JP2023115617A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

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ヨンソク キム
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Abstract

【課題】加工溝の形成によって生じるダメージを修復できる加工方法を提供する。【解決手段】ウェーハ１００の第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の第１縁面部１２０および第２縁面部１２１を、レーザ光線４０１を照射することにより溶融させている。したがって、第１縁面部１２０および第２縁面部１２１の表面を平坦化することができるとともに、第１縁面部１２０および第２縁面部１２１のダメージを修復することが可能となる。その結果、ウェーハ１００が分割されて形成されるチップ１１６の抗折強度を上げることができる。【選択図】図５

Description

本発明は、ウェーハに加工溝を形成するウェーハの加工方法に関する。
ウェーハに加工溝を形成する技術がある（特許文献１参照）。
特開２００５－０６４２３１号公報
しかし、ウェーハに加工溝を形成すると、ウェーハに、クラックや欠けなどのダメージが生じることがある。
本発明の目的は、加工溝の形成によって生じるダメージの少なくとも一部を修復できる加工方法を提供する事にある。
本発明にかかるウェーハの加工方法（本加工方法）は、複数の分割予定ラインが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って加工するウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿って加工溝を形成する加工溝形成ステップと、該加工溝の溝底と、側面と、縁面と、の少なくともいずれかの部分にエネルギーを供給して溶融させ、該加工溝形成ステップによって生じたダメージの少なくとも一部を修復するエネルギー供給ステップと、を備えることを特徴とする。
本加工方法では、ウェーハには、機能層が積層されていてもよく、該加工溝形成ステップは、少なくとも該機能層を除去する深さの一対の加工予備溝を形成すること、および、該一対の加工予備溝の間に該加工溝を形成することを含んでいてもよい。
本加工方法において、該加工溝形成ステップでは、ウェーハを複数のチップに分割する該加工溝を形成してもよく、該エネルギー供給ステップは、他のチップよりもエネルギーの供給対象のチップを相対的に押し上げ、該エネルギーの供給対象のチップの側面を露出する側面露出ステップをさらに備えてもよく、該側面露出ステップにおいて露出した側面に対して、該エネルギーを供給してもよい。
本加工方法では、該エネルギー供給ステップは、レーザ光線を照射するステップであってもよい。
また、該レーザ光線の波長は、ウェーハに対して吸収性を有する波長であってもよい。
また、該レーザ光線の波長は、５００～１０００ｎｍの範囲の波長であってもよい。
また、ウェーハには、機能層が積層されていてもよく、該エネルギー供給ステップでは、該加工溝の溝底と、側面と、縁面との少なくともいずれかにおける該機能層からなる部分に該エネルギーを供給し、該機能層からなる部分に生じたダメージの少なくとも一部を修復してもよい。
本加工方法では、加工溝形成ステップの後、エネルギー供給ステップを実施して、加工溝の溝底と、側面と、縁面と、の少なくともいずれかの部分にエネルギーを供給し、この部分（レーザ照射部分）を溶融させ再結晶化する。溶融することで、レーザ照射部分を平坦化することができるとともに、加工溝の形成によって発生したクラックおよび欠け等を結合することができるため、レーザ照射部分のダメージを軽減することが可能となる。すなわち、ダメージの少なくとも一部を修復することができる。その結果、ウェーハが分割されて形成されるチップの抗折強度を上げることができる。
ウェーハを含むワークセットを示す斜視図である。 加工システムの構成を示すブロック図である。 第１切削装置の構成を示す斜視図である。 レーザ加工装置の構成を示す斜視図である。 図５（ａ）は、加工溝形成ステップの例を示す説明図であり、図５（ｂ）は、エネルギー供給ステップの例を示す説明図である。 図６（ａ）は、加工溝形成ステップの他の例を示す説明図であり、図６（ｂ）および（ｃ）は、エネルギー供給ステップの他の例を示す説明図である。 図７（ａ）は、加工溝形成ステップのさらに他の例を示す説明図であり、図７（ｂ）は、エネルギー供給ステップのさらに他の例を示す説明図である。 加工システムの他の構成を示すブロック図である。 図９（ａ）は機能層除去工程を示す説明図であり、図９（ｂ）は加工溝形成ステップのさらに他の例を示す説明図であり、図９（ｃ）はエネルギー供給ステップのさらに他の例を示す説明図であり、図９（ｄ）は、分割ステップの例を示す説明図である。 レーザ加工装置における保持部の他の例を示す説明図である。 押し上げ部材を示す説明図である。 エネルギー供給ステップの他の例を示す説明図である。 エネルギー供給ステップの他の例を示す説明図である。 発振器から発振されるレーザ光線の波長と、各レーザ光線を用いて実施された溶融ステップの結果との関係を示す表を示す図である。
本実施形態では、被加工物として、図１に示すようなウェーハ１００が用いられる。ウェーハ１００は、円形状を有し、表面に、第１の方向に延びる複数の第１分割予定ライン１０３、および、第１の方向に直交する第２の方向に延びる複数の第２分割予定ライン１０４が形成されている。これら第１分割予定ライン１０３および第２分割予定ライン１０４によって区画された各領域には、たとえば、図示しないデバイスが形成されていてもよい。
本実施形態では、ウェーハ１００は、図１に示すように、ワークセット１１０の状態で取り扱われる。ワークセット１１０は、ウェーハ１００を収容可能な開口１１２を有する環状フレーム１１１と、環状フレーム１１１の開口１１２に位置づけられたウェーハ１００とを、ダイシングテープ１１３によって一体化させることによって形成されている。本実施形態では、ウェーハ１００は、このようなワークセット１１０の状態で、図２に示す加工システム１において加工される。
図２に示す加工システム１は、ウェーハ１００を加工するシステムであり、ウェーハ１００を切削加工する第１切削装置２、ウェーハ１００をレーザ加工するレーザ加工装置４、これらの間でウェーハ１００を搬送する搬送装置５、および、これらの装置を制御する制御部７を備えている。
まず、第１切削装置２の構成について説明する。図３に示すように、第１切削装置２は、基台１０を備えており、この基台１０上には、加工送り機構１４が配設されている。加工送り機構１４は、保持テーブル２１を含む保持部２０を、切削機構４５の第１切削ブレード４６に対して相対的に、保持テーブル２１の保持面２２に平行な加工送り方向（Ｘ軸方向）に沿って移動させる。
