JPH0514432B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光電変換装置に代表される半導体
装置を作製する際に用いられるレーザ加工装置並
びにそのレーザ加工装置を用いた半導体装置の作
製方法に関するものである。

〔従来の技術〕

光電変換装置に代表される半導体装置を作製す
る際に、レーザ・スクライブ（レーザ光を用いた
加工方法）を用いることが知られている。

従来のレーザ・スクライブにおいては、１つの
開溝またはパターンを被加工面に大気中で施すこ
とが行われていた。しかしかかる大気中では、開
溝部の被加工物の一部またはその低級酸化物が開
溝底部に残存したり、また周辺部にバリとして飛
着してしまい、シヤープ・エツヂ（明確な端部を
有するという意味）を有する開溝を作ることがで
きなかつた。

また、従来のレーザ・スクライブにおいては、
レーザ光が照射された部分を超高温に加熱して気
化・除去するのみであり、単なる熱のみによる加
工であつた。加えて従来はこの大気が室温である
ため、気化して飛散する際、飛翔物が急冷され、
飛翔直後に急冷された飛翔物の一部が開溝の底部
または凹部に一部残存してしまつていた。また、
さらに上面にはバリといわれる凸部が第４図Ａに
示すごとく大きく存在してしまう傾向が強かつ
た。

この残存物が存在しているために、導電膜を開
溝によりそれぞれの領域に電気的に分離した場合
に、分離した導電膜の領域間においてリーク電流
が発生してしまつていた。このため、従来のレー
ザ・スクライブは光電変換装置等の半導体装置を
作製するために用いることが困難であつた。

そして、従来のレーザ・スクライブを用いて集
積型の光電変換装置を作製した場合、製造歩留り
が極めてばらつき、工業的に実用性が低かつた。

上記のようなレーザ・スクライブ時における開
溝部の残存物の問題を解決する方法として、レー
ザ・スクライブを硝酸または塩酸系の化学液体に
浸された被加工面に対し行う方法が考えられてい
る。この方法は、硝酸または塩酸系の化学液体に
よつて、前述のレーザ・スクライブ時において発
生する残存物を除去しようとするものである。し
かしかかる液体を用いる方法においては、このレ
ーザ・スクライブの完了した後、被加工面の化学
液体を十分洗浄しなければならず、多量生産を行
なうには実用性がまつたくなかつた。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、レーザ・スクライブを用いて開溝を
形成する際に、開溝部に被加工物の残存物が残ら
ないような方法でレーザ・スクライブを行う方法
並びにそのレーザ・スクライブを行う装置を発明
することを目的とする。

〔発明の構成〕

この発明は、半導体装置の作製に必要な薄膜の
加工に気相中での化学反応を伴つたレーザ・スク
ライブを用いることを特徴とする。

本発明は、基板上に設けられた導体または半導
体の薄膜に開溝を形成するに際し、被加工面にハ
ロゲン元素を含む気体を吹きつけ、同時にレーザ
光を照射することにより、開溝を形成させつつハ
ロゲン元素を分解し、かつこの分解・活性化した
ハロゲン元素とレーザ光照射により発生する開溝
部の溶融物または飛散物とを反応せしめ、飛散物
が被加工面である開溝の底面または周辺部に残存
しないようにするという本願出願人による特許願
58−072559（昭和58年４月25日出願）をさらに改
良したものである。

本発明は、上記構成において、レーザ光を照射
すると同時にハロゲン元素を含んだ気体を噴射す
ることができるノズルを用いたことを特徴とする
ものである。

すなわち、本発明の構成においては、レーザ光
が発射されるノズルと、ハロゲン元素を含む気体
を被加工面に吹きつけるためのノズルとを兼用す
ることを特徴とするものである。

また、この発明はハロゲン元素を含む気体の化
学的活性化を促すため、ノズルにおいてこのハロ
ゲン元素を含む気体をプラズマ化させることを特
徴とするものである。

このノズルにおけるハロゲンガスのプラズマ化
の方法としては、ノズルの端部に一対の電極を設
け、この電極に放電を行なわすことにより、プラ
ズマ分解を行う方法をとることが出来る。

本発明の構成を応用する技術の一例としては、
絶縁表面を有する基板上に第１の導電性被膜より
なる第１の電極、非単結晶半導体被膜、さらにこ
の上面に第２の導電性被膜よりなる第２の電極と
を積層して形成する光電変換装置のそれぞれの薄
膜の加工を本発明の化学反応を従つたレーザ・ス
クライブを用いて行なう技術を上げることができ
る。

