TW202410172A - 晶圓的分割方法 - Google Patents

Abstract

[課題]本發明提供一種晶圓的分割方法，其去除殘留於晶片之加工應變。[解決手段]在晶圓的分割方法中，藉由照射雷射光束而使晶片的邊緣亦即第一緣部及第二緣部熔融。因此，可平坦化晶片的邊緣，且可結合在晶片的邊緣產生之裂痕及崩缺等。因此，能修復晶片的邊緣的加工應變的至少一部分。結果，可提高晶片的抗彎強度。

Description

晶圓的分割方法

本發明係關於一種晶圓的分割方法。

有一種晶圓的分割方法，其將在正面形成有多個元件之晶圓沿著交叉之多條分割預定線分割成多個晶片（例如，參照專利文獻1）。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2010-177430號公報

[發明所欲解決的課題] 在分割晶圓時，若晶片殘留加工應變（包含崩缺、裂痕、強度降低、變脆、變質等損傷），則晶片的抗彎強度會降低。

因此，本發明之目的在於提供一種晶圓的分割方法，其去除殘留於晶片之加工應變。

[解決課題的技術手段] 根據本發明之第一態樣，提供一種晶圓的分割方法，其將在正面具有藉由交叉之多條分割預定線所劃分之元件區域之晶圓沿著該分割預定線進行分割，並具備：背面研削步驟，其研削晶圓的背面；分割步驟，其沿著該分割預定線從正面分割晶圓而形成多個晶片；以及第一能量供給步驟，其從晶圓的背面對該晶片的邊緣、背面、側面的至少任一部分供給能量並使其熔融，而修復加工應變的至少一部分。

根據本發明之第二態樣，提供一種晶圓的分割方法，其將在正面具有藉由交叉之多條分割預定線所劃分之元件區域之晶圓沿著該分割預定線進行分割，並具備：加工槽形成步驟，其在晶圓從正面形成比完工厚度更深之加工槽；背面研削步驟，其在實施該加工槽形成步驟後，從晶圓的背面將晶圓研削至完工厚度，並分割晶圓而形成多個晶片；以及第一能量供給步驟，其從晶圓的背面對該晶片的邊緣、背面、側面的至少任一部分供給能量並使其熔融，而修復加工應變的至少一部分。

較佳為，該第一能量供給步驟包含：側面露出步驟，其將能量的供給對象的晶片相較於其他晶片相對地上推，而使該能量的供給對象的晶片的側面露出，該第一能量供給步驟對在該側面露出步驟中露出之側面供給該能量。

較佳為，該第一能量供給步驟係照射雷射光束的步驟。較佳為，該雷射光束的波長係對晶圓具有吸收性之波長。

較佳為，該雷射光束的波長係500～1000nm的範圍的波長。

較佳為，晶圓的分割方法進一步具備：第二能量供給步驟，其從該晶圓的正面對該晶片的邊緣、背面、側面的至少任一部分供給能量並使其熔融。

[發明功效] 根據本發明，實施第一能量供給步驟，從晶圓的背面對晶片的邊緣、背面、側面的至少任一部分供給能量，使此部分（雷射照射部分）熔融並再結晶化。藉此，可平坦化雷射照射部分，且可結合在此部分中之裂痕及崩缺等，因此可修復雷射照射部分的加工應變的至少一部分。結果，可提高晶片的抗彎強度。

[第一實施方式] 在本實施方式中，使用如圖1（a）及圖1（b）所示般的晶圓100作為被加工物。晶圓100被形成為圓形，並具有正面101及背面102。又，如圖1（b）所示，在晶圓100的正面101形成有在第一方向延伸之多條第一分割預定線103以及在與第一方向正交之第二方向延伸之多條第二分割預定線104。藉由此等第一分割預定線103及第二分割預定線104所劃分之區域為元件區域106。此元件區域106亦可形成有未圖示之元件。

在本實施方式中，晶圓100係如圖1（a）所示般在正面101黏貼有保護膠膜108之狀態下被處理，或者，如圖1（b）所示般在框架單元110的狀態下被處理。

藉由切割膠膜113而使環狀框架111與晶圓100一體化，藉此形成框架單元110，所述環狀框架111具有能容納晶圓100的開口112，所述晶圓100被定位於環狀框架111的開口112。

在本實施方式中，晶圓100係在圖2所示之加工系統1中被加工。加工系統1為加工晶圓100之系統，並具備：切割裝置2，其切割加工晶圓100；雷射加工裝置4，其雷射加工晶圓100；研削裝置5，其研削加工晶圓100；搬送裝置6，其在此等之間搬送晶圓100；以及控制器7，其控制此等裝置。

首先，針對切割裝置2的構成進行說明。切割裝置2例如將如圖1（b）所示般的框架單元110所含之晶圓100進行切割加工。如圖3所示，切割裝置2具備基台10，在此基台10上配設有加工進給機構14。加工進給機構14使包含保持台21之保持部20對於切割機構45的切割刀片46相對地沿著與保持台21的保持面22平行的加工進給方向（X軸方向）移動。

加工進給機構14包含：一對導軌15，其在X軸方向延伸；X軸工作台16，其載置於導軌15；滾珠螺桿17，其與導軌15平行地延伸；以及馬達18，其使滾珠螺桿17旋轉。

一對導軌15係與X軸方向平行地被配置於基台10的上表面。X軸工作台16係能沿著一對導軌15滑動地被設置於此等導軌15上。在X軸工作台16上載置有保持部20。

滾珠螺桿17係與設於X軸工作台16之螺帽部（未圖示）螺合。馬達18係與滾珠螺桿17的一端部連結，並旋轉驅動滾珠螺桿17。藉由旋轉驅動滾珠螺桿17，X軸工作台16及保持部20沿著導軌15而沿著加工進給方向亦即X軸方向移動。

保持部20具備：保持台21，其保持框架單元110的晶圓100（參照圖1）；蓋板24，其配置於保持台21的周圍；以及兩個夾具部25，其等設置於保持台21的周圍。又，保持部20具有：θ工作台23，其在蓋板24的下方支撐保持台21並使其在XY平面內旋轉。

保持台21係保持圖1所示之晶圓100之構件，並被形成為圓板狀。保持台21具備由多孔材料所構成之保持面22。保持面22能與未圖示之吸引源連通。保持台21藉由此保持面22而吸引保持在框架單元110中之晶圓100。