加工送り機構１４は、Ｘ軸方向に延びる一対のガイドレール１５、ガイドレール１５に載置されたＸ軸テーブル１６、ガイドレール１５と平行に延びるボールネジ１７、および、ボールネジ１７を回転させるモータ１８を含んでいる。
一対のガイドレール１５は、Ｘ軸方向に平行に、基台１０の上面に配置されている。Ｘ軸テーブル１６は、一対のガイドレール１５上に、これらのガイドレール１５に沿ってスライド可能に設置されている。Ｘ軸テーブル１６上には、保持部２０が載置されている。
ボールネジ１７は、Ｘ軸テーブル１６に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。モータ１８は、ボールネジ１７の一端部に連結されており、ボールネジ１７を回転駆動する。ボールネジ１７が回転駆動されることで、Ｘ軸テーブル１６および保持部２０が、ガイドレール１５に沿って、加工送り方向であるＸ軸方向に沿って移動する。
保持部２０は、ワークセット１１０のウェーハ１００（図１参照）を保持する保持テーブル２１、保持テーブル２１の周囲に配されているカバー板２４、および、保持テーブル２１の周囲に備えられた２つのクランプ部２５を備えている。また、保持部２０は、カバー板２４の下方に、保持テーブル２１を支持してＸＹ平面内で回転させるθテーブル２３を有している。
保持テーブル２１は、図１に示したウェーハ１００を保持する部材であり、円板状に形成されている。保持テーブル２１は、ポーラス材からなる保持面２２を備えている。保持面２２は、図示しない吸引源に連通可能である。保持テーブル２１は、この保持面２２によって、ワークセット１１０におけるウェーハ１００を吸引保持する。
保持テーブル２１の周囲に備えられた２つのクランプ部２５は、保持テーブル２１に保持されているウェーハ１００の周囲の環状フレーム１１１を挟持固定する。
基台１０上の後方側（－Ｘ方向側）には、門型コラム１１が、加工送り機構１４を跨ぐように立設されている。門型コラム１１の前面（＋Ｘ方向側の面）には、切削機構４５を移動させる切削機構移動機構１３が設けられている。
切削機構移動機構１３は、切削機構４５を、Ｙ軸方向に割り出し送りするとともに、Ｚ軸方向に切込み送りする。切削機構移動機構１３は、切削機構４５を割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に移動する割り出し送り機構３０、および、切削機構４５を切込み送り方向（Ｚ軸方向）に移動する切込み送り機構４０を備えている。
割り出し送り機構３０は、門型コラム１１の前面に配設されている。割り出し送り機構３０は、Ｙ軸方向に沿って、切込み送り機構４０および切削機構４５を往復移動させることにより、Ｙ軸方向における切削機構４５の位置を調整する。
割り出し送り機構３０は、Ｙ軸方向に延びる一対のガイドレール３１、ガイドレール３１に載置されたＹ軸テーブル３４、ガイドレール３１と平行に延びるボールネジ３２、および、ボールネジ３２を回転させるモータ３３を含んでいる。
一対のガイドレール３１は、Ｙ軸方向に平行に、門型コラム１１の前面に配置されている。Ｙ軸テーブル３４は、一対のガイドレール３１上に、これらのガイドレール３１に沿ってスライド可能に設置されている。Ｙ軸テーブル３４上には、切込み送り機構４０および切削機構４５が取り付けられている。
ボールネジ３２は、Ｙ軸テーブル３４に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。モータ３３は、ボールネジ３２の一端部に連結されており、ボールネジ３２を回転駆動する。ボールネジ３２が回転駆動されることで、Ｙ軸テーブル３４、切込み送り機構４０および切削機構４５が、ガイドレール３１に沿って、割り出し送り方向であるＹ軸方向に移動する。
切込み送り機構４０は、切削機構４５をＺ軸方向（上下方向）に沿って往復移動させる。Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に直交するとともに、保持テーブル２１の保持面２２に対して直交する方向である。
切込み送り機構４０は、Ｚ軸方向に延びる一対のガイドレール４１、ガイドレール４１に載置された支持部材４２、ガイドレール４１と平行に延びるボールネジ４３、および、ボールネジ４３を回転させるモータ４４を含んでいる。
一対のガイドレール４１は、Ｚ軸方向に平行に、Ｙ軸テーブル３４に配置されている。支持部材４２は、撮像機構４８を備えており、一対のガイドレール４１に、これらのガイドレール４１に沿ってスライド可能に設置されている。支持部材４２の下端部には、切削機構４５が取り付けられている。
ボールネジ４３は、支持部材４２の背面側に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。モータ４４は、ボールネジ４３の一端部に連結されており、ボールネジ４３を回転駆動する。ボールネジ４３が回転駆動されることで、支持部材４２および切削機構４５が、ガイドレール４１に沿って、切込み送り方向であるＺ軸方向に移動する。
切削機構４５は、保持テーブル２１に保持されたウェーハ１００を切削するものであり、ウェーハ１００を切削する第１切削ブレード４６を回転可能に支持している。
切削機構４５は、第１切削ブレード４６に加えて、第１切削ブレード４６を装着して回転するスピンドル、スピンドルを回転可能に支持するハウジング、および、スピンドルを回転駆動するモータ等を備えている（全て図示せず）。切削機構４５では、モータによってスピンドルとともに高速回転する第１切削ブレード４６により、ウェーハ１００に対する切削加工が実施される。
次に、レーザ加工装置４の構成について説明する。図４に示すように、レーザ加工装置４は、直方体状の基台５１、および、基台５１の一端に立設された立壁部５２を備えている。
基台５１の上面には、保持テーブル５６を備えた保持部５５、保持テーブル５６を割り出し送り方向であるＹ軸方向に移動させるＹ軸移動機構６０、および、保持テーブル５６を加工送り方向であるＸ軸方向に移動させるＸ軸移動機構７０を備えている。保持テーブル５６は、ウェーハ１００を保持するための保持面５７を備えている。
Ｙ軸移動機構６０は、保持テーブル５６を、レーザ光線照射機構８０に対して、保持面５７に平行なＹ軸方向に移動させる。Ｙ軸移動機構６０は、Ｙ軸方向に延びる一対のガイドレール６３、ガイドレール６３に載置されたＹ軸テーブル６４、ガイドレール６３と平行に延びるボールネジ６５、および、ボールネジ６５を回転させる駆動モータ６６を含んでいる。
一対のガイドレール６３は、Ｙ軸方向に平行に、基台５１の上面に配置されている。Ｙ軸テーブル６４は、一対のガイドレール６３上に、これらのガイドレール６３に沿ってスライド可能に設置されている。Ｙ軸テーブル６４上には、Ｘ軸移動機構７０および保持部５５が載置されている。