本発明において用いられるハロゲン元素は、被
加工物を構成する材料がハロゲン元素と結合し、
ハロゲン化物となつた場合に、このハロゲン化物
が気体となるように選択される。即ち例えば珪素
においては弗素スズ、アルミニユーム等の導体に
関しては塩化物が一般に選ばれ用いられる。

以下実施例を示し、本発明の構成を実施例に即
して説明する。

〔実施例〕

本実施例は、本発明の構成を利用して集積化さ
れた光電変換装置を作製した実施例である。

本実施例においては、ハロゲン元素を含む気体
を１〜50ｍ／秒で直径50〜100μφ例えば100μφの
微細穴より被加工面に吹きつけて、被加工面での
バリの発生を防いだものである。

さらに、レーザ・スクライブ時おける開溝部で
の電気的絶縁、または連結を設計仕様に基づいて
行うために、その領域での低級絶縁酸化物（半導
電性をも有する）が残存しないようにレーザ・ス
クライブと気相中での化学反応を併用して行うこ
とを特徴とするものである。

本実施例は、従来の方法の欠点を除去し、工業
的に多量生産が可能な完全ドライ方法であつて、
レーザ・スクライブによつて被形成面に形成され
る開溝部において、シヤープ・エツヂを有せしめ
たものである。

以下に図面に従つて本実施例において作製され
る集積型の光電変換装置、そしてこの光電変換装
置を作製する際に用いられるレーザ・スクライブ
装置の構成を説明する。

第１図は本発明のレーザ・スクライブすなわち
レーザ加工処理に用いる装置のブロツク図であ
り、また第２図はそのノズル部を拡大して示した
ものである。

これら図面において、レーザ加工機５０はレー
ザ発振機２１、制御系５１、XYテーブル５２等
よりなつている。レーザ発振機２１は1.06μｍの
YAGレーザ（周波数１〜30KHz、ビーム径10〜
80μｍφ例えば50μｍφ、出力0.1〜8W例えば1W）
を用いた。レーザ光はコリオメータ２２を経て、
ハーフミラー（選択反射金属）２３より吹きつけ
ノズル３０、集光レンズ３５を経て基板１上の被
加工面５に至る。

他方、光学的位置検出系５１はランプ２４より
ハーフミラー２５を経て被加工面５に至り、反射
光がミラー２５を通過して検知器２６に至る。こ
の検知器２６では被加工面での開溝１８の位置情
報を検出し、コンピユータ２７にこの情報を入力
する。

このコンピユータ２７にはメモリ２８にて第２
の開溝１９の相対的な位置をプログラムされてい
るため、これと第１の加工部の開溝１８の位置と
を重合わせて第２の開溝１９の位置、パターンを
レーザ加工機５０の発振機２１に入力させる。同
様に、位置をXYテーブル５２の制御系２９に入
力させる。かくして、このXYテーブル５２のシ
フトを完了した後、このレーザ発振機２１は第１
の開溝１８より所定の距離ずれた（移動させて）
位置（座標）に第２の開溝１９を形成せしめるこ
とが可能となる。

また、この第１図に示す装置を用いることによ
つて、第１の開溝をたえず検知することができる
ため、この第１の開溝１８の位置を検知しつつ第
２の開溝１９の作製を行なうことが可能となつ
た。

またXYテーブル５２上方（一般には被加工面
と吹きつけ口との距離は0.5〜２mm離した）にハ
ロゲン元素気体の吹きつけ用ノズルとレーザ光照
射用ノズルとを兼ねたノズル３０がプラズマ発生
用電極３１，３２を有して配設されている。

ハロゲン元素を含んだ気体は３８より導入さ
れ、ノズル３０の端部（直径50〜200μｍφ例え
ば100μｍφ）３７より被加工面５上に１〜５
ｍ／秒の速度にて噴出させる。この端部での速度
は３６での圧力が１〜５Kg／cm²であり、被加工面
が大気圧であるため１〜５ｍ／秒の速度を有して
いる。レーザ光はノズル３０の上面の投光性保護
物（ここでは石英を用いた）、集光レンズ３５、
端部３７を経て被加工面に照射される。

