JP2006310346A - 機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターンの形成方法及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 膜パターンを破損することなく、焼成することのできる機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターン形成方法、及び、機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターン形成方法によって焼成がなされた膜パターンで構成された電子機器を提供する。
【解決手段】 膜パターン４０Ａを焼成する焼成用レーザ光６０が照射されるのに先行して、その焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍に、焼成用レーザ光６０に比べて低い温度で加熱する第１の加熱用レーザ光６１Ａを照射するようにした。
【選択図】 図３

Description

本発明は、機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターン形成の方法及び電子機器に関する。

従来、各種デバイスの機能性膜パターンを形成する方法としてはフォトリソグラフィー法が一般的に知られている。この方法は材料の大部分を捨てるなど無駄が大きいと言える。このフォトリソグラフィー法に代わる機能性膜パターンの形成方法として、スクリーン印刷法やマイクロディスペンス法、液滴吐出法（インクジェット法）等による直接描画が知られている（例えば、特許文献１参照）。

このような直接描画を行うためには、スパッタ法等とは異なり、機能性材料を微粒子化し溶液に分散させる、もしくは適当な溶媒に溶かし込むことでインク化（液状化）したものを用いる必要がある。このため、直接描画によりパターンを形成しただけでは機能性膜パターンとしての性能を発揮することができないので、所望の性能を得るために後工程としてオーブン等を用いた乾燥と焼結を含む焼成が必要となる。

現状の焼成には３０分から１時間程度以上の時間が必要であるため、この焼成はスループットを低下させる要因となっている。これを回避するため、オーブン等に代わる処理時間の速い焼成方法として、直接描画によりパターニングされた膜パターンに電磁波を照射し、光熱変換で生じた熱の作用で上記焼成を行う電磁波照射による方法が考えられる。
特開２００２−２６１０４８号公報

ところで、膜パターンは、電磁波が照射された際に発生した熱によって膨張する。従って、たとえば、微細な膜パターンに対して局所的に強いパワーの電磁波を照射すると、その照射領域の膜パターンが急激に加熱される。従って、照射領域と、該照射領域の近傍との温度勾配が大きくなり、照射領域がその近傍に比べて大きく膨張し、その結果、形成された膜パターンが破壊されてしまう虞がある。また、膜パターンの熱膨張の度合いと、基板の熱膨張の度合いとの差が大きい場合、その膨張率の差に応じて膜パターンが基板から剥離してしまうという虞がある。このため、使用することのできる機能性材料や基板の材質が制約を受けることとなる。

本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、膜パターンを破損することなく、焼成することのできる機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターン形成方法、及び、機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターン形成方法によって焼成がなされた膜パターンで構成された電子機器を提供することである。

本発明における機能性膜パターン形成装置は、基板上に機能性液状材料を付着させて所定の形状の膜パターンを形成するパターニング手段と、前記膜パターンを焼成するための焼成用電磁波と、該焼成用電磁波の照射領域の近傍に照射されその焼成用電磁波の照射領域の近傍を加熱するための加熱用電磁波と、を照射する電磁波照射手段とを備えている。

これによれば、加熱用電磁波によって焼成用電磁波の照射領域の近傍が加熱されるので、前記照射領域とその近傍の領域との温度勾配は緩和される。従って、焼成用電磁波の照
射領域の膜パターンの熱膨張の度合いと、その近傍の熱膨張の度合いとの差が小さくなるので、各熱膨張の度合いの差に起因して膜パターンに加わる応力を小さくすることができる。この結果、前記応力によって膜パターンが破損するの回避することができるので、歩留まりを向上させることができる。また、上記のようにすることで、基板の熱膨張の度合いと機能性液状材料の熱膨張の度合いとが異なったものであっても、それによって膜パターンが破損するの回避することができるので、使用することのできる基板と機能性材料との選択を広げることができる。

この機能性膜パターン形成装置において、前記加熱用電磁波は、前記焼成用電磁波に比べてパワーが小さくてもよい。
これによれば、焼成用電磁波の照射領域の膜パターンに比べて、該照射領域の近傍の温度は低い。従って、照射領域の近傍の膨張の度合いは、焼成用電磁波の照射領域の膜パターンの膨張の度合いに比べて小さく微小に膨張することとなる。この結果、焼成用電磁波の照射領域内の膜パターンは、局所的に大きく膨張するのではなく、該照射領域の近傍から焼成用電磁波の照射領域に渡って緩慢に膨張するので、焼成用電磁波の照射領域の膜パターンの熱膨張の度合いと、その近傍の熱膨張の度合いとの差が小さくなる。従って、焼成による膜パターンの破損を回避することができる。

この機能性膜パターン形成装置において、前記加熱用電磁波は、前記焼成用電磁波の照射領域の近傍にある前記膜パターン上に照射されていてもよい。
これによれば、焼成用電磁波の照射領域と、その焼成領域の近傍の膜パターンとの温度勾配が緩和される。従って、焼成用電磁波の照射領域の膜パターンの熱膨張の度合いと、その近傍の膜パターンの熱膨張の度合いとの差が小さくなるので、焼成による膜パターンの破損を回避することができる。

この機能性膜パターン形成装置において、前記加熱用電磁波は、前記焼成用電磁波の照射領域の近傍にある前記基板上に照射されてもよい。
これによれば、焼成用電磁波の照射領域と、その焼成領域の近傍の基板との温度勾配が緩和される。従って、焼成用電磁波の照射領域の膜パターンの熱膨張の度合いと、その近傍の基板の熱膨張の度合いとの差が小さくなるので、焼成による膜パターンが基板から剥離するのを回避することができる。

この機能性膜パターン形成装置において、前記基板は、前記膜パターンの近傍にダミーパターンを備えており、前記加熱用電磁波は、前記ダミーパターン上に照射されてもよい。

これによれば、熱吸収率が低い基板を使用した場合であっても、ダミーパターンが熱を吸収することで、基板が加熱される。焼成による膜パターンが基板から剥離するのを回避することができる。

この機能性膜パターン形成装置において、前記ダミーパターンは、前記膜パターンを構成する前記機能性液状材料で構成されていてもよい。
これによれば、ダミーパターンを、膜パターンの形成と同時に行うことができるので、短時間で焼成時における膜パターンの破損を回避できるパターンを形成することができる。