ボールネジ６５は、Ｙ軸テーブル６４に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。駆動モータ６６は、ボールネジ６５の一端部に連結されており、ボールネジ６５を回転駆動する。ボールネジ６５が回転駆動されることで、Ｙ軸テーブル６４、Ｘ軸移動機構７０および保持部５５が、ガイドレール６３に沿って、Ｙ軸方向に移動する。
Ｘ軸移動機構７０は、保持テーブル５６を、レーザ光線照射機構８０に対して、保持面５７に平行なＸ軸方向に移動させる。Ｘ軸移動機構７０は、Ｘ軸方向に延びる一対のガイドレール７１、ガイドレール７１上に載置されたＸ軸テーブル７２、ガイドレール７１と平行に延びるボールネジ７３、および、ボールネジ７３を回転させる駆動モータ７５を備えている。
一対のガイドレール７１は、Ｘ軸方向に平行に、Ｙ軸テーブル６４の上面に配置されている。Ｘ軸テーブル７２は、一対のガイドレール７１上に、これらのガイドレール７１に沿ってスライド可能に設置されている。Ｘ軸テーブル７２上には、保持部５５が載置されている。
ボールネジ７３は、Ｘ軸テーブル７２に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。駆動モータ７５は、ボールネジ７３の一端部に連結されており、ボールネジ７３を回転駆動する。ボールネジ７３が回転駆動されることで、Ｘ軸テーブル７２および保持部５５が、ガイドレール７１に沿って、加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動する。
保持部５５は、ウェーハ１００を保持するために用いられる。本実施形態では、ウェーハ１００は、図１に示したワークセット１１０として、保持部５５に保持される。
保持部５５は、ウェーハ１００を保持する保持テーブル５６、保持テーブル５６の周囲に設けられた４つのクランプ部５８、および、保持テーブル５６を支持してＸＹ平面内で回転させるθテーブル５９を有している。
保持テーブル５６は、ウェーハ１００を保持するための部材であり、円板状に形成されている。保持テーブル５６は、ポーラス材からなる保持面５７を備えている。この保持面５７は、図示しない吸引源に連通可能である。保持テーブル５６は、この保持面５７によって、ワークセット１１０におけるウェーハ１００を吸引保持する。
保持テーブル５６の周囲に設けられた４つのクランプ部５８は、保持テーブル５６に保持されているウェーハ１００の周囲の環状フレーム１１１を、四方から挟持固定する。
レーザ加工装置４の立壁部５２の前面には、レーザ光線照射機構８０が設けられている。
レーザ光線照射機構８０は、保持テーブル５６に保持されたウェーハ１００にレーザ光線を照射する。レーザ光線照射機構８０は、ウェーハ１００にレーザ光線を照射する加工ヘッド（集光器）８１、ウェーハ１００を撮像するカメラ８２、加工ヘッド８１およびカメラ８２を支持するアーム部８３、および、アーム部８３をＺ軸方向に移動させるＺ軸移動機構８５を有している。
Ｚ軸移動機構８５は、Ｚ軸方向に延びる一対のガイドレール８６、ガイドレール８６上に載置されたＺ軸テーブル８９、ガイドレール８６と平行に延びるボールネジ８７、および、ボールネジ８７を回転させる駆動モータ８８を備えている。
一対のガイドレール８６は、Ｚ軸方向に平行に、立壁部５２の前面に配置されている。Ｚ軸テーブル８９は、一対のガイドレール８６上に、これらのガイドレール８６に沿ってスライド可能に設置されている。Ｚ軸テーブル８９上には、アーム部８３が取り付けられている。
ボールネジ８７は、Ｚ軸テーブル８９に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。駆動モータ８８は、ボールネジ８７の一端部に連結されており、ボールネジ８７を回転駆動する。ボールネジ８７が回転駆動されることで、Ｚ軸テーブル８９およびアーム部８３が、ガイドレール８６に沿って、Ｚ軸方向に移動する。
アーム部８３は、Ｚ軸テーブル８９に、－Ｙ方向に突出するように取り付けられている。加工ヘッド８１は、保持部５５の保持テーブル５６に対向するように、アーム部８３の先端に支持されている。
アーム部８３および加工ヘッド８１の内部には、レーザ光線発振器および集光レンズ等の、レーザ光線照射機構８０の光学系（図示せず）が配設されている。レーザ光線照射機構８０は、これらの光学系を用いて生成されたレーザ光線を、加工ヘッド８１の下端から、保持テーブル５６に保持されているウェーハ１００に向けて照射するように構成されている。レーザ光線照射機構８０から照射されるレーザ光線の波長は、本実施形態では、被加工物であるウェーハ１００に対して吸収性を有する波長である。
図２に示した搬送装置５は、たとえば、ロボットハンド等の保持部材（図示せず）によって、ウェーハ１００を含むワークセット１１０を保持することが可能である。搬送装置５は、たとえば、図示しない収容部に対してワークセット１１０を搬出および搬入すること、および、ワークセット１１０を、第１切削装置２とレーザ加工装置４との間で搬送することが可能である。なお、搬送装置５を用いることなく、作業者が、ワークセット１１０の搬送を実施してもよい。
制御部７は、制御プログラムに従って演算処理を行うＣＰＵ、および、メモリ等の記憶媒体等を備えている。制御部７は、加工システム１の各部材を制御して、ウェーハ１００の加工を実施する。
以下に、制御部７によって制御される、加工システム１におけるウェーハ１００の加工方法について説明する。本実施形態にかかる加工方法は、複数の分割予定ライン１０３・１０４が形成されたウェーハ１００を、これらの分割予定ライン１０３・１０４に沿って加工する方法である。
［加工溝形成ステップ］
まず、加工溝形成ステップについて説明する。このステップでは、第１切削装置２を用いて、図１に示した第１分割予定ライン１０３および第２分割予定ライン１０４に沿って、ウェーハ１００に加工溝を形成する。加工溝形成ステップは、以下の保持工程および切削工程を含んでいる。
［保持工程］
この工程では、搬送装置５あるいは作業者によって、図１に示したワークセット１１０のウェーハ１００が、ダイシングテープ１１３を介して、図３に示した第１切削装置２における保持部２０の保持テーブル２１に載置される。さらに、保持部２０のクランプ部２５によって、ワークセット１１０の環状フレーム１１１が支持される。この状態で、制御部７が、図示しない吸引源に保持テーブル２１の保持面２２を連通させることにより、保持面２２によってウェーハ１００を吸引保持する。このようにして、ウェーハ１００を含むワークセット１１０が、保持部２０によって保持される。
［切削工程］
この工程では、第１の方向に形成された複数の第１分割予定ライン１０３および第２分割予定ライン１０４（図１参照）に沿って、ウェーハ１００を切削する。
