JP2584884B2 - 配線基板 - Google Patents
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 21
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
- H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
- H05K2203/1377—Protective layers
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、配線基板に関し、特に、配線基板における
高分子材料や有機物などの選択的な除去や清浄化処理に
適用して有効な技術に関する。
高分子材料や有機物などの選択的な除去や清浄化処理に
適用して有効な技術に関する。
たとえば、集積回路素子の実装や封止などに用いられ
るセラミック配線基板などにおいては、当該配線基板の
上における多層配線構造の層間絶縁膜や、配線構造など
の保護膜として、たとえばポリイミドなどの高分子材料
の薄膜を用いることが知られている。
るセラミック配線基板などにおいては、当該配線基板の
上における多層配線構造の層間絶縁膜や、配線構造など
の保護膜として、たとえばポリイミドなどの高分子材料
の薄膜を用いることが知られている。
ところで、ポリイミドなどの高分子材料の薄膜は、液
状の原料を回転塗布などの方法によって基板全面に塗着
し、熱硬化処理を施すことによって形成されるため、た
とえば配線構造における外部接続端子領域や、パッケー
ジなどにおけるキャップとの封着領域を形成するメタラ
イズパターンなどを覆っているポリイミド膜を、半田メ
ッキ処理などに先立って選択的に除去することが必要と
なる。
状の原料を回転塗布などの方法によって基板全面に塗着
し、熱硬化処理を施すことによって形成されるため、た
とえば配線構造における外部接続端子領域や、パッケー
ジなどにおけるキャップとの封着領域を形成するメタラ
イズパターンなどを覆っているポリイミド膜を、半田メ
ッキ処理などに先立って選択的に除去することが必要と
なる。
従来、このような高分子材料の薄膜の選択的な除去技
術としては、たとえば、ドライエッチング方法が一般に
知られている。
術としては、たとえば、ドライエッチング方法が一般に
知られている。
すなわち、たとえば酸素ガスのプラズマに、金属材料
などによって、高分子材料の薄膜をマスキングしたセラ
ミックス基板を置き、プラズマ中のイオンや電子などの
衝撃することによって、高分子材料の薄膜を選択的にエ
ッチング除去するものである。
などによって、高分子材料の薄膜をマスキングしたセラ
ミックス基板を置き、プラズマ中のイオンや電子などの
衝撃することによって、高分子材料の薄膜を選択的にエ
ッチング除去するものである。
また、他の方法としては、たとえば特開昭62−145797
号公報などに開示されているように、フレキシブル配線
基板における銅箔パターンを覆うポリエステルフィルム
に紫外線レーザを照射することによって選択的に除去
し、銅箔パターンの端子部位などを外部に露出させるこ
とが行われている。
号公報などに開示されているように、フレキシブル配線
基板における銅箔パターンを覆うポリエステルフィルム
に紫外線レーザを照射することによって選択的に除去
し、銅箔パターンの端子部位などを外部に露出させるこ
とが行われている。
ところが、前者のドライエッチング方法の場合には、
高分子材料の薄膜を選択的にマスキングする金属マスク
の表面も同時にエッチング作用を受けて劣化するため、
当該金属マスクから発生するエッチング生成物や破片な
どが異物となって高分子材料の薄膜のエッチング部位に
付着し、当該エッチング部位から露出する下地の金属パ
ターンの汚染や、酸化などが避けられず、当該金属パタ
ーンのメッキ特性が劣化するという問題がある。
高分子材料の薄膜を選択的にマスキングする金属マスク
の表面も同時にエッチング作用を受けて劣化するため、
当該金属マスクから発生するエッチング生成物や破片な
どが異物となって高分子材料の薄膜のエッチング部位に
付着し、当該エッチング部位から露出する下地の金属パ
ターンの汚染や、酸化などが避けられず、当該金属パタ
ーンのメッキ特性が劣化するという問題がある。
また、このようなドライエッチング時の汚染や酸化な
どの対策として、エッチング作業後に、金属パターン上
の異物や酸化膜などの除去を、機械的、化学的に行う方
法もあるが、金属パターンの表面を劣化させ、その後の
メッキ特性を悪化させるので好ましくない。
どの対策として、エッチング作業後に、金属パターン上
の異物や酸化膜などの除去を、機械的、化学的に行う方
法もあるが、金属パターンの表面を劣化させ、その後の
メッキ特性を悪化させるので好ましくない。
さらに、ドライエッチングの場合には、エッチング速