この機能性膜パターン形成装置において、前記電磁波照射手段は、所定の波長を有する第１の電磁波を出射する電磁波出射本体と、前記電磁波出射本体から出射された前記第１の電磁波を、前記焼成用電磁波と前記加熱用電磁波とから成る第２の電磁波に形成にする光学素子とを含んでもよい。

これによれば、電磁波出射本体は一つでよいので、装置全体をコンパクトにすることができる。
この機能性膜パターン形成装置において、前記光学素子は、回折光学素子であってもよい。

これによれば、膜パターンがどのような形状を成していても、その形状に合ったな形状の焼成用電磁波及び加熱用電磁波を形成することができる。
この機能性膜パターン形成装置において、前記電磁波照射手段から出射される前記焼成用電磁波及び前記加熱用電磁波のうち少なくともいずれか一方は、レーザ光であってもよい。

これによれば、膜パターンが微細であっても、膜パターンを破損することなく、焼成することができる。
この機能性膜パターン形成装置において、前記パターニング手段は、液体プロセス法により前記膜パターンを形成する装置であってもよい。

これによれば、液体プロセス法により所望の形状のパターンを形成する際、膜パターンを破損することなく十分に焼成させることができるので、所望の特性を有した機能性膜パターンを形成することができる。ここで、液体プロセス法とは、たとえば、インクジェット法、マイクロディスペンス法、あるいはスクリーン印刷法が挙げられる。

本発明の機能性膜パターンの形成方法は、基板上に機能性液状材料を付着させて所定の形状の膜パターンを形成するパターニング工程と、前記膜パターンを焼成する焼成用電磁波を前記膜パターン上の所定の領域に照射しながら、前記焼成用電磁波が照射される前記所定の領域の近傍を加熱する加熱用電磁波を照射する電磁波照射工程とを含む。

これによれば、加熱用電磁波によって焼成用電磁波の照射領域の近傍が加熱されるので、前記照射領域とその近傍の領域との温度勾配は緩和される。従って、焼成用電磁波の照射領域の膜パターンの熱膨張の度合いと、その近傍の熱膨張の度合いとの差が小さくなるので、各熱膨張の度合いの差に起因して膜パターンに加わる応力を小さくすることができる。この結果、前記応力によって膜パターンが破損するの回避することができるので、歩留まりを向上させることができる。また、上記のようにすることで、基板の熱膨張の度合いと機能性液状材料の熱膨張の度合いとが異なったものであっても、それによって膜パターンが破損するの回避することができるので、使用することのできる基板と機能性材料との選択を広げることができる。

この機能性膜パターンの形成方法において、前記電磁波照射工程は、前記焼成用電磁波が照射される前記所定の領域の近傍に、前記焼成用電磁波に先行して前記加熱用電磁波を照射するようにしてもよい。

これによれば、焼成用電磁波の照射領域の近傍の膜パターンが先に膨張した後に、焼成用電磁波の照射領域の膜パターンが膨張する。従って、焼成用電磁波の照射領域内の膜パターンは、局所的に大きく膨張するのではなく、該照射領域の近傍の膜パターンから焼成用電磁波の照射領域に渡って緩慢に膨張するので、焼成用電磁波の照射領域の膜パターンの熱膨張の度合いと、その近傍の膜パターンの熱膨張の度合いとの差が小さくなる。従って、焼成による膜パターンの破損を回避することができる。

この機能性膜パターンの形成方法において、前記電磁波照射工程は、前記加熱用電磁波を、前記焼成用電磁波が照射される前記所定の領域の近傍にある前記膜パターン上に照射
するようにしてもよい。

これによれば、焼成用電磁波の照射領域と、その焼成領域の近傍の膜パターンとの温度勾配が緩和される。従って、焼成用電磁波の照射領域の膜パターンの熱膨張の度合いと、その近傍の膜パターンの熱膨張の度合いとの差が小さくなるので、焼成による膜パターンの破損を回避することができる。

この機能性膜パターンの形成方法において、前記電磁波照射工程は、前記加熱用電磁波を、前記焼成用電磁波が照射される前記所定の領域の近傍にある前記基板上に照射するようにしてもよい。

これによれば、焼成用電磁波の照射領域と、その焼成領域の近傍の基板との温度勾配が緩和される。従って、焼成用電磁波の照射領域の膜パターンの熱膨張の度合いと、その近傍の基板の熱膨張の度合いとの差が小さくなるので、焼成による膜パターンが基板から剥離するのを回避することができる。

この形成方法において、前記パターニング工程は、さらに、前記膜パターンの近傍の前記基板上にダミーパターンを形成し、前記電磁波照射工程は、前記加熱用電磁波を前記ダミーパターンに照射するようにしてもよい。

これによれば、熱吸収率が低い基板を使用した場合であっても、ダミーパターンが熱を吸収することで、基板が加熱される。焼成による膜パターンが基板から剥離するのを回避することができる。

この機能性膜パターン形成装置において、前記パターニング工程は、液体プロセス法により前記膜パターンを形成するようにしてもよい。
これによれば、液体プロセス法により所望の形状のパターンを形成する際、膜パターンを破損することなく十分に焼成させることができるので、所望の特性を有した機能性膜パターンを形成することができる。ここで、液体プロセス法とは、たとえば、インクジェット法、マイクロディスペンス法、あるいはスクリーン印刷法が挙げられる。

本発明の電子機器は、上記記載の機能性膜パターン形成装置で形成された機能性膜パターンを備えている。
これによれば、上記機能性膜パターン形成装置により、焼成時における膜パターンの破損を回避されることにより、歩留まりを向上させることのできる電子機器を実現することができる。

以下、本発明を具体化した各実施形態を、図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
まず、第１実施形態に係る機能性膜パターン形成装置としてのレーザ成膜装置２０を図１〜図３に従って説明する。

レーザ成膜装置２０は、機能性材料を基板に付着させて膜パターンを形成し、その膜パターンにレーザ光を照射し、レーザ光の吸収による光熱変換で発生する熱で膜パターンの焼成を進めて機能性膜パターンとしての配線パターンを形成するものである。