具体的には、まず、制御部７が、図３に示した保持部２０のθテーブル２３を制御して、保持テーブル２１の保持面２２に保持されているウェーハ１００の第１分割予定ライン１０３がＸ軸方向に平行となるように、保持テーブル２１を回転させる。その後、制御部７は、加工送り機構１４を制御して、保持部２０を、切削機構４５の下方の所定の切削開始位置に配置する。
さらに、制御部７は、割り出し送り機構３０を制御して、第１切削ブレード４６におけるＹ軸方向での位置を、ウェーハ１００における１つの第１分割予定ライン１０３に合わせる。
その後、制御部７は、第１切削ブレード４６を高速回転させながら、切込み送り機構４０を制御して、切削機構４５の第１切削ブレード４６を、保持面２２に吸引保持されているウェーハ１００を切断（フルカット）する所定の切削高さにまで下降させる。
この状態で、制御部７は、加工送り機構１４を制御して、ワークセット１１０を保持している保持部２０を、Ｘ軸方向に移動させる。これにより、回転する第１切削ブレード４６が、１つの第１分割予定ライン１０３に沿って、ウェーハ１００を切削する。その結果、ウェーハ１００に、図５（ａ）に示すように、第１分割予定ライン１０３に沿う加工溝（切削溝）である第１加工溝１１４が形成される。この場合、第１加工溝１１４は、ウェーハ１００を切断してダイシングテープ１１３に達する深さとなるように形成される。
その後、制御部７は、切込み送り機構４０を制御して、第１切削ブレード４６を、ウェーハ１００から離してその上方に配置する。さらに、制御部７は、加工送り機構１４を制御して、保持部２０を切削開始位置に戻す。そして、制御部７は、割り出し送り機構３０を制御して、第１切削ブレード４６におけるＹ軸方向での位置を、ウェーハ１００における次に切削される別の第１分割予定ライン１０３に合わせて、この第１分割予定ライン１０３に沿ってウェーハ１００を切削する。
このようにして、制御部７は、ウェーハ１００における全ての第１分割予定ライン１０３に沿って、ウェーハ１００を切削する。
次に、制御部７は、図３に示した保持部２０のθテーブル２３を制御して、保持テーブル２１の保持面２２に保持されているウェーハ１００の第２分割予定ライン１０４がＸ軸方向に平行となるように、保持テーブル２１を回転させる。
その後、制御部７は、第１分割予定ライン１０３に沿った切削と同様に、加工送り機構１４、割り出し送り機構３０、切込み送り機構４０および切削機構４５を制御して、第１切削ブレード４６によって、ウェーハ１００に、図５（ａ）に示すように、全ての第２分割予定ライン１０４に沿う第２加工溝１１５を形成する。この第２加工溝１１５も、第１加工溝１１４と同様の深さを有する。
これにより、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５によって、ウェーハ１００が、複数のチップ１１６に分割される。
また、切削工程の後、ワークセット１１０は、搬送装置５あるいは作業者によって、レーザ加工装置４に搬送される。
［エネルギー供給ステップ］
次に、エネルギー供給ステップについて説明する。このステップでは、加工溝形成ステップにおいて形成された第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の溝底と、側面と、縁面との少なくともいずれかの部分に、たとえば局所的（部分的）にエネルギーを供給して溶融させ、加工溝形成ステップによって生じたダメージの少なくとも一部を修復する。このダメージ（ダメージ層）は、たとえば、溝形成時に発生するクラック、傷、および欠けなどを含む加工変質部分（加工変質層）である。
本実施形態では、エネルギー供給ステップにおいて、レーザ加工装置４を用いて、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の縁面にレーザ光線を照射する。エネルギー供給ステップは、以下の保持工程、および、レーザ光線照射工程を含んでいる。第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の縁面は、図５（ａ）に示すウェーハ１００の表面における第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の開口の周辺部分（チップ１１６の端部）であり、加工溝１１４・１１５に沿って延在する第１縁面部１２０および第２縁面部１２１を含んでいる。なお、加工溝１１４・１１５の縁面は、たとえば、加工溝１１４・１１５の脇の上面と表現することもできる。
［保持工程］
この工程では、搬送装置５あるいは作業者によって、図１に示したワークセット１１０のウェーハ１００が、ダイシングテープ１１３を介して、図４に示したレーザ加工装置４における保持部５５の保持テーブル５６に載置される。さらに、保持部５５のクランプ部５８によって、ワークセット１１０の環状フレーム１１１が支持される。この状態で、制御部７が、図示しない吸引源に保持テーブル５６の保持面５７を連通させることにより、保持面５７によってウェーハ１００を吸引保持する。このようにして、ウェーハ１００を含むワークセット１１０が、保持部５５によって保持される。
［レーザ光線照射工程］
この工程では、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の縁面に、レーザ光線を照射する。具体的には、まず、制御部７が、図４に示した保持部５５のθテーブル５９を制御して、保持テーブル５６の保持面５７に保持されているウェーハ１００の第１加工溝１１４がＸ軸方向に平行となるように、保持テーブル５６を回転させる。その後、制御部７は、Ｘ軸移動機構７０を制御して、保持部５５を、レーザ光線照射機構８０の加工ヘッド８１の下方の所定の照射開始位置に配置する。
さらに、制御部７は、Ｙ軸移動機構６０を制御して、加工ヘッド８１の下方に、ウェーハ１００における１つの第１加工溝１１４の第１縁面部１２０（図５（ａ）参照）を配置する。また、制御部７は、レーザ光線照射機構８０のＺ軸移動機構８５を制御して、加工ヘッド８１の高さを、適切に調整する。
この状態で、制御部７は、レーザ光線照射機構８０の光学系を制御してレーザ光線を生成し、加工ヘッド８１から下方にレーザ光線を照射するとともに、Ｘ軸移動機構７０を制御して、ワークセット１１０を保持している保持部５５を、Ｘ軸方向に移動させる。これにより、図５（ｂ）に示すように、加工ヘッド８１から出力されるレーザ光線４０１が、１つの第１加工溝１１４の第１縁面部１２０に沿って照射される。
その後、制御部７は、レーザ光線４０１の照射を停止するとともに、Ｘ軸移動機構７０を制御して、保持部５５を照射開始位置に戻す。そして、制御部７は、Ｙ軸移動機構６０を制御して、加工ヘッド８１の下方に第１加工溝１１４の第２縁面部１２１を配置して、この第２縁面部１２１に沿ってレーザ光線４０１を照射する。
