JP2006527477A - 界面活性剤膜を用いるレーザ切削加工 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (45)
- (a)レーザ切削加工の間に生み出される切削屑が、レーザ切削加工される加工物(12)の表面に付着するのを減らすために、前記表面上に界面活性剤を供給して、界面活性剤膜(11)を施すステップと、
(b)前記表面から、前記加工物をレーザ切削加工するステップと、
を含むことを特徴とする、前記加工物をレーザ切削加工する方法。 - 前記界面活性剤が、前記加工物の事前洗浄処理において塗布されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤膜(11)を少なくとも一部乾燥させた後で、前記加工物をレーザ切削加工するさらなるステップを含むことを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給するステップが、バッチ処理において、複数の加工物の表面上に界面活性剤を供給した後で、前記加工物をレーザ切削加工する処置を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- レーザ切削加工の後で、前記界面活性剤膜(11)を、前記レーザ切削加工から前記界面活性剤膜(11)上に被着したどんな切削屑(151)ともいっしょに除去するさらなるステップを含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給するステップが、前記加工物の表面が溶けないような溶剤に溶ける界面活性剤を供給する処置を含み、また、前記界面活性剤膜を除去するステップが、前記溶媒に前記界面活性剤膜を溶かす処置を含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記溶剤が水であることを特徴とする請求項6に記載のレーザ加工切削方法。
- 前記加工物をレーザ切削加工するステップが、前記加工物へのレーザ・スクライビング、レーザ・ダイシング、および、レーザ・ビア穴明けの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のレーザ加工切削方法。
- 前記加工物をレーザ切削加工するステップが、多層加工物をレーザ切削加工する処置を含むことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のレーザ加工切削方法。
- 前記多層加工物をレーザ切削加工するステップが、半導体ウェーハ、および前記半導体ウェーハの活性領域を形成する関連層を含むことを特徴とする請求項9に記載のレーザ加工切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給するステップが、前記界面活性剤膜を前記表面上にスプレーで被着させる処置を含むことを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給するステップが、前記界面活性剤膜を前記表面上にナイフ・エッジで被着させる処置を含むことを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給するステップが、前記界面活性剤膜を前記表面上にローラで被着させる処置を含むことを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給するステップが、前記加工物の前記表面を界面活性剤溶液に浸漬する処置を含むことを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給するステップが、切削加工されるウェーハのバッチを、界面活性剤溶液に浸す処置を含むことを特徴とする請求項14に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給するステップが、アニオン、非イオン、または両性の界面活性剤を供給する処置を含むことを特徴とする請求項1から15のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給するステップが、ほぼすべての表面を濡らすくらい充分高度の濡れ性を持つ界面活性剤膜を、前記表面に塗布する処置を含むことを特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記レーザ切削加工するステップが、切削加工パラメータの最適化を含み、また、このような最適化が、切削屑(15)が前記界面活性剤膜に付着するのを最小限に抑えようとする処置を含むことを特徴とする請求項1から17のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤膜を除去するステップが、スピン・リンス・ドライ処理を含むことを特徴とする請求項5に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記レーザ切削加工するステップが、前記加工物をレーザ・スクライブする処置を含み、また、前記界面活性剤膜を除去するステップが、ダイシング・ソーを利用する後続ダイシング・ステップに用いられる冷却剤を用いて、前記界面活性剤の薄膜と、任意の切削屑を少なくとも一部除去する処置を含むことを特徴とする請求項5に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記レーザ切削加工するステップが、前記レーザ切削加工ステップにおいて生み出される固形の切削屑を減らすために、前記レーザ切削加工用のガス環境を提供する処置を含むことを特徴とする請求項1から20のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給するステップが、液体キャリアに溶かされたか、または液体キャリア中に漂っている界面活性剤を前記表面に塗布して、前記液体キャリアを、前記表面から蒸発させる処置を含むことを特徴とする請求項1から21のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記界面活性剤を供給して、界面活性剤の薄膜(11)を形成するステップが、前記加工物上に前記界面活性剤の薄膜の像を得て、前記像を、界面活性剤の最適な薄膜を持つ加工物の基準像と比較し、また、前記像が、前記基準像とは充分に比較できない場合には、前記加工物を洗浄し、界面活性剤を前記加工物の前記表面上に再び供給するステップを含むことを特徴とする請求項1から22のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- 前記像を基準像と比較するステップが、前記像を、表面上に界面活性剤が余分にある加工物の第2の基準像と、表面上に界面活性剤が不足している加工物の第3の基準像の少なくとも1つと比較する処置を含むことを特徴とする請求項23に記載のレーザ切削加工方法。
- 界面活性剤を前記加工物の表面上に供給するステップが、xyテーブル上のウェーハに前記界面活性剤を供給する前に、カメラと、関連するハードウェアおよびソフトウェアを使用して、前記ウェーハを、前記ウェーハを切削加工するレーザ装置の機械座標、あるいは前記レーザ装置のレーザに揃え、前記xyテーブル上の所定の位置に前記ウェーハを締め付けた後で、前記界面活性剤が前記xyテーブル上の前記ウェーハに供給されるようにするステップを含むことを特徴とする請求項1から24のいずれか一項に記載のレーザ切削加工方法。
- (a)ウェーハ・キャリア手段(51)からウェーハ(12)を除去するステップと、
(b)前記ウェーハを界面活性剤供給ステーション(53)に運んで、前記ウェーハの前記表面に界面活性剤膜(11)を塗布して、塗膜ウェーハを形成するステップと、