設置於保持台21的周圍之兩個夾具部25係將被保持於保持台21之晶圓100的周圍的環狀框架111進行夾持固定。

在基台10上的後方側（-X方向側），以跨越加工進給機構14之方式立設有門型柱部11。在門型柱部11的前表面（+X方向側的面）設有使切割機構45移動之切割機構移動機構13。

切割機構移動機構13使切割機構45在Y軸方向分度進給，且在Z軸方向切入進給。切割機構移動機構13具備：分度進給機構30，其使切割機構45在分度進給方向（Y軸方向）移動；以及切入進給機構40，其使切割機構45在切入進給方向（Z軸方向）移動。

分度進給機構30配設於門型柱部11的前表面。分度進給機構30藉由使切入進給機構40及切割機構45沿著Y軸方向往返移動，而調整在Y軸方向之切割機構45的位置。

分度進給機構30包含：一對導軌31，其在Y軸方向延伸；Y軸工作台34，其載置於導軌31；滾珠螺桿32，其與導軌31平行地延伸；以及馬達33，其使滾珠螺桿32旋轉。

一對導軌31係與Y軸方向平行地被配置於門型柱部11的前表面。Y軸工作台34係能沿著一對導軌31滑動地被設置於此等導軌31上。在Y軸工作台34上安裝有切入進給機構40及切割機構45。

滾珠螺桿32係與設於Y軸工作台34之螺帽部（未圖示）螺合。馬達33係與滾珠螺桿32的一端部連結，並旋轉驅動滾珠螺桿32。藉由旋轉驅動滾珠螺桿32，而Y軸工作台34、切入進給機構40及切割機構45沿著導軌31在分度進給方向亦即Y軸方向移動。

切入進給機構40使切割機構45沿著Z軸方向（上下方向）往返移動。Z軸方向係與X軸方向及Y軸方向正交，且為相對於保持台21的保持面22呈正交之方向。

切入進給機構40包含：一對導軌41，其在Z軸方向延伸；支撐構件42，其載置於導軌41；滾珠螺桿43，其與導軌41平行地延伸；以及馬達44，其使滾珠螺桿43旋轉。

一對導軌41係與Z軸方向平行地被配置於Y軸工作台34。支撐構件42具備攝像機構48，並能沿著一對導軌41滑動地被設置於此等導軌41。在支撐構件42的下端部安裝有切割機構45。

滾珠螺桿43係與設於支撐構件42的背面側之螺帽部（未圖示）螺合。馬達44係與滾珠螺桿43的一端部連結，並旋轉驅動滾珠螺桿43。藉由旋轉驅動滾珠螺桿43，而支撐構件42及切割機構45沿著導軌41在切入進給方向亦即Z軸方向移動。

切割機構45切割被保持於保持台21之晶圓100，並能旋轉地支撐切割晶圓100之切割刀片46。

切割機構45除了切割刀片46以外，還具備：裝設並旋轉切割刀片46之主軸、能旋轉地支撐主軸之外殼以及旋轉驅動主軸之馬達等。在切割機構45中，藉由因馬達而與主軸一起高速旋轉之切割刀片46，而對晶圓100實施切割加工。

接著，針對在圖2所示之加工系統1中之雷射加工裝置4的構成進行說明。與切割裝置2同樣地，雷射加工裝置4例如將如圖1（b）所示般的框架單元110所含之晶圓100進行切割加工。如圖4所示，雷射加工裝置4具備長方體狀的基台51及立設於基台51的一端之立壁部52。

在基台51的上表面具備：保持部55，其具備保持台56；Y軸移動機構60，其使保持台56在分度進給方向亦即Y軸方向移動；以及X軸移動機構70，其使保持台56在加工進給方向亦即X軸方向移動。保持台56具備用於保持晶圓100的保持面57。

Y軸移動機構60使保持台56相對於雷射光束照射機構80而在與保持面57平行的Y軸方向移動。Y軸移動機構60包含：一對導軌63，其在Y軸方向延伸；Y軸工作台64，其載置於導軌63；滾珠螺桿65，其與導軌63平行地延伸；以及驅動馬達66，其使滾珠螺桿65旋轉。

一對導軌63係與Y軸方向平行地被配置於基台51的上表面。Y軸工作台64係能沿著一對導軌63滑動地被設置於此等導軌63上。在Y軸工作台64上載置有X軸移動機構70及保持部55。

滾珠螺桿65係與設於Y軸工作台64之螺帽部（未圖示）螺合。驅動馬達66係與滾珠螺桿65的一端部連結，並旋轉驅動滾珠螺桿65。藉由旋轉驅動滾珠螺桿65，而Y軸工作台64、X軸移動機構70及保持部55沿著導軌63在Y軸方向移動。

X軸移動機構70使保持台56相對於雷射光束照射機構80而在與保持面57平行的X軸方向移動。X軸移動機構70具備：一對導軌71，其在X軸方向延伸；X軸工作台72，其載置於導軌71上；滾珠螺桿73，其與導軌71平行地延伸；以及驅動馬達75，其使滾珠螺桿73旋轉。

一對導軌71係與X軸方向平行地被配置於Y軸工作台64的上表面。X軸工作台72係能沿著一對導軌71滑動地被設置於此等導軌71上。在X軸工作台72上載置有保持部55。

滾珠螺桿73係與設於X軸工作台72之螺帽部（未圖示）螺合。驅動馬達75係與滾珠螺桿73的一端部連結，並旋轉驅動滾珠螺桿73。藉由旋轉驅動滾珠螺桿73，而X軸工作台72及保持部55沿著導軌71在加工進給方向（X軸方向）移動。

保持部55被用於保持框架單元110的晶圓100。保持部55具有：保持台56，其保持晶圓100；四個夾具部58，其等設置於保持台56的周圍；以及θ工作台59，其支撐保持台56並使其在XY平面內旋轉。

保持台56係用於保持晶圓100的構件，並被形成為圓板狀。保持台56具備由多孔材料所構成之保持面57。此保持面57能與未圖示之吸引源連通。保持台56係藉由此保持面57而吸引保持在框架單元110中之晶圓100。

設置於保持台56的周圍之四個夾具部58係從四周夾持固定被保持於保持台56之晶圓100的周圍的環狀框架111。

在雷射加工裝置4的立壁部52的前表面設有雷射光束照射機構80。

雷射光束照射機構80對被保持於保持台56之晶圓100照射雷射光束。雷射光束照射機構80具有：加工頭（聚光器）81，其對晶圓100照射雷射光束；攝影機82，其拍攝晶圓100；臂部83，其支撐加工頭81及攝影機82；以及Z軸移動機構85，其使臂部83在Z軸方向移動。

