KR20230120097A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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KR20230120097A
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KR
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wafer
groove
laser beam
holding
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KR1020230012767A
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게이이치로 니이츠
영숙 김
고지 와타나베
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

[과제] 가공홈의 형성에 의해 생기는 손상을 수복할 수 있는 가공 방법을 제공한다.
[해결수단] 웨이퍼의 제1 가공홈 및 제2 가공홈의 제1 가장자리면부 및 제2 가장자리면부를, 레이저 광선을 조사함으로써 용융시키고 있다. 따라서, 제1 가장자리면부 및 제2 가장자리면부의 표면을 평탄화할 수 있으며, 제1 가장자리면부 및 제2 가장자리면부의 손상을 수복하는 것이 가능해진다. 그 결과, 웨이퍼가 분할되어 형성되는 칩의 항절 강도를 높일 수 있다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING WAFER}
본 발명은 웨이퍼에 가공홈을 형성하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
웨이퍼에 가공홈을 형성하는 기술이 있다(특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2005-064231호 공보
그러나, 웨이퍼에 가공홈을 형성하면, 웨이퍼에, 크랙이나 깨짐 등의 손상이 생기는 경우가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 가공홈의 형성에 의해 생기는 손상의 적어도 일부를 수복할 수 있는 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 교차하는 복수의 분할 예정 라인이 표면에 형성된 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 가공하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 상기 분할 예정 라인을 따라 가공홈을 형성하는 가공홈 형성 단계와, 상기 가공홈의 홈 바닥과, 측면과, 가장자리면 중 적어도 어느 하나의 부분에 에너지를 공급하여 용융시켜, 상기 가공홈 형성 단계에 의해 생긴 손상의 적어도 일부를 수복하는 에너지 공급 단계를 구비한 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 웨이퍼에는, 기능층이 적층되어 있고, 상기 가공홈 형성 단계는, 적어도 상기 기능층을 제거하는 깊이의 한쌍의 가공 예비홈을 형성하는 것, 및, 상기 한쌍의 가공 예비홈 사이에 상기 가공홈을 형성하는 것을 포함한다.
바람직하게는, 상기 가공홈 형성 단계에서는, 상기 가공홈에 의해 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할하고, 상기 에너지 공급 단계는, 다른 칩보다 에너지의 공급 대상인 칩을 상대적으로 밀어올려, 상기 에너지의 공급 대상인 칩의 측면을 노출하는 측면 노출 단계를 더 포함하고, 상기 측면 노출 단계에 있어서 노출한 측면에 대하여, 상기 에너지를 공급한다.
바람직하게는, 상기 에너지 공급 단계는, 레이저 광선을 조사하는 단계이다. 바람직하게는, 상기 레이저 광선의 파장은, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장이다.
바람직하게는, 웨이퍼에는, 기능층이 적층되어 있고, 상기 에너지 공급 단계에서는, 상기 가공홈의 홈 바닥과, 측면과, 가장자리면 중 적어도 어느 하나에 있어서의 상기 기능층을 포함하는 부분에 상기 에너지를 공급하여, 상기 기능층을 포함하는 부분에 생긴 손상의 적어도 일부를 수복한다.
본 가공 방법에서는, 가공홈 형성 단계 후, 에너지 공급 단계를 실시하여, 가공홈의 홈 바닥과, 측면과, 가장자리면 중 적어도 어느 하나의 부분에 에너지를 공급하고, 이 부분(레이저 조사 부분)을 용융시켜 재결정화한다. 용융함으로써, 레이저 조사 부분을 평탄화할 수 있으며, 가공홈의 형성에 의해 발생한 크랙 및 깨짐 등을 결합할 수 있기 때문에, 레이저 조사 부분의 손상을 경감하는 것이 가능해진다. 즉, 손상의 적어도 일부를 수복할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼가 분할되어 형성되는 칩의 항절 강도를 높일 수 있다.
도 1은 웨이퍼를 포함하는 프레임 유닛을 나타내는 사시도이다.
도 2는 가공 시스템의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 3은 제1 절삭 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4는 레이저 가공 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 5의 (a)는 가공홈 형성 단계의 예를 나타내는 단면도이고, 도 5의 (b)는 에너지 공급 단계의 예를 나타내는 단면도이다.
도 6의 (a)는 가공홈 형성 단계의 다른 예를 나타내는 단면도이고, 도 6의 (b)는 에너지 공급 단계의 다른 예를 나타내는 단면도이고, 도 6의 (c)는 에너지 공급 단계의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 7의 (a)는 가공홈 형성 단계의 또 다른 예를 나타내는 단면도이고, 도 7의 (b)는 에너지 공급 단계의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 8은 가공 시스템의 다른 구성을 나타내는 블록도이다.
도 9의 (a)는 기능층 제거 공정을 나타내는 단면도이고, 도 9의 (b)는 가공홈 형성 단계의 또 다른 예를 나타내는 단면도이고, 도 9의 (c)는 에너지 공급 단계의 또 다른 예를 나타내는 단면도이고, 도 9의 (d)는 분할 단계의 예를 나타내는 단면도이다.
도 10은 레이저 가공 장치에 있어서의 유지부의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 11은 밀어올리기 부재를 나타내는 평면도이다.
도 12는 에너지 공급 단계의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 13은 에너지 공급 단계의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 14는 레이저 발진기로부터 출사되는 레이저 광선의 파장과, 각 레이저 광선을 이용하여 실시된 용융 단계의 결과의 관계를 나타내는 표이다.
본 발명 실시형태에서는, 피가공물로서, 도 1에 나타내는 바와 같은 웨이퍼(100)가 이용된다. 웨이퍼(100)는, 원형상을 갖고, 표면에, 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 분할 예정 라인(103), 및, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 분할 예정 라인(104)이 형성되어 있다. 이들 제1 분할 예정 라인(103) 및 제2 분할 예정 라인(104)에 의해 구획된 각 영역에는, 예컨대, 도시하지 않는 디바이스가 형성되어 있어도 좋다.
본 실시형태에서는, 웨이퍼(100)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 프레임 유닛(110)의 상태로 취급된다. 프레임 유닛(110)은, 웨이퍼(100)를 수용 가능한 개구(112)를 갖는 환형 프레임(111)과, 환형 프레임(111)의 개구(112)에 위치된 웨이퍼(100)를, 다이싱 테이프(113)에 의해 일체화시킴으로써 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼(100)는, 이러한 프레임 유닛(110)의 상태로, 도 2에 나타내는 가공 시스템(1)에 있어서 가공된다.
도 2에 나타내는 가공 시스템(1)은, 웨이퍼(100)를 가공하는 시스템이며, 웨이퍼(100)를 절삭 가공하는 제1 절삭 장치(2), 웨이퍼(100)를 레이저 가공하는 레이저 가공 장치(4), 이들 사이에서 웨이퍼(100)를 반송하는 반송 장치(5), 및, 이들 장치를 제어하는 컨트롤러(7)를 구비하고 있다.
먼저, 제1 절삭 장치(2)의 구성에 대해서 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 제1 절삭 장치(2)는, 베이스(10)를 구비하고 있고, 이 베이스(10) 상에는, 가공 이송 기구(14)가 배치되어 있다. 가공 이송 기구(14)는, 유지 테이블(21)을 포함하는 유지부(20)를, 절삭 기구(45)의 제1 절삭 블레이드(46)에 대하여 상대적으로, 유지 테이블(21)의 유지면(22)에 평행한 가공 이송 방향(X축 방향)을 따라 이동시킨다.
가공 이송 기구(14)는, X축 방향으로 연장되는 한쌍의 가이드 레일(15), 가이드 레일(15)에 배치된 X축 테이블(16), 가이드 레일(15)과 평행하게 연장되는 볼나사(17), 및, 볼나사(17)를 회전시키는 모터(18)를 포함하고 있다.
