JP2019069465A - レーザー加工装置 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 166
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012466 permeate Substances 0.000 abstract 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0665—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
- B23K26/0821—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head using multifaceted mirrors, e.g. polygonal mirror
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/122—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in a liquid, e.g. underwater
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/142—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor for the removal of by-products
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/146—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor the fluid stream containing a liquid
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
- B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
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Abstract
【課題】被加工物に対するレーザー光線の照射が妨げられることのないレーザー加工装置を提供する。【解決手段】保持手段30の上部には、保持テーブルに保持された被加工物の上面との間に隙間を形成して位置付けられる透明板42aを備えた液体チャンバー41と、液体チャンバー41の一方から隙間に液体を供給する液体供給ノズル43と、液体チャンバー41の他方から液体を回収して液体の流れを生成する液体排出ノズル44と、から構成される液体供給機構40が配設され、レーザー光線照射手段6は、レーザー光線を発振する発振器と、発振器が発振したレーザー光線を集光し透明板42aと隙間に供給された液体とを透過して保持テーブルに保持された被加工物に照射する集光器86と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置2。【選択図】図1
Description
本発明は、板状の被加工物にレーザー光線を照射して加工するレーザー加工装置に関する。
IC、LSI等の複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン、照明機器等の電気機器に利用される。
レーザー加工装置は、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線の集光点を、被加工物の表面に位置付けて照射するアブレーション加工によって分割の起点となる溝を形成するタイプのもの(例えば、特許文献1を参照。)、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を、被加工物の内部に位置付けて照射し、被加工物の内部に分割の起点となる改質層を形成するタイプのもの(例えば、特許文献2を参照。)、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を、被加工物の所要位置に位置付けて照射し、被加工物の表面から裏面に至り、分割の起点となる細孔と該細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成するタイプもの(例えば、特許文献3を参照。)と、が存在し、被加工物の種類、加工精度等に応じて、レーザー加工装置が適宜選択される。