Z軸移動機構85具備：一對導軌86，其在Z軸方向延伸；Z軸工作台89，其載置於導軌86上；滾珠螺桿87，其與導軌86平行地延伸；以及驅動馬達88，其使滾珠螺桿87旋轉。

一對導軌86係與Z軸方向平行地被配置於立壁部52的前表面。Z軸工作台89係能沿著一對導軌86滑動地被設置於此等導軌86上。在Z軸工作台89上安裝有臂部83。

滾珠螺桿87係與設於Z軸工作台89之螺帽部（未圖示）螺合。驅動馬達88係與滾珠螺桿87的一端部連結，並旋轉驅動滾珠螺桿87。藉由旋轉驅動滾珠螺桿87，而Z軸工作台89及臂部83沿著導軌86在Z軸方向移動。

臂部83係以往-Y方向突出之方式被安裝於Z軸工作台89。加工頭81係以與保持部55的保持台56相向之方式被支撐於臂部83的前端。

在臂部83及加工頭81的內部配設有雷射振盪器及聚光鏡等雷射光束照射機構80的光學系統（未圖示）。雷射光束照射機構80被構成為將使用此等光學系統所生成之雷射光束從加工頭81的下端朝向被保持於保持台56之晶圓100進行照射。在本實施方式中，從雷射光束照射機構80照射之雷射光束的波長係對被加工物亦即晶圓100具有吸收性之波長。

接著，針對在圖2所示之加工系統1中之研削裝置5進行說明。研削裝置5例如將圖1（a）所示之具備保護膠膜108之晶圓100進行切割加工。如圖5所示，研削裝置5具備研削機構130及卡盤台140。在研削步驟中，藉由研削機構130而將被保持於卡盤台140之晶圓100的背面102進行研削。

研削機構130具備：主軸131；主軸馬達132，其使主軸131以Z軸方向的旋轉軸201為中心進行旋轉；安裝件133，其配置於主軸131的下端；以及研削輪134，其裝設於安裝件133。研削輪134具備：輪基台135；以及大致長方體狀的多個研削磨石136，其等環狀地排列於輪基台135的下表面。

研削機構130係與升降機構138連接，並能藉由此升降機構138而在Z軸方向升降。

卡盤台140的上表面係用於保持晶圓100的保持面141。卡盤台140係與旋轉機構139連接，並能以通過保持面141的中心之Z軸方向的旋轉軸202為中心進行旋轉。

圖2所示之搬送裝置6例如能藉由機械手臂等保持構件（未圖示）而保持圖1（a）所示之具有保護膠膜108之晶圓100或者圖1（b）所示之框架單元110。搬送裝置6例如能將晶圓100或者框架單元110對於未圖示之容納部進行搬出及搬入，以及能在切割裝置2、雷射加工裝置4及研削裝置5之間搬送晶圓100或框架單元110。此外，亦可不使用搬送裝置6，而由操作員實施晶圓100或者框架單元110的搬送。

圖2所示之控制器7具備：CPU，其依照控制程式進行運算處理；以及記憶體等儲存媒體等。控制器7控制加工系統1的各構件，並實施晶圓100的加工。

以下針對被控制器7控制之本實施方式之晶圓100的分割方法（第一分割方法）進行說明。第一分割方法係將在正面101具有藉由分割預定線103、104所劃分之元件區域106之晶圓100沿著此等分割預定線103、104進行分割之方法。

[背面研削步驟] 在第一分割方法中，首先，實施背面研削步驟。在此背面研削步驟中，使用研削裝置5將晶圓100的背面102進行研削。藉此，在本實施方式中，晶圓100以具有完工厚度之方式被研削。所謂完工厚度，係指藉由分割晶圓100所形成之晶片的預定的厚度。背面研削步驟包含以下的保護膠膜黏貼步驟、保持步驟及研削步驟。

[保護膠膜黏貼步驟] 在此步驟中，如圖6（a）所示，在晶圓100的正面101黏貼保護膠膜108。此外，如此圖6（a）所示，在以下所示之例子中，在晶圓100的正面（元件面）101形成有圖案層105。因此，藉由將保護膠膜108黏貼於正面101，而晶圓100的圖案層105被保護膠膜108保護。

[保持步驟] 在此步驟中，藉由搬送裝置6或者操作員，而將晶圓100以黏貼於其正面101之保護膠膜108朝向保持面141側之方式載置於在圖5所示之研削裝置5中之卡盤台140的保持面141。然後，控制器7係藉由使未圖示之吸引源與保持面141連通，而藉由保持面141吸引保護膠膜108。藉此，晶圓100在背面102朝上之狀態下，隔著保護膠膜108被保持面141吸引保持。

[研削步驟] 接著，實施研削步驟。在此步驟中，控制器7係藉由旋轉機構139而使卡盤台140以Z軸方向的旋轉軸202為中心進行旋轉，而使被保持於卡盤台140之晶圓100旋轉。又，控制器7係藉由主軸馬達132而使主軸131旋轉，藉此使研削磨石136以旋轉軸201為中心進行旋轉。在此狀態下，控制器7係藉由升降機構138而使研削機構130往-Z方向下降。

藉此，研削磨石136的下表面137與晶圓100的背面102接觸，而研削此背面102。控制器7係在由研削機構130所進行之晶圓100的研削中，例如，實施由未圖示之厚度測量機構所進行之晶圓100的厚度測量，若晶圓100的厚度成為完工厚度，則結束研削。藉此，晶圓100的背面102被研削，而獲得如圖6（b）所示般的具有完工厚度之晶圓100。

[分割步驟] 接著，實施分割步驟。在此步驟中，沿著第一分割預定線103及第二分割預定線104從正面101分割晶圓100，而形成多個晶片。分割步驟包含以下的框架單元形成步驟、保持步驟及切割步驟。

[框架單元形成步驟] 在此步驟中，從在背面研削步驟中已研削至預定厚度之晶圓100的正面101剝離保護膠膜108。然後，在將晶圓100定位於圖1（b）所示之環狀框架111的開口112之狀態下，在晶圓100的背面102及環狀框架111黏貼切割膠膜113。藉此，藉由切割膠膜113而一體化環狀框架111與晶圓100，而形成正面101朝上之框架單元110。