한쌍의 가이드 레일(15)은, X축 방향에 평행하게, 베이스(10)의 상면에 배치되어 있다. X축 테이블(16)은, 한쌍의 가이드 레일(15) 상에, 이들 가이드 레일(15)을 따라 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. X축 테이블(16) 상에는, 유지부(20)가 배치되어 있다.
볼나사(17)는, X축 테이블(16)에 마련된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 모터(18)는, 볼나사(17)의 일단부에 연결되어 있고, 볼나사(17)를 회전 구동한다. 볼나사(17)가 회전 구동됨으로써, X축 테이블(16) 및 유지부(20)가, 가이드 레일(15)을 따라, 가공 이송 방향인 X축 방향을 따라 이동한다.
유지부(20)는, 프레임 유닛(110)의 웨이퍼(100)(도 1 참조)를 유지하는 유지 테이블(21), 유지 테이블(21)의 주위에 배치되어 있는 커버판(24), 및, 유지 테이블(21)의 주위에 구비된 2개의 클램프부(25)를 구비하고 있다. 또한, 유지부(20)는, 커버판(24)의 하방에, 유지 테이블(21)을 지지하여 XY 평면 내에서 회전시키는 θ 테이블(23)을 갖고 있다.
유지 테이블(21)은, 도 1에 나타낸 웨이퍼(100)를 유지하는 부재이며, 원판형으로 형성되어 있다. 유지 테이블(21)은, 포러스재를 포함하는 유지면(22)을 구비하고 있다. 유지면(22)은, 도시하지 않는 흡인원에 연통 가능하다. 유지 테이블(21)은, 이 유지면(22)에 의해, 프레임 유닛(110)에 있어서의 웨이퍼(100)를 흡인 유지한다.
유지 테이블(21)의 주위에 구비된 2개의 클램프부(25)는, 유지 테이블(21)에 유지되어 있는 웨이퍼(100)의 주위의 환형 프레임(111)을 협지 고정한다.
베이스(10) 상의 후방측(-X 방향측)에는, 도어형 칼럼(11)이, 가공 이송 기구(14)를 걸치도록 세워서 설치되어 있다. 도어형 칼럼(11)의 전면(+X 방향측의 면)에는, 절삭 기구(45)를 이동시키는 절삭 기구 이동 기구(13)가 마련되어 있다.
절삭 기구 이동 기구(13)는, 절삭 기구(45)를, Y축 방향으로 인덱싱 이송하며, Z축 방향으로 절입 이송한다. 절삭 기구 이동 기구(13)는, 절삭 기구(45)를 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동하는 인덱싱 이송 기구(30), 및, 절삭 기구(45)를 절입 이송 방향(Z축 방향)으로 이동하는 절입 이송 기구(40)를 구비하고 있다.
인덱싱 이송 기구(30)는, 도어형 칼럼(11)의 전면에 배치되어 있다. 인덱싱 이송 기구(30)는, Y축 방향을 따라, 절입 이송 기구(40) 및 절삭 기구(45)를 왕복 이동시킴으로써, Y축 방향에 있어서의 절삭 기구(45)의 위치를 조정한다.
인덱싱 이송 기구(30)는, Y축 방향으로 연장되는 한쌍의 가이드 레일(31), 가이드 레일(31)에 배치된 Y축 테이블(34), 가이드 레일(31)과 평행하게 연장되는 볼나사(32), 및, 볼나사(32)를 회전시키는 모터(33)를 포함하고 있다.
한쌍의 가이드 레일(31)은, Y축 방향에 평행하게, 도어형 칼럼(11)의 전면에 배치되어 있다. Y축 테이블(34)은, 한쌍의 가이드 레일(31) 상에, 이들 가이드 레일(31)을 따라 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. Y축 테이블(34) 상에는, 절입 이송 기구(40) 및 절삭 기구(45)가 부착되어 있다.
볼나사(32)는, Y축 테이블(34)에 마련된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 모터(33)는, 볼나사(32)의 일단부에 연결되어 있고, 볼나사(32)를 회전 구동한다. 볼나사(32)가 회전 구동됨으로써, Y축 테이블(34), 절입 이송 기구(40) 및 절삭 기구(45)가, 가이드 레일(31)을 따라, 인덱싱 이송 방향인 Y축 방향으로 이동한다.
절입 이송 기구(40)는, 절삭 기구(45)를 Z축 방향(상하 방향)을 따라 왕복 이동시킨다. Z축 방향은, X축 방향 및 Y축 방향에 직교하며, 유지 테이블(21)의 유지면(22)에 대하여 직교하는 방향이다.
절입 이송 기구(40)는, Z축 방향으로 연장되는 한쌍의 가이드 레일(41), 가이드 레일(41)에 배치된 지지 부재(42), 가이드 레일(41)과 평행하게 연장되는 볼나사(43), 및, 볼나사(43)를 회전시키는 모터(44)를 포함하고 있다.
한쌍의 가이드 레일(41)은, Z축 방향에 평행하게, Y축 테이블(34)에 배치되어 있다. 지지 부재(42)는, 촬상 기구(48)를 구비하고 있고, 한쌍의 가이드 레일(41)에, 이들 가이드 레일(41)을 따라 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 지지 부재(42)의 하단부에는, 절삭 기구(45)가 부착되어 있다.
볼나사(43)는, 지지 부재(42)의 배면측에 마련된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 모터(44)는, 볼나사(43)의 일단부에 연결되어 있고, 볼나사(43)를 회전 구동한다. 볼나사(43)가 회전 구동됨으로써, 지지 부재(42) 및 절삭 기구(45)가, 가이드 레일(41)을 따라, 절입 이송 방향인 Z축 방향으로 이동한다.
절삭 기구(45)는, 유지 테이블(21)에 유지된 웨이퍼(100)를 절삭하는 것이며, 웨이퍼(100)를 절삭하는 제1 절삭 블레이드(46)를 회전 가능하게 지지하고 있다.
절삭 기구(45)는, 제1 절삭 블레이드(46)에 더하여, 제1 절삭 블레이드(46)를 장착하여 회전하는 스핀들, 스핀들을 회전 가능하게 지지하는 하우징, 및, 스핀들을 회전 구동하는 모터 등을 구비하고 있다(전부 도시하지 않음). 절삭 기구(45)에서는, 모터에 의해 스핀들과 함께 고속 회전하는 제1 절삭 블레이드(46)에 의해, 웨이퍼(100)에 대한 절삭 가공이 실시된다.
다음에, 레이저 가공 장치(4)의 구성에 대해서 설명한다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치(4)는, 직방체형의 베이스(51), 및, 베이스(51)의 일단에 세워서 설치된 수직벽부(52)를 구비하고 있다.
베이스(51)의 상면에는, 유지 테이블(56)을 구비한 유지부(55), 유지 테이블(56)을 인덱싱 이송 방향인 Y축 방향으로 이동시키는 Y축 이동 기구(60), 및, 유지 테이블(56)을 가공 이송 방향인 X축 방향으로 이동시키는 X축 이동 기구(70)를 구비하고 있다. 유지 테이블(56)은, 웨이퍼(100)를 유지하기 위한 유지면(57)을 구비하고 있다.
Y축 이동 기구(60)는, 유지 테이블(56)을, 레이저 광선 조사 유닛(80)에 대하여, 유지면(57)에 평행한 Y축 방향으로 이동시킨다. Y축 이동 기구(60)는, Y축 방향으로 연장되는 한쌍의 가이드 레일(63), 가이드 레일(63)에 배치된 Y축 테이블(64), 가이드 레일(63)과 평행하게 연장되는 볼나사(65), 및, 볼나사(65)를 회전시키는 구동 모터(66)를 포함하고 있다.