上記したレーザー加工装置のうち、特にアブレーション加工を施すタイプにおいては、被加工物(ウエーハ)の表面にレーザー光線を照射した際に生じるデブリ(レーザー加工屑)が、ウエーハに形成されたデバイスの表面に飛散して付着し、デバイスの品質を低下させるおそれがあることから、レーザー加工を実施する前に、ウエーハの表面に、加工に用いるレーザー光線を透過する液状樹脂を被覆してデブリの付着を防止し、レーザー加工を施した後に、該液状樹脂を除去することが提案されている(例えば、特許文献4を参照。)。
特許文献4に記載された技術によれば、液状樹脂が被覆されていることで、デバイスの表面にデブリが付着することを防止することができ、加工品質は確保される。しかし、液状樹脂を塗布する工程、加工後に液状樹脂を除去する工程が必要であり、生産性に問題がある。さらに、液状樹脂は、繰り返し利用することができないため、不経済であるという問題もある。
また、ウエーハを水没させた状態でレーザー光線を照射してデブリを水に浮遊させることでウエーハの表面に付着するのを防止する技術も提案されている。しかし、ウエーハが水没した状態でウエーハに対してレーザー光線を照射する場合、ウエーハのレーザー光線が照射された部位から微細な泡が発生するため、この泡によってレーザー光線の進行が妨げられ、所望の加工ができないという問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、板状の被加工物に対してレーザー光線を照射して加工する際に、被加工物に対するレーザー光線の照射が妨げられることのないレーザー加工装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、板状の被加工物を保持する保持テーブルを備えた保持手段と、該保持テーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射して加工を施すレーザー光線照射手段と、を少なくとも含み構成されるレーザー加工装置であって、該保持手段の上部には、該保持テーブルに保持された被加工物の上面との間に隙間を形成して位置付けられる透明板を備えた液体チャンバーと、該液体チャンバーの一方から該隙間に液体を供給する液体供給ノズルと、該液体チャンバーの他方から液体を回収して液体の流れを生成する液体排出ノズルと、から構成される液体供給機構が配設され、該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したレーザー光線を集光し該透明板と該隙間に供給された液体とを透過して該保持テーブルに保持された被加工物に照射する集光器と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置が提供される。
該レーザー光線照射手段には、該発振器から発振されたレーザー光線を分散させる分散手段が配設されるように構成してもよい。
本発明のレーザー加工装置は、板状の被加工物を保持する保持テーブルを備えた保持手段と、該保持テーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射して加工を施すレーザー光線照射手段と、を少なくとも含み構成されるレーザー加工装置であって、該保持手段の上部には、該保持テーブルに保持された被加工物の上面との間に隙間を形成して位置付けられる透明板を備えた液体チャンバーと、該液体チャンバーの一方から該隙間に液体を供給する液体供給ノズルと、該液体チャンバーの他方から液体を回収して液体の流れを生成する液体排出ノズルと、から構成される液体供給機構が配設され、該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したレーザー光線を集光し該透明板と該隙間に供給された液体とを透過して該保持テーブルに保持された被加工物に照射する集光器と、から少なくとも構成されることにより、被加工物に対するレーザー光線の照射が妨げられることのないレーザー加工装置が提供される。また、本発明を、アブレーション加工を実施するレーザー加工装置に適用した場合は、ウエーハの表面に液状樹脂を被覆しなくても、レーザー加工時に発生するデブリがデバイスに付着ことを抑制することができ、デバイスの加工品質が低下することを防止する。
以下、本発明に基づく実施形態に係るレーザー加工装置について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には、本実施形態のレーザー加工装置2の斜視図が示されている。レーザー加工装置2は、基台21と、基台21上に配置される被加工物を保持する保持手段30と、基台21上の保持手段30の側方に矢印Zで示すZ方向に立設される垂直壁部221、及び垂直壁部221の上端部から水平方向に延びる水平壁部222からなる枠体22と、保持手段30の上部に配設される液体供給機構40と、水平壁部222の下面に配設されるレーザー光線照射手段6と、を備えている。