[保持步驟] 接著，藉由搬送裝置6或者操作員，而將框架單元110的晶圓100隔著切割膠膜113載置於在圖3所示之切割裝置2中之保持部20的保持台21。再者，藉由保持部20的夾具部25而支撐框架單元110的環狀框架111。在此狀態下，控制器7係藉由使保持台21的保持面22與未圖示之吸引源連通，而藉由保持面22吸引保持晶圓100。如此進行，包含晶圓100之框架單元110被保持部20保持。

[切割步驟] 在此步驟中，沿著多條第一分割預定線103及第二分割預定線104（參照圖1（b））切割晶圓100。藉此，沿著第一分割預定線103及第二分割預定線104形成加工槽（分割槽），並使用此槽而分割晶圓100。

具體而言，首先，控制器7控制圖3所示之保持部20的θ工作台23，以被保持於保持台21的保持面22之晶圓100的第一分割預定線103與X軸方向成為平行之方式，使保持台21旋轉。之後，控制器7控制加工進給機構14，將保持部20配置於切割機構45的下方的預定的切割起始位置。

再者，控制器7控制分度進給機構30，將在切割刀片46中之Y軸方向的位置對齊在晶圓100中之一條第一分割預定線103。

之後，控制器7一邊使切割刀片46高速旋轉，一邊控制切入進給機構40，使切割機構45的切割刀片46下降至將被吸引保持於保持面22之晶圓100進行切斷（完全切斷）之預定的切割高度。

在此狀態下，控制器7控制加工進給機構14，使保持有框架單元110之保持部20在X軸方向移動。藉此，旋轉之切割刀片46沿著一條第一分割預定線103切割晶圓100。結果，如圖6（c）所示，在晶圓100形成沿著第一分割預定線103之加工槽（切割槽）亦即第一加工槽114。此情形，第一加工槽114被形成為切斷晶圓100並到達切割膠膜113之深度。

之後，控制器7控制圖3所示之切入進給機構40，將切割刀片46從晶圓100分開並配置於其上方。再者，控制器7控制加工進給機構14，將保持部20返回切割起始位置。然後，控制器7控制分度進給機構30，將在切割刀片46中之Y軸方向的位置對齊在晶圓100中之接下來被切割之另一條第一分割預定線103，並沿著此第一分割預定線103切割晶圓100。

如此進行，控制器7沿著在晶圓100中之所有第一分割預定線103切割晶圓100。

接著，控制器7控制圖3所示之保持部20的θ工作台23，以被保持於保持台21的保持面22之晶圓100的第二分割預定線104與X軸方向平行之方式，使保持台21旋轉。

之後，與沿著第一分割預定線103之切割同樣地，控制器7控制加工進給機構14、分度進給機構30、切入進給機構40及切割機構45，藉由切割刀片46，如圖6（c）所示，在晶圓100形成沿著所有第二分割預定線104之第二加工槽115。此第二加工槽115亦具有與第一加工槽114同樣的深度。

藉此，藉由第一加工槽114及第二加工槽115而分割晶圓100，形成具有完工厚度之多個晶片116。

[第一能量供給步驟] 接著，實施第一能量供給步驟。在此步驟中，從晶圓100的背面102對晶片116的邊緣（外周部）、背面、側面的至少任一部分供給能量並使其熔融，而修復加工應變的至少一部分。此加工應變例如係因背面研削步驟及／或分割步驟而產生。此加工應變例如係包含在形成晶片時所產生之強度降低、裂痕、傷痕及崩缺等損傷之加工變質部分。

在本實施方式中，第一能量供給步驟包含以下的框架單元形成步驟、保持步驟及雷射光束照射步驟。

[框架單元形成步驟] 在此步驟中，將已被分割成晶片116之晶圓100從在分割步驟中所使用之框架單元110換貼（轉移）至另一框架單元110。亦即，使用已被分割成晶片116之晶圓100、另一環狀框架111及另一切割膠膜113，如圖6（d）所示，形成晶圓100的研削面亦即背面102朝上之新的框架單元110。

此外，在本實施方式中，第一能量供給步驟係對晶片116的邊緣照射雷射光束之步驟。具體而言，在本實施方式中，在第一能量供給步驟中，使用雷射加工裝置4對晶片116的邊緣照射雷射光束。

晶片116的邊緣係在圖6（d）所示之晶圓100的正面中之第一加工槽114及第二加工槽115的邊緣（加工槽的周邊部分），並包含沿著加工槽114、115的兩側延伸之第一緣部120及第二緣部121。此外，晶片116的邊緣例如亦可表現為加工槽114、115的側邊的上表面或者邊緣面。

[保持步驟] 在此步驟中，藉由搬送裝置6或者操作員而將圖6（d）所示之框架單元110的晶圓100隔著切割膠膜113載置於在圖4所示之雷射加工裝置4中之保持部55的保持台56。再者，藉由保持部55的夾具部58而支撐框架單元110的環狀框架111。在此狀態下，控制器7係藉由使保持台56的保持面57與未圖示之吸引源連通，而藉由保持面57吸引保持晶圓100。如此進行，包含晶圓100之框架單元110被保持部55保持。

[雷射光束照射步驟] 在此步驟中，對晶片116的邊緣照射雷射光束。具體而言，首先，控制器7控制圖4所示之保持部55的θ工作台59，以被保持於保持台56的保持面57之晶圓100的第一加工槽114與X軸方向成為平行之方式，使保持台56旋轉。之後，控制器7控制X軸移動機構70，將保持部55配置於雷射光束照射機構80的加工頭81的下方的預定的照射起始位置。

再者，控制器7控制Y軸移動機構60，將在晶圓100中之一個第一加工槽114的第一緣部120（參照圖6（d））配置於加工頭81的下方。又，控制器7控制雷射光束照射機構80的Z軸移動機構85，而適當地調整加工頭81的高度。

在此狀態下，控制器7控制雷射光束照射機構80的光學系統，生成雷射光束，從加工頭81對下方照射雷射光束，且控制X軸移動機構70，使保持框架單元110之保持部55在X軸方向移動。藉此，如圖6（d）所示，將從加工頭81輸出之雷射光束401沿著一個第一加工槽114的第一緣部120進行照射。

之後，控制器7停止照射雷射光束401，且控制X軸移動機構70，使保持部55返回照射起始位置。然後，控制器7控制Y軸移動機構60，將第一加工槽114的第二緣部121配置於加工頭81的下方，並沿著此第二緣部121照射雷射光束401。