한쌍의 가이드 레일(63)은, Y축 방향에 평행하게, 베이스(51)의 상면에 배치되어 있다. Y축 테이블(64)은, 한쌍의 가이드 레일(63) 상에, 이들 가이드 레일(63)을 따라 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. Y축 테이블(64) 상에는, X축 이동 기구(70) 및 유지부(55)가 배치되어 있다.
볼나사(65)는, Y축 테이블(64)에 마련된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 구동 모터(66)는, 볼나사(65)의 일단부에 연결되어 있고, 볼나사(65)를 회전 구동한다. 볼나사(65)가 회전 구동됨으로써, Y축 테이블(64), X축 이동 기구(70) 및 유지부(55)가, 가이드 레일(63)을 따라, Y축 방향으로 이동한다.
X축 이동 기구(70)는, 유지 테이블(56)을, 레이저 광선 조사 유닛(80)에 대하여, 유지면(57)에 평행한 X축 방향으로 이동시킨다. X축 이동 기구(70)는, X축 방향으로 연장되는 한쌍의 가이드 레일(71), 가이드 레일(71) 상에 배치된 X축 테이블(72), 가이드 레일(71)과 평행하게 연장되는 볼나사(73), 및, 볼나사(73)를 회전시키는 구동 모터(75)를 구비하고 있다.
한쌍의 가이드 레일(71)은, X축 방향에 평행하게, Y축 테이블(64)의 상면에 배치되어 있다. X축 테이블(72)은, 한쌍의 가이드 레일(71) 상에, 이들 가이드 레일(71)을 따라 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. X축 테이블(72) 상에는, 유지부(55)가 배치되어 있다.
볼나사(73)는, X축 테이블(72)에 마련된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 구동 모터(75)는, 볼나사(73)의 일단부에 연결되어 있고, 볼나사(73)를 회전 구동한다. 볼나사(73)가 회전 구동됨으로써, X축 테이블(72) 및 유지부(55)가, 가이드 레일(71)을 따라, 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동한다.
유지부(55)는, 웨이퍼(100)를 유지하기 위해 이용된다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼(100)는, 도 1에 나타낸 프레임 유닛(110)으로서, 유지부(55)에 유지된다.
유지부(55)는, 웨이퍼(100)를 유지하는 유지 테이블(56), 유지 테이블(56)의 주위에 마련된 4개의 클램프부(58), 및, 유지 테이블(56)을 지지하여 XY 평면 내에서 회전시키는 θ 테이블(59)을 갖고 있다.
유지 테이블(56)은, 웨이퍼(100)를 유지하기 위한 부재이며, 원판형으로 형성되어 있다. 유지 테이블(56)은, 포러스재를 포함하는 유지면(57)을 구비하고 있다. 이 유지면(57)은, 도시하지 않는 흡인원에 연통 가능하다. 유지 테이블(56)은, 이 유지면(57)에 의해, 프레임 유닛(110)에 있어서의 웨이퍼(100)를 흡인 유지한다.
유지 테이블(56)의 주위에 마련된 4개의 클램프부(58)는, 유지 테이블(56)에 유지되어 있는 웨이퍼(100)의 주위의 환형 프레임(111)을, 사방에서 협지 고정한다.
레이저 가공 장치(4)의 수직벽부(52)의 전면에는, 레이저 광선 조사 유닛(80)이 마련되어 있다.
레이저 광선 조사 유닛(80)은, 유지 테이블(56)에 유지된 웨이퍼(100)에 레이저 광선을 조사한다. 레이저 광선 조사 유닛(80)은, 웨이퍼(100)에 레이저 광선을 조사하는 가공 헤드(집광기)(81), 웨이퍼(100)를 촬상하는 카메라(82), 가공 헤드(81) 및 카메라(82)를 지지하는 아암부(83), 및, 아암부(83)를 Z축 방향으로 이동시키는 Z축 이동 기구(85)를 갖고 있다.
Z축 이동 기구(85)는, Z축 방향으로 연장되는 한쌍의 가이드 레일(86), 가이드 레일(86) 상에 배치된 Z축 테이블(89), 가이드 레일(86)과 평행하게 연장되는 볼나사(87), 및, 볼나사(87)를 회전시키는 구동 모터(88)를 구비하고 있다.
한쌍의 가이드 레일(86)은, Z축 방향에 평행하게, 수직벽부(52)의 전면에 배치되어 있다. Z축 테이블(89)은, 한쌍의 가이드 레일(86) 상에, 이들 가이드 레일(86)을 따라 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. Z축 테이블(89) 상에는, 아암부(83)가 부착되어 있다.
볼나사(87)는, Z축 테이블(89)에 마련된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 구동 모터(88)는, 볼나사(87)의 일단부에 연결되어 있고, 볼나사(87)를 회전 구동한다. 볼나사(87)가 회전 구동됨으로써, Z축 테이블(89) 및 아암부(83)가, 가이드 레일(86)을 따라, Z축 방향으로 이동한다.
아암부(83)는, Z축 테이블(89)에, -Y 방향으로 돌출하도록 부착되어 있다. 가공 헤드(81)는, 유지부(55)의 유지 테이블(56)에 대향하도록, 아암부(83)의 선단에 지지되어 있다.
아암부(83) 및 가공 헤드(81)의 내부에는, 레이저 발진기 및 집광 렌즈 등의, 레이저 광선 조사 유닛(80)의 광학계(도시하지 않음)가 배치되어 있다. 레이저 광선 조사 유닛(80)은, 이들 광학계를 이용하여 생성된 레이저 광선을, 가공 헤드(81)의 하단으로부터, 유지 테이블(56)에 유지되어 있는 웨이퍼(100)를 향하여 조사하도록 구성되어 있다. 레이저 광선 조사 유닛(80)으로부터 조사되는 레이저 광선의 파장은, 본 실시형태에서는, 피가공물인 웨이퍼(100)에 대하여 흡수성을 갖는 파장이다.
도 2에 나타낸 반송 장치(5)는, 예컨대, 로봇 핸드 등의 유지 부재(도시하지 않음)에 의해, 웨이퍼(100)를 포함하는 프레임 유닛(110)을 유지하는 것이 가능하다. 반송 장치(5)는, 예컨대, 도시하지 않는 수용부에 대하여 프레임 유닛(110)을 반출 및 반입하는 것, 및, 프레임 유닛(110)을, 제1 절삭 장치(2)와 레이저 가공 장치(4) 사이에서 반송하는 것이 가능하다. 또한, 반송 장치(5)를 이용하는 일없이, 작업자가, 프레임 유닛(110)의 반송을 실시하여도 좋다.
컨트롤러(7)는, 제어 프로그램에 따라 연산 처리를 행하는 CPU, 및, 메모리 등의 기억 매체 등을 구비하고 있다. 컨트롤러(7)는, 가공 시스템(1)의 각 부재를 제어하여, 웨이퍼(100)의 가공을 실시한다.
이하에, 컨트롤러(7)에 의해 제어되는, 가공 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(100)의 가공 방법에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 가공 방법은, 복수의 분할 예정 라인(103·104)이 형성된 웨이퍼(100)를, 이들 분할 예정 라인(103·104)을 따라 가공하는 방법이다.
[가공홈 형성 단계]
먼저, 가공홈 형성 단계에 대해서 설명한다. 이 단계에서는, 제1 절삭 장치(2)를 이용하여, 도 1에 나타낸 제1 분할 예정 라인(103) 및 제2 분할 예정 라인(104)을 따라, 웨이퍼(100)에 가공홈을 형성한다. 가공홈 형성 단계는, 이하의 유지 공정 및 절삭 공정을 포함하고 있다.
