JP2006305404A - 機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターンの形成方法及び電子機器 - Google Patents
機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターンの形成方法及び電子機器Info
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Abstract
【解決手段】 焼成用レーザ光50が照射される膜パターン40Aの照射領域Aに、焼成用レーザ光50とは異なった波長であって、且つ、膜パターン40Aには吸収されるとともに、一方、配線パターン40Bには吸収されない波長の検出用電磁波W1を出射し、その反射波W2を検出するようにした。そして、検出用電磁波W1の強度の20%以下の強度の反射波W2が検出されると、焼成用レーザ光50を継続して照射領域Aに照射し、検出用電磁波W1の強度の20%より大きな強度の反射波W2が検出されると、キャリッジ21を移動させて焼成用レーザ光50を次の照射領域に照射するようにした。
【選択図】 図1
Description
その機能性液状材料が十分に焼成されたときの電磁波の吸収スペクトルをメモリしておき、その電磁波の吸収スペクトルと、検出手段によって検出した機能性液状材料の電磁波の吸収スペクトルとを比較することで、実際に基板に形成した膜パターンが十分に焼成されたか否かが判断される。そして、基板に付着させた機能性液状材料が十分に焼成されたときの電磁波の吸収スペクトルになるまで電磁波を照射させるようにすることで、膜パターンの未焼成の部分を無くすことができる。この結果、所望の特性を有した機能性膜パターンを形成することが可能となる。
これによれば、検出用電磁波の反射波の強度を検出することで、膜パターンが十分に焼成されたか否かを判断することができる。
これによれば、電磁波照射手段から膜パターンに電磁波(つまり、焼成用電磁波)を照射しながら、その照射領域に電磁波を照射してその電磁波の吸収度合いをみることが可能となる。このため、その場で膜パターンが十分に焼成されたかを判断することが可能となる。
これによれば、微細な形状をした機能性膜パターンや複雑な形状をした機能性膜パターンを形成することができる。
これによれば、液体プロセス法により所望の形状のパターンを形成する際、機能性液状材料を十分に焼成させることができるので、所望の特性を有した機能性膜パターンを形成することができる。ここで、液体プロセス法とは、たとえば、インクジェット法、マイクロディスペンス法、あるいはスクリーン印刷法が挙げられる。
これによれば、電磁波照射手段から膜パターンに電磁波(つまり、焼成用電磁波)を照射しながら、その照射領域に電磁波を照射してその電磁波の吸収度合いをみることが可能となる。このため、その場で膜パターンが十分に焼成されたかを判断することが可能となる。
これによれば、上記機能性膜パターン形成装置により機能性膜パターンとしての配線パターンや絶縁膜パターンを形成することで、これら機能性膜パターンは十分に焼成されることにより、故障がなく歩留まりを向上させることのできる電子機器を実現することができる。
(第1実施形態)
まず、第1実施形態に係る機能性膜パターン形成装置としてのレーザ成膜装置20を図1〜図4に従って説明する。
図1に示すように、レーザ成膜装置20は、基板21を載置するキャリッジ22、機能性液状材料を基板21上に付着させて膜パターンを形成するパターニング手段としての液滴吐出ヘッド23、電磁波照射手段としてのレーザ光照射ヘッド24、検出手段としての反射吸収測定装置25、及び制御手段としての制御部26を備えている。
かしてインク化(液状化)したものである。金属微粒子31は、そのままでは互いにくっついて溶融するので、各金属微粒子31を分散剤33からなる保護膜で被覆して分散させてある。尚、本実施形態においては、金属微粒子31は、銀の微粒子である。
検出用電磁波出射手段25Aから出射した際の検出用電磁波W1の出力の20%)以下の場合においても、前記と同様の第1の検出信号S1を制御部26に出力するように設定されている。
図2は、液滴30(機能性液状材料)の吸収スペクトルであり、図3(A)は、溶媒32に起因する吸収スペクトル、図3(B)は、分散剤33に起因する吸収スペクトル、図3(C)は、金属微粒子(溶質)31に起因する吸収スペクトルである。従って、液滴30(機能性液状材料)の吸収スペクトルは、溶媒32に起因する吸収スペクトルと、分散剤33に起因する吸収スペクトルと、微粒子(溶質)である金属微粒子31に起因する吸収スペクトルとを重ね合わせたものにほぼ等しくなる。そして、この膜パターン40Aは、焼成用レーザ光50が照射されると、該レーザ光50を吸収し、その光エネルギーが熱エネルギーに変換することで焼成されて導電性を示す配線パターン40Bとなるが(図1参照)、その焼成過程は、以下の3つの焼成過程(焼成初期、焼成中期及び焼成後期)に分けることができる。