如此進行，控制器7沿著在晶圓100中之所有第一加工槽114的第一緣部120及第二緣部121照射雷射光束401。

接著，控制器7控制圖4所示之保持部55的θ工作台59，以被保持於保持台56的保持面57之晶圓100的第二加工槽115與X軸方向成為平行之方式，使保持台21旋轉。

之後，與沿著第一加工槽114之雷射照射同樣地，控制器7控制Y軸移動機構60、X軸移動機構70及雷射光束照射機構80，沿著所有第二加工槽115的第一緣部120及第二緣部121照射雷射光束401。如此進行，如圖6（e）所示，對在晶圓100中之所有晶片116的邊緣照射雷射光束401。

如上所述，在本實施方式中，在分割步驟後，實施第一能量供給步驟，藉由從晶圓100的背面102側對晶片116的邊緣照射雷射光束401而供給能量。藉此，晶片116的邊緣被雷射光束401熔融。

又，在本實施方式中，因使用對晶圓100具有吸收性之波長的雷射光束401，故不僅晶片116的邊緣的表面被熔融，從表面起至預定厚度為止的部分（表面附近部分）亦被熔融。然後，在雷射照射之後，晶片116的熔融區域被冷卻而固化。

藉由此種熔融及冷卻的程序，在本實施方式中，可使雷射光束401的照射部分（雷射照射部分）亦即晶片116的熔融區域進行晶體成長而形成晶種，之後進行再結晶化。因此，可平坦化晶片116的邊緣的表面。再者，可修復在背面研削步驟及／或分割步驟中在晶片116的邊緣的表面及表面附近部分產生之裂痕及崩缺等加工變質區域。因此，變得能減少晶片116的邊緣的加工應變。亦即，可修復（或者去除）在背面研削步驟及／或分割步驟中在晶片116產生之加工應變的至少一部分。結果，可提高晶片116的抗彎強度。

又，在第一能量供給步驟中，為了修復晶片116的加工應變，從晶圓100的背面102側照射雷射光束。因此，即使在晶圓100的正面101形成有元件之情形中，亦可抑制雷射光束對元件造成不良影響。

此外，在第一能量供給步驟中，為了修復加工應變，不限於晶片116的邊緣，只要對晶片116的邊緣、背面、側面的至少任一部分照射雷射光束即可。晶片116的背面側或側面亦可藉由供給能量（例如照射雷射光束）而修復在此處產生之加工應變的至少一部分。

又，有所謂的雷射清潔之手法，其係在形成用於形成晶片116的加工槽後，藉由照射雷射光束而刮除附著於加工槽之加工屑。關於此手法，在雷射清潔中，藉由對加工槽照射UV波長的雷射光束，而使附著於加工槽的表面之加工屑吸收雷射光束並燒蝕，而去除此加工屑。亦即，雷射清潔係為了使附著於表面之加工屑升華並去除而實施。

另一方面，在本實施方式中，藉由照射雷射光束401，而不僅使在晶圓100中之晶片116的邊緣亦即第一緣部120及第二緣部121等的雷射照射部分的表面進行平坦化，更使形成於內部（表面附近部分）之裂痕等結合，而修復加工應變。因此，雷射光束401較佳為不被雷射照射部分的表面過度吸收。因此，在本實施方式中，較佳為使用比由雷射清潔所照射之波長更長的波長，例如500～1000nm的範圍的波長的雷射光束401，而將雷射照射部分的表面及從表面起至預定厚度為止的部分（表面附近部分）進行熔融。表面附近部分例如係從表面起至0.5μm～1.5μm或者0.5μm～4μm左右為止的厚度的部分。

又，本實施方式之第一分割方法亦可進一步具備第二能量供給步驟（正面能量供給步驟）。此步驟例如係在分割步驟與第一能量供給步驟之間被實施。

在此第二能量供給步驟中，從晶圓100的正面101對晶片116的邊緣、背面、側面（例如，與正面101接近之區域的晶片116的側面）的至少任一部分供給能量並使其熔融。藉此，例如修復因分割步驟所產生之加工應變的至少一部分。

在本實施方式中，在第二能量供給步驟中，將分割步驟後的圖6（c）所示之晶圓100的正面101朝上之框架單元110搬送至雷射加工裝置4。然後，與上述之第一能量供給步驟的保持步驟及雷射光束照射步驟同樣地進行，如圖7（a）所示，從晶圓100的正面101對所有晶片116的邊緣，亦即所有第一加工槽114及第二加工槽115的第一緣部120及第二緣部121照射雷射光束401。

藉此，修復在晶片116的正面側（圖案層105側）產生之加工應變的至少一部分。之後，如圖7（b）及圖7（c）所示，使用第二能量供給步驟後的晶圓100，形成晶圓100的研削面亦即背面102朝上之框架單元110，並實施上述之第一能量供給步驟。

此外，依據晶圓100，亦有圖案層105為厚之情形，例如，亦有圖案層105比晶圓100的本體亦即基板層（基材層）更厚之情形。例如，亦有基板層的厚度為10μm左右，而功能層的厚度為20～30μm之情形。如此，在圖案層105為厚之情形中，在圖案層105產生之加工應變會影響晶圓100被晶片化時的晶片的抗彎強度。

因此，在圖案層105為厚之情形中，特別有效果的是在第二能量供給步驟中，對晶片116的圖案層105側的邊緣、背面、側面的至少任一者（亦即，在晶片116中之由圖案層105所形成之部分的任一者）照射雷射光束401，使照射部分熔融並固化，藉此修復加工應變的至少一部分。

如此，在晶圓100設有圖案層105之情形，亦可對在晶片116的邊緣、背面、側面的至少任一者中之由圖案層105所構成之部分及／或由基板層所構成之部分照射雷射光束401並使其熔融，而修復其加工應變的至少一部分。

又，對圖案層105照射雷射光束之情形，較佳為以避免因雷射光束401的熱而對圖案層105造成新的損傷之方式，將雷射光束401的輸出限制在雷射光束401的照射面的表層會被熔融之程度。