(c)前記塗膜ウェーハをレーザ切削加工ステーション(54)に運び、前記塗膜ウェーハをレーザ切削加工して、切削加工された塗膜ウェーハを形成して、前記レーザ切削加工からの切削屑(151)が、前記界面活性剤膜上に被着するようにするステップと、
(d)前記切削加工された塗膜ウェーハを、界面活性剤除去ステーション(55)に運んで、前記界面活性剤膜と、前記界面活性剤膜上に被着した前記切削屑(151)を除去して、塗膜なしの切削加工されたウェーハを形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項5に記載のレーザ切削加工方法。 - 切削加工される加工物(12)の表面に界面活性剤膜(11)を塗布して、レーザ切削加工装置によるレーザ切削加工の間に生み出される切削屑(151)が、前記表面に付着するのを減らすように構成された界面活性剤供給手段を備えることを特徴とするレーザ切削加工装置。
- 前記界面活性剤供給手段が、事前洗浄手段を備えることを特徴とする請求項27に記載のレーザ切削加工装置。
- レーザ切削加工装置のレーザ切削加工の間に前記界面活性剤膜上に被着したどんな切削屑(151)ともいっしょに、前記界面活性剤膜(11)を前記表面から除去するための界面活性剤膜除去手段(55)をさらに備えることを特徴とする請求項27または28に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記界面活性剤膜除去手段が、スピン・リンス・ドライ手段を備えることを特徴とする請求項29に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記界面活性剤膜除去手段が、事後洗浄手段を備えることを特徴とする請求項29に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記事前洗浄手段と前記事後洗浄手段が、同一の洗浄手段であることを特徴とする請求項31に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記加工物へのレーザ・スクライビング、レーザ・ダイシング、および、レーザ・ビア穴明けの少なくとも1つを行うように構成されていることを特徴とする請求項27から32のいずれか一項に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記界面活性剤供給手段が、スプレー式被着手段(21)を備えることを特徴とする請求項27から33のいずれか一項に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記界面活性剤供給手段が、ナイフ・エッジ式被着手段(31)を備えることを特徴とする請求項27から33のいずれか一項に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記界面活性剤供給手段が、ローラ式被着手段(41)を備えることを特徴とする請求項27から33のいずれか一項に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記界面活性剤供給手段が、複数の加工物をバッチ浸漬するための浸漬手段を備えることを特徴とする請求項27から33のいずれか一項に記載のレーザ切削加工装置。
- レーザ切削加工において生み出される固形の切削屑(15)を減らすように構成されたレーザ切削加工用のガス環境を作り出すために、ガス環境制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項27から33のいずれか一項に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記表面に薄膜を被着させた後で、少なくとも一部、前記表面を乾かせるように構成された乾燥手段をさらに備えることを特徴とする請求項27から38のいずれか一項に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記加工物の前記表面上に前記界面活性剤膜の像を得る結像手段と、前記像を、少なくとも1つの基準像と比較して、前記界面活性剤の前記薄膜が、レーザ切削加工に充分最適化されるかどうか判定する像比較手段をさらに備えることを特徴とする請求項27から39のいずれか一項に記載のレーザ切削加工装置。
- レーザ切削加工される加工物(12)の表面に前記界面活性剤膜(11)を塗布し、塗膜加工物を作り出すことで、レーザ切削加工の間に生み出される切削屑(15)が、前記表面に付着するのを減らす界面活性剤供給ステーション(53)と、
前記塗膜加工物を切削加工するレーザ切削加工ステーション(54)と、
レーザ切削加工の後で、前記レーザ切削加工から前記界面活性剤膜上に被着したどんな切削屑(151)ともいっしょに、前記界面活性剤膜(11)を除去する界面活性剤膜除去ステーション(55)と、
前記界面活性剤供給ステーション(53)から前記レーザ切削加工ステーション(54)に、また前記レーザ切削加工ステーション(54)から前記界面活性剤膜除去ステーション(55)に前記加工物を運ぶトランスポート手段(560、561、562、563、564)と、
を備えることを特徴とする請求項29に記載のレーザ切削加工装置。 - 加工物のレーザ切削加工の間に生み出される切削屑(15)が少なくとも1つの表面に付着するのを減らすように構成された界面活性剤膜(11)を、前記少なくとも1つの表面上に塗布した加工物(12)。
- 前記界面活性剤膜が、レーザ切削加工の後で、前記少なくとも1つの表面に著しい損傷を及ぼすことなく除去できる請求項42に記載の加工物。
- 前記界面活性剤膜の厚さが、10ミクロン以下である請求項42または43に記載の加工物。
- 前記界面活性剤膜が、アニオン、イオン、または両性の薄膜である請求項42ないし44のいずれか一項に記載の加工物。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009046353A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Neos Co Ltd | ガラス加工時のガラス表面への切り屑付着防止方法 |
JP2013175642A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハのレーザー加工方法 |
WO2016152932A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
JP2017045768A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4648056B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP4903523B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-03-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法 |
WO2010144778A2 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for laser-scribed line alignment |
CN102905833A (zh) * | 2010-03-26 | 2013-01-30 | 完美点Edm公司 | 用于割离紧固件头部的方法和装置 |
WO2012060831A1 (en) * | 2010-11-03 | 2012-05-10 | Perfect Point Edm Corporation | Devices and methods for dissecting fastener head and sleeve buffer |