度そのものが比較的小さいとともに、金属マスクの形成
および除去などの余分な工程が必要となり、作業全体の
所要時間が長くなるという問題もある。
度そのものが比較的小さいとともに、金属マスクの形成
および除去などの余分な工程が必要となり、作業全体の
所要時間が長くなるという問題もある。
また、セラミックス配線基板の切断は、通常、回転砥
石による研削によって行われるが、切断領域に高分子材
料などの薄膜が存在すると、回転砥石の目詰まりの一因
となり、切断作業が阻害される。このため、予めドライ
エッチングによって切断線領域の高分子材料の薄膜を除
去すればよいが、前述のように、ドライエッチングには
多大の工数が必要となり、現実的ではない。
石による研削によって行われるが、切断領域に高分子材
料などの薄膜が存在すると、回転砥石の目詰まりの一因
となり、切断作業が阻害される。このため、予めドライ
エッチングによって切断線領域の高分子材料の薄膜を除
去すればよいが、前述のように、ドライエッチングには
多大の工数が必要となり、現実的ではない。
一方、後者の従来技術の場合には、フレキシブル配線
基板の製造工程におけるカバーフィルムの自動被着工程
の途中で、当該カバーテープの不要部位を的確に除去で
きるという効果は得られるものの、露出する銅箔などの
金属パターンにおけるメッキ特性を良好にするための、
レーザの照射条件などについてはなんら言及していな
い。
基板の製造工程におけるカバーフィルムの自動被着工程
の途中で、当該カバーテープの不要部位を的確に除去で
きるという効果は得られるものの、露出する銅箔などの
金属パターンにおけるメッキ特性を良好にするための、
レーザの照射条件などについてはなんら言及していな
い。
また、集積回路装の実装においては、効果的な放熱が
重要となり、たとえば、集積回路素子を搭載したセラミ
ックス配線基板に同じくセラミックスなどからなるキャ
ップを封着してなるパッケージの表面に冷却片を接触さ
せて、熱伝導によって放熱を図る構造があるが、パッケ
ージと放熱片との界面に、たとえば当該パッケージの半
田などによる封着工程におけるフラックスなどの有機物
が付着していると、当該界面における伝熱抵抗値が大き
くなり、放熱効果が低下するという問題がある。
重要となり、たとえば、集積回路素子を搭載したセラミ
ックス配線基板に同じくセラミックスなどからなるキャ
ップを封着してなるパッケージの表面に冷却片を接触さ
せて、熱伝導によって放熱を図る構造があるが、パッケ
ージと放熱片との界面に、たとえば当該パッケージの半
田などによる封着工程におけるフラックスなどの有機物
が付着していると、当該界面における伝熱抵抗値が大き
くなり、放熱効果が低下するという問題がある。
そこで、本発明の目的は、金属パターンにおけるメッ
キ領域や、切断領域における高分子材料の薄膜を簡単か
つ的確に除去して、メッキ特性や切断特性を良好にした
配線基板を提供することにある。
キ領域や、切断領域における高分子材料の薄膜を簡単か
つ的確に除去して、メッキ特性や切断特性を良好にした
配線基板を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明になる配線基板は、少なくとも、セ
ラミックス基板に金属パターンを形成する第１の段階
と、高分子材料からなる薄膜を形成する第２の段階と、
金属パターンのメッキ領域およびセラミック基板の切断
領域の少なくとも一方に被着された薄膜にレーザを照射
して除去する第３の段階とを経て製造されるものであ
る。
ラミックス基板に金属パターンを形成する第１の段階
と、高分子材料からなる薄膜を形成する第２の段階と、
金属パターンのメッキ領域およびセラミック基板の切断
領域の少なくとも一方に被着された薄膜にレーザを照射
して除去する第３の段階とを経て製造されるものであ
る。
上記した本発明になる配線基板によれば、たとえば、
高分子材料からなる薄膜の除去部位に照射するレーザの
諸元を、たとえば波長を150nm〜400nmの範囲に、エネル
ギ密度を、0.5J/cm2〜3J/cm2の範囲に、パルス幅を１μ
ｓ以下に設定することにより、露出する下地の金属パタ
ーンの損傷や酸化などに起因するメッキ特性の劣化など
を生じることなく、簡便かつ的確に高分子材料からなる
薄膜の除去を行うことができ、メッキ特性や切断特性の
良好な配線基板を得ることができる。
高分子材料からなる薄膜の除去部位に照射するレーザの
諸元を、たとえば波長を150nm〜400nmの範囲に、エネル
ギ密度を、0.5J/cm2〜3J/cm2の範囲に、パルス幅を１μ
ｓ以下に設定することにより、露出する下地の金属パタ
ーンの損傷や酸化などに起因するメッキ特性の劣化など
を生じることなく、簡便かつ的確に高分子材料からなる
薄膜の除去を行うことができ、メッキ特性や切断特性の
良好な配線基板を得ることができる。
〔実施例１〕 以下、本発明の一実施例である配線基板の一例を図面