気体のプラズマ化はDC〜高周波例えば30KHz
の周波数に１〜5KVの電圧を電源３９より一対
の電極３１，３２に加え、端部３７で放電をさせ
た。

この気体のプラズマ化は反応性気体が単にハロ
ゲン元素の水素化物でない、いわゆる炭素化物例
えばCF₃Br、CHF₃等の化学的に安定な気体を用
いた場合にこれらの気体を分解するのに有効であ
る。

これらの炭素化物を反応性気体とする場合に
は、Cl、Ｆのラジカルを効率よく発生させること
ができるという特徴を有する。

ノズル全体はセラミツクスよりなる電極間の放
電により溶けないようにした。ノズル３０につい
ては第２図に特に拡大して示している。

弗化物気体としては、弗化水素、CF₃Br、
CHF₃、CF₄、CCl₂F₂の気体を用いた。さらに珪
素に対して化学反応を従つたレーザ・スクライブ
を行なう場合には、これに加えて酸素を１〜10％
混入させた。これは、レーザ光によりCF₄が活性
弗化物に変成し、被加工面と反応した際、炭素が
酸化して炭酸ガスとなり、固体炭素が被加工面に
残存しないようにするためである。

塩化物気体を用いる場合は、HClまたはCCl₄を
主として用いた。

本実施例においては、弗素化物、塩化物を使い
分け、被加工面の成分の反応生成物が反応後気体
となるものを用いた。その一例を示すと、以下の
通りである。

(1) Si＋4HF−SiF₄＋2H₂ (2) SiO₂＋4HF−SiF₄＋2H₂O (3) 2Al＋6HCl−2AlCl₃＋3H₂ (4) Al₂O₃＋6HCl−2AlCl₃＋3H₂O (5) Ｗ＋6HF−WF₆＋3H₂ (6) 2Mo＋10HCl−2MoCl₅＋5H₂ (7) In₂O₃＋6HCl−2InCl₃＋3H₂O (8) SnO₂＋4HCl−SnCl₄＋2H₂O 上記例においては、ハロゲン化物気体として弗
化珪素または珪化物を用いたが、これらは前記し
たごとく、他の弗化物、他の塩化物例えばCF₄、
CHF₃、CF₂Cl₂、CCl₄、CH₂Cl₂であつてもよい。

以下、本実施例において作製した光電変換装置
の作製工程について第３図を用いて説明する。

第３図に本実施例において作製した光電変換装
置の縦断面図を示す。

第３図において、Ａには例えば20cm×60cmの大
きさの絶縁表面を有する基板１とその上面の被加
工面５が形成されている。

基板１としてはガラス基板を用いた。

この加工面５にはレーザ・スクライブにより開
溝群１５が設けられている。

この第２図Ａの一部を拡大した縦断面図を第２
図Ｂに示す。

図面において、基板１は２mm厚のガラス基板で
ある。さらにこの上面に、ITO（酸化インジユー
ム・スズ）（500〜1500Å）とSnO₂（200〜400Å）
の２層膜または弗素のごときハロゲン元素が添加
された酸化スズ（500〜2000Å）を透光性導電膜
２として設けた。

第１の導電性被膜であるい透光性導電膜２に対
し、本発明の構成である塩化物気体を吹きつけな
がらのレーザ・スクライブを行い第１の開溝１８
を形成した。

このレーザ・スクライブは、第１図さらには第
２図にそのノズル部分の拡大図を示す装置を用
い、発振周波数5KHz、スキヤンスピード１ｍ／
分、出力0.6W、焦点距離50mm、ビーム径40μｍ
φ、雰囲気HCl＋Air〔HCl5〜30％に希釈〕、ノズ
ル入り口側圧力1.5〜５Kg／cm²例えば２Kg／cm²で
行なつた。なお、温度は室温で行なつた。

このようにして、第１の導電膜を複数のパター
ン（ここでは第２図Ａに示すごとき短冊状）に電
気的に分割した。

この第１のレーザ・スクライブにより切断され
た２つの領域、即ち第３図Ｂにおける第１の電極
８，８′は、その電極間において10^-7A／cm以下
のリーク電流しか観察できず、サンプル数30でテ
ストをした時、不良が０／30であつた。

一方、従来の単なる大気中のレーザ・スクライ
ブでは、10^-5〜10^-7A／cmのリーク電流が30サン
プル中６ケも観察され、開溝部での残存部による
リーク電流の防止に対し本発明はきわめて有効で
あることが確認された。