図１は、本実施形態に係るレーザ成膜装置２０の全体構成図である。
図１に示すように、レーザ成膜装置２０は、基板２１を載置するキャリッジ２２、機能性液状材料を基板２１上に付着させて膜パターン４０Ａを形成するパターニング手段とし
ての液滴吐出ヘッド２３、電磁波照射手段としてのレーザ光照射ヘッド２４、及び制御部２５を備えている。

キャリッジ２２は、図示を省略したＸ方向駆動モータ及びＹ方向駆動モータによって駆動されて、液滴吐出ヘッド２３に対してＸＹ方向に移動可能になっている。図１では、キャリッジ２２は、Ｘ矢印方向へ所定の速度で移動することで、基板２１をＸ矢印方向（基板進行方向）に搬送する。

液滴吐出ヘッド２３は、基板２１に対向する位置に吐出ノズル２３Ａを備えている。液滴吐出ヘッド２３は、この吐出ノズル２３Ａから機能性液状材料としての液滴３０を基板２１に向かって（図１中Ｚ矢印方向に沿って）吐出する。この液滴３０は、図１中の拡大部Ｆ１，Ｆ２に示すように、金属を微粒子化したもの（金属微粒子３１）を溶媒３２に溶かしてインク化（液状化）したものである。金属微粒子３１は、そのままでは互いにくっついて溶融するので、各金属微粒子３１を分散剤３３からなる保護膜で被覆して分散させてある。尚、本実施形態においては、金属微粒子３１は、銀の微粒子である。

そして、液滴吐出ヘッド２３は、キャリッジ２２とともにＸＹ方向に移動して、基板２１との相対位置を制御しながら液滴３０を基板２１に向かって吐出する。その結果、基板２１上に液滴３０が付着して所定の形状の膜パターン４０Ａが形成される。例えば、図２に示すように、Ｘ矢印方向を長手方向とし、またＹ矢印方向を短手方向とした略直方形状の膜パターン４０Ａが形成される。

このように、本実施形態では、金属微粒子３１を溶媒３２に溶かしてインク化したものを吐出して所望のパターンを形成する、所謂、インクジェット法を使用して膜パターン４０Ａを形成するようにしている。尚、基板２１上に着弾した液滴３０が濡れ広がらず所望の位置に留まるように、基板２１上の必要な個所には撥液処理が施されている。

図１に示すように、レーザ光照射ヘッド２４は、キャリッジ２２の上方（反Ｚ矢印方向）に設けられている。レーザ光照射ヘッド２４は、レーザ本体５１と、光学素子としての回折光学素子レンズ５２とを備えている。そして、このレーザ光照射ヘッド２４は、液滴吐出ヘッド２３を追従するように構成されており、たとえば、液滴吐出ヘッド２３と一体形成されている。

レーザ本体５１は、電磁波及び第１の電磁波としての所定の波長のレーザ光５０を連続して出射する。このレーザ光５０は、例えば、公知の半導体レーザであっても固体レーザであっても良く、本実施形態では、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波（波長λ＝５３２ｎｍ）である。

図３に示すように、回折光学素子レンズ５２は、レーザ本体５１から出射されたレーザ光５０を、焼成用電磁波及び第２の電磁波としての焼成用レーザ光６０、及び、加熱用電磁波としての加熱用レーザ光６１にするためのレンズである。焼成用レーザ光６０は、膜パターン４０Ａ上の所定の局所的な照射領域Ｓ１を焼成するためのレーザ光であって、その照射領域Ｓ１中の溶媒３２及び分散剤３３の分解・蒸発をさせるとともに、各金属微粒子３１同士を溶融させるのに十分なパワーを有したレーザ光である。従って、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａは、十分に加熱されるため、高温になる。

加熱用レーザ光６１は、焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍の膜パターン４０Ａ上の領域を加熱するためのレーザ光である。本実施形態の加熱用レーザ光６１は、第１及び第２の加熱用レーザ光６１Ａ，６１Ｂとから構成され、第１の加熱用レーザ光６１Ａは、照射領域Ｓ１を介して図３中反Ｘ矢印方向側に、一方、第２の加熱用レーザ光６１Ｂは
、照射領域Ｓ１を介して図３中Ｘ矢印方向側に、それぞれ向かって照射される。従って、第１及び第２の加熱用レーザ光６１Ａ，６１Ｂは、照射領域Ｓ１を、膜パターン４０Ａの長手方向（図３中Ｘ矢印方向）に沿って挟み込むようにして照射領域Ｓ１の近傍の膜パターン４０Ａ上の領域Ｓ２，Ｓ３を加熱するようになっている。

また、各加熱用レーザ光６１Ａ，６１Ｂは、その各照射領域Ｓ２，Ｓ３の膜パターン４０Ａの長手方向に沿った長さが、焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の膜パターン４０Ａの長手方向に沿った長さに比べて十分に長くなるように形成されている。

さらに、加熱用レーザ光６１Ａ，６１Ｂは、膜パターン４０Ａに照射されると、膜パターン４０Ａの光熱変換特性によってその照射領域Ｓ２，Ｓ３を加熱するが、そのパワーは、焼成用レーザ光６０の比べて小さくなるようになっている。これは、回折光学素子レンズ５２を適宜設計することで実現される。従って、各照射領域Ｓ２，Ｓ３の温度は、焼成用レーザ光６０によって加熱される温度に比べて低く、照射されると膜パターン４０Ａの部分を微小に熱膨張させる程度である。

従って、基板２１が基板進行方向（図３中Ｘ矢印方向）に移動すると、先ず、第１の加熱用レーザ光６１Ａが、他の第２の加熱用レーザ光６１Ｂ及び焼成用レーザ６０に先行して照射される。続いて、焼成用レーザ光６０が照射され、その後、第２の加熱用レーザ光６１Ｂが照射される。

制御部２５は、図示を省略したＣＰＵ、タイマクロック、膜パターンの形状及び位置を記憶したメモリ等を含んでいる。そして、制御部２５は、キャリッジ２２、液滴吐出ヘッド２３及びレーザ光照射ヘッド２４の各々に制御信号を出力して、これらを含むシステム全体を統括制御するようになっている。