KR102362654B1 (ko) | 2015-07-03 | 2022-02-15 | 삼성전자주식회사 | 오븐 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS554980A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Home Electronics Ltd | Semicondutor device manufacturing method |
JPS5638057B2 (ja) * | 1976-10-12 | 1981-09-03 | ||
JPS5747933B2 (ja) * | 1976-07-14 | 1982-10-13 | ||
JPS58110190A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Toshiba Corp | レ−ザ加工方法 |
JPH0514432B2 (ja) * | 1983-08-15 | 1993-02-25 | Handotai Energy Kenkyusho | |
JPH05185269A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-27 | Fujitsu Ltd | レーザアブレーション加工方法 |
JPH05211381A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-08-20 | Nec Corp | 混成集積回路の製造方法 |
JPH08132260A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-28 | Canon Inc | レーザ加工方法およびこれを用いた液体噴射記録ヘッドの製造方法 |
JPH11191540A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Sharp Corp | 固体材料ダイシング方法 |
JP2000319038A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-11-21 | Corning Inc | ガラス製品を一時的に保護する方法 |
JP2001118781A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | United Microelectronics Corp | ビデオセンサ利用のレジストコーティング状況検査方法及び装置 |
WO2002076666A2 (en) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Xsil Technology Limited | A laser machining system and method |
JP2002329686A (ja) * | 2001-04-30 | 2002-11-15 | Kulicke & Soffa Investments Inc | 半導体ウェハを個々分割するための装置および方法 |
JP2003285192A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-07 | Kyocera Corp | セラミック基板へのレーザー加工方法 |
JP2005150523A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
US20050139962A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-06-30 | Dani Ashay A. | Silicon wafer with soluable protective coating |
JP2006514886A (ja) * | 2003-02-19 | 2006-05-18 | ジェイピー・サーセル・アソシエイツ・インコーポレーテッド | 可変非点焦点ビームスポットを用いたカッティング装置及びその方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5347270U (ja) | 1976-09-24 | 1978-04-21 | ||
JPS5747933Y2 (ja) | 1976-11-15 | 1982-10-21 | ||
US4532403A (en) * | 1984-04-16 | 1985-07-30 | United Technologies Corporation | Weld spatter protective coating |
SU1636231A1 (ru) | 1988-07-21 | 1991-03-23 | Рославльский завод алмазного инструмента | Способ получени алмазных волок |
JP2680897B2 (ja) | 1989-07-31 | 1997-11-19 | 株式会社日平トヤマ | レーザ加工システム |
JP2748727B2 (ja) | 1991-06-28 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | 搬送波同期回路 |
JPH07106238A (ja) | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2845738B2 (ja) * | 1993-10-28 | 1999-01-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板処理装置の基板回転保持具 |
JPH07185875A (ja) | 1993-12-24 | 1995-07-25 | Nissin Electric Co Ltd | パルスレーザによる材料加工方法 |
EP0731490A3 (en) | 1995-03-02 | 1998-03-11 | Ebara Corporation | Ultra-fine microfabrication method using an energy beam |
US5718615A (en) * | 1995-10-20 | 1998-02-17 | Boucher; John N. | Semiconductor wafer dicing method |
US5641416A (en) * | 1995-10-25 | 1997-06-24 | Micron Display Technology, Inc. | Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies |
JP3012926B1 (ja) * | 1998-09-21 | 2000-02-28 | 工業技術院長 | 透明材料のレーザー微細加工法 |
US6344402B1 (en) * | 1999-07-28 | 2002-02-05 | Disco Corporation | Method of dicing workpiece |
US6287879B1 (en) * | 1999-08-11 | 2001-09-11 | Micron Technology, Inc. | Endpoint stabilization for polishing process |
US6468362B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers |
JP4697823B2 (ja) | 2000-05-16 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | 脆性基板の分割方法 |