さらにこの第１の開溝を形成した後、この上面
に非単結晶半導体をPIN接合を少なくとも１つ
（PIN接合、PINPIN……PIN接合）有して積層
した。

図面では、Ｐ型SixC_1-X（ｘ＝0.8）１２（約100
Å）−Ｉ型Si（約0.5μｍ）１３−Ｎ型SixC_1-X（ｘ＝
0.9）（約100Å）１４よりなる１つのPIN接合を
有する半導体３をプラズマCVD法、フオトCVD
法またはフオトプラズマCVD法により形成して、
被加工面５を形成した。

この後、この半導体３を第１の開溝１８を基準
として10〜200μｍ例えば70μｍ、図面において左
側にシフトさせて、第２の開溝１９を形成した。
この際、シフト量は予め第１図におけるメモリ２
８にプログラムさせておいた。

ここで、第１図は第２の開溝を形成している途
中を示している。

図面ではこの第２の開溝は半導体３または半導
体およびその下の第１の導電膜２をもレーザスク
ライブをして除去させた。

この第２の開溝１９の作製において、気体とし
てCF₃BrまたはCHF₃を用いた。また、必要に応
じて酸素を１〜10％雰囲気に混合した。

その他は第１の開溝の作製と同一のプロセス条
件とした。するとこの開溝の周辺部に珪素の飛散
物が残存せず、第２の電極となる導電膜を作る
際、ピンホールの原因となる要素を除去すること
ができた。さらに第３図Ｂに示す第１の導電物の
側面１７に低級酸化珪素が残存することがなく好
ましいものであつた。

次に、この半導体３の上表面全面に第２の導電
膜を形成させた。ここではITOを50〜1500Å例え
ば1050Åの厚さに、さらにその上面に反射性金属
を300〜5000Å例えば1000Åの厚さにアルミニユ
ームを真空蒸着法またはCVD法により形成させ
た。

かくすることにより、第１の導電膜８と第２の
導電膜１１とを連結体１９によりサイドコンタク
ト１７をさせた。

このコンタクト部はITO、酸化スズといつた酸
化物であつて、かつ導体の材料どうしで連結せし
め、このコンタクト部での酸化物絶縁物の発生に
よる信頼性低下を防いだ。

次ぎにこの第２の導電膜に対し、第１の開溝を
基準としてさらに20〜200μｍ例えば70μｍ左側
（第１の素子側）にシフトして第３の開溝２０を
塩化物の気体を用い、第１図に示したレーザ加工
装置により形成させた。

この第３の開溝の形成における条件も第１の開
溝を形成する際の条件と同一条件とした。

この第３の開溝２０は、第２の導電膜４のみま
たはこの導電膜に加えてその下の半導体３をもそ
の一部に除去させた。そしてこの第３の開溝２０
での底部９は半導体３の上面のＮ型半導体１４を
除去させ、導電膜１１，１１′での電気的分離を
完全に実施した。

この第３のレーザ・スクライブにおいて、第２
の電極を構成する成分１１が第３の開溝内に残存
すると、２つの電極１１，１１′の間には光電変
換装置として0.5〜1Vの電位差が生ずるため、こ
れらの電極間においてリーク電流が生じて光電変
換装置としての信頼性が低下してしまつていた。

このためかかる残存物を本発明の化学反応を伴
わせつつのレーザ・スクライブによつて、十分除
去することはきわめて有効である。

この第２の電極の切断に当たり、従来のレー
ザ・スクライブでは30ケ中２ケ切断できないもの
が観察されたが、本実施例においては、不良は
０／30とまつたく観察されなかつた。

本実施例においては、塩化物気体として（HCl
＋この第２の電極の切断に当たり、従来のレー
ザ・スクライブでは30ケ中２ケ切断できないもの
が観察されたが、本実施例においては、不良は
０／30とまつたく観察されなかつた。

本実施例においては、塩化物気体として（HCl
＋Air）を用いたが、（CCl₄＋窒素（０〜90％））
の塩化物気体を用いてもよい。

図面において、かくしてガラス基板１上に複数
の第１および第２の光電変換素子６，７が形成さ
れ、さらにそれらは、開溝１８，１９，２０より
なる連結部５において電気的に直列に連結させる
ことが可能となつた。