次に、膜パターン４０Ａの光熱変換特性について、図４〜図６に従って説明する。
図４は、液滴３０（機能性液状材料）の吸収スペクトルであり、図５（Ａ）は、溶媒３２に起因する吸収スペクトル、図５（Ｂ）は、分散剤３３に起因する吸収スペクトル、図５（Ｃ）は、微粒子（溶質）である金属微粒子３１に起因する吸収スペクトルである。従って、液滴３０（機能性液状材料）の吸収スペクトルは、溶媒３２に起因する吸収スペクトルと、分散剤３３に起因する吸収スペクトルと、金属微粒子３１に起因する吸収スペクトルとを重ね合わせたものにほぼ等しくなる。そして、焼成用レーザ光６０が照射されると、その光エネルギーが熱エネルギーに変換されその熱エネルギーによって焼成され、導電性を示す配線パターン４０Ｂ（図１参照）となるが、この膜パターン４０Ａの焼成過程は、以下の３つの焼成過程（焼成初期、焼成中期及び焼成後期）に分けることができる。

図６は、焼成過程毎の膜パターン４０Ａの吸収スペクトルである。
焼成初期：この焼成初期では、膜パターン４０Ａ中の溶媒３２及び分散剤３３が分解・蒸発する。図６（Ａ）に示すように、焼成初期では、金属微粒子３１、溶媒３２及び分散剤３３に起因する吸収がそれぞれ起るので、前記レーザ光６０，６１が最も吸収されやすい過程である。

焼成中期：この焼成中期では、機能性液状材料中の溶媒３２及び分散剤３３の分解・蒸発が促進されて溶媒３２及び分散剤３３の残留分が少なくなる。この結果、図６（Ｂ）に示すように、溶媒３２に起因する吸収スペクトルは消失し、また分散剤３３に起因する吸収スペクトルの強度も減少する。また、金属微粒子３１同士が溶融（溶質が析出）し粒成長を始める。

焼成後期：この焼成後期では、金属微粒子３１の粒成長がさらに促進して、配線パター
ン４０Ｂに起因する特性が現れ始める。従って、微粒子起因の吸収スペクトルが消失し始める。その結果、図６（Ｃ）に示すような吸収スペクトルを示す。

次に、前記のように構成されたレーザ成膜装置２０の作用について図７及び図８に従って説明する。
まず、図７（Ａ）に示すように、キャリッジ２２を基板進行方向（図７（Ａ）中Ｘ矢印方向）に搬送させながら、液滴吐出ヘッド２３から液滴３０を吐出して（図１参照）、同基板２１に膜パターン４０Ａを形成する（パターニング工程）。また、レーザ光照射ヘッド２４を駆動させてレーザ本体５１からレーザ光５０を連続して出射させる。

すると、先ず、第１の加熱用レーザ光６１Ａが、焼成用レーザ光６０に先行して膜パターン４０Ａに照射されて、図７（Ｂ）に示すように、その照射領域Ｓ２が膜パターン４０Ａ上に重なり始める（電磁波照射工程）。この結果、照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは加熱され始めるが、このときの照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは、第１の加熱用レーザ光６１Ａによる熱によって微小に熱膨張する。

その後、キャリッジ２２が、図７（Ｂ）中Ｘ矢印方向に向かって徐々に移動しながら継続してレーザ本体５１からレーザ光５０を照射する。すると、第１の加熱用レーザ光６１Ａによって照射される膜パターン４０Ａの面積が徐々に増加するが、第１の加熱用レーザ光６１Ａの照射領域Ｓ２は、膜パターン４０Ａの長手方向に沿って長いので、膜パターン４０Ａは、広範囲に渡って加熱される。

その後、さらに、キャリッジ２２が、図７（Ｂ）中Ｘ矢印方向に向かって徐々に移動しながら継続してレーザ本体５１からレーザ光５０を照射する。すると、図７（Ｃ）に示すように、焼成用レーザ光６０が膜パターン４０Ａに照射され、その照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａが焼成され始める。焼成用レーザ光６０はパワーが大きいため、その照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａは、高温に加熱される。そして、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａは、その熱によってさらに熱膨張する。このとき、照射領域Ｓ１近傍の照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは、先に第１の加熱用レーザ光６１Ａによって予め加熱されているので、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａとの温度勾配は小さくなる。そして、照射領域Ｓ１近傍の照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは、既に微小に熱膨張しているので、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａが局所的に大きく膨張するのではなく、照射領域Ｓ２の膜パターン４０Ａから照射領域Ｓ１の膜パターン４０Ａに渡って緩慢に膨張することとなる。従って、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａの熱膨張の度合いと、その近傍の照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａの熱膨張の度合いとの差が小さくなるので、各照射領域Ｓ１，Ｓ２内の膜パターン４０Ａの熱膨張の度合いとの差に起因する応力は小さくなる。この結果、膜パターン４０Ａは、局所的に焼成用レーザ光６０が照射されてその照射領域Ｓ１で破損することはない。

そして、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａは、熱膨張された後に、焼成初期→焼成中期→焼成後期を経る。この結果、膜パターン４０Ａ中の溶媒３２及び分散剤３３が分解・蒸発し、各金属微粒子３１同士が溶融して高い導電性を示す配線パターン４０Ｂとなる。

その後、さらに、キャリッジ２２が、図７（Ｃ）中Ｘ矢印方向に向かって徐々に移動することで、図８（Ａ）に示すように、第２の加熱用レーザ光６１Ｂが、先に焼成用レーザ光６０によって焼成された膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）上に照射され始める。従って、焼成用レーザ光６０が照射された後の膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）は、急激にその温度が室温に至るまで下がるのではなく、一端、第２の加熱用レーザ光６１Ｂによって加熱される温度まで下がった後に、徐々に室温に至るまで冷却される。つまり、その焼成が終了した近傍の膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）と、その周囲
との温度勾配は小さくなる。この結果、焼成が終了した膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）に加わる熱による応力は小さくなるので、膜パターン４０Ａが破損しない。

その後、キャリッジ２２が、図８（Ｂ）中Ｘ矢印方向に向かって徐々に移動しながらレーザ本体５１からレーザ光５０を継続して照射する。この結果、膜パターン４０Ａ全体の焼成が行われる。この結果、破損が無い配線パターン４０Ｂが形成される。尚、図８（Ａ），（Ｂ）において、その焼成が終了した領域を網掛けで示している。