[유지 공정]
이 공정에서는, 반송 장치(5) 혹은 작업자에 의해, 도 1에 나타낸 프레임 유닛(110)의 웨이퍼(100)가, 다이싱 테이프(113)를 통해, 도 3에 나타낸 제1 절삭 장치(2)에 있어서의 유지부(20)의 유지 테이블(21)에 배치된다. 또한, 유지부(20)의 클램프부(25)에 의해, 프레임 유닛(110)의 환형 프레임(111)이 지지된다. 이 상태로, 컨트롤러(7)가, 도시하지 않는 흡인원에 유지 테이블(21)의 유지면(22)을 연통시킴으로써, 유지면(22)에 의해 웨이퍼(100)를 흡인 유지한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(100)를 포함하는 프레임 유닛(110)이, 유지부(20)에 의해 유지된다.
[절삭 공정]
이 공정에서는, 제1 방향으로 형성된 복수의 제1 분할 예정 라인(103) 및 제2 분할 예정 라인(104)(도 1 참조)을 따라, 웨이퍼(100)를 절삭한다.
구체적으로는, 먼저, 컨트롤러(7)가, 도 3에 나타낸 유지부(20)의 θ 테이블(23)을 제어하여, 유지 테이블(21)의 유지면(22)에 유지되어 있는 웨이퍼(100)의 제1 분할 예정 라인(103)이 X축 방향에 평행이 되도록, 유지 테이블(21)을 회전시킨다. 그 후, 컨트롤러(7)는, 가공 이송 기구(14)를 제어하여, 유지부(20)를, 절삭 기구(45)의 하방의 소정의 절삭 개시 위치에 배치한다.
또한, 컨트롤러(7)는, 인덱싱 이송 기구(30)를 제어하여, 제1 절삭 블레이드(46)에 있어서의 Y축 방향에서의 위치를, 웨이퍼(100)에 있어서의 하나의 제1 분할 예정 라인(103)에 맞춘다.
그 후, 컨트롤러(7)는, 제1 절삭 블레이드(46)를 고속 회전시키면서, 절입 이송 기구(40)를 제어하여, 절삭 기구(45)의 제1 절삭 블레이드(46)를, 유지면(22)에 흡인 유지되어 있는 웨이퍼(100)를 절단(풀 커트)하는 소정의 절삭 높이까지 하강시킨다.
이 상태에서, 컨트롤러(7)는, 가공 이송 기구(14)를 제어하여, 프레임 유닛(110)을 유지하고 있는 유지부(20)를, X축 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 회전하는 제1 절삭 블레이드(46)가, 하나의 제1 분할 예정 라인(103)을 따라, 웨이퍼(100)를 절삭한다. 그 결과, 웨이퍼(100)에, 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제1 분할 예정 라인(103)을 따르는 가공홈(절삭홈)인 제1 가공홈(114)이 형성된다. 이 경우, 제1 가공홈(114)은, 웨이퍼(100)를 절단하여 다이싱 테이프(113)에 달하는 깊이가 되도록 형성된다.
그 후, 컨트롤러(7)는, 절입 이송 기구(40)를 제어하여, 제1 절삭 블레이드(46)를, 웨이퍼(100)로부터 분리하여 그 상방에 배치한다. 또한, 컨트롤러(7)는, 가공 이송 기구(14)를 제어하여, 유지부(20)를 절삭 개시 위치에 복귀시킨다. 그리고, 컨트롤러(7)는, 인덱싱 이송 기구(30)를 제어하여, 제1 절삭 블레이드(46)에 있어서의 Y축 방향에서의 위치를, 웨이퍼(100)에 있어서의 다음에 절삭되는 다른 제1 분할 예정 라인(103)에 맞추고, 이 제1 분할 예정 라인(103)을 따라 웨이퍼(100)를 절삭한다. 이와 같이 하여, 절삭 기구(45)는, 웨이퍼(100)에 있어서의 모든 제1 분할 예정 라인(103)을 따라, 웨이퍼(100)를 절삭한다.
다음에, 컨트롤러(7)는, 도 3에 나타낸 유지부(20)의 θ 테이블(23)을 제어하여, 유지 테이블(21)의 유지면(22)에 유지되어 있는 웨이퍼(100)의 제2 분할 예정 라인(104)이 X축 방향에 평행이 되도록, 유지 테이블(21)을 회전시킨다.
그 후, 컨트롤러(7)는, 제1 분할 예정 라인(103)을 따른 절삭과 동일하게, 가공 이송 기구(14), 인덱싱 이송 기구(30), 절입 이송 기구(40) 및 절삭 기구(45)를 제어하여, 제1 절삭 블레이드(46)에 의해, 웨이퍼(100)에, 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 모든 제2 분할 예정 라인(104)을 따르는 제2 가공홈(115)을 형성한다. 이 제2 가공홈(115)도, 제1 가공홈(114)과 동일한 깊이를 갖는다.
이에 의해, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)에 의해, 웨이퍼(100)가, 복수의 칩(116)으로 분할된다.
절삭 공정 후, 프레임 유닛(110)은, 반송 장치(5) 혹은 작업자에 의해, 레이저 가공 장치(4)에 반송된다.
[에너지 공급 단계]
다음에, 에너지 공급 단계에 대해서 설명한다. 이 단계에서는, 가공홈 형성 단계에 있어서 형성된 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 홈 바닥과, 측면과, 가장자리면 중 적어도 어느 하나의 부분에, 예컨대 국소적(부분적)으로 에너지를 공급하여 용융시켜, 가공홈 형성 단계에 의해 생긴 손상의 적어도 일부를 수복한다. 이 손상(손상층)은, 예컨대, 홈 형성 시에 발생하는 크랙, 흠집, 및 깨짐 등을 포함하는 가공 변질 부분(가공 변질층)이다.
본 실시형태에서는, 에너지 공급 단계에 있어서, 레이저 가공 장치(4)를 이용하여, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 가장자리면에 레이저 광선을 조사한다. 에너지 공급 단계는, 이하의 유지 공정, 및, 레이저 광선 조사 공정을 포함하고 있다. 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 가장자리면은, 도 5의 (a)에 나타내는 웨이퍼(100)의 표면에 있어서의 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 개구의 주변 부분(칩(116)의 단부)이며, 가공홈(114·115)을 따라 연장되는 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)를 포함하고 있다. 또한, 가공홈(114·115)의 가장자리면은, 예컨대, 가공홈(114·115)의 옆의 상면이라고 표현할 수도 있다.
[유지 공정]
이 공정에서는, 반송 장치(5) 혹은 작업자에 의해, 도 1에 나타낸 프레임 유닛(110)의 웨이퍼(100)가, 다이싱 테이프(113)를 통해, 도 4에 나타낸 레이저 가공 장치(4)에 있어서의 유지부(55)의 유지 테이블(56)에 배치된다. 또한, 유지부(55)의 클램프부(58)에 의해, 프레임 유닛(110)의 환형 프레임(111)이 지지된다. 이 상태에서, 컨트롤러(7)가, 도시하지 않는 흡인원에 유지 테이블(56)의 유지면(57)을 연통시킴으로써, 유지면(57)에 의해 웨이퍼(100)를 흡인 유지한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(100)를 포함하는 프레임 유닛(110)이, 유지부(55)에 의해 유지된다.
[레이저 광선 조사 공정]
이 공정에서는, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 가장자리면에, 레이저 광선을 조사한다. 구체적으로는, 먼저, 컨트롤러(7)가, 도 4에 나타낸 유지부(55)의 θ 테이블(59)을 제어하여, 유지 테이블(56)의 유지면(57)에 유지되어 있는 웨이퍼(100)의 제1 가공홈(114)이 X축 방향에 평행이 되도록, 유지 테이블(56)을 회전시킨다. 그 후, 컨트롤러(7)는, X축 이동 기구(70)를 제어하여, 유지부(55)를, 레이저 광선 조사 유닛(80)의 가공 헤드(81)의 하방의 소정의 조사 개시 위치에 배치한다.