焼成初期:この焼成初期では、機能性液状材料中の溶媒32及び分散剤33が分解・蒸発する。図4(A)に示すように、焼成初期では、金属微粒子31、溶媒32及び分散剤33に起因する吸収がそれぞれ起るので、レーザ光が最も吸収されやすい過程である。そして、この焼成初期では、機能性液状材料中に散在する微小な金属微粒子31に起因して波長Lpにて特有に現れるプラズモン吸収による吸収スペクトル(図4(A)中矢印で示された吸収スペクトル)が検出される。
因する吸収スペクトルは消失し、また分散剤33に起因する吸収スペクトルの強度も減少する。また、金属微粒子31同士が溶融(溶質が析出)し粒成長を始めるため、図4(B)中矢印で示したプラズモン吸収による吸収スペクトルは、その強度が小さくなるとともにブロードとなる。
図1に示すように、キャリッジ22を基板進行方向(図1中X矢印方向)に搬送しながら、液滴吐出ヘッド23から液滴30を吐出して、基板21に膜パターン40Aを形成する(パターニング工程)。また、このとき、レーザ光照射ヘッド24が駆動されて膜パターン40A上の所定の照射領域Aに焼成用レーザ光50を照射する(電磁波照射工程)。
域Aでの第1の検出信号S1及び第2の検出信号S2が出力されている時間を記憶し、それに基づいて制御部26が、キャリッジ22、液滴吐出ヘッド23及びレーザ光照射ヘッド24の各々を統括制御する。このようにすることで、次回以降、配線パターン40Bを形成する場合においては、反射吸収測定装置25を使用せずに、確実に焼成がなされた配線パターン40Bを形成することが可能となる。
(1)本実施形態によれば、焼成用レーザ光50が照射される膜パターン40Aの照射領域Aに、焼成用レーザ光50とは異なった波長であって、且つ、膜パターン40Aには吸収されるとともに、一方、配線パターン40Bには吸収されない波長の検出用電磁波W1を出射し、その反射波W2を検出するようにした。そして、検出用電磁波W1の強度の20%より大きな強度の反射波W2が検出されるまで、焼成用レーザ光50を継続して照射領域Aに照射するようにした。従って、膜パターン40A全体を確実に焼成させることができるので、所望の電気的特性を有した配線パターン40Bを形成することができる。
(2)しかも、本実施形態によれば、焼成用レーザ光50とは異なった波長の電磁波を検出用電磁波W1として使用するようにした。従って、検出用電磁波W1の波長と同じ波長の電磁波の強度を検出することで、膜パターン40Aが十分に焼成されたか否かが分かる。
(3)本実施形態によれば、プラズモン吸収が生じる波長の電磁波を検出用電磁波W1に使用した。このプラズモン吸収は、膜パターン40Aの焼成初期及び焼成中期において現れ、焼成終期においては現れないので、この検出用電磁波W1の強度を検出することで、膜パターン40Aが確実に配線パターン40Bになったか否かが分かる。
(4)また、本実施形態によれば、インクジェット法を使用して所望の膜パターン40Aを形成するようにしたので、微細な配線パターン40Bを形成することができる。
(5)本実施形態では、反射吸収測定装置25は、レーザ光照射ヘッド24の周辺に設けられレーザ光照射ヘッド24を追従するように構成されている。従って、焼成用レーザ光50を照射しながら検出用電磁波W1を照射することで、膜パターン40Aが配線パターン40Bになったか否かがその場で分かる。この結果、膜パターン40A全体を確実に焼成することができる。
(6)本実施形態では、各照射領域Aでの第1の検出信号S1及び第2の検出信号S2が出力されている時間を制御部26に記憶するようにした。従って、1回、反射吸収測定装置25を使用しながら配線パターン40Bを形成すれば、同じ形状の配線パターン40Bを形成する場合においては、反射吸収測定装置25を使用せずに、確実に膜パターン40Aを焼成することができる。
(第2実施形態)
第2実施形態に係るレーザ成膜方法及びレーザ成膜装置を、図5に基づいて説明する。
図5に示すように、レーザ成膜装置20Aの反射吸収測定装置55は、反射波検出手段25Bのみを備えている。また、本実施形態のレーザ本体51は、上記第1実施形態とは異なりNd:YAGレーザの第2高調波(波長λ=532nm)ではなく、プラズモン吸収が起る波長の電磁波を出射するようになっている。
先ず、上記第1実施形態と同様に、キャリッジ22を基板進行方向(図1中X矢印方向)に搬送しながら、液滴吐出ヘッド23から液滴30を吐出して、基板21上に膜パターン40Aを形成する(パターニング工程)。また、このとき、レーザ光照射ヘッド24を駆動させて、膜パターン40Aに焼成用レーザ光50を照射する(電磁波照射工程)。
(1)本実施形態によれば、レーザ光照射ヘッド24から膜パターン40Aのプラズモン吸収と同じ波長を有した焼成用レーザ光50を出射するようにした。そして、反射波検出手段25Bは、膜パターン40Aにて乱反射された反射波W2を検出し、その検出された反射波W2の強度が焼成用レーザ光50の出力に対する規定値よりも大きくなるまで、その照射領域Aに焼成用レーザ光50を照射するようにした。従って、上記第1実施形態のように検出用電磁波出射手段25Aを設ける必要はないので、反射吸収測定装置を小型化することができる。この結果、レーザ成膜装置20A全体を小型化することができる。