JP3544343B2 (ja) | 2000-06-16 | 2004-07-21 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路の不良チップ除外装置 |
KR100676249B1 (ko) | 2001-05-23 | 2007-01-30 | 삼성전자주식회사 | 기판 절단용 냉매, 이를 이용한 기판 절단 방법 및 이를수행하기 위한 장치 |
US6797404B2 (en) * | 2001-09-07 | 2004-09-28 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Anti-spatter coating for laser machining |
DE10391811B4 (de) * | 2002-02-25 | 2012-06-21 | Disco Corp. | Verfahren zum Zerlegen eines Halbleiterwafers |
JP2004188475A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法 |
JP2004322168A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2005324217A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Yasuo Fukutani | 溶接スパッタ付着防止剤 |
JP4571850B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2010-10-27 | 東京応化工業株式会社 | レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法 |
JP5347270B2 (ja) | 2008-01-08 | 2013-11-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその制御方法 |
JP5747933B2 (ja) | 2013-03-27 | 2015-07-15 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
-
2004
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2012
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Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5747933B2 (ja) * | 1976-07-14 | 1982-10-13 | ||
JPS5638057B2 (ja) * | 1976-10-12 | 1981-09-03 | ||
JPS554980A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Home Electronics Ltd | Semicondutor device manufacturing method |
JPS58110190A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Toshiba Corp | レ−ザ加工方法 |
JPH0514432B2 (ja) * | 1983-08-15 | 1993-02-25 | Handotai Energy Kenkyusho | |
JPH05211381A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-08-20 | Nec Corp | 混成集積回路の製造方法 |
JPH05185269A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-27 | Fujitsu Ltd | レーザアブレーション加工方法 |
JPH08132260A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-28 | Canon Inc | レーザ加工方法およびこれを用いた液体噴射記録ヘッドの製造方法 |
JPH11191540A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Sharp Corp | 固体材料ダイシング方法 |
JP2000319038A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-11-21 | Corning Inc | ガラス製品を一時的に保護する方法 |
JP2001118781A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | United Microelectronics Corp | ビデオセンサ利用のレジストコーティング状況検査方法及び装置 |
WO2002076666A2 (en) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Xsil Technology Limited | A laser machining system and method |
JP2002329686A (ja) * | 2001-04-30 | 2002-11-15 | Kulicke & Soffa Investments Inc | 半導体ウェハを個々分割するための装置および方法 |
JP2003285192A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-07 | Kyocera Corp | セラミック基板へのレーザー加工方法 |
JP2006514886A (ja) * | 2003-02-19 | 2006-05-18 | ジェイピー・サーセル・アソシエイツ・インコーポレーテッド | 可変非点焦点ビームスポットを用いたカッティング装置及びその方法 |
JP2005150523A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
US20050139962A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-06-30 | Dani Ashay A. | Silicon wafer with soluable protective coating |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009046353A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Neos Co Ltd | ガラス加工時のガラス表面への切り屑付着防止方法 |
JP2013175642A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハのレーザー加工方法 |
WO2016152932A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
JPWO2016152932A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2017-07-06 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
JP2017045768A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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