図2は、保持手段30、液体供給機構40の一部を構成する液体チャンバー41、液体供給ノズル43、及び液体排出ノズル44の各構成を分解して示す図であり、各構成について、以下に説明する。
保持手段30は、基台21上に固定される直方体状の保持基台31と、保持基台31の上面部31aに配設される円形の保持テーブル32と、を備える。保持テーブル32は、図示しない回動機構により回転することが可能に構成されている。保持テーブル32の中央領域は、通気性を有する材質、例えばポーラスセラミックスにより構成される円形の吸着チャック32aからなる。吸着チャック32aは、図示しない吸引源に接続され、吸着チャック32aに載置される板状の被加工物を吸引保持する。
図2に示すように、保持基台31の上面部31aには、液体供給機構40の一部を構成する液体チャンバー41が載置される。液体チャンバー41は、上下に貫通する矩形状の空間41bを形成する枠体41aと、空間41bの上方を閉塞するカバー板42と、からなる。枠体41aを構成する4つの側面のうち、矢印Yで示す方向に位置付けられて対向する2つの側面の一方には、枠体41aの空間41bと外部とを連通する液体供給口41cが配設され、他方の側面には、空間41bと外部とを連通する液体排出口41dが配設されている。液体供給口41c、及び液体排出口41dは、配設された各側面において、水平方向に延びると共に、吸着チャック32aの直径よりも長い寸法で形成される。
カバー板42は、保持テーブル32上を覆う透明板42aと、透明板42aの外周縁を支持する枠板42bから構成される。透明板42aは、例えば、ガラス板からなる。枠板42bは、例えば、ステンレスプレートからなり、透明板42aと共に、枠体41aの空間41bの上部を閉塞するように、平面視で空間41bと略同形状になるように形成される。カバー板42は、2つの蝶番41eにより枠体41aに固定されていることで、枠体41aの空間41bの上部において開閉可能に構成されている。透明板42aは、カバー板42を閉じたときに保持テーブル32と対向するように配置される。枠体41aを構成する4つの側面の各内壁の複数箇所には、カバー板42を支持する段差部41fが配設される。カバー板42の先端上部には、開閉時に把持するためのツマミ部42cが形成される。
図2に示すように、枠体41aの液体供給口41cが配設された側面には、液体供給ノズル43が連結される。また、液体チャンバー41の液体排出口41dが配設された側面には、液体を排出するための液体排出ノズル44が連結される。液体供給ノズル43及び液体排出ノズル44は、平面視で略三角形状をなし、その高さ方向の厚みは、上記した液体チャンバー41と略同一になるように形成されている。
液体供給ノズル43には、液体が供給される供給口43aが形成されている。液体供給ノズル43の内部には、供給口43aから供給された液体を液体チャンバーの41の液体供給口41cに導く通路が形成され(図示は省略する。)、液体供給口41cに対向する面には、液体供給口41cと同形状の排出口(図示は省略する。)が形成されている。該通路を介して供給口43aから供給された液体が、液体チャンバー41の液体供給口41cに導かれる。
液体排出ノズル44は、液体供給ノズル43と同一形状で構成される。図2に示すように、液体チャンバー41の液体排出口41dと対向する位置に、液体チャンバー41の液体排出口41dと同一形状からなる供給口44bが形成されている。供給口44bから供給された液体は、液体排出ノズル44の内部の通路を通って、排出口44aから排出される。枠体41の下面縁部には、全周にわたりパッキンが配設されており(図示は省略する。)、保持基台31上に液体チャンバー41を載置し、カバー板42を閉じた状態にすることで、保持基台31の上面部31aを含む略密閉された隙間が形成される。
さらに、図3を参照しながら、液体供給機構40について説明する。図3では、保持テーブル32に、板状の被加工物としてデバイスが表面に形成されたウエーハ10を吸引保持し、カバー板42を閉じた状態を示している。図3の上方に、一部を拡大した概略断面図として示すように、保持テーブル32上に保持されたウエーハ10と透明板42aとの間には、0.5mm〜2.0mm程度の隙間が形成される。図3に示すように、液体供給機構40は、上記した液体チャンバー41、液体供給ノズル43、液体排出ノズル44に加え、液体供給ポンプ45、濾過フィルター46、及び液体貯留タンク47を備えている。液体貯留タンク47は、濾過フィルター46に配設されている。液体供給ポンプ45と液体供給ノズル43とは、第一のホース48aで接続され、液体排出ノズル44と濾過フィルター46とは、第二のホース48bで接続され、濾過フィルター46と液体供給ポンプ45とは第三のホース48cで接続される。