[第二實施方式] 在本實施方式中，針對第一實施方式所示之第一分割方法的變化例亦即第二分割方法進行說明。

第二分割方法亦為將在正面101具有藉由分割預定線103、104所劃分之元件區域106之晶圓100沿著此等分割預定線103、104進行分割之方法。

[加工槽形成步驟] 首先，實施加工槽形成步驟。在此步驟中，在晶圓100，從正面101形成比完工厚度更深之加工槽。具體而言，使用切割裝置2，沿著圖1所示之第一分割預定線103及第二分割預定線104，在晶圓100形成比完工厚度更深之加工槽。在第二分割方法中，與上述之第一分割方法的分割步驟同樣地，加工槽形成步驟包含框架單元形成步驟、保持步驟及切割步驟。

[框架單元形成步驟] 在此步驟中，在將晶圓100定位於圖1（b）所示之環狀框架111的開口112之狀態下，在晶圓100的背面102及環狀框架111黏貼切割膠膜113。藉此，藉由切割膠膜113而一體化環狀框架111與晶圓100，形成正面101朝上之框架單元110。

[保持步驟] 在此步驟中，與第一分割方法的分割步驟的保持步驟同樣地，藉由切割裝置2的保持部20而保持包含晶圓100之框架單元110。

[切割步驟] 在此步驟中，沿著形成於第一方向之多條第一分割預定線103及第二分割預定線104（參照圖1（b））切割晶圓100。藉此，沿著第一分割預定線103及第二分割預定線104，形成比完工厚度更深之加工槽。

具體而言，與第一分割方法的分割步驟的切割步驟同樣地進行，控制器7控制切割裝置2的各構件，沿著在被保持於保持部20之框架單元110的晶圓100中之所有第一分割預定線103及第二分割預定線104，切割晶圓100。結果，如圖8（a）所示，在晶圓100形成沿著第一分割預定線103之第一加工槽114及沿著第二分割預定線104之第二加工槽115。此情形，第一加工槽114及第二加工槽115被形成為不分割晶圓100之深度（未到達切割膠膜113之深度）且比完工厚度更深之深度。

[背面研削步驟] 接著，實施背面研削步驟。在此背面研削步驟中，在實施加工槽形成步驟後，從晶圓100的背面102將晶圓100研削至完工厚度，將晶圓100進行分割而形成多個晶片116。在第二分割方法中，與上述之第一分割方法的背面研削步驟同樣地，背面研削步驟包含保護膠膜黏貼步驟、保持步驟及研削步驟。

[保護膠膜黏貼步驟] 在此步驟中，將形成有第一加工槽114及第二加工槽115之晶圓100從在加工槽形成步驟中所使用之框架單元110進行分離，且如圖1（a）所示，在晶圓100的正面101黏貼保護膠膜108。藉此，晶圓100的圖案層105被保護膠膜108保護。

[保持步驟] 在此步驟中，與第一分割方法的背面研削步驟的保持步驟同樣地，晶圓100係在背面102朝上之狀態下，隔著保護膠膜108被在圖5所示之研削裝置5中之卡盤台140的保持面141吸引保持。

[研削步驟] 在此步驟中，與第一分割方法的背面研削步驟的研削步驟同樣地，控制器7係藉由研削磨石136而將晶圓100的背面102研削至晶圓100的厚度成為完工厚度為止。此處，形成於晶圓100之第一加工槽114及第二加工槽115被形成為比完工厚度更深。因此，如圖8（b）所示，藉由此研削步驟而分割晶圓100，形成具有完工厚度之多個晶片116。

[第一能量供給步驟] 接著，實施第一能量供給步驟。在此步驟中，與第一分割方法的第一能量供給步驟同樣地，從晶圓100的背面102對晶片116的邊緣（外周部）、背面、側面的至少任一部分供給能量並使其熔融，而修復加工應變的至少一部分。此加工應變例如係因加工槽形成步驟及／或背面研削步驟而產生。

在第二分割方法中，與第一分割方法的第一能量供給步驟同樣地，第一能量供給步驟包含框架單元形成步驟、保持步驟及雷射光束照射步驟。

[框架單元形成步驟] 在此步驟中，使用已被分割成晶片116之晶圓100，形成圖1（b）所示之框架單元110。此時，從晶圓100去除保護膠膜108。藉此，如圖8（c）所示，形成晶圓100的研削面亦即背面102朝上之框架單元110。

[保持步驟] 在此步驟中，與第一分割方法的第一能量供給步驟的保持步驟同樣地，包含晶圓100之框架單元110被圖4所示之雷射加工裝置4的保持部55保持。

[雷射光束照射步驟] 在此步驟中，與第一分割方法的第一能量供給步驟的雷射光束照射步驟同樣地，對晶片116的邊緣照射對晶圓100具有吸收性之波長的雷射光束。亦即，如圖8（d）所示，控制器7沿著在晶圓100中之所有第一加工槽114的第一緣部120及第二緣部121並沿著所有第二加工槽115的第一緣部120及第二緣部121，從加工頭81照射雷射光束401。 如此進行，如圖8（e）所示，對在晶圓100中之所有晶片116的邊緣照射雷射光束401。

在此種第二分割方法中，亦在背面研削步驟後實施第一能量供給步驟，藉由從晶圓100的背面102側對晶片116的邊緣照射雷射光束401而供給能量。藉此，晶片116的邊緣被雷射光束401熔融，之後，被冷卻並固化而再結晶化，藉此被平坦化。再者，此時，在晶片116的邊緣的表面及表面附近部分產生之裂痕及崩缺等被結合，而減少晶片116的邊緣的加工應變。亦即，可修復（或者去除）加工應變的至少一部分。結果，可提高晶片116的抗彎強度。

又，在第一能量供給步驟中，因從晶圓100的背面102側照射雷射光束，故可抑制雷射光束對晶圓100的正面101的元件區域造成不良影響。

此外，在第二分割方法中，亦在第一能量供給步驟中，為了修復加工應變，不限於晶片116的邊緣，只要對晶片116的邊緣、背面、側面的至少任一部分照射雷射光束即可。

又，與第一分割方法同樣地，第二分割方法亦可進一步具備第二能量供給步驟（正面能量供給步驟）。此步驟例如係在加工槽形成步驟與背面研削步驟之間被實施。

在此步驟中，如上所述，從晶圓100的正面101對晶片116（亦即，在背面研削步驟後成為晶片116之部分）的邊緣、背面、側面（例如，與正面101接近之區域的晶片116的側面）的至少任一部分供給能量並使其熔融。藉此，例如修復因分割步驟所產生之加工應變的至少一部分。