このようにして、制御部７は、ウェーハ１００における全ての第１加工溝１１４の第１縁面部１２０および第２縁面部１２１に沿って、レーザ光線４０１を照射する。
次に、制御部７は、図４に示した保持部５５のθテーブル５９を制御して、保持テーブル５６の保持面５７に保持されているウェーハ１００の第２加工溝１１５がＸ軸方向に平行となるように、保持テーブル２１を回転させる。
その後、制御部７は、第１加工溝１１４に沿ったレーザ照射と同様に、Ｙ軸移動機構６０、Ｘ軸移動機構７０およびレーザ光線照射機構８０を制御して、全ての第２加工溝１１５の第１縁面部１２０および第２縁面部１２１に沿って、レーザ光線４０１を照射する。
以上のように、本実施形態では、加工溝形成ステップの後、エネルギー供給ステップを実施して、ウェーハ１００の第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の第１縁面部１２０および第２縁面部１２１に、レーザ光線４０１を照射することにより、エネルギーを供給する。これにより、第１縁面部１２０および第２縁面部１２１は、レーザ光線４０１によって溶融される。
また、本実施形態では、ウェーハ１００に対して吸収性を有する波長のレーザ光線４０１を用いているため、第１縁面部１２０および第２縁面部１２１の表面だけでなく、表面から所定の厚みまでの部分（表面近傍部分）も溶融される。そして、第１縁面部１２０および第２縁面部１２１の溶融領域は、レーザ照射の後、冷却されて固められる。
このような溶融および冷却のプロセスにより、本実施形態では、レーザ光線４０１の照射部分（レーザ照射部分）である第１縁面部１２０および第２縁面部１２１の溶融領域を結晶成長させて種結晶を形成し、その後に再結晶化することができる。したがって、第１縁面部１２０および第２縁面部１２１の表面を平坦化することができる。さらに、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の形成時に第１縁面部１２０および第２縁面部１２１の表面および表面近傍部分に発生したクラックおよび欠け等を、結合することができる。このため、第１縁面部１２０および第２縁面部１２１のダメージを軽減することが可能となる。すなわち、ダメージの少なくとも一部を修復（あるいは除去）することができる。その結果、ウェーハ１００が分割されて形成されるチップ１１６の抗折強度を上げることができる。
また、エネルギー供給ステップでは、加工溝形成ステップによって生じたダメージを修復するために、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の溝底、側面および縁面のいずれかの部分に局所的（部分的）にレーザ光線を照射している。これにより、ウェーハ１００の表面にデバイスが形成されている場合にも、レーザ光線がデバイスに悪影響を及ぼすことを抑制することができる。また、局所的にレーザ光線を照射することで、エネルギー供給ステップにかかる時間を短くすることができるので、生産性を向上させることができる。
なお、加工溝の形成後に、レーザ光線の照射によって加工溝に付着した加工屑をこそぎとる、レーザクリーニングといわれる手法がある。これに関し、レーザクリーニングでは、ＵＶ波長のレーザ光線を加工溝に照射することによって、加工溝の表面に付着した加工屑にレーザ光線を吸収させてアブレーションさせ、この加工屑を除去する。すなわち、レーザクリーニングは、表面に付着している加工屑を昇華させて除去するために実施される。
一方、本実施形態では、レーザ光線４０１の照射により、ウェーハ１００における第１縁面部１２０および第２縁面部１２１等のレーザ照射部分の表面を平坦化させるだけでなく、内部（表面近傍部分）に形成されたクラック等を結合させて、ダメージを修復する。したがって、レーザ光線４０１は、レーザ照射部分の表面に吸収されすぎないことが好ましい。このため、本実施形態では、レーザクリーニングで照射される波長よりも長い波長、たとえば、５００～１０００ｎｍの範囲の波長のレーザ光線４０１を用いて、レーザ照射部分の表面、および、表面から所定の厚みまでの部分（表面近傍部分）を溶融することが好ましい。表面近傍部分は、たとえば、表面から０．５μｍ～１．５μｍ、あるいは、０．５μｍ～４μｍ程度までの厚みの部分である。
なお、上述の実施形態では、制御部７は、加工溝形成ステップにおける切削工程において、切削機構４５の第１切削ブレード４６の高さを、ウェーハ１００を切断（フルカット）する高さに設定し、これにより、ウェーハ１００を切断してダイシングテープ１１３に達する深さの第１加工溝１１４および第２加工溝１１５を形成し、ウェーハ１００を複数のチップ１１６に分割している。これに関し、加工溝形成ステップにおける切削工程では、切削機構４５の第１切削ブレード４６の高さを、ウェーハ１００を切断する高さよりも高く設定することにより、ウェーハ１００をハーフカットしてもよい。この場合、図６（ａ）に示すように、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５は、ダイシングテープ１１３に達しない深さとなるように形成される。
また、この場合、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の第１縁面部１２０および第２縁面部１２１だけでなく、溝底１２２にもレーザ光線４０１を照射することが好ましい。
すなわち、この場合、図６（ｂ）に示すように、制御部７は、エネルギー供給ステップにおけるレーザ光線照射工程において、加工ヘッド８１から出力されるレーザ光線４０１を、第１加工溝１１４（第２加工溝１１５）の溝底１２２に沿って照射する。その後、制御部７は、図６（ｃ）に示すように、レーザ光線４０１を、第１加工溝１１４（第２加工溝１１５）の第１縁面部１２０および第２縁面部１２１に沿って照射する。この構成では、第１縁面部１２０および第２縁面部１２１だけでなく、溝底１２２のダメージを軽減することも可能となる。
なお、制御部７は、溝底１２２の全面にレーザ光線４０１が照射されるように、たとえばＹ軸移動機構６０を用いて、適宜、レーザ光線４０１におけるＹ軸方向の位置を調整することが好ましい。
また、溝底１２２の角付近には、加工ヘッド８１からのレーザ光線４０１を上方から照射することが困難な場合もある。このような場合には、加工ヘッド８１を傾ける、あるいは、加工ヘッド８１から出力されるレーザ光線４０１の向きをミラー（図示せず）によって変更することによって、溝底１２２の角付近に、斜めからレーザ光線４０１を照射してもよい。このようなミラーは、たとえば、レーザ光線照射機構８０における加工ヘッド８１の内部に配置される。
なお、ウェーハ１００の表面（デバイス面）には、図７（ａ）に示すように、機能層１０５が積層されていてもよい。
機能層１０５は、たとえば、ｌｏｗ－ｋ膜（低誘電膜）やデバイス、配線層などが積層された構成である。