또한, 컨트롤러(7)는, Y축 이동 기구(60)를 제어하여, 가공 헤드(81)의 하방에, 웨이퍼(100)에 있어서의 하나의 제1 가공홈(114)의 제1 가장자리면부(120)(도 5의 (a) 참조)를 배치한다. 또한, 컨트롤러(7)는, 레이저 광선 조사 유닛(80)의 Z축 이동 기구(85)를 제어하여, 가공 헤드(81)의 높이를, 적절히 조정한다.
이 상태에서, 컨트롤러(7)는, 레이저 광선 조사 유닛(80)의 광학계를 제어하여 레이저 광선을 생성하고, 가공 헤드(81)로부터 하방에 레이저 광선을 조사하며, X축 이동 기구(70)를 제어하여, 프레임 유닛(110)을 유지하고 있는 유지부(55)를, X축 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공 헤드(81)로부터 출력되는 레이저 광선(401)이, 하나의 제1 가공홈(114)의 제1 가장자리면부(120)를 따라 조사된다.
그 후, 컨트롤러(7)는, 레이저 광선(401)의 조사를 정지하며, X축 이동 기구(70)를 제어하여, 유지부(55)를 조사 개시 위치에 복귀시킨다. 그리고, 컨트롤러(7)는, Y축 이동 기구(60)를 제어하여, 가공 헤드(81)의 하방에 제1 가공홈(114)의 제2 가장자리면부(121)를 배치하여, 이 제2 가장자리면부(121)를 따라 레이저 광선(401)을 조사한다.
이와 같이 하여, 컨트롤러(7)는, 웨이퍼(100)에 있어서의 모든 제1 가공홈(114)의 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)를 따라, 레이저 광선(401)을 조사한다.
다음에, 컨트롤러(7)는, 도 4에 나타낸 유지부(55)의 θ 테이블(59)을 제어하여, 유지 테이블(56)의 유지면(57)에 유지되어 있는 웨이퍼(100)의 제2 가공홈(115)이 X축 방향에 평행이 되도록, 유지 테이블(21)을 회전시킨다.
그 후, 컨트롤러(7)는, 제1 가공홈(114)을 따른 레이저 조사와 동일하게, Y축 이동 기구(60), X축 이동 기구(70) 및 레이저 광선 조사 유닛(80)을 제어하여, 모든 제2 가공홈(115)의 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)를 따라, 레이저 광선(401)을 조사한다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 가공홈 형성 단계 후, 에너지 공급 단계를 실시하여, 웨이퍼(100)의 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)에, 레이저 광선(401)을 조사함으로써, 에너지를 공급한다. 이에 의해, 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)는, 레이저 광선(401)에 의해 용융된다.
또한, 본 실시형태에서는, 웨이퍼(100)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선(401)을 이용하고 있기 때문에, 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)의 표면뿐만 아니라, 표면으로부터 소정의 두께까지의 부분(표면 근방 부분)도 용융된다. 그리고, 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)의 용융 영역은, 레이저 조사 후, 냉각되어 굳혀진다.
이러한 용융 및 냉각의 프로세스에 의해, 본 실시형태에서는, 레이저 광선(401)의 조사 부분(레이저 조사 부분)인 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)의 용융 영역을 결정 성장시켜 종결정을 형성하고, 그 후에 재결정화할 수 있다. 따라서, 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)의 표면을 평탄화할 수 있다. 또한, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 형성 시에 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)의 표면 및 표면 근방 부분에 발생한 크랙 및 깨짐 등을, 결합할 수 있다. 이 때문에, 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)의 손상을 경감하는 것이 가능해진다. 즉, 손상의 적어도 일부를 수복(혹은 제거)할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(100)가 분할되어 형성되는 칩(116)의 항절 강도를 높일 수 있다.
또한, 에너지 공급 단계에서는, 가공홈 형성 단계에 의해 생긴 손상을 수복하기 위해, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 홈 바닥, 측면 및 가장자리면 중 어느 하나의 부분에 국소적(부분적)으로 레이저 광선을 조사하고 있다. 이에 의해, 웨이퍼(100)의 표면에 디바이스가 형성되어 있는 경우에도, 레이저 광선이 디바이스에 악영향을 끼치는 것을 억제할 수 있다. 또한, 국소적으로 레이저 광선을 조사함으로써, 에너지 공급 단계에 드는 시간을 짧게 할 수 있기 때문에, 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 가공홈의 형성 후에, 레이저 광선의 조사에 의해 가공홈에 부착된 가공 부스러기를 떼어 내는, 레이저 클리닝이라고 불리는 방법이 있다. 이에 관하여, 레이저 클리닝에서는, UV 파장의 레이저 광선을 가공홈에 조사함으로써, 가공홈의 표면에 부착된 가공 부스러기에 레이저 광선을 흡수시켜 어블레이션시켜, 이 가공 부스러기를 제거한다. 즉, 레이저 클리닝은, 표면에 부착되어 있는 가공 부스러기를 승화시켜 제거하기 위해 실시된다.
한편, 본 실시형태에서는, 레이저 광선(401)의 조사에 의해, 웨이퍼(100)에 있어서의 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121) 등의 레이저 조사 부분의 표면을 평탄화시키는 것뿐만 아니라, 내부(표면 근방 부분)에 형성된 크랙 등을 결합시켜, 손상을 수복한다. 따라서, 레이저 광선(401)은, 레이저 조사 부분의 표면에 지나치게 흡수되지 않는 것이 바람직하다. 이 때문에, 본 실시형태에서는, 레이저 클리닝으로 조사되는 파장보다 긴 파장, 예컨대, 500∼1000 ㎚의 범위의 파장의 레이저 광선(401)을 이용하여, 레이저 조사 부분의 표면, 및, 표면으로부터 소정의 두께까지의 부분(표면 근방 부분)을 용융하는 것이 바람직하다. 표면 근방 부분은, 예컨대, 표면으로부터 0.5 ㎛∼1.5 ㎛, 혹은, 0.5 ㎛∼4 ㎛ 정도까지의 두께의 부분이다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 컨트롤러(7)는, 가공홈 형성 단계에 있어서의 절삭 공정에 있어서, 절삭 기구(45)의 제1 절삭 블레이드(46)의 높이를, 웨이퍼(100)를 절단(풀 커트)하는 높이로 설정하고, 이에 의해, 웨이퍼(100)를 절단하여 다이싱 테이프(113)에 달하는 깊이의 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)을 형성하여, 웨이퍼(100)를 복수의 칩(116)으로 분할하고 있다. 이에 관하여, 가공홈 형성 단계에 있어서의 절삭 공정에서는, 절삭 기구(45)의 제1 절삭 블레이드(46)의 높이를, 웨이퍼(100)를 절단하는 높이보다 높게 설정함으로써, 웨이퍼(100)를 하프 커트하여도 좋다. 이 경우, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)은, 다이싱 테이프(113)에 달하지 않는 깊이가 되도록 형성된다.
또한, 이 경우, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)뿐만 아니라, 홈 바닥(122)에도 레이저 광선(401)을 조사하는 것이 바람직하다.
즉, 이 경우, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 컨트롤러(7)는, 에너지 공급 단계에 있어서의 레이저 광선 조사 공정에 있어서, 가공 헤드(81)로부터 출력되는 레이저 광선(401)을, 제1 가공홈(114)(제2 가공홈(115))의 홈 바닥(122)을 따라 조사한다. 그 후, 컨트롤러(7)는, 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 레이저 광선(401)을, 제1 가공홈(114)(제2 가공홈(115))의 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)를 따라 조사한다. 이 구성에서는, 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)뿐만 아니라, 홈 바닥(122)의 손상을 경감하는 것도 가능해진다.
또한, 컨트롤러(7)는, 홈 바닥(122)의 전체면에 레이저 광선(401)이 조사되도록, 예컨대 Y축 이동 기구(60)를 이용하여, 적절하게, 레이저 광선(401)에 있어서의 Y축 방향의 위치를 조정하는 것이 바람직하다.
