JP2004512693A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 化学的機械研磨工程後に行う半導体ウェハ表面の洗浄方法において、
   半導体ウェハを連続的に回転させている状態で、
   殺菌された蒸留水によってすすぐ方法工程と、
   ＨＦ溶液によってエッチングする方法工程と、
   殺菌された蒸留水によってすすぐ方法工程と、
   イソプロパノールおよび窒素からなる混合気体によって乾燥させる方法工程と、
   を行う方法。
2. 上記乾燥工程を行う間、半導体ウェハの回転速度を上げる、請求項１に記載の方法。
3. 上記化学的機械研磨工程の後、かつ、洗浄方法の前に、半導体ウェハを水槽に貯蔵する、請求項１または２に記載の方法。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載の方法によって、化学的機械研磨工程の後、半導体ウェハの表面を洗浄するための装置であって、
   半導体ウェハ用の着脱部と、半導体ウェハを支えて回転させるための回転盤と、半導体ウェハを洗浄するためのプロセス溶媒の供給部と、半導体ウェハを洗浄するためのプロセス溶媒の回収部とを備えた、プロセス室を有する装置。
5. 上記プロセス室は、各洗浄工程を行うための独立したプロセス部を備え、プロセス部の間で上記回転盤が移動できるように設計されている、請求項４に記載の装置。
6. 上記プロセス室の着脱部を化学的機械研磨機に接続するためのウェットハンドルが備えられている、請求項４または５に記載の装置。