この構成では、加工溝形成ステップにおいて、機能層１０５を除去しウェーハ１００をハーフカットしてダイシングテープ１１３に達しない第１加工溝１１４および第２加工溝１１５を形成し、エネルギー供給ステップにおいて、図７（ｂ）に示すように、その溝底１２２に、レーザ光線４０１を照射することが好ましい。
さらに、ウェーハ１００に機能層１０５が設けられている場合、エネルギー供給ステップにおいて、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の溝底と、側面と、縁面との少なくともいずれかにおける機能層１０５からなる部分にエネルギーを供給し、この部分に生じたダメージの少なくとも一部を修復してもよい。すなわち、図７（ｂ）に示した例では、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の機能層１０５からなる第１縁面部１２０および第２縁面部１２１にレーザ光線４０１を照射し、機能層１０５を溶融させて、そのダメージを除去しても良い。
なお、ウェーハ１００によっては、機能層１０５が厚い場合、たとえば、機能層１０５が、ウェーハ１００の本体である基板層（基材層）よりも厚い場合もある。たとえば、基板層の厚さが１０μｍ程度である一方、機能層の厚さ２０～３０μｍとなる場合もある。このように機能層１０５が厚い場合には、機能層１０５に生じたダメージが、ウェーハ１００がチップ化された時のチップの抗折強度に影響する。
このため、機能層１０５が厚い場合には、機能層１０５に形成された第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の縁面、側面および溝底の少なくともいずれか（すなわち、加工溝１１４・１１５における機能層１０５から形成されている部分のいずれか）にレーザ光線４０１を照射して、照射部分を溶融させ固めることで、ダメージの一部を修復することが特に効果的である。
このように、ウェーハ１００に機能層１０５が設けられている場合、加工溝１１４・１１５の溝底と、側面と、縁面との少なくともいずれかにおける機能層１０５からなる部分および／または基板層からなる部分にレーザ光線４０１を照射して溶融させ、そのダメージの一部を修復してもよい。
なお、加工溝１１４・１１５の溝底１２２が機能層１０５からなる場合とは、たとえば、加工溝１１４・１１５が機能層１０５のみからなる場合（加工溝１１４・１１５が基板層に到達していない場合）である。このような加工溝１１４・１１５は、たとえば、レーザ光線を基板層に照射したくない場合に形成される。 また、機能層１０５にレーザ光線を照射する場合、レーザ光線４０１の熱により機能層１０５に新たなダメージが生じないように、レーザ光線４０１の出力を、レーザ光線４０１の照射面の表層が溶融される程度にとどめることが好ましい。
また、ウェーハ１００の表面に機能層１０５が積層されている場合、ウェーハ１００に対して、以下のような加工方法を実施してもよい。この場合、加工システム１は、図８に示すように、図２に示した第１切削装置２、レーザ加工装置４、搬送装置５および制御部７に加えて、第２切削装置３をさらに備えている。この第２切削装置３は、図３に示した第１切削装置２の構成において、第１切削装置２の第１切削ブレード４６よりも薄い第２切削ブレード４７を有している。
この加工方法では、加工溝形成ステップにおいて、第１切削装置２を用いた切削加工を実施する前に、制御部７は、図９（ａ）に示すように、レーザ加工装置４を用いて、ウェーハ１００における第１分割予定ライン１０３および第２分割予定ライン１０４の両側に、加工ヘッド８１からレーザ光線４０１を照射する。これにより、第１分割予定ライン１０３および第２分割予定ライン１０４の両側の機能層１０５を除去して、一対の加工予備溝１１７を形成する（加工溝形成ステップの機能層除去工程）。この加工予備溝１１７の深さは、少なくとも機能層１０５を除去する深さである。また、一対の加工予備溝１１７の間隔は、後に形成される第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の幅よりも大きい。
その後、ウェーハ１００を含むワークセット１１０は、第１切削装置２に搬送される。そして、制御部７が、第１切削装置２の第１切削ブレード４６を用いて、一対の加工予備溝１１７の間を切削する。これにより、図９（ｂ）に示すように、ウェーハ１００に、第１分割予定ライン１０３に沿う第１加工溝１１４、および、第２分割予定ライン１０４に沿う第２加工溝１１５が、一対の加工予備溝１１７の間に形成される（加工溝形成ステップの切削工程）。この場合、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５は、ダイシングテープ１１３に達しない深さとなるように形成される。
その後、ウェーハ１００を含むワークセット１１０は、レーザ加工装置４に搬送される。そして、制御部７は、図９（ｃ）に示すように、レーザ加工装置４の加工ヘッド８１によって、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の溝底１２２に、レーザ光線４０１を照射して、溝底１２２のダメージを修復する（エネルギー供給ステップ）。また、エネルギー供給ステップでは、一対の加工予備溝１１７の溝底、縁面、および側面の少なくともいずれかにもレーザ光線４０１を照射して、加工溝形成ステップの機能層除去工程によって加工予備溝１１７の溝底、縁面および縁面（開口の周辺部分）に生じたダメージを修復しても良い。
次に、ウェーハ１００を含むワークセット１１０は、第２切削装置３に搬送される。そして、制御部７が、第２切削装置３の第２切削ブレード４７を用いて、図９（ｄ）に示すように、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の溝底１２２を、ダイシングテープ１１３に至る深さの分割溝１１８が形成されるように切削（フルカット）する。これにより、ウェーハ１００が、複数のチップ１１６に分割される（分割ステップ）。
この加工方法では、図９（ｂ）に示すように、加工溝形成ステップの切削工程において、第１切削装置２の第１切削ブレード４６が、機能層１０５が除去されている加工予備溝１１７の間を切削する。このため、第１切削ブレード４６によって、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の両側のウェーハ１００の表面から機能層１０５が剥がされてしまうことを、防止することができる。
また、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の溝底１２２をフルカットする前に、溝底１２２にレーザ光線４０１を照射して、溝底１２２のダメージを修復している。このため、フルカットにより形成されるチップ１１６の抗折強度を高めることができる。