このような大面積に異なる材料を、前の材料と
特定の関係（ここでは直列構造）を有して加工さ
せる時、本発明の気相中での化学反応を従つたレ
ーザ・スクライブ方法は有効である。具体的に
は、光電変換装置の製造歩留りの向上、さらに集
積化したパネルの効率の向上にきわめて有効であ
つた。

第３図は、これらの上面をパツシベイシヨン膜
としての窒化珪素膜４０を0.1μｍの厚さに形成さ
せたものである。

第４図Ａは、第３の開溝２０を形成するに際
し、従来のレーザ・スクライブを用いて、垂直方
向にレーザ光を照射した場合の被形成面を示した
ものである。

第４図Ｂは、本発明方法である気相中での化学
反応を従つたレーザ・スクライブによりレーザ光
を照射した場合における被形成面を示した図であ
る。

従来のレーザ・スクライブにおいては、第４図
Ａに示すように、第３の開溝２０の底部９が第１
の導電膜に至りやすく、さらにその作業を100回
行なつた場合、60％以上が９′に示すごとく、第
１の導電膜をも切断してしまつていた。そのた
め、光電変換装置としての直列接続をさせること
が実質的に不可能であつた。

さらに、残存物（低級導電性酸化物）の大部分
が１７で示されるうに、1μｍの膜厚を切断する
のに対し、２〜5μｍのもの高さで薄膜４の表面
上に突出してしまい、この結果この凸部でのパツ
シベイシヨンを不十分にするに加え、第３の開溝
での電気的アイソレイシヨンも不十分（1KΩ／
cm以下）になりやすかつた。

しかし、本発明方法では第４図Ｂに示すごと
く、第３の開溝２０の底部９が半導体３の一部の
みをえぐるだけであるため、残存物３３も従来方
法に比べ1/10以下となり、被加工物の下側の損傷
をきわめて少なくし、実用上歩留りは90％を越え
た優れたものであつた。

この時、開溝２０にて切断された２つの導電膜
４の間において電気的に4KΩ／cm以上絶縁性を
有し、その製品としての歩留りも85％以上を20cm
×60cmのパネルにて40段直列連結の装置で得るこ
とができた。

本実施例である第３図の光電変換装置において
は、20cm×60cmの基板の大きさに対し、１つの素
子（第３図において６，７で示される）を15mm×
20cmとし、それらを同一基板上に40段直列接続を
させた。この場合、AM1（100ｍＷ／cm²）の条件
下にて開放電圧26V、短絡電流260ｍＡを有する
ことができ、変換効率6.7％を得ることが可能と
なつた。

以上の実施例においては、第１、第２、第３の
開溝のすべてを気相中における化学反応を従つた
レーザ・スクライブにて作製した場合を示した。
しかし当然のことながら、これらの一部を従来よ
り公知のマスク法、スクリーン印刷法により作製
してもよいことはいうまでもない。

本発明の実施例において、レーザ光として
1.06μｍの波長のYAGレーザを用いた。しかし
488nｍ、512nｍのアルゴン・レーザ、また10.6μ
ｍの炭酸ガス・レーザまたはその他の光源をパル
ス光またはCW（連続発振光）として用いること
は同様に可能である。

また、絶縁表面を有する基板として、ステンレ
スまたはアルミニユームのごとき金属を用い、そ
の表面に0.1〜10μｍの厚さの耐熱性絶縁物を形成
して用いてもよい。

この場合、基板の上面に、第１の導電膜、半導
体、第２の導電膜を積層し、光は第２の導電膜を
通つて加えられる。

さらにこの光電変換装置の集積化構造を有せし
めるに際し、本実施例で示すような作製工程をと
ることにより、コンピユータにより制御された完
全無人化製造ラインを作ることが可能となり、き
わめて工業的に価値大なるものである。

さらにこの気相中での化学反応を従つたレー
ザ・スクライブを行う反応室での反応の前工程、
後工程に予備室を設けた装置を用いることも有効
である。 このような装置を用いた場合、第１の
予備室より反応室に被加工面を有する基板を移動
しレーザ・スクライブを行ない、しかる後にこの
反応室の反応性気体を排気して別容器に保管し、
基板を第２の予備室に移す。さらにこの空になつ
た反応室に第１の予備室より他の基板を移す。こ
の後別容器より反応性気体を導入する。というプ
ロセスを繰り返すことにより、連続的に気相中で
の化学反応を従つたレーザ・スクライブを行うこ
とが可能である。