(第3実施形態)
次に、上記第1及び第2実施形態で説明した機能性膜パターン形成装置或いは機能性膜パターン形成方法により形成された配線パターンを備えた電子機器の一例として、プラズマディスプレイを図6に基づいて説明する。
数の操作ボタン73とを備えている。この表示ユニット71の素子基板(図示省略)上には、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線とデータ線の交差に対応してマトリクス状に配置され、発光素子をそれぞれ有する複数の画素とが形成されている。走査線やデータ線等の配線パターンが上記各実施形態で説明した機能性膜パターン形成装置或いは機能性膜パターン形成方法により形成される。
・上記各実施形態では、膜パターン40Aの焼成後期ではプラズモン吸収がなくなることを利用して、プラズモン吸収が起きる波長Lpの電磁波(レーザ光)を膜パターン40Aに照射して、その反射波W2を検出する。そして、膜パターン40Aに照射した際の出力に20%よりも大きい反射波W2が検出されるまで焼成用レーザ光50を照射し続けるようにした。本発明は、これに限定されるものではなく、プラズモン吸収が起る電磁波以外の波長の電磁波を利用してもよい。例えば、焼成中期〜焼成後期では分散剤33に起因する吸収スペクトルの強度がほぼなくなるので、この分散剤33に起因する吸収スペクトルの波長の電磁波を膜パターン40Aに照射して、その反射波W2の吸収度合いを検出することで、膜パターン40Aが焼成されたか否かを判断するようにしてもよい。このようにすることで、上記と同様な効果を得ることができる。
・上記第1実施形態では、レーザ成膜装置20を使用して、機能膜パターンとして配線パターン40Bを形成したが、レーザ成膜装置20を使用して、他のパターンを形成するようにしていもよい。たとえば、絶縁膜パターンを形成ようにしてもよい。この場合、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
・上記各実施形態では、機能性液状材料を基板21上に付着させるパターニング手段としての液滴吐出ヘッド23と、レーザ光照射ヘッド24とを備えたレーザ成膜装置20,20Aについて一例として説明した。つまり、インクジェット法により機能性液状材料を基板上に付着させる装置(液滴吐出ヘッド23)と、レーザ光照射ヘッド24を備えたレーザ成膜装置20,20Aについて説明した。本発明はこのような構成のレーザ成膜装置20,20Aに限定されない。本発明は、マイクロディスペンス法により機能性液状材料を基板21上に付着させる装置(パターニング手段)と、レーザ光照射ヘッド24を備えた機能性膜パターン形成装置にも適用される。また、本発明は、スクリーン印刷法により機能性液状材料を基板21上に付着させる装置(パターニング手段)と、レーザ光照射ヘッド24を備えた機能性膜パターン形成装置にも適用される。
を用いても良い。
Claims (9)
- 基板に機能性液状材料を付着させて膜パターンを形成するパターニング手段と、
前記基板に形成された前記膜パターンに電磁波を照射して機能性膜パターンを形成する電磁波照射手段と、
前記基板に付着した前記膜パターンの前記電磁波の吸収度合いを検出する検出手段と、
前記電磁波の吸収度合いに関する情報に基づいて、前記電磁波照射手段からの前記電磁波の照射量を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする機能性膜パターン形成装置。 - 請求項1に記載の機能性膜パターン形成装置において、
前記検出手段は、検出用電磁波を出射する検出用電磁波出射手段と、
前記膜パターンによって反射された前記検出用電磁波の反射波を検出する反射波検出手段と
を備えていることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。 - 請求項2に記載の機能性膜パターン形成装置において、
前記検出用電磁波は、前記膜パターンに吸収され、且つ、前記機能性膜パターンには吸収されない電磁波であることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一つに記載の機能性膜パターン形成装置において、
前記検出手段は、前記電磁波照射手段の周辺に設けられ同電磁波照射手段と同期して移動することを特徴とする機能性膜パターン形成装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一つに記載の機能性膜パターン形成装置において、
前記電磁波照射手段から出射される前記電磁波は、レーザ光であることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一つに記載の機能性膜パターン形成装置において、