を参照しながら詳細に説明する。
を参照しながら詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例である配線基板の製造工
程の一例を模式的に示す説明図であり、第２図は、その
製造工程の一例を示す流れ図である。
程の一例を模式的に示す説明図であり、第２図は、その
製造工程の一例を示す流れ図である。
また、第３図および第４図は、本実施例における配線
基板の状態の一例を示す断面図である。
基板の状態の一例を示す断面図である。
まず、セラミックスのグリーンシートの上に、たとえ
ばタングステン（Ｗ）やモリブデン（Mo）などの高融点
金属を含む金属ペーストを印刷などの方法によって所望
のパターンに被着させ（ステップ101）、全体を焼成す
る（ステップ102）。
ばタングステン（Ｗ）やモリブデン（Mo）などの高融点
金属を含む金属ペーストを印刷などの方法によって所望
のパターンに被着させ（ステップ101）、全体を焼成す
る（ステップ102）。
これにより、グリーンシートおよび金属ペーストは硬
化し、高硬度および強度のセラミックス基板１の上に、
金属パターン２が被着形成された状態となる。
化し、高硬度および強度のセラミックス基板１の上に、
金属パターン２が被着形成された状態となる。
次に、こうして金属パターン２が形成されたセラミッ
クス基板１の上を全面にわたって覆うように、たとえば
液状のポリイミド樹脂などからなる高分子樹脂を、回転
塗布などの方法によって塗着し（ステップ103）、所望
の温度に加熱して硬化させることで、高分子材料膜３を
形成する。
クス基板１の上を全面にわたって覆うように、たとえば
液状のポリイミド樹脂などからなる高分子樹脂を、回転
塗布などの方法によって塗着し（ステップ103）、所望
の温度に加熱して硬化させることで、高分子材料膜３を
形成する。
なお、説明を簡単にするため、本実施例の場合には特
に図示しないが、上述のようにして形成された高分子材
料膜３の上に、さらに所望の金属パターンおよび高分子
材料膜を交互に被着形成する処理を行うことで、多層配
線構造などを形成してもよいことは言うまでもない。
に図示しないが、上述のようにして形成された高分子材
料膜３の上に、さらに所望の金属パターンおよび高分子
材料膜を交互に被着形成する処理を行うことで、多層配
線構造などを形成してもよいことは言うまでもない。
さらに、第３図の状態のセラミックス基板１の上に、
同じく回転塗布などの方法によってレジスト液を塗布し
（ステップ105）、所定の温度で加熱して硬化させるこ
とにより、レジスト膜４を形成する（ステップ106）。
この状態が第３図である。
同じく回転塗布などの方法によってレジスト液を塗布し
（ステップ105）、所定の温度で加熱して硬化させるこ
とにより、レジスト膜４を形成する（ステップ106）。
この状態が第３図である。
このレジスト膜４は、後に、その下の高分子材料膜３
の選択的な除去工程において発生する異物などから当該
高分子材料膜３の残存領域を保護する働きをする。
の選択的な除去工程において発生する異物などから当該
高分子材料膜３の残存領域を保護する働きをする。
次に、第１図に示されるような構成のレーザ照射装置
20によって、セラミックス基板１に形成された金属パタ
ーン２を全面にわたって覆っている高分子材料膜３の選
択的な除去処理を行う（ステップ107）。
20によって、セラミックス基板１に形成された金属パタ
ーン２を全面にわたって覆っている高分子材料膜３の選
択的な除去処理を行う（ステップ107）。
すなわち、本実施例におけるレーザ照射装置20は、た
とえば、レーザ21を発生する図示しない光源と、このレ
ーザ21がセラミックス基板１の表面にほぼ垂直に入射す
るように導く反射板22などからなる光学系と、セラミッ
クス基板１に照射されるレーザ21の断面形状が、所望の
形状となるように透過させる金属製のマスク23と、セラ
ミックス基板１が載置され、当該セラミックス基板１の
所望の部位にマスク23を透過した所望の形状のレーザ21
が照射されるように相対的な位置決め動作を行うステー
ジ24とを備えている。
とえば、レーザ21を発生する図示しない光源と、このレ
ーザ21がセラミックス基板１の表面にほぼ垂直に入射す
るように導く反射板22などからなる光学系と、セラミッ
クス基板１に照射されるレーザ21の断面形状が、所望の
形状となるように透過させる金属製のマスク23と、セラ
ミックス基板１が載置され、当該セラミックス基板１の
所望の部位にマスク23を透過した所望の形状のレーザ21
が照射されるように相対的な位置決め動作を行うステー
ジ24とを備えている。
そして、ステージ24の光源側に対する相対的な移動動
作と、当該光源からのレーザ21の出射のON/OFFの制御と
を適宜組み合わせることにより、たとえば第１図に示さ