또한, 홈 바닥(122)의 코너 부근에는, 가공 헤드(81)로부터의 레이저 광선(401)을 상방으로부터 조사하기 어려운 경우도 있다. 이러한 경우에는, 가공 헤드(81)를 기울이거나, 혹은, 가공 헤드(81)로부터 출력되는 레이저 광선(401)의 방향을 미러(도시하지 않음)에 의해 변경함으로써, 홈 바닥(122)의 코너 부근에, 비스듬하게 레이저 광선(401)을 조사하여도 좋다. 이러한 미러는, 예컨대, 레이저 광선 조사 유닛(80)에 있어서의 가공 헤드(81)의 내부에 배치된다.
또한, 웨이퍼(100)의 표면(디바이스면)에는, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 기능층(105)이 적층되어 있어도 좋다. 기능층(105)은, 예컨대, low-k막(저유전막)이나 디바이스, 배선층 등이 적층된 구성이다.
이 구성에서는, 가공홈 형성 단계에 있어서, 기능층(105)을 제거하여 웨이퍼(100)를 하프 커트하여 다이싱 테이프(113)에 달하지 않는 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)을 형성하고, 에너지 공급 단계에 있어서, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 그 홈 바닥(122)에, 레이저 광선(401)을 조사하는 것이 바람직하다.
또한, 웨이퍼(100)에 기능층(105)이 마련되어 있는 경우, 에너지 공급 단계에 있어서, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 홈 바닥과, 측면과, 가장자리면 중 적어도 어느 하나에 있어서의 기능층(105)을 포함하는 부분에 에너지를 공급하여, 이 부분에 생긴 손상의 적어도 일부를 수복하여도 좋다. 즉, 도 7의 (b)에 나타낸 예에서는, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 기능층(105)을 포함하는 제1 가장자리면부(120) 및 제2 가장자리면부(121)에 레이저 광선(401)을 조사하여, 기능층(105)을 용융시켜, 그 손상을 제거하여도 좋다.
또한, 웨이퍼(100)에 따라서는, 기능층(105)이 두꺼운 경우, 예컨대, 기능층(105)이, 웨이퍼(100)의 본체인 기판보다 두꺼운 경우도 있다. 예컨대, 기판의 두께가 10 ㎛ 정도인 한편, 기능층의 두께 20∼30 ㎛가 되는 경우도 있다. 이와 같이 기능층(105)이 두꺼운 경우에는, 기능층(105)에 생긴 손상이, 웨이퍼(100)가 칩화되었을 때의 칩의 항절 강도에 영향을 끼친다.
이 때문에, 기능층(105)이 두꺼운 경우에는, 기능층(105)에 형성된 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 가장자리면, 측면 및 홈 바닥 중 적어도 어느 하나(즉, 가공홈(114·115)에 있어서의 기능층(105)으로 형성되어 있는 부분 중 어느 하나)에 레이저 광선(401)을 조사하여, 조사 부분을 용융시켜 굳힘으로써, 손상의 일부를 수복하는 것이 특히 효과적이다.
이와 같이, 웨이퍼(100)에 기능층(105)이 마련되어 있는 경우, 가공홈(114·115)의 홈 바닥과, 측면과, 가장자리면 중 적어도 어느 하나에 있어서의 기능층(105)을 포함하는 부분 및/또는 기판을 포함하는 부분에 레이저 광선(401)을 조사하여 용융시켜, 그 손상의 일부를 수복하여도 좋다.
또한, 가공홈(114·115)의 홈 바닥(122)이 기능층(105)을 포함하는 경우란, 예컨대, 가공홈(114·115)이 기능층(105)만을 포함하는 경우(가공홈(114·115)이 기판에 도달하지 않는 경우)이다. 이러한 가공홈(114·115)은, 예컨대, 레이저 광선을 기판에 조사하고 싶지 않은 경우에 형성된다. 또한, 기능층(105)에 레이저 광선을 조사하는 경우, 레이저 광선(401)의 열에 의해 기능층(105)에 새로운 손상이 생기지 않도록, 레이저 광선(401)의 출력을, 레이저 광선(401)의 조사면의 표층이 용융되는 정도로 그치는 것이 바람직하다.
또한, 웨이퍼(100)의 표면에 기능층(105)이 적층되어 있는 경우, 웨이퍼(100)에 대하여, 이하와 같은 가공 방법을 실시하여도 좋다. 이 경우, 가공 시스템(1)은, 도 8에 나타내는 바와 같이, 도 2에 나타낸 제1 절삭 장치(2), 레이저 가공 장치(4), 반송 장치(5) 및 컨트롤러(7)에 더하여, 제2 절삭 장치(3)를 더 구비하고 있다. 이 제2 절삭 장치(3)는, 도 3에 나타낸 제1 절삭 장치(2)의 구성에 있어서, 제1 절삭 장치(2)의 제1 절삭 블레이드(46)보다 얇은 제2 절삭 블레이드(47)를 갖고 있다.
이 가공 방법에서는, 가공홈 형성 단계에 있어서, 제1 절삭 장치(2)를 이용한 절삭 가공을 실시하기 전에, 컨트롤러(7)는, 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치(4)를 이용하여, 웨이퍼(100)에 있어서의 제1 분할 예정 라인(103) 및 제2 분할 예정 라인(104)의 양측에, 가공 헤드(81)로부터 레이저 광선(401)을 조사한다. 이에 의해, 제1 분할 예정 라인(103) 및 제2 분할 예정 라인(104)의 양측의 기능층(105)을 제거하고, 한쌍의 가공 예비홈(117)을 형성한다(가공홈 형성 단계의 기능층 제거 공정). 이 가공 예비홈(117)의 깊이는, 적어도 기능층(105)을 제거하는 깊이이다. 또한, 한쌍의 가공 예비홈(117)의 간격은, 이후에 형성되는 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 폭보다 크다.
그 후, 웨이퍼(100)를 포함하는 프레임 유닛(110)은, 제1 절삭 장치(2)에 반송된다. 그리고, 컨트롤러(7)가, 제1 절삭 장치(2)의 제1 절삭 블레이드(46)를 이용하여, 한쌍의 가공 예비홈(117) 사이를 절삭한다. 이에 의해, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(100)에, 제1 분할 예정 라인(103)을 따르는 제1 가공홈(114), 및, 제2 분할 예정 라인(104)을 따르는 제2 가공홈(115)이, 한쌍의 가공 예비홈(117) 사이에 형성된다(가공홈 형성 단계의 절삭 공정). 이 경우, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)은, 다이싱 테이프(113)에 달하지 않는 깊이가 되도록 형성된다.
그 후, 웨이퍼(100)를 포함하는 프레임 유닛(110)은, 레이저 가공 장치(4)에 반송된다. 그리고, 컨트롤러(7)는, 도 9의 (c)에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치(4)의 가공 헤드(81)에 의해, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 홈 바닥(122)에, 레이저 광선(401)을 조사하여, 홈 바닥(122)의 손상을 수복한다(에너지 공급 단계). 또한, 에너지 공급 단계에서는, 한쌍의 가공 예비홈(117)의 홈 바닥, 가장자리면, 및 측면 중 적어도 어느 하나에도 레이저 광선(401)을 조사하여, 가공홈 형성 단계의 기능층 제거 공정에 의해 가공 예비홈(117)의 홈 바닥, 측면 및 가장자리면(개구의 주변 부분)에 생긴 손상을 수복하여도 좋다.
다음에, 웨이퍼(100)를 포함하는 프레임 유닛(110)은, 제2 절삭 장치(3)에 반송된다. 그리고, 컨트롤러(7)가, 제2 절삭 장치(3)의 제2 절삭 블레이드(47)를 이용하여, 도 9의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 홈 바닥(122)을, 다이싱 테이프(113)에 이르는 깊이의 분할홈(118)이 형성되도록 절삭(풀 커트)한다. 이에 의해, 웨이퍼(100)가, 복수의 칩(116)으로 분할된다(분할 단계).