在第二分割方法中，實施第二能量供給步驟之情形，將加工槽形成步驟後的圖8（a）所示之晶圓100的正面101朝上之框架單元110搬送至雷射加工裝置4。然後，與上述之第一能量供給步驟的保持步驟及雷射光束照射步驟同樣地進行，如圖9（a）所示，從晶圓100的正面101對所有晶片116的邊緣，亦即所有第一加工槽114及第二加工槽115的第一緣部120及第二緣部121照射雷射光束401。藉此，修復在晶片116的正面側（圖案層105側）產生之加工應變的至少一部分。之後，如圖9（b）～（e）所示，對第二能量供給步驟後的晶圓100實施上述之背面研削步驟及第一能量供給步驟。

此外，在上述之實施方式中，為了在第一分割方法的分割步驟及第二分割方法的加工槽形成步驟中在晶圓100形成第一加工槽114及第二加工槽115，加工系統1具備切割裝置2。關於此點，加工系統1亦可具備與雷射加工裝置4不同的槽形成用的雷射加工裝置以代替切割裝置2，所述槽形成用的雷射加工裝置係用於形成第一加工槽114及第二加工槽115。

槽形成用雷射加工裝置例如具有與圖4所示之雷射加工裝置4同樣的構成。但是，在用於形成第一加工槽114及第二加工槽115的雷射光束與用於修復晶片116的加工應變的雷射光束中，波長及輸出等彼此不同。因此，槽形成用的雷射加工裝置被構成為照射適合用於形成第一加工槽114及第二加工槽115之雷射光束。

或者，在加工系統1中，雷射加工裝置4亦可具備兩種雷射振盪器，並可被構成為可將適合用於形成第一加工槽114及第二加工槽115之雷射光束與適合用於修復晶片116的加工應變之雷射光束一邊切換一邊照射。此情形，加工系統1可藉由一台雷射加工裝置4而實施上述之分割步驟、加工槽形成步驟、第一能量供給步驟及第二能量供給步驟。

又，加工系統1亦可藉由電漿蝕刻而實施分割步驟及加工槽形成步驟。亦即，加工系統1亦可具備用於形成第一加工槽114及第二加工槽115的電漿蝕刻裝置以代替切割裝置2。

又，在上述之第一分割方法及第二分割方法中，在第一能量供給步驟中，如圖6（d）及圖8（d）所示，對在背面102朝上之框架單元110中之晶片116的邊緣（第一緣部120、第二緣部121）照射雷射光束401。

關於此點，亦可對晶片116的背面照射雷射光束401。所謂晶片116的背面，係指在晶片116中之未形成圖案層105之側的面（與晶圓100的背面102對應之面）。藉此，可修復形成於晶片116的背面之加工應變的至少一部分。

或者，亦可對晶片116的側面照射雷射光束401。此情形，例如，如圖10所示，圖4所示之雷射加工裝置4的保持部55具有保持機構90以代替保持台56。

保持機構90在保持台91的周圍具備夾具部58，所述夾具部58夾持固定在框架單元110中之晶圓100的周圍的環狀框架111。又，保持機構90具有：滾珠螺桿式移動機構93，其被固定於保持台91上；以及上推構件92，其被移動機構93支撐。

如在圖10及圖11中藉由箭頭501所示，移動機構93能使上推構件92沿著Y軸方向移動且在上下方向移動。如圖11所示，上推構件92係比晶圓100的直徑更長之大致板狀的構件，並以隔著切割膠膜113而與晶圓100相接之方式，在晶圓100的直徑方向延伸。在上推構件92中之與晶圓100相接之部分的寬度（Y軸方向的長度）係與晶片116的寬度為相同程度。

在此構成中，在第一能量供給步驟中，藉由在圖10所示之雷射加工裝置4中之保持部55的夾具部58而支撐框架單元110的環狀框架111（保持步驟）。

然後，如圖10所示，控制器7以將從加工頭81輸出之雷射光束401照射至沿著在X軸方向延伸之一個第一加工槽114之一行晶片116之方式，調整Y軸移動機構60（參照圖4）及θ工作台59。再者，控制器7以將從加工頭81輸出之雷射光束401傾斜地照射至晶圓100之方式，調整加工頭81的傾斜度。此外，亦可藉由配置於加工頭81的內部之反射鏡（未圖示）而使雷射光束401傾斜，以代替調整加工頭81的傾斜度。

在此狀態下，控制器7控制保持機構90，將上推構件92定位於照射雷射光束401之一行晶片116（能量的供給對象的晶片116）的下方，並藉由上推構件92而將此等晶片116相較於其他晶片116相對地上推，使其等的側面露出。亦即，如圖12所示，控制器7使照射雷射光束401之晶片116的四個側面之中與X軸方向平行的兩個側面之一亦即第一側面123，以與加工頭81相向之方式露出（側面露出步驟）。

在此狀態下，控制器7從加工頭81照射雷射光束401，且藉由X軸移動機構70（參照圖4）而使保持部55在X軸方向移動。藉此，對在已被上推之一行晶片116中之已露出之第一側面123依次照射來自加工頭81的雷射光束401而供給能量。此外，控制器7較佳為以對第一側面123的整面照射雷射光束401之方式，適當調整雷射光束401的傾斜度。

之後，控制器7藉由Y軸移動機構60（參照圖4）而變更照射雷射光束401之晶片116的行，且控制移動機構93並藉由上推構件92而上推此等晶片116，並對所述第一側面123照射雷射光束401。如此進行，控制器7對在晶圓100中之所有晶片116的第一側面123照射雷射光束401。

接著，控制器7藉由θ工作台59（參照圖10）而使包含晶圓100之框架單元110的朝向旋轉180度，如圖13所示，對與晶片116的第一側面123相向之第二側面124照射雷射光束401。

如此進行，控制器7一邊藉由θ工作台59而變更框架單元110的朝向，一邊對在晶圓100中之所有晶片116的四個側面照射雷射光束401。藉此，可使晶片116的所有側面熔融，而修復其加工應變的至少一部分。 此外，在圖7（a）所示之第一分割方法的第二能量供給步驟中，亦如上所述般可對晶片116的側面照射雷射光束401。

又，如上所述，雷射加工裝置4的雷射光束照射機構80輸出對晶圓100具有吸收性之波長的雷射光束。例如，在晶圓100為矽晶圓之情形，從雷射光束照射機構80輸出之雷射光束的波長係對矽具有吸收性之波長亦即500～1000nm的範圍的波長。