なお、図９（ａ）～（ｄ）に示した加工方法を実施する場合、図８に示すような２台の第１切削装置２および第２切削装置３を用いることに代えて、比較的に厚い第１切削ブレード４６と比較的に薄い第２切削ブレード４７との２つの切削ブレードを有する、いわゆるデュアルダイサーとしての第１切削装置２を用いてもよい。そして、第１切削装置２が、図９（ｂ）に示した第１切削ブレード４６による第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の形成と、図９（ｄ）に示した第２切削ブレード４７による分割溝１１８の形成とを、ともに実施してもよい。
あるいは、加工システム１は、上述したデュアルダイサーとしての機能と、レーザ加工装置４と同様のレーザ加工機能との双方を有する１つの加工装置によって、図９（ａ）～（ｄ）に示した加工方法を実施してもよい。
また、上述した実施形態では、加工システム１は、図２あるいは図８に示すように、ウェーハ１００に第１加工溝１１４および第２加工溝１１５を形成するために、第１切削装置２を備えている。これに関し、加工システム１は、第１切削装置２に代えて、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５を形成するための、レーザ加工装置４とは別の、溝形成用のレーザ加工装置を備えていてもよい。
溝形成用のレーザ加工装置は、たとえば、図４に示したレーザ加工装置４と同様の構成を有する。ただし、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５を形成するためのレーザ光線と、ウェーハ１００のダメージを修復するためのレーザ光線とでは、波長および出力等が互いに異なる。このため、溝形成用のレーザ加工装置は、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５を形成するために適したレーザ光線を照射するように構成されている。
あるいは、加工システム１では、レーザ加工装置４が、二種類のレーザ光線発振器を備えており、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５を形成するために適したレーザ光線と、ウェーハ１００のダメージを修復するために適したレーザ光線とを、切換えながら照射できるように構成されていてもよい。この場合、加工システム１は、１台のレーザ加工装置４によって、上述した加工溝形成ステップとエネルギー供給ステップとを実施することができる。
また、上述した実施形態では、エネルギー供給ステップにおいて、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の縁面（第１縁面部１２０、第２縁面部１２１）および／または溝底１２２に、レーザ光線４０１を照射している。これに関し、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の側面に、レーザ光線４０１を照射してもよい。
この場合、たとえば、図４に示したレーザ加工装置４の保持部５５は、図１０に示すように、保持テーブル５６に代えて、保持機構９０を有している。
保持機構９０は、保持台９１の周囲に、ウェーハ１００の周囲の環状フレーム１１１を挟持固定するクランプ部５８を備えている。また、保持機構９０は、保持台９１上に固定されたボールねじ式の移動機構９３、および、移動機構９３に支持されている押し上げ部材９２を有している。
移動機構９３は、図１０および図１１に矢印５０１によって示すように押し上げ部材９２をＹ軸方向に沿って移動させるとともに、上下方向に移動させることが可能である。押し上げ部材９２は、図１１に示すように、ウェーハ１００の直径よりも長い略板状の部材であり、ダイシングテープ１１３を介してウェーハ１００に接するように、ウェーハ１００の直径方向に延在している。押し上げ部材９２におけるウェーハ１００に接する部分の幅は、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５によってウェーハ１００を分割することによって得られるチップ１１６の幅と同程度である。
この構成では、加工溝形成ステップにおいて、図５（ａ）に示すように、ウェーハ１００を複数のチップ１１６に分割する第１加工溝１１４および第２加工溝１１５を形成する。
そして、エネルギー供給ステップにおいて、図１０に示したレーザ加工装置４における保持部５５のクランプ部５８によって、ワークセット１１０の環状フレーム１１１が支持される（保持工程）。
そして、制御部７は、図１０に示すように、加工ヘッド８１から出力されるレーザ光線４０１が、Ｘ軸方向に延びる１つの第１加工溝１１４に沿う１列のチップ１１６に照射されるように、Ｙ軸移動機構６０（図４参照）およびθテーブル５９を調整する。さらに、制御部７は、加工ヘッド８１から出力されるレーザ光線４０１が、ウェーハ１００の表面に対して斜めから照射されるように、加工ヘッド８１の傾きを調整する。なお、加工ヘッド８１の傾きを調整することに代えて、加工ヘッド８１の内部に配置されたミラー（図示せず）によって、レーザ光線４０１を傾けてもよい。
この状態で、制御部７は、保持機構９０を制御して、レーザ光線４０１が照射される一列のチップ１１６（エネルギーの供給対象のチップ１１６）の下方に押し上げ部材９２を位置付けて、押し上げ部材９２によって、これらのチップ１１６を、他のチップ１１６よりも相対的に押し上げる。これにより、制御部７は、図１２に示すように、レーザ光線４０１が照射されるチップ１１６の４つの側面のうちの、Ｘ軸方向に平行な２つの側面の１つである第１側面１２３を、加工ヘッド８１に対向するように露出させる（側面露出ステップ）。
なお、チップ１１６の側面は、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の側面に対応するものである。
この状態で、制御部７は、加工ヘッド８１からレーザ光線４０１を照射するとともに、Ｘ軸移動機構７０（図４参照）によって保持部５５をＸ軸方向に移動させる。これにより、押し上げられた一列のチップ１１６における露出した第１側面１２３に対して、順次、加工ヘッド８１からのレーザ光線４０１が照射されて、エネルギーが供給される。なお、制御部７は、第１側面１２３の全面にレーザ光線４０１が照射されるように、適宜、レーザ光線４０１の傾きを調整することが好ましい。
その後、制御部７は、Ｙ軸移動機構６０（図４参照）によってレーザ光線４０１が照射されるチップ１１６の列を変えるとともに、移動機構９３を制御してこれらのチップ１１６を押し上げ部材９２によって押し上げて、その第１側面１２３にレーザ光線４０１を照射する。このようにして、制御部７は、ウェーハ１００における全てのチップ１１６の第１側面１２３に対して、レーザ光線４０１を照射する。