前記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、膜パターン４０Ａを焼成する焼成用レーザ光６０が照射されるのに先行して焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍に、焼成用レーザ光６０に比べて低い温度で加熱する第１の加熱用レーザ光６１Ａを照射するようにした。従って、照射領域Ｓ２の膜パターン４０Ａから照射領域Ｓ１の膜パターン４０Ａに渡って緩慢に膨張するので、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａの熱膨張の度合いと、その近傍の照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａの熱膨張の度合いとの差に起因する応力を小さくすることができる。この結果、膜パターン４０Ａは破損しない。
（２）また、本実施形態によれば、膜パターン４０Ａを焼成する焼成用レーザ光６０が照射された後に、第２の加熱用レーザ光６１Ｂを照射して急激に室温に至るまで冷却しないようにした。従って、焼成が終了した膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）に加わる熱による応力は小さくなるので、膜パターン４０Ａは破損しない。
（３）従って、本実施形態によれば、配線パターン４０Ｂを備えた各種デバイスの歩留まりを向上させることができる。
（４）また、本実施形態によれば、焼成時において、その熱膨張による膜パターン４０Ａが破損するのを回避することができるので、使用する膜パターン４０Ａを構成する機能性材料の選択が広がる。
（５）本実施形態によれば、レーザ光照射ヘッド２４を、レーザ本体５１と回折光学素子レンズ５２とで構成した。そして、レーザ本体５１から出射したレーザ光５０を、焼成用レーザ光６０と加熱用レーザ光６１に形成した。従って、レーザ本体５１を、焼成用レーザ光６０及び加熱用レーザ光６１毎に用意する必要はないので、レーザ光照射ヘッド２４をコンパクトにすることができる。
（６）しかも、本実施形態によれば、焼成用レーザ光６０と加熱用レーザ光６１もレーザ光であるので、微細な形状をした均一な配線パターン４０Ｂを形成することができる。
（７）また、本実施形態によれば、インクジェット法を使用して所望の膜パターン４０Ａを形成するようにしたので、微細な膜パターン４０Ａを形成することができる。
（第２実施形態）
第２実施形態に係るレーザ成膜方法及びレーザ成膜装置を、図９〜図１１に従って説明する。

この第２実施形態に係るレーザ成膜装置２０は、加熱用レーザ光６１の形状が、上記第１実施形態と異なっていること以外は、上記第１実施形態と同じである。従って、加熱用レーザ光及び該加熱用レーザ光を出射するレーザ光照射ヘッド２４の回折光学素子以外の部材についてはその詳細な説明を省略する。

図９は、本実施形態に係る焼成用レーザ光を説明するための図である。
図９に示すように、本実施形態の回折光学素子５２Ｓは、レーザ本体５１（図１参照）から出射したレーザ光５０を、上記した焼成用レーザ光６０、第１及び第２の加熱用レーザ光６１Ａ，６１Ｂに加えて、さらに、焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍の基板２１を照射する第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄにする。

詳しくは、第３の加熱用レーザ光６１Ｃは、膜パターン４０Ａの図９中Ｙ矢印方向側で
あって照射領域Ｓ１の近傍に向かって照射される。第４の加熱用レーザ光６１Ｄは、膜パターン４０Ａの図９中反Ｙ矢印方向側であって照射領域Ｓ１の近傍に向かって照射される。また、各第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄは、照射領域Ｓ１から照射領域Ｓ２側（つまり、膜パターン４０Ａの長手方向に沿って図９中反Ｘ矢印方向側）に伸びた略長方形状のレーザ光である。さらに、各第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄは、基板２１を熱膨張させる程度のパワーのレーザ光である。

次に、第２実施形態に係るレーザ成膜装置２０の作用について図１０及び図１１に従って説明する。
まず、上記第１実施形態と同様に、図１０（Ａ）に示すように、キャリッジ２２を基板進行方向（図１０（Ａ）中Ｘ矢印方向）に搬送させながら、液滴吐出ヘッド２３から液滴３０を吐出して（図１参照）、同基板２１に膜パターン４０Ａを形成する（パターニング工程）。また、レーザ光照射ヘッド２４を駆動させてレーザ本体５１からレーザ光５０を連続して出射させる。

すると、先ず、第１の加熱用レーザ光６１Ａが、焼成用レーザ光６０に先行して膜パターン４０Ａに照射されて、図１０（Ｂ）に示すように、その照射領域Ｓ２が膜パターン４０Ａ上に重なり始める（電磁波照射工程）。

この結果、照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは加熱され始めるが、このときの照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは、その熱によって微小に熱膨張する。また、第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄが焼成用レーザ光６０に先行して膜パターン４０Ａ近傍の図１０（Ｂ）中Ｙ矢印方向側及び反Ｙ矢印方向側の基板２１に照射される。すると、照射領域Ｓ４，Ｓ５内の基板２１が、第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄによる熱によって熱膨張する。この照射領域Ｓ４，Ｓ５は、それぞれ焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍に至るまで膜パターン４０Ａの長手方向に沿って長い形状を成しているので、焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍に至るまで、基板２１は加熱され熱膨張する。

その後、キャリッジ２２が、図１０（Ｂ）中Ｘ矢印方向に向かって徐々に移動しながら継続してレーザ本体５１からレーザ光５０を照射する。
すると、図１０（Ｃ）に示すように、焼成用レーザ光６０が膜パターン４０Ａに照射され、その照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａが焼成され始める。焼成用レーザ光６０はパワーが大きいため、上記第１実施形態と同様に、その照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａが高温に加熱され熱膨張する。

このとき、焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍に至るまで、基板２１は加熱されているので、照射領域Ｓ１近傍の基板２１と、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａとの温度勾配は小さくなる。そして、照射領域Ｓ１近傍の基板２１は、微小に熱膨張しているので、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａの熱膨張の度合いと照射領域Ｓ１近傍の基板２１の熱膨張の度合いとの差は小さい。従って、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａの熱膨張の度合いと照射領域Ｓ１近傍の基板２１の熱膨張の度合いとの差に起因する応力は小さくなるので、照射領域Ｓ１中の膜パターン４０Ａが基板２１から剥離しない。