各ホース48a〜48cは、樹脂製のフレキシブルホースで形成されている。上記した構成により、液体供給ポンプ45から吐出された液体Wは、第一のホース48a、及び液体供給ノズル43を介して液体チャンバー41に供給され、液体チャンバー41に供給された液体Wは、液体排出ノズル44を介して排出される。さらに、液体排出ノズル44から排出された液体Wは、濾過フィルター46に導かれて濾過され、液体供給ポンプ45に戻される。本実施形態の液体供給機構40においては、液体チャンバー41と保持基台31の上面に形成される合わせ面との隙間や、カバー板42と枠体41との隙間等から徐々に液体が漏出することが許容されるが、この漏出により減少する分は、液体貯留タンク47から適宜補填される。なお、液体貯留タンク47は、濾過フィルター46に導かれた液体Wに含まれる気泡を排出する機能も備えている。以上のような構成によって、液体Wが液体供給機構40において循環される。液体チャンバー41を流れる液体Wの流速は、液体供給ポンプ45の圧送効率を調整したり、液体チャンバー41の容積を変更したり、液体供給口41c、及び液体排出口41dの開口面積を調整したりすることによって調整することができ、所定の流速になるように調整されている。
次に、図1、図4及び図5を参照しながら、レーザー光線照射手段6について説明する。なお、図5は、図4に示すレーザー光線照射手段6の分解斜視図である。
レーザー光線照射手段6は、枠体22の水平壁部222の下面に図示しない固定手段により固定される案内板60と、案内板60にY軸方向において移動自在に支持されたY軸方向可動部材62と、Y軸方向可動部材62をY軸方向に移動させるY軸方向移動機構64とを含む。案内板60のX軸方向両端下部には、Y軸方向に延びる一対の案内レール60aが形成されている。図4、及び図5に示すとおり、Y軸方向可動部材62は、X軸方向に間隔をおいて配置された一対の被案内部66と、被案内部66の下端間に架け渡されX軸方向に延びる装着部68とを有する。各被案内部66の上部には、Y軸方向に延びる被案内レール66aが形成されている。被案内部66の被案内レール66aと案内板60の案内レール60aとが係合することにより、Y軸方向可動部材62は、Y軸方向に移動自在に案内板60に支持される。また、装着部68のY軸方向両端下部には、X軸方向に延びる一対の案内レール68aが形成されている。Y軸方向移動機構64は、案内板60の下方においてY軸方向に延びるボールねじ70と、ボールねじ70の片端部に連結されたモータ72とを有する。ボールねじ70の門型形状のナット部70aは、装着部68の上面に固定されている。ボールねじ70のモータ72が連結されないもう一方の片端部は、ナット部70aに螺合された後、案内板60の前方縁部に形成された支持片部60bに回転自在に支持される。そして、Y軸方向移動機構64は、ボールねじ70によりモータ72の回転運動を直線運動に変換してY軸方向可動部材62に伝達し、案内板60の案内レール60aに沿ってY軸方向可動部材62をY軸方向に移動させる。
図5を参照しながら、レーザー光線照射手段6の説明を続ける。レーザー光線照射手段6は、さらに、X軸方向に移動自在にY軸方向可動部材62の装着部68に装着されたX軸方向可動板74と、X軸方向可動板74をX軸方向に移動させるX軸方向移動機構76とを含む。X軸方向可動板74のY軸方向両端部と装着部68の案内レール68aとが係合することにより、X軸方向可動板74はX軸方向に移動自在に装着部68に装着される。X軸方向移動機構76は、装着部68の上方において、X軸方向に延びるボールねじ78と、ボールねじ78の片端部に連結され一方の被案内部66に支持されたモータ80とを有する。ボールねじ78のナット部78aは、装着部68の開口68bを通ってX軸方向可動板74の上面に固定される。ボールねじ78のモータ80が連結されないもう一方の片端部は、モータ80が固定されない他方の被案内部66に回転自在に支持される。そして、X軸方向移動機構76は、ボールねじ78によりモータ80の回転運動を直線運動に変換してX軸方向可動板74に伝達し、装着部68の案内レール68aに沿ってX軸方向可動板74をX方向に移動させる。
さらに、図5〜図8を参照しながら、レーザー光線照射手段6の光学系の構成について説明する。図5に示すように、レーザー光線照射手段6は、枠体22の水平壁部222に内蔵され、パルス状のレーザー光線LBを発振する発振器82と、発振器82が発振したレーザー光線LBの出力を調整するアッテネーター(図示は省略する)と、発振器82とY軸方向に間隔をおいてY軸方向可動部材62の装着部68の下面に装着された直角プリズムミラー84と、X軸方向可動板74の下面にZ軸方向に移動自在に装着された集光器86と、集光器86をZ軸方向に移動して集光器86の集光点のZ軸方向を調整する集光点位置調整手段(図示は省略する。)と、を含む。発振器82は、例えば、被加工物に対して吸収性を有する波長(例えば、355nm)のレーザー光線LBを発振するようになっている。図6に示すように、発振器82からY軸方向に照射されたレーザー光線LBは、直角プリズムミラー84によって90度進行方向が変換され、集光器86に導かれる。