次に、制御部７は、θテーブル５９（図１０参照）によってウェーハ１００を含むワークセット１１０の向きを１８０度回転させて、図１３に示すように、チップ１１６の第１側面１２３に対向する第２側面１２４に対して、レーザ光線４０１を照射する。
このようにして、制御部７は、θテーブル５９によってワークセット１１０の向きを変えながら、ウェーハ１００における全てのチップ１１６の４つの側面に対して、レーザ光線４０１を照射する。これにより、チップ１１６の全ての側面を溶融させて、そのダメージの少なくとも一部を修復することができる。
また、上述したように、レーザ光線照射機構８０は、ウェーハ１００に対して吸収性を有する波長のレーザ光線を出力する。たとえば、ウェーハ１００がシリコンウェーハである場合、レーザ光線照射機構８０から出力されるレーザ光線の波長は、シリコンに対して吸収性を有する波長である５００～１０００ｎｍの範囲の波長である。
図１４は、レーザ光線照射機構８０から出力されるレーザ光線の波長と、各レーザ光線を用いて実施されたエネルギー供給ステップの結果（加工結果）との関係を示す表を示す図である。この表に示すように、波長が５００～１０００ｎｍの範囲の波長である場合には、シリコンウェーハであるウェーハ１００のレーザ照射部分を、良好に溶融することが可能であった。
一方、波長が３５５ｎｍ以下である場合には、シリコンウェーハであるウェーハ１００のレーザ照射部分を、十分に溶融することが困難であった。また、波長が１０６４ｎｍである場合にも、レーザ光線がウェーハ１００を透過してしまうため、レーザ照射部分を良好に溶融することが困難であった。
なお、本実施形態では、被加工物としてのウェーハ１００の材料は、Ｓｉ，ＧｅおよびＧａＡｓなどの液相成長する材料であることが好ましい。液相成長する材料は、レーザ光線の照射により溶融しやすい。このため、ウェーハ１００のダメージを、レーザ光線の照射によって良好に修復することができる。
なお、エネルギー供給ステップにおいては、ウェーハ１００に形成されたデバイスに悪影響を生じさせないように、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の少なくとも一部にエネルギーを供給して、第１加工溝１１４および第２加工溝１１５の形成時に発生するダメージの少なくとも一部を修復することができればよい。したがって、エネルギー供給ステップでは、どのような形態でエネルギーを供給してもよい。たとえば、レーザ光線の照射に代えて、プラズマあるいはイオンビーム等を照射することによって、ダメージを修復してもよい。
１：加工システム、２：第１切削装置、３：第２切削装置、
４：レーザ加工装置、５：搬送装置、７：制御部、１０：基台、
１１：門型コラム、１３：切削機構移動機構、
１４：加工送り機構、１５：ガイドレール、１６：Ｘ軸テーブル、
１７：ボールネジ、１８：モータ、２０：保持部、２１：保持テーブル、２２：保持面、
２３：θテーブル、２４：カバー板、２５：クランプ部、３０：割り出し送り機構、
３１：ガイドレール、３２：ボールネジ、３３：モータ、３４：Ｙ軸テーブル、
４０：切込み送り機構、４１：ガイドレール、４２：支持部材、４３：ボールネジ、
４４：モータ、４５：切削機構、４６：第１切削ブレード、４７：第２切削ブレード、
４８：撮像機構、５１：基台、５２：立壁部、５５：保持部、５６：保持テーブル、
５７：保持面、５８：クランプ部、５９：θテーブル、６０：Ｙ軸移動機構、
６３：ガイドレール、６４：Ｙ軸テーブル、６５：ボールネジ、６６：駆動モータ、
７０：Ｘ軸移動機構、７１：ガイドレール、７２：Ｘ軸テーブル、７３：ボールネジ、
７５：駆動モータ、８０：レーザ光線照射機構、８１：加工ヘッド、８２：カメラ、
８３：アーム部、８５：Ｚ軸移動機構、８６：ガイドレール、８７：ボールネジ、
８８：駆動モータ、８９：Ｚ軸テーブル、９０：保持機構、９１：保持台、
９２：押し上げ部材、９３：移動機構、１００：ウェーハ、
１０３：第１分割予定ライン、１０４：第２分割予定ライン、１０５：機能層、
１１０：ワークセット、１１１：環状フレーム、１１２：開口、
１１３：ダイシングテープ、１１４：第１加工溝、１１５：第２加工溝、
１１６：チップ、１１７：加工予備溝、１１８：分割溝、１２０：第１縁面部、
１２１：第２縁面部、１２２：溝底、１２３：第１側面、４０１：レーザ光線

Claims (7)

  1. 複数の分割予定ラインが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って加工するウェーハの加工方法であって、
    該分割予定ラインに沿って加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
    該加工溝の溝底と、側面と、縁面と、の少なくともいずれかの部分にエネルギーを供給して溶融させ、該加工溝形成ステップによって生じたダメージの少なくとも一部を修復するエネルギー供給ステップと、
    を備えることを特徴とする、
    ウェーハの加工方法。
  2. ウェーハには、機能層が積層されており、
    該加工溝形成ステップは、少なくとも該機能層を除去する深さの一対の加工予備溝を形成すること、および、該一対の加工予備溝の間に該加工溝を形成することを含む、
    ことを特徴とする、
    請求項１に記載のウェーハの加工方法。
  3. 該加工溝形成ステップでは、ウェーハを複数のチップに分割する該加工溝を形成し、
    該エネルギー供給ステップは、他のチップよりもエネルギーの供給対象のチップを相対的に押し上げ、該エネルギーの供給対象のチップの側面を露出する側面露出ステップをさらに備え、該側面露出ステップにおいて露出した側面に対して、該エネルギーを供給する、
    ことを特徴とする、
    請求項１に記載のウェーハの加工方法。
  4. 該エネルギー供給ステップは、レーザ光線を照射するステップであることを特徴とする、
    請求項１に記載のウェーハの加工方法。
  5. 該レーザ光線の波長は、ウェーハに対して吸収性を有する波長であることを特徴とする、
    請求項４に記載のウェーハの加工方法。
  6. 該レーザ光線の波長は、５００～１０００ｎｍの範囲の波長であることを特徴とする、
    請求項４に記載のウェーハの加工方法。
  7. ウェーハには、機能層が積層されており、
    該エネルギー供給ステップは、
    該加工溝の溝底と、側面と、縁面との少なくともいずれかにおける該機能層からなる部分に該エネルギーを供給し、該機能層からなる部分に生じたダメージの少なくとも一部を修復する事を特徴とする、
    請求項１に記載のウェーハの加工方法。
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