이 가공 방법에서는, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공홈 형성 단계의 절삭 공정에 있어서, 제1 절삭 장치(2)의 제1 절삭 블레이드(46)가, 기능층(105)이 제거되어 있는 가공 예비홈(117) 사이를 절삭한다. 이 때문에, 제1 절삭 블레이드(46)에 의해, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 양측의 웨이퍼(100)의 표면으로부터 기능층(105)이 박리되어 버리는 것을, 방지할 수 있다.
또한, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 홈 바닥(122)을 풀 커트하기 전에, 홈 바닥(122)에 레이저 광선(401)을 조사하여, 홈 바닥(122)의 손상을 수복하고 있다. 이 때문에, 풀 커트에 의해 형성되는 칩(116)의 항절 강도를 높일 수 있다.
또한, 도 9의 (a)∼(d)에 나타낸 가공 방법을 실시하는 경우, 도 8에 나타내는 바와 같은 2대의 제1 절삭 장치(2) 및 제2 절삭 장치(3)를 이용하는 대신에, 비교적 두꺼운 제1 절삭 블레이드(46)와 비교적 얇은 제2 절삭 블레이드(47)의 2개의 절삭 블레이드를 갖는, 소위 듀얼 다이서로서의 제1 절삭 장치(2)를 이용하여도 좋다. 그리고, 제1 절삭 장치(2)가, 도 9의 (b)에 나타낸 제1 절삭 블레이드(46)에 의한 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 형성과, 도 9의 (d)에 나타낸 제2 절삭 블레이드(47)에 의한 분할홈(118)의 형성을, 함께 실시하여도 좋다.
혹은, 가공 시스템(1)은, 전술한 듀얼 다이서로서의 기능과, 레이저 가공 장치(4)와 동일한 레이저 가공 기능의 쌍방을 갖는 하나의 가공 장치에 의해, 도 9의 (a)∼(d)에 나타낸 가공 방법을 실시하여도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 가공 시스템(1)은, 도 2 혹은 도 8에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(100)에 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)을 형성하기 위해, 제1 절삭 장치(2)를 구비하고 있다. 이에 관하여, 가공 시스템(1)은, 제1 절삭 장치(2) 대신에, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)을 형성하기 위한, 레이저 가공 장치(4)와는 별도의, 홈 형성용의 레이저 가공 장치를 구비하고 있어도 좋다.
홈 형성용의 레이저 가공 장치는, 예컨대, 도 4에 나타낸 레이저 가공 장치(4)와 동일한 구성을 갖는다. 단, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)을 형성하기 위한 레이저 광선과, 웨이퍼(100)의 손상을 수복하기 위한 레이저 광선에서는, 파장 및 출력 등이 서로 다르다. 이 때문에, 홈 형성용의 레이저 가공 장치는, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)을 형성하기 위해 알맞은 레이저 광선을 조사하도록 구성되어 있다.
혹은, 가공 시스템(1)에서는, 레이저 가공 장치(4)가, 2종류의 레이저 발진기를 구비하고 있고, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)을 형성하기 위해 알맞은 레이저 광선과, 웨이퍼(100)의 손상을 수복하기 위해 알맞은 레이저 광선을, 전환하면서 조사할 수 있도록 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 가공 시스템(1)은, 1대의 레이저 가공 장치(4)에 의해, 전술한 가공홈 형성 단계와 에너지 공급 단계를 실시할 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 에너지 공급 단계에 있어서, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 가장자리면(제1 가장자리면부(120), 제2 가장자리면부(121)) 및/또는 홈 바닥(122)에, 레이저 광선(401)을 조사하고 있다. 이에 관하여, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 측면에, 레이저 광선(401)을 조사하여도 좋다.
이 경우, 예컨대, 도 4에 나타낸 레이저 가공 장치(4)의 유지부(55)는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블(56) 대신에, 유지 기구(90)를 갖고 있다.
유지 기구(90)는, 유지대(91)의 주위에, 웨이퍼(100)의 주위의 환형 프레임(111)을 협지 고정하는 클램프부(58)를 구비하고 있다. 또한, 유지 기구(90)는, 유지대(91) 상에 고정된 볼나사식의 이동 기구(93), 및, 이동 기구(93)에 지지되어 있는 밀어올리기 부재(92)를 갖고 있다.
이동 기구(93)는, 도 10 및 도 11에 화살표(501)에 의해 나타내는 바와 같이 밀어올리기 부재(92)를 Y축 방향을 따라 이동시키며, 상하 방향으로 이동시키는 것이 가능하다. 밀어올리기 부재(92)는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(100)의 직경보다 긴 대략 판형의 부재이며, 다이싱 테이프(113)를 통해 웨이퍼(100)에 접하도록, 웨이퍼(100)의 직경 방향으로 연장되어 있다. 밀어올리기 부재(92)에 있어서의 웨이퍼(100)에 접하는 부분의 폭은, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)에 의해 웨이퍼(100)를 분할함으로써 얻어지는 칩(116)의 폭과 같은 정도이다.
이 구성에서는, 가공홈 형성 단계에 있어서, 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(100)를 복수의 칩(116)으로 분할하는 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)을 형성한다.
그리고, 에너지 공급 단계에 있어서, 도 10에 나타낸 레이저 가공 장치(4)에 있어서의 유지부(55)의 클램프부(58)에 의해, 프레임 유닛(110)의 환형 프레임(111)이 지지된다(유지 공정).
그리고, 컨트롤러(7)는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 가공 헤드(81)로부터 출력되는 레이저 광선(401)이, X축 방향으로 연장되는 하나의 제1 가공홈(114)을 따르는 1열의 칩(116)에 조사되도록, Y축 이동 기구(60)(도 4 참조) 및 θ 테이블(59)을 조정한다. 또한, 컨트롤러(7)는, 가공 헤드(81)로부터 출력되는 레이저 광선(401)이, 웨이퍼(100)의 표면에 대하여 비스듬하게 조사되도록, 가공 헤드(81)의 기울기를 조정한다. 또한, 가공 헤드(81)의 기울기를 조정하는 대신에, 가공 헤드(81)의 내부에 배치된 미러(도시하지 않음)에 의해, 레이저 광선(401)을 기울여도 좋다.
이 상태에서, 컨트롤러(7)는, 유지 기구(90)를 제어하여, 레이저 광선(401)이 조사되는 1열의 칩(116)(에너지의 공급 대상인 칩(116))의 하방에 밀어올리기 부재(92)를 위치시켜, 밀어올리기 부재(92)에 의해, 이들 칩(116)을, 다른 칩(116)보다 상대적으로 밀어올린다. 이에 의해, 컨트롤러(7)는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 레이저 광선(401)이 조사되는 칩(116)의 4개의 측면 중의, X축 방향에 평행한 2개의 측면 중 하나인 제1 측면(123)을, 가공 헤드(81)에 대향하도록 노출시킨다(측면 노출 단계). 또한, 칩(116)의 측면은, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 측면에 대응하는 것이다.
이 상태에서, 컨트롤러(7)는, 가공 헤드(81)로부터 레이저 광선(401)을 조사하며, X축 이동 기구(70)(도 4 참조)에 의해 유지부(55)를 X축 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 밀어올려진 1열의 칩(116)에 있어서의 노출된 제1 측면(123)에 대하여, 순차, 가공 헤드(81)로부터의 레이저 광선(401)이 조사되어, 에너지가 공급된다. 또한, 컨트롤러(7)는, 제1 측면(123)의 전체면에 레이저 광선(401)이 조사되도록, 적절하게, 레이저 광선(401)의 기울기를 조정하는 것이 바람직하다.