また、照射領域Ｓ１近傍の照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは、上記第１実施形態と同様に、先に第１の加熱用レーザ光６１Ａによって予め加熱されているので、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａとの温度勾配は小さくなる。そして、照射領域Ｓ１近傍の照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは、微小に熱膨張しているので、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａが局所的に大きく膨張するのではなく、照射領域Ｓ２の膜パターン４０Ａから照射領域Ｓ１の膜パターン４０Ａに渡って緩慢に膨張する。この結果、膜パターン４０Ａは
、局所的に焼成用レーザ光６０が照射されてその照射領域Ｓ１で破損することはない。

そして、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａは、熱膨張された後に、焼成初期→焼成中期→焼成後期を経る。この結果、膜パターン４０Ａ中の溶媒３２及び分散剤３３が分解・蒸発し、各金属微粒子３１同士が溶融して高い導電性を示す配線パターン４０Ｂとなる。

その後、さらに、キャリッジ２２が、図１０（Ｃ）中Ｘ矢印方向に向かって徐々に移動することで、図１１（Ａ）に示すように、第２の加熱用レーザ光６１Ｂが、先に焼成用レーザ光６０によって焼成された膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）上に照射され始める。従って、上記第１実施形態と同様に、焼成が終了した膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）は、その焼成による高温状態から急激に室温になるのではなく、徐々に冷却される。この結果、焼成が終了した膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）に加わる熱による応力は小さくなるので、膜パターン４０Ａが破損しない。

その後、キャリッジ２２が、図１１（Ｂ）中Ｘ矢印方向に向かって徐々に移動しながらレーザ本体５１からレーザ光５０を継続して照射する。この結果、膜パターン４０Ａ全体の焼成が行われる。

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、膜パターン４０Ａを焼成する焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍の基板２１に、基板２１を加熱する第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄを照射するようにした。従って、基板２１の熱膨張率が小さい場合であっても、基板２１を膜パターン４０Ａとともに熱膨張させることができるので、膜パターン４０Ａが基板２１から剥離することはない。この結果、基板２１に密着して付着した、破損が無い配線パターン４０Ｂを形成することができる。
（第３実施形態）
第３実施形態に係るレーザ成膜方法及びレーザ成膜装置を、図１２〜図１４に従って説明する。

図１２に示すように、第３実施形態に係るレーザ成膜装置２０は、基板２１上に、膜パターン４０Ａ以外に、その膜パターン４０Ａの近傍の基板２１上に、その長手方向（図１２中Ｘ矢印方向）に沿ってダミーパターン４０Ｓが形成されている。詳しくは、ダミーパターン４０Ｓは、上記第２実施形態の第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄが照射される照射領域Ｓ４，Ｓ５（図９参照）に一致するように、膜パターン４０Ａの近傍の基板２１上に形成される。このダミーパターン４０Ｓは、本実施形態においては、膜パターン４０Ａと同様に、液滴３０によって形成されている。そして、ダミーパターン４０Ｓは、膜パターン４０Ａを形成する際に同時に形成されるようになっている。

次に、第３実施形態に係るレーザ成膜装置２０の作用について図１３及び図１４に従って説明する。
まず、上記第１実施形態と同様に、図１３（Ａ）に示すように、キャリッジ２２を基板進行方向（図１３（Ａ）中Ｘ矢印方向）に搬送させながら、液滴吐出ヘッド２３から液滴３０を吐出して（図１参照）、同基板２１に膜パターン４０Ａを形成する（パターニング工程）。また、レーザ光照射ヘッド２４を駆動させてレーザ本体５１からレーザ光５０を連続して出射させる。

すると、先ず、第１の加熱用レーザ光６１Ａが、焼成用レーザ光６０に先行して膜パターン４０Ａに照射されて、図１３（Ｂ）に示すように、その照射領域Ｓ２が膜パターン４０Ａ上に重なり始める（電磁波照射工程）。この結果、照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは加熱され始めるが、このときの照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは、その熱によっ
て微小に熱膨張する。

その後、キャリッジ２２が、図１３（Ｂ）中Ｘ矢印方向に向かって徐々に移動しながら継続してレーザ本体５１からレーザ光５０を照射する。
すると、図１３（Ｃ）に示すように、第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄが焼成用レーザ光６０に先行してダミーパターン４０Ｓに照射される。ダミーパターン４０Ｓは、第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄによって加熱される。そして、その熱が基板２１に伝わる。この結果、ダミーパターン４０Ｓ周辺の基板２１が熱膨張する。そして、この第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄの照射領域Ｓ４，Ｓ５は、それぞれ焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍に至るまで膜パターン４０Ａの長手方向に沿って長い形状を成しているので、焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍に至るまでの基板２１が加熱され熱膨張する。

また、焼成用レーザ光６０が膜パターン４０Ａに照射され、その照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａが焼成され始める。その結果、上記第１実施形態と同様に、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａが熱膨張する。

このとき、焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍の基板２１は加熱されているので、照射領域Ｓ１近傍の基板２１と、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａとの温度勾配は小さくなる。そして、照射領域Ｓ１近傍の基板２１は、熱膨張しているので、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａの熱膨張の度合いと照射領域Ｓ１近傍の基板２１の熱膨張の度合いとの差は第２実施形態に比べてさらに小さくなる。この結果、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａの熱膨張の度合いと照射領域Ｓ１近傍の基板２１の熱膨張の度合いとの差に起因する応力は小さくなるので、照射領域Ｓ１中の膜パターン４０Ａが基板２１から剥離しない。

また、照射領域Ｓ１近傍の照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは、上記第１実施形態と同様に、先に第１の加熱用レーザ光６１Ａによって予め加熱されているので、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａとの温度勾配は小さくなる。そして、照射領域Ｓ１近傍の照射領域Ｓ２内の膜パターン４０Ａは、微小に熱膨張しているので、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａが局所的に大きく膨張するのではなく、照射領域Ｓ２の膜パターン４０Ａから照射領域Ｓ１の膜パターン４０Ａに渡って緩慢に膨張する。この結果、膜パターン４０Ａは、局所的に焼成用レーザ光６０が照射されてその照射領域Ｓ１で破損することはない。