表1係表示從雷射光束照射機構80輸出之雷射光束的波長與使用各雷射光束所實施之第一能量供給步驟及第二能量供給步驟的結果（加工結果）之關係之表。如此表所示，在波長為500～1000nm的範圍的波長之情形中，能良好地熔融矽晶圓亦即晶圓100的雷射照射部分。 [表1]

另一方面，在波長為355nm以下之情形中，難以充分地熔融矽晶圓亦即晶圓100的雷射照射部分。又，在波長為1064nm之情形中，亦因雷射光束會穿透晶圓100，故難以良好地熔融雷射照射部分。

此外，在本實施方式中，作為被加工物的晶圓100的材料較佳為Si、Ge及GaAs等會進行液相成長之材料。會進行液相成長之材料容易藉由照射雷射光束而熔融。因此，可藉由照射雷射光束而良好地修復晶圓100的加工應變。

此外，在第一能量供給步驟及第二能量供給步驟中，只要可以不會對形成於晶圓100之元件產生不良影響之方式對晶片116的至少一部分供給能量而修復在晶片116產生之加工應變的至少一部分即可。因此，在第一能量供給步驟及第二能量供給步驟中，可利用任意方式供給能量。例如，亦可藉由照射電漿或者離子束等而修復加工應變，以代替照射雷射光束。

1:加工系統 2:切割裝置 4:雷射加工裝置 5:研削裝置 6:搬送裝置 7:控制器 10:基台 11:門型柱部 13:切割機構移動機構 14:加工進給機構 15:導軌 16:X軸工作台 17:滾珠螺桿 18:馬達 20:保持部 21:保持台 22:保持面 23:θ工作台 24:蓋板 25:夾具部 30:分度進給機構 31:導軌 32:滾珠螺桿 33:馬達 34:Y軸工作台 40:切入進給機構 41:導軌 42:支撐構件 43:滾珠螺桿 44:馬達 45:切割機構 46:切割刀片 48:攝像機構 51:基台 52:立壁部 55:保持部 56:保持台 57:保持面 58:夾具部 59:θ工作台 60:Y軸移動機構 63:導軌 64:Y軸工作台 65:滾珠螺桿 66:驅動馬達 70:X軸移動機構 71:導軌 72:X軸工作台 73:滾珠螺桿 75:驅動馬達 80:雷射光束照射機構 81:加工頭 82:攝影機 83:臂部 85:Z軸移動機構 86:導軌 87:滾珠螺桿 88:驅動馬達 89:Z軸工作台 90:保持機構 91:保持台 92:上推構件 93:移動機構 100:晶圓 101:正面 102:背面 103:第一分割預定線 104:第二分割預定線 105:圖案層 106:元件區域 108:保護膠膜 110:框架單元 111:環狀框架 112:開口 113:切割膠膜 114:第一加工槽 115:第二加工槽 116:晶片 120:第一緣部 121:第二緣部 123:第一側面 124:第二側面 130:研削機構 131:主軸 132:主軸馬達 133:安裝件 134:研削輪 135:輪基台 136:研削磨石 137:下表面 138:升降機構 139:旋轉機構 140:卡盤台 141:保持面 201:旋轉軸 202:旋轉軸 401:雷射光束

圖1（a）係表示晶圓之立體圖，圖1（b）係表示包含晶圓之框架單元之立體圖。 圖2係表示加工系統的構成之方塊圖。 圖3係表示切割裝置的構成之立體圖。 圖4係表示雷射加工裝置的構成之立體圖。 圖5係表示研削裝置5的構成之側視圖。 圖6（a）～圖6（e）係表示第一分割方法之剖面圖。 圖7（a）～圖7（c）係表示包含第二能量供給步驟之第一分割方法之剖面圖。 圖8（a）～圖8（e）係表示第二分割方法之剖面圖。 圖9（a）～圖9（e）係表示包含第二能量供給步驟之第二分割方法之剖面圖。 圖10係表示在雷射加工裝置中之保持部的另一例之剖面圖。 圖11係表示上推構件之俯視圖。 圖12係表示第一能量供給步驟的另一例之剖面圖。 圖13係表示第一能量供給步驟的另一例之剖面圖。

81:加工頭

100:晶圓

101:正面

102:背面

105:圖案層

108:保護膠膜

110:框架單元

111:環狀框架

113:切割膠膜

114:第一加工槽

115:第二加工槽

116:晶片

120:第一緣部

121:第二緣部

401:雷射光束

Claims (7)

1. 一種晶圓的分割方法，其將在正面具有藉由交叉之多條分割預定線所劃分之元件區域之晶圓沿著該分割預定線進行分割，並具備： 背面研削步驟，其研削該晶圓的背面； 分割步驟，其沿著該分割預定線從該正面分割該晶圓而形成多個晶片；以及 第一能量供給步驟，其從該晶圓的該背面對該晶片的邊緣、該背面、側面的至少任一部分供給能量並使其熔融，而修復加工應變的至少一部分。
2. 一種晶圓的分割方法，其將在正面具有藉由交叉之多條分割預定線所劃分之元件區域之晶圓沿著該分割預定線進行分割，並具備： 加工槽形成步驟，其在該晶圓從該正面形成比完工厚度更深之加工槽； 背面研削步驟，其在實施該加工槽形成步驟後，從該晶圓的背面將該晶圓研削至完工厚度，並分割該晶圓而形成多個晶片；以及 第一能量供給步驟，其從該晶圓的該背面對該晶片的邊緣、該背面、側面的至少任一部分供給能量並使其熔融，而修復加工應變的至少一部分。
3. 如請求項1或2之晶圓的分割方法，其中，該第一能量供給步驟包含：側面露出步驟，其將該能量的供給對象的晶片相較於其他晶片相對地上推，而使該能量的供給對象的該晶片的側面露出， 該第一能量供給步驟對在該側面露出步驟中露出之該能量的供給對象的該晶片的該側面供給該能量。
4. 如請求項1或2之晶圓的分割方法，其中，該第一能量供給步驟係照射雷射光束之步驟。
5. 如請求項4之晶圓的分割方法，其中，該雷射光束的波長係對該晶圓具有吸收性之波長。
6. 如請求項4之晶圓的分割方法，其中，該雷射光束的波長係500～1000nm的範圍的波長。
7. 如請求項1或2之晶圓的分割方法，其中，進一步具備： 第二能量供給步驟，其從該晶圓的該正面對該晶片的該邊緣、該背面、該側面的至少任一部分供給能量並使其熔融。