させる基板回転手
段と、 この基板回転手段によって回転されている基板に、酸ま
たはアルカリの薬液を含む洗浄液を供給する洗浄液供給
手段と、 上記基板回転手段によって回転されている基板に、有機
溶剤を含むリンス液を供給するリンス液供給手段と、を
備えることを特徴とする基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000359170A JP4031613B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000359170A JP4031613B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006144260A Division JP4242396B2 (ja) | 2006-05-24 | 2006-05-24 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| JP2006144259A Division JP4308832B2 (ja) | 2006-05-24 | 2006-05-24 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164316A true JP2002164316A (ja) | 2002-06-07 |
| JP4031613B2 JP4031613B2 (ja) | 2008-01-09 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000359170A Expired - Fee Related JP4031613B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
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| JP (1) | JP4031613B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040023943A (ko) * | 2002-09-12 | 2004-03-20 | 주식회사 라셈텍 | 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 |
| JP2004294876A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Hoya Corp | 基板処理方法 |
| JP2008128567A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
| US7402530B2 (en) | 2002-10-17 | 2008-07-22 | Nec Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| JP2010050143A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US8118945B2 (en) | 2006-12-18 | 2012-02-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| CN107658251A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-02-02 | 重庆长捷电子有限公司 | 二极管芯片酸洗设备 |
-
2000
- 2000-11-27 JP JP2000359170A patent/JP4031613B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8129287B2 (en) | 2002-10-17 | 2012-03-06 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
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