れるように、後に、半田付けによる図示しない電子部品
の実装や、後述のようなキャップなどの半田付けによる
封着などのために所望のメッキ処理が施される、金属パ
ターン２の目的の領域を覆っている高分子材料膜３を、
レーザ21の持つエネルギによって選択的に除去する処理
を行う。
作と、当該光源からのレーザ21の出射のON/OFFの制御と
を適宜組み合わせることにより、たとえば第１図に示さ
れるように、後に、半田付けによる図示しない電子部品
の実装や、後述のようなキャップなどの半田付けによる
封着などのために所望のメッキ処理が施される、金属パ
ターン２の目的の領域を覆っている高分子材料膜３を、
レーザ21の持つエネルギによって選択的に除去する処理
を行う。
すなわち、高分子材料膜３のレーザ21が照射された領
域は、光化学反応などによって分子間の結合が切断さ
れ、さらに、切断時の個々の分子が大きなエネルギを持
つ状態となるため、いわゆるアブレーション現象によっ
て、レーザ21の照射領域にある高分子材料膜３は、瞬時
に分解／飛散して消失する。
域は、光化学反応などによって分子間の結合が切断さ
れ、さらに、切断時の個々の分子が大きなエネルギを持
つ状態となるため、いわゆるアブレーション現象によっ
て、レーザ21の照射領域にある高分子材料膜３は、瞬時
に分解／飛散して消失する。
このとき、上記の除去作業中に飛散する異物などは、
高分子材料膜３を覆っているレジスト膜４の上に付着
し、当該高分子材料膜３の残存領域に直接付着して汚染
することはない。
高分子材料膜３を覆っているレジスト膜４の上に付着
し、当該高分子材料膜３の残存領域に直接付着して汚染
することはない。
また、瞬間的に高エネルギを与えることによる除去処
理であるため、レーザ21の照射領域の高分子材料膜３
を、残滓などを生じることなく確実に除去できるととも
に、下地の金属パターン２の表面の酸化や損傷を生じる
こともない。
理であるため、レーザ21の照射領域の高分子材料膜３
を、残滓などを生じることなく確実に除去できるととも
に、下地の金属パターン２の表面の酸化や損傷を生じる
こともない。
なお、レーザの照射による高分子材料のアブレーショ
ンなどに関しては、たとえば、株式会社新技術コミュニ
ケーションズ1986年７月５日発行「O plus E」1986年７
月号、P59〜P66に詳述されている。
ンなどに関しては、たとえば、株式会社新技術コミュニ
ケーションズ1986年７月５日発行「O plus E」1986年７
月号、P59〜P66に詳述されている。
本実施例の場合には、レーザ21の波長として、高分子
材料膜３などの分子結合を切断できる充分なエネルギを
有するように、たとえば波長308nmのエキシマレーザを
用いる。
材料膜３などの分子結合を切断できる充分なエネルギを
有するように、たとえば波長308nmのエキシマレーザを
用いる。
なお、レーザ21の波長およびパワー（エネルギ密度）
の適値は、金属パターン２や、セラミックス基板１など
の材質や厚さ、さらには金属パターン２の形状などにも
よるが、本発明者らの研究によれば、波長が150〜1100n
m,エネルギ密度が0.5J/cm2〜3J/cm2の条件が好ましいこ
とが認められた。また、レーザ21のパルス幅は、たとえ
ば１μｓ以下にすることが望ましい。
の適値は、金属パターン２や、セラミックス基板１など
の材質や厚さ、さらには金属パターン２の形状などにも
よるが、本発明者らの研究によれば、波長が150〜1100n
m,エネルギ密度が0.5J/cm2〜3J/cm2の条件が好ましいこ
とが認められた。また、レーザ21のパルス幅は、たとえ
ば１μｓ以下にすることが望ましい。
すなわち、レーザ21の出力が過大な場合には、金属パ
ターン２やセラミックス基板１の損傷や表面のメッキ特
性の劣化などを生じるからである。
ターン２やセラミックス基板１の損傷や表面のメッキ特
性の劣化などを生じるからである。
こうして、高分子材料膜３を選択的に除去することに
より、下地の金属パターン２の所望の領域を露出させた
後、前述のように、前記レーザ21の照射の際に発生する
異物などから高分子材料膜３を保護していたレジスト膜
４を除去し（ステップ108）、さらに、第４図に示され
るように、露出した金属パターン２に対して、後の半田
付けなどに備えて、半田に対する濡れ性を向上させるな
どの目的で、たとえば金（Au）などのメッキ層５を形成
する（ステップ109）。
より、下地の金属パターン２の所望の領域を露出させた
後、前述のように、前記レーザ21の照射の際に発生する
異物などから高分子材料膜３を保護していたレジスト膜
４を除去し（ステップ108）、さらに、第４図に示され
るように、露出した金属パターン２に対して、後の半田
付けなどに備えて、半田に対する濡れ性を向上させるな
どの目的で、たとえば金（Au）などのメッキ層５を形成
する（ステップ109）。
このメッキ層５の形成に際して、前述のように、金属