前記パターニング手段は、液体プロセス法により前記膜パターンを形成する装置であることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。 - 基板に機能性液状材料を付着させて膜パターンを形成するパターニング工程と、
前記基板に付着した前記膜パターンに電磁波を照射して機能性膜パターンを形成する電磁波照射工程と、
前記基板に付着した前記膜パターンの前記電磁波の吸収度合いを検出する検出工程と、
検出された前記電磁波の吸収度合いに関する情報に基づいて、前記電磁波の照射量を制御する制御工程と
を備えたことを特徴とする機能性膜パターンの形成方法。 - 請求項7に記載の機能性膜パターン形成の形成方法において、
前記電磁波照射工程と前記検出工程とを同時に行うようにしたことを特徴する機能性膜パターンの形成方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一つに記載の機能性膜パターン形成装置で形成された機能性膜パターンを備えることを特徴とする電子機器。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008194617A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、パターン形成装置及び液状体乾燥装置 |
JP2014518589A (ja) * | 2011-04-12 | 2014-07-31 | ダイパワー | 金属酸化物系配合物の焼結法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02235748A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-18 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
JPH08196984A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-06 | Kawasaki Steel Corp | 塗装鋼板の焼付方法および装置 |
JP2002039723A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Murata Mfg Co Ltd | 塗膜検査システム及び塗膜乾燥装置 |
JP2003507749A (ja) * | 1999-08-24 | 2003-02-25 | ステリス インコーポレイテッド | 電子ビーム照射線量の実時間モニタリング |
JP2004349638A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP2005095849A (ja) * | 2003-02-26 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 機能性材料定着方法、機能性材料定着装置、デバイス製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02235748A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-18 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
JPH08196984A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-06 | Kawasaki Steel Corp | 塗装鋼板の焼付方法および装置 |
JP2003507749A (ja) * | 1999-08-24 | 2003-02-25 | ステリス インコーポレイテッド | 電子ビーム照射線量の実時間モニタリング |
JP2002039723A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Murata Mfg Co Ltd | 塗膜検査システム及び塗膜乾燥装置 |
JP2005095849A (ja) * | 2003-02-26 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 機能性材料定着方法、機能性材料定着装置、デバイス製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP2004349638A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008194617A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、パターン形成装置及び液状体乾燥装置 |
JP2014518589A (ja) * | 2011-04-12 | 2014-07-31 | ダイパワー | 金属酸化物系配合物の焼結法 |
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