そして、照射領域Ｓ１内の膜パターン４０Ａは、熱膨張された後に、焼成初期→焼成中期→焼成後期を経る。この結果、膜パターン４０Ａ中の溶媒３２及び分散剤３３が分解・蒸発し、各金属微粒子３１同士が溶融して高い導電性を示す配線パターン４０Ｂとなる。

その後、さらに、キャリッジ２２が、図１３（Ｃ）中Ｘ矢印方向に向かって徐々に移動することで、図１４（Ａ）に示すように、第２の加熱用レーザ光６１Ｂが、先に焼成用レーザ光６０によって焼成された膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）上に照射され始める。従って、上記第１実施形態と同様に、焼成用レーザ光６０が照射された後の膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）は、急激にその温度が室温に至るまで下がるのではなく、一端、第２の加熱用レーザ光６１Ｂによって加熱される温度まで下がった後に、徐々に室温に至るまで冷却される。この結果、焼成が終了した膜パターン４０Ａ（配線パターン４０Ｂ）に加わる応力は小さくなるので、膜パターン４０Ａは破損しない。尚、図１４（Ａ），（Ｂ）において、その焼成が終了した領域を網掛けで示している。

その後、キャリッジ２２が、図１４（Ｂ）中Ｘ矢印方向に向かって徐々に移動しながらレーザ本体５１からレーザ光５０を継続して照射する。この結果、膜パターン４０Ａ全体
の焼成が行われる。

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、膜パターン４０Ａを焼成する焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍の基板２１に、基板２１を加熱する第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄを照射するようにした。また、第３及び第４の加熱用レーザ光６１Ｃ，６１Ｄが照射される基板２１上にダミーパターン４０Ｓを設けた。従って、基板２１が、たとえば、熱吸収率が低い基板であっても、基板２１の焼成用レーザ光６０の照射領域Ｓ１の近傍が加熱されるので、膜パターン４０Ａが基板２１から剥離することはない。この結果、基板２１に密着して付着した、破損が無い配線パターン４０Ｂを形成することができる。

（２）本実施形態によれば、ダミーパターン４０Ｓは、膜パターン４０Ａと同じ液滴３０によって形成したので、同じ液滴吐出ヘッド２３を使用して膜パターン４０Ａとダミーパターン４０Ｓとを形成することができる。この結果、膜パターン４０Ａとダミーパターン４０Ｓとを同時に形成することができることにより、短時間で配線パターン４０Ｂを形成することができる。
（第４実施形態）
次に、上記第１〜第３実施形態で説明した機能性膜パターン形成装置或いは機能性膜パターン形成方法により形成された配線パターンを備えた電子機器の一例として、プラズマディスプレイを図１５に基づいて説明する。

図１２に示すプラズマディスプレイ７０は、表示ユニット７１と、スピーカー７２と、複数の操作ボタン７３とを備えている。この表示ユニット７１の素子基板（図示省略）上には、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線とデータ線の交差に対応してマトリクス状に配置され、発光素子をそれぞれ有する複数の画素とが形成されている。走査線やデータ線等の配線パターンが上記各実施形態で説明した機能性膜パターン形成装置或いは機能性膜パターン形成方法により形成される。

従って、このプラズマディスプレイ７０によれば、機能性膜パターン形成装置或いは機能性膜パターン形成方法により機能性膜パターンとしての配線パターンを形成することで、配線パターンを破損がなく確実に形成することができるので、歩留まりを向上させることのできるプラズマディスプレイ７０を製造することができる。

尚、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
・上記第１実施形態では、レーザ成膜装置２０を使用して、機能膜パターンとして配線パターン４０Ｂを形成したが、レーザ成膜装置２０を使用して、他のパターンを形成するようにしていもよい。たとえば、絶縁膜パターンを形成ようにしてもよい。この場合、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
・上記各実施形態では、機能性液状材料を基板２１上に付着させるパターニング手段としての液滴吐出ヘッド２３と、レーザ光照射ヘッド２４とを備えたレーザ成膜装置２０について一例として説明した。つまり、インクジェット法により機能性液状材料を基板上に付着させる装置（液滴吐出ヘッド２３）と、レーザ光照射ヘッド２４を備えたレーザ成膜装置２０について説明した。本発明はこのような構成の機能性膜パターン形成装置に限定されない。本発明は、マイクロディスペンス法により機能性液状材料を基板上に付着させる装置（パターニング手段）と、レーザ光照射ヘッド２４を備えた機能性膜パターン形成装置にも適用される。また、本発明は、スクリーン印刷法により機能性液状材料を基板上に付着させる装置（パターニング手段）と、レーザ光照射ヘッド２４を備えた機能性膜パターン形成装置にも適用される。

・上記各実施形態では、電磁波としてレーザ光５０を出射するレーザ本体５１を備えた
レーザ光照射ヘッド２４を用いているが、膜パターン４０Ａに照射する電磁波はレーザ光に限らない。本発明は、レーザ光以外の単波長の光、例えば白色光源から出射される光から１或いは複数の光学フィルタ等で抽出したある波長の光を使用してもよい。

・上記第１実施形態では、レーザ本体５１としてＮｄ：ＹＡＧレーザ（第２高調波、波長：５３２ｎｍ）を用いた構成について一例として説明したが、本発明は、レーザ本体５１としてＮｄ：ＹＡＧレーザ（第２高調波、波長：５３２ｎｍ）以外のレーザ光を用いる構成に広く適用可能である。

・上記各実施形態では、機能性材料としての金属微粒子として銀の微粒子を用いているが、金属微粒子として、銀以外に、金、銅、アルミニウム等を微粒子化したものを用いても良い。

・上記各実施形態では、機能性膜パターンの一例として、配線パターンを形成する場合について説明したが、本発明は、有機ＥＬ素子の有機エレクトロルミネッセンス層、カラーフィルタ、ＩＣタグの配線パターン等を形成するのに適用可能である。つまり、本発明は、金属配線パターンのように、金属微粒子（微粒子化された機能性材料）を分散剤で被覆したものが溶媒に分散している機能性液状材料を、焼成（乾燥、焼結）して機能性膜パターンである配線パターンが作られるものに広く適用可能である。