パターン２のメッキ領域の表面は、高分子材料膜３の除
去の際に、酸化や損傷などを受けておらず、清浄で平坦
な状態を呈しているため、メッキ層５の被着性が良好で
あるとともに、汚染異物や表面の凹凸によって、メッキ
層５に欠陥などが発生する懸念がない。
パターン２のメッキ領域の表面は、高分子材料膜３の除
去の際に、酸化や損傷などを受けておらず、清浄で平坦
な状態を呈しているため、メッキ層５の被着性が良好で
あるとともに、汚染異物や表面の凹凸によって、メッキ
層５に欠陥などが発生する懸念がない。
この結果、後の工程における、当該金属パターン２に
対する図示しない電子部品などの半田付けなどにおい
て、十分な接合強度を得ることができる。
対する図示しない電子部品などの半田付けなどにおい
て、十分な接合強度を得ることができる。
〔実施例２〕 第５図は、本発明の他の実施例である配線基板の切断
工程の一例を示す斜視図である。
工程の一例を示す斜視図である。
この実施例２の配線基板の場合には、セラミックス基
板１を覆って被着形成された高分子材料膜３の、切断領
域1bを覆う部分を、前述のようなレーザ照射によって選
択的に除去し、その後、高速に回転するダイサブレード
30の研削作用によって切断作業を行うようにしたもので
ある。
板１を覆って被着形成された高分子材料膜３の、切断領
域1bを覆う部分を、前述のようなレーザ照射によって選
択的に除去し、その後、高速に回転するダイサブレード
30の研削作用によって切断作業を行うようにしたもので
ある。
これにより、ダイサブレード30が、切断領域に存在す
る高分子材料膜３の切削屑などによって目詰まりを起こ
し、切断作業に支障をきたしたり、ダイサブレード30の
寿命が短くなるなどの不具合が無くなり、配線基板の切
断作業を効率良く遂行することができる。
る高分子材料膜３の切削屑などによって目詰まりを起こ
し、切断作業に支障をきたしたり、ダイサブレード30の
寿命が短くなるなどの不具合が無くなり、配線基板の切
断作業を効率良く遂行することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
本願において開示される発明のうち、代表的なものに
よって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおり
である。
よって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおり
である。
すなわち、本発明になる配線基板は、少なくとも、セ
ラミックス基板に金属パターンを形成する第１の段階
と、高分子材料からなう薄膜を形成する第２の段階と、
前記金属パターンのメッキ領域および前記セラミックス
基板の切断領域の少なくとも一方に被着された前記薄膜
にレーザを照射して除去する第３の段階とを経て製造さ
れるので、たとえば、高分子材料からなる薄膜の除去部
位に照射するレーザの諸元を、たとえば波長を150nm〜4
00nmの範囲に、エネルギ密度を、0.5J/cm2〜3J/cm2の範
囲に、パルス幅を１μｓ以下に設定することにより、露
出する下地の金属パターンの損傷や酸化などに起因する
メッキ特性の劣化などを生じることなく、簡便かつ的確
に高分子材料からなる薄膜の除去を行うことができ、メ
ッキ特性や切断特性の良好な配線基板を得ることができ
る。
ラミックス基板に金属パターンを形成する第１の段階
と、高分子材料からなう薄膜を形成する第２の段階と、
前記金属パターンのメッキ領域および前記セラミックス
基板の切断領域の少なくとも一方に被着された前記薄膜
にレーザを照射して除去する第３の段階とを経て製造さ
れるので、たとえば、高分子材料からなる薄膜の除去部
位に照射するレーザの諸元を、たとえば波長を150nm〜4
00nmの範囲に、エネルギ密度を、0.5J/cm2〜3J/cm2の範
囲に、パルス幅を１μｓ以下に設定することにより、露
出する下地の金属パターンの損傷や酸化などに起因する
メッキ特性の劣化などを生じることなく、簡便かつ的確
に高分子材料からなる薄膜の除去を行うことができ、メ
ッキ特性や切断特性の良好な配線基板を得ることができ
る。
第１図は、本発明の一実施例である配線基板の製造工程
の一例を模式的に示す説明図、 第２図は、その製造工程の一例を示す流れ図、 第３図は、本発明の一実施例である配線基板の製造工程
の途中における構造の一例を模式的に示す断面図、 第４図は、同じく、本発明の一実施例である配線基板の
製造工程の途中における構造の一例を模式的に示す断面
図、 第５図は、本発明の他の実施例である配線基板の切断工
程の一例を示す斜視図である。 １……セラミックス基板、1b……切断領域、２……金属
パターン、３……高分子材料膜、４……レジスト膜、５
……メッキ層、20……レーザ照射装置、21……レーザ、
22……反射板、23……マスク、24……ステージ、30……