그 후, 컨트롤러(7)는, Y축 이동 기구(60)(도 4 참조)에 의해 레이저 광선(401)이 조사되는 칩(116)의 열을 바꾸며, 이동 기구(93)를 제어하여 이들 칩(116)을 밀어올리기 부재(92)에 의해 밀어올려, 그 제1 측면(123)에 레이저 광선(401)을 조사한다. 이와 같이 하여, 컨트롤러(7)는, 웨이퍼(100)에 있어서의 모든 칩(116)의 제1 측면(123)에 대하여, 레이저 광선(401)을 조사한다.
다음에, 컨트롤러(7)는, θ 테이블(59)(도 10 참조)에 의해 웨이퍼(100)를 포함하는 프레임 유닛(110)의 방향을 180도 회전시켜, 도 13에 나타내는 바와 같이, 칩(116)의 제1 측면(123)에 대향하는 제2 측면(124)에 대하여, 레이저 광선(401)을 조사한다.
이와 같이 하여, 컨트롤러(7)는, θ 테이블(59)에 의해 프레임 유닛(110)의 방향을 바꾸면서, 웨이퍼(100)에 있어서의 모든 칩(116)의 4개의 측면에 대하여, 레이저 광선(401)을 조사한다. 이에 의해, 칩(116)의 모든 측면을 용융시켜, 그 손상의 적어도 일부를 수복할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 레이저 광선 조사 유닛(80)은, 웨이퍼(100)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 출력한다. 예컨대, 웨이퍼(100)가 실리콘 웨이퍼인 경우, 레이저 광선 조사 유닛(80)으로부터 출력되는 레이저 광선의 파장은, 실리콘에 대하여 흡수성을 갖는 파장인 500∼1000 ㎚의 범위의 파장이다.
도 14는 레이저 광선 조사 유닛(80)으로부터 출력되는 레이저 광선의 파장과, 각 레이저 광선을 이용하여 실시된 에너지 공급 단계의 결과(가공 결과)의 관계를 나타내는 표를 나타내는 도면이다. 이 표에 나타내는 바와 같이, 파장이 500∼1000 ㎚의 범위의 파장인 경우에는, 실리콘 웨이퍼인 웨이퍼(100)의 레이저 조사 부분을, 양호하게 용융하는 것이 가능하였다.
한편, 파장이 355 ㎚ 이하인 경우에는, 실리콘 웨이퍼인 웨이퍼(100)의 레이저 조사 부분을, 충분히 용융하기 어려웠다. 또한, 파장이 1064 ㎚인 경우에도, 레이저 광선이 웨이퍼(100)를 투과하여 버리기 때문에, 레이저 조사 부분을 양호하게 용융하기 어려웠다.
또한, 본 실시형태에서는, 피가공물로서의 웨이퍼(100)의 재료는, Si, Ge 및 GaAs 등의 액상 성장하는 재료인 것이 바람직하다. 액상 성장하는 재료는, 레이저 광선의 조사에 의해 용융하기 쉽다. 이 때문에, 웨이퍼(100)의 손상을, 레이저 광선의 조사에 의해 양호하게 수복할 수 있다.
또한, 에너지 공급 단계에 있어서는, 웨이퍼(100)에 형성된 디바이스에 악영향을 발생시키지 않도록, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115) 중 적어도 일부에 에너지를 공급하여, 제1 가공홈(114) 및 제2 가공홈(115)의 형성 시에 발생하는 손상의 적어도 일부를 수복할 수 있으면 좋다. 따라서, 에너지 공급 단계에서는, 어떠한 형태로 에너지를 공급하여도 좋다. 예컨대, 레이저 광선의 조사 대신에, 플라즈마 혹은 이온 빔 등을 조사함으로써, 손상을 수복하여도 좋다.
1: 가공 시스템, 2: 제1 절삭 장치, 3: 제2 절삭 장치
4: 레이저 가공 장치, 5: 반송 장치, 7: 컨트롤러, 10: 베이스
11: 도어형 칼럼, 13: 절삭 기구 이동 기구
14: 가공 이송 기구, 15: 가이드 레일, 16: X축 테이블
17: 볼나사, 18: 모터, 20: 유지부, 21: 유지 테이블, 22: 유지면
23: θ 테이블, 24: 커버판, 25: 클램프부, 30: 인덱싱 이송 기구
31: 가이드 레일, 32: 볼나사, 33: 모터, 34: Y축 테이블
40: 절입 이송 기구, 41: 가이드 레일, 42: 지지 부재, 43: 볼나사
44: 모터, 45: 절삭 기구, 46: 제1 절삭 블레이드, 47: 제2 절삭 블레이드
48: 촬상 기구, 51: 베이스, 52: 수직벽부, 55: 유지부, 56: 유지 테이블
57: 유지면, 58: 클램프부, 59: θ 테이블, 60: Y축 이동 기구
63: 가이드 레일, 64: Y축 테이블, 65: 볼나사, 66: 구동 모터
70: X축 이동 기구, 71: 가이드 레일, 72: X축 테이블, 73: 볼나사
75: 구동 모터, 80: 레이저 광선 조사 유닛, 81: 가공 헤드, 82: 카메라
83: 아암부, 85: Z축 이동 기구, 86: 가이드 레일, 87: 볼나사
88: 구동 모터, 89: Z축 테이블, 90: 유지 기구, 91: 유지대
92: 밀어올리기 부재, 93: 이동 기구, 100: 웨이퍼
103: 제1 분할 예정 라인, 104: 제2 분할 예정 라인, 105: 기능층
110: 프레임 유닛, 111: 환형 프레임, 112: 개구
113: 다이싱 테이프, 114: 제1 가공홈, 115: 제2 가공홈
116: 칩, 117: 가공 예비홈, 118: 분할홈, 120: 제1 가장자리면부
121: 제2 가장자리면부, 122: 홈 바닥, 123: 제1 측면, 401: 레이저 광선

Claims (7)

  1. 교차하는 복수의 분할 예정 라인이 표면에 형성된 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 가공하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    상기 분할 예정 라인을 따라 가공홈을 형성하는 가공홈 형성 단계와,
    상기 가공홈의 홈 바닥과, 측면과, 가장자리면 중 적어도 어느 하나의 부분에 에너지를 공급하여 용융시켜, 상기 가공홈 형성 단계에 의해 생긴 손상의 적어도 일부를 수복하는 에너지 공급 단계
    를 포함하는 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼에는, 기능층이 적층되어 있고,
    상기 가공홈 형성 단계는, 적어도 상기 기능층을 제거하는 깊이의 한쌍의 가공 예비홈을 형성하는 것, 및, 상기 한쌍의 가공 예비홈 사이에 상기 가공홈을 형성하는 것을 포함하는 웨이퍼의 가공 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가공홈 형성 단계에서는, 상기 가공홈에 의해 상기 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할하고,
    상기 에너지 공급 단계는, 다른 칩보다 에너지의 공급 대상인 칩을 상대적으로 밀어올려, 상기 에너지의 공급 대상인 칩의 측면을 노출하는 측면 노출 단계를 더 포함하고, 상기 측면 노출 단계에 있어서 노출한 측면에 대하여, 상기 에너지를 공급하는 웨이퍼의 가공 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 에너지 공급 단계는, 레이저 광선을 조사하는 단계인 웨이퍼의 가공 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 레이저 광선의 파장은, 상기 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장인 웨이퍼의 가공 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 레이저 광선의 파장은, 500 ㎚∼1000 ㎚의 범위의 파장인 웨이퍼의 가공 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼에는, 기능층이 적층되어 있고,
    상기 에너지 공급 단계는,
    상기 가공홈의 홈 바닥과, 측면과, 가장자리면 중 적어도 어느 하나에 있어서의 상기 기능층을 포함하는 부분에 상기 에너지를 공급하여, 상기 기능층을 포함하는 부분에 생긴 손상의 적어도 일부를 수복하는 웨이퍼의 가공 방법.
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JP2005064231A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005064231A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法

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