従来の液体を用いた化学反応を従つたレーザ・
スクライブは、飛散物の除去が可能とはなるが、
洗浄工程等を必要とし、気体を用いた本発明のレ
ーザ・スクライブ法程の生産性をもたらすことは
できなかつた。

本実施例において、被加工面は上面をXYテー
ブル上に配設をした。しかしこれは垂直に配設し
ても、またレーザ光を下方向より照射すべくXY
テーブルの下面に配設してもよい。さらにこの基
板の移動ではなくレーザの光源を移動させること
により開溝を作つてもよいことはいうまでもな
い。

以上の実施例においては、ハロゲン元素を含ん
だ気体としてHCl、HF、CF₃Br、CHF₃、CCl₄
を用いることができ、また室温では安定なハロゲ
ン元素であるCCl₄＋Ｏ、CF₄＋O₂（O₂はAirとし
てもよい）も利用することができる。

また第２図において、光電変換装置は20cm×60
cmを４つ組み合わせて40cm×120cmのNEDO規格
とするのではなく、40cm×40cmを３枚配列し、同
じパネル形成を行つてもよい。また電卓用その他
民生用の光電変換装置を含む半導体装置を作製し
てもよい。

また、その他レーザ加工を行なうことができる
作製工程のすべてに対し、本発明方法を応用する
ことも有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のレーザ加工方法を行うための
レーザ加工機のブロツク図を示す。第２図は第１
図のレーザ加工機のノズル部の拡大図を示す。第
３図は本発明のレーザ加工方法によつて作られた
光電変換装置を示す。第４図は第３図の光電変換
装置における第３の開溝に関し、従来方法Ａ、本
発明方法Ｂを比較して示したものである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ レーザ光を照射するとともにハロゲン元素を
   含んだ気体を噴射するノズルを有することを特徴
   とする半導体装置の作製用装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、ハロゲン元
   素を含む気体は、空気（Air）、窒素、アルゴン、
   酸素をキヤリアガスとして混入させたことを特徴
   とする半導体装置の作製用装置。 ３ 特許請求の範囲第１項において、ハロゲン元
   素を含んだ気体は、塩化物または弗化物であるこ
   とを特徴とする半導体装置の作製用装置。 ４ 基板上の導体または半導体の薄膜の被加工面
   にレーザ光を照射させて、開溝を形成する工程を
   有する半導体装置作製方法であつて、 前記レーザ光はノズルより照射され、それと同
   時に前記ノズルよりハロゲン元素を含む気体が被
   加工面に噴射されることを特徴とする半導体装置
   作製方法。 ５ 特許請求の範囲第４項において、導体は金属
   またはインジユームまたはスズの酸化物を主成分
   とする透光性導電膜の単層または多層膜よりな
   り、半導体は珪素を主成分とする水素またはハロ
   ゲン元素が添加された非単結晶半導体よりなり、
   ハロゲン元素を含む気体は塩化物または弗化物で
   あることを特徴とする半導体装置作製方法。 ６ 特許請求の範囲第４項において、ハロゲン元
   素を含む気体は、空気（Air）、窒素、アルゴン、
   酸素をキヤリアガスとして混入させたことを特徴
   とする半導体装置作製方法。 ７ 基板上の導体または半導体の薄膜の被加工面
   にハロゲン元素を含む気体をノズルから噴射する
   と同時に前記ノズルからレーザ光を前記被加工面
   に向かつて照射し、前記被加工面に開溝を形成す
   る工程を有する半導体装置作製方法であつて、 前記ノズルにおいて前記ハロゲン元素を含む気
   体はプラズマ化させられることを特徴とする半導
   体装置作製方法。 ８ 特許請求の範囲第７項において、導体は金属
   またはインジユームまたはスズの酸化物を主成分
   とする透光性導電膜の単層または多層膜よりな
   り、半導体は珪素を主成分とする水素またはハロ
   ゲン元素が添加された非単結晶半導体よりなり、
   ハロゲン元素を含む気体は塩化物または弗化物で
   あることを特徴とする半導体装置作製方法。 ９ 特許請求の範囲第７項において、ハロゲン化
   物を含む気体は、空気（Air）、窒素、アルゴン、
   酸素をキヤリアガスとして混入させたことを特徴
   とする半導体装置作製方法。