第１実施形態に係るレーザ成膜装置を示す構成図。 第１実施形態に係る膜パターンの上面図。 第１実施形態に係る焼成用レーザ光の形状を説明するための図。 液滴（機能性材料）の吸収スペクトル。 （Ａ）は、溶媒に起因する吸収スペクトル、（Ｂ）は、分散剤に起因する吸収スペクトル、（Ｃ）は、金属微粒子（溶質）に起因する吸収スペクトル。 （Ａ）は、焼成初期の吸収スペクトル、（Ｂ）は、焼成中期の吸収スペクトル、（Ｃ）は、焼成後期の吸収スペクトル。焼成過程毎の膜パターンの吸収スペクトル。 （Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ第１実施形態に係る焼成用レーザ光による膜パターンの焼成を説明するための図。 同じく、（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ第１実施形態に係る焼成用レーザ光による膜パターンの焼成を説明するための図。 第２実施形態に係る焼成用レーザ光の形状を説明するための図。 （Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ第２実施形態に係る焼成用レーザ光による膜パターンの焼成を説明するための図。 同じく、（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ第２実施形態に係る焼成用レーザ光による膜パターンの焼成を説明するための図。 第３実施形態に係る膜パターンの上面図。 （Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ第３実施形態に係る焼成用レーザ光による膜パターンの焼成を説明するための図。 同じく、（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ第３実施形態に係る焼成用レーザ光による膜パターンの焼成を説明するための図。 第４実施形態に係る電子機器としてのプラズマディスプレイを示す斜視図。

符号の説明

２０…機能性膜パターン形成装置としてのレーザ成膜装置、２１…基板、２３…パターニング手段としての液滴吐出ヘッド、２４…電磁波照射手段としてのレーザ光照射ヘッド、３０…機能性液状材料としての液滴、４０Ａ…膜パターン、４０Ｓ…ダミーパターン、
５１…電磁波出射本体としてのレーザ本体、５２…光学素子としての回折光学素子、５５，５５Ｓ…電磁波としての焼成用レーザ光、７０…電子機器としてのプラズマディスプレイ。

Claims (17)

1. 基板上に機能性液状材料を付着させて所定の形状の膜パターンを形成するパターニング手段と、
   前記膜パターンを焼成するための焼成用電磁波と、前記焼成用電磁波の照射領域の近傍に照射されその焼成用電磁波の照射領域の近傍を加熱するための加熱用電磁波と、を照射する電磁波照射手段と
   を備えていることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。
2. 請求項１に記載の機能性膜パターン形成装置において、
   前記加熱用電磁波は、前記焼成用電磁波に比べてパワーが小さいことを特徴とする機能性膜パターン形成装置。
3. 請求項１または２に記載の機能性膜パターン形成装置において、
   前記加熱用電磁波は、前記焼成用電磁波の照射領域の近傍にある前記膜パターン上に照射されることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。
4. 請求項１または２に記載の機能性膜パターン形成装置において、
   前記加熱用電磁波は、前記焼成用電磁波の照射領域の近傍にある前記基板上に照射されることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。
5. 請求項４に記載の機能性膜パターン形成装置において、
   前記基板は、前記膜パターンの近傍にダミーパターンを備えており、
   前記加熱用電磁波は、前記ダミーパターン上に照射されることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。
6. 請求項５に記載の機能性膜パターン形成装置において、
   前記ダミーパターンは、前記膜パターンを構成する前記機能性液状材料で構成されていることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一つに記載の機能性膜パターン形成装置において、
   前記電磁波照射手段は、
   所定の波長を有する第１の電磁波を出射する電磁波出射本体と、
   前記電磁波出射本体から出射された前記第１の電磁波を、前記焼成用電磁波と前記加熱用電磁波とから成る第２の電磁波に形成にする光学素子と
   を含むことを特徴とする機能性膜パターン形成装置。
8. 請求項７に記載の機能性膜パターン形成装置において、
   前記光学素子は、回折光学素子であることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一つに記載の機能性膜パターン形成装置において、
   前記電磁波照射手段から出射される前記焼成用電磁波及び前記加熱用電磁波のうち少なくともいずれか一方は、レーザ光であることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一つに記載の機能性膜パターン形成装置において、
    前記パターニング手段は、液体プロセス法により前記膜パターンを形成する装置であることを特徴とする機能性膜パターン形成装置。
11. 基板上に機能性液状材料を付着させて所定の形状の膜パターンを形成するパターニング工程と、
    前記膜パターンを焼成する焼成用電磁波を前記膜パターン上の所定の領域に照射するとともに、前記焼成用電磁波が照射される前記所定の領域の近傍を加熱する加熱用電磁波を照射する電磁波照射工程と
    を含むことを特徴とする機能性膜パターンの形成方法。
12. 請求項１１に記載の機能性膜パターンの形成方法において、
    前記電磁波照射工程は、前記焼成用電磁波が照射される前記所定の領域の近傍に、前記焼成用電磁波に先行して前記加熱用電磁波を照射するようにしたことを特徴とする機能性膜パターンの形成方法。
13. 請求項１１または１２に記載の機能性膜パターンの形成方法において、
    前記電磁波照射工程は、前記加熱用電磁波を、前記焼成用電磁波が照射される前記所定の領域の近傍にある前記膜パターン上に照射することを特徴とする機能性膜パターンの形成方法。
14. 請求項１１または１２に記載の機能性膜パターンの形成方法において、
    前記電磁波照射工程は、前記加熱用電磁波を、前記焼成用電磁波が照射される前記所定の領域の近傍にある前記基板上に照射することを特徴とする機能性膜パターンの形成方法。
15. 請求項１４に記載の機能性膜パターンの形成方法において、
    前記パターニング工程は、さらに、前記膜パターンの近傍の前記基板上にダミーパターンを形成し、
    前記電磁波照射工程は、前記加熱用電磁波を前記ダミーパターンに照射するようにしたことを特徴とする機能性膜パターンの形成方法。
16. 請求項１１乃至１５のいずれか一つに記載の機能性膜パターン形成装置において、
    前記パターニング工程は、液体プロセス法により前記膜パターンを形成するようにしたことを特徴とする機能性膜パターンの形成方法。
17. 請求項１乃至１０のいずれか一つに記載の機能性膜パターン形成装置で形成された機能性膜パターンを備えることを特徴とする電子機器。

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