ダイサブレード、101〜109……配線基板の形成工程の一
例を示すステップ。
の一例を模式的に示す説明図、 第２図は、その製造工程の一例を示す流れ図、 第３図は、本発明の一実施例である配線基板の製造工程
の途中における構造の一例を模式的に示す断面図、 第４図は、同じく、本発明の一実施例である配線基板の
製造工程の途中における構造の一例を模式的に示す断面
図、 第５図は、本発明の他の実施例である配線基板の切断工
程の一例を示す斜視図である。 １……セラミックス基板、1b……切断領域、２……金属
パターン、３……高分子材料膜、４……レジスト膜、５
……メッキ層、20……レーザ照射装置、21……レーザ、
22……反射板、23……マスク、24……ステージ、30……
ダイサブレード、101〜109……配線基板の形成工程の一
例を示すステップ。
Claims (4)
- 【請求項１】少なくとも、セラミックス基板に金属パタ
ーンを形成する第１の段階と、高分子材料からなる薄膜
を形成する第２の段階と、前記金属パターンのメッキ領
域および前記セラミックス基板の切断領域の少なくとも
一方に被着された前記薄膜にレーザを照射して除去する
第３の段階とを経て製造されてなる配線基板。 - 【請求項２】前記レーザの波長が150nm〜400nmの範囲に
設定されることを特徴とする請求項１記載の配線基板。 - 【請求項３】前記レーザのエネルギ密度が、0.5J/cm2〜
3J/cm2の範囲に設定されることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の配線基板。 - 【請求項４】前記レーザのパルス幅を１μｓ以下とする
ことを特徴とする請求項1,2または３記載の配線基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2142456A JP2584884B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 配線基板 |
| US07/714,373 US5262614A (en) | 1990-05-31 | 1991-05-31 | Circuit board and sealing structure and methods for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2142456A JP2584884B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435051A JPH0435051A (ja) | 1992-02-05 |
| JP2584884B2 true JP2584884B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=15315739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2142456A Expired - Lifetime JP2584884B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 配線基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5262614A (ja) |
| JP (1) | JP2584884B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2731324B2 (ja) * | 1992-06-17 | 1998-03-25 | 株式会社東海理化電機製作所 | エアバッグ装置の袋体及び袋体の製造方法 |
| JPH0677652A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Nec Toyama Ltd | 多層銅張積層板の製造方法 |
| US5460921A (en) * | 1993-09-08 | 1995-10-24 | International Business Machines Corporation | High density pattern template: materials and processes for the application of conductive pastes |
| DE4417245A1 (de) * | 1994-04-23 | 1995-10-26 | Lpkf Cad Cam Systeme Gmbh | Verfahren zur strukturierten Metallisierung der Oberfläche von Substraten |
| EP0727925A1 (de) * | 1995-02-14 | 1996-08-21 | Lpkf Cad/Cam Systeme Gmbh | Verfahren zur strukturierten Metallisierung der Oberfläche von Substraten |
| JP3209875B2 (ja) * | 1995-03-23 | 2001-09-17 | 株式会社日立製作所 | 基板の製造方法及び基板 |
| JPH1027971A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Nec Corp | 有機薄膜多層配線基板の切断方法 |
| EP0842729A1 (en) * | 1996-10-21 | 1998-05-20 | Arterial Vascular Engineering, Inc. | Method and apparatus for laser processing of intravascular devices |
| EP0841840A1 (en) * | 1996-11-12 | 1998-05-13 | Hewlett-Packard Company | Method for the manufacture of micro solder bumps on copper pads |
| US6214523B1 (en) | 1998-01-09 | 2001-04-10 | International Business Machines Corporation | Pattern formation by removal of paste material |
| SG126714A1 (en) | 2002-01-24 | 2006-11-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| EP1343206B1 (en) | 2002-03-07 | 2016-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus |
| CN113510393B (zh) * | 2020-04-10 | 2023-08-18 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 陶瓷工件激光钻孔的方法 |
| CN114390783A (zh) * | 2020-10-20 | 2022-04-22 | 深南电路股份有限公司 | 线路板的制作方法及线路板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206858A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213837A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-26 | Tokyo Electric Co Ltd | ロ−ドセル |
| US4713518A (en) * | 1984-06-08 | 1987-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device manufacturing methods |
| JPS62145797A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | 日立化成工業株式会社 | フレキシブル配線板の製造法 |
| JPH01184861A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Toshiba Corp | レーザ光によるトリミング方法 |
| US5008582A (en) * | 1988-01-29 | 1991-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic device having a cooling element |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2142456A patent/JP2584884B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-05-31 US US07/714,373 patent/US5262614A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206858A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0435051A (ja) | 1992-02-05 |
| US5262614A (en) | 1993-11-16 |
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