図7に示すように、集光器86の上部ハウジング86aの内部には、発振器82が発振したレーザー光線LBを分散させる分散手段としてのポリゴンミラー91及びポリゴンミラー91を矢印Rで示す方向に高速回転させるモータ92と、レーザー光線LBを集光して被加工物に照射する集光レンズ(fθレンズ)86bとを備えている。図8に示すように、ポリゴンミラー91は、複数枚のミラーMが、ポリゴンミラー91の回転軸に対して同心状に配置されている。fθレンズ86bは、上記したポリゴンミラー91の下方に位置しており、レーザー光線LBを集光して保持テーブル32上の被加工物に照射する。fθレンズには、直角プリズムミラー84から導かれたレーザー光線LBが、回転するミラーMによってX軸方向にその照射方向が分散するように導かれ、被加工物上において、X軸方向の所定範囲に分散して照射される。
図5に戻り説明を続けると、X軸方向可動板74の下面には、集光器86と共に、集光器86とX軸方向に間隔をおいて装着されたアライメント手段88が配設されている。アライメント手段88は、保持テーブル32に保持される被加工物を撮像してレーザー加工すべき領域を検出するようになっている。さらに、レーザー光線照射手段6は、図示しない集光点位置調整手段を備えている。集光点位置調整手段の具体的な構成の図示は省略するが、例えば、ナット部が集光器86に固定されZ軸方向に延びるボールねじと、このボールねじの片端部に連結されたモータとを有する構成でよい。このような構成によりモータの回転運動を直線運動に変換し、Z軸方向に配設される案内レール(図示は省略する。)に沿って集光器86を移動させ、これによって、集光器86によって集光されるレーザー光線LBの集光点のZ軸方向の位置を調整する。
本発明のレーザー加工装置2は、概ね上記したとおりの構成を備えており、その作用について、以下に説明する。
まず、本実施形態で板状の被加工物となる表面にデバイスが形成されたシリコン(Si)からなるウエーハ10を用意する。ウエーハ10を用意したならば、図1に示すカバー板42を開き、保持テーブル32の吸着チャック32a上にデバイスが形成された表面を上にして載置する。吸着チャック32a上にウエーハ10を載置したならば、図示しない吸引源を作動して、吸着チャック32a上に吸引力を生成し、ウエーハ10を吸着し保持する。ウエーハ10を吸着チャック32aに保持したならば、カバー板42を閉じる(図3を参照。)。
ウエーハ10を吸着チャック32aに保持し、カバー板42を閉じたならば、液体供給機構40の液体貯留タンク47に対して十分な液体Wを補填し、液体供給ポンプ45を作動する。液体供給機構40の内部を循環する液体Wとして、例えば、純水が利用される。
液体供給機構40が作動を開始して、所定時間経過することにより、液体チャンバー41の空間41bが液体Wで満たされ、液体Wが液体供給機構40内部を安定的に循環する状態となる。
液体供給機構40によって、液体Wが安定的に循環している状態で、レーザー光線照射手段6のX軸方向移動機構76によりX軸方向可動板74を移動させると共に、Y軸方向移動機構64によりY軸方向可動部材62をY軸方向に移動させ(図4、及び図5を参照。)、アライメント手段88を、カバー板42の透明板42aの上方に位置付ける。透明板42aは、上述したように、保持テーブル32全体を上方から臨む領域に設定されていることから、アライメント手段88は、ウエーハ10上のデバイスを含む全ての領域を捉えることが可能である。アライメント手段88をウエーハ10の上方に位置付けたならば、アライメント手段88によりウエーハ10上の加工位置となる分割予定ラインを撮像する。この際、ウエーハ10は、透明板42a、及び液体Wを介して撮像される。次いで、アライメント手段88により撮像したウエーハ10の画像に基づいて、ウエーハ10の分割予定ラインと、集光器86との位置合わせを行う。この位置合わせの後に、保持テーブル32を回転させ、かつ、X軸方向移動機構76でX軸方向可動板74を移動させると共に、Y軸方向移動機構64でY軸方向可動部材62を移動させることにより、ウエーハ10上に格子状に形成された分割予定ラインがX軸方向に沿って位置付けられると共に、分割予定ラインの片端部、すなわち、レーザー光線の照射開始位置に集光器86が位置付けられる。次いで、図示しない集光点位置調整手段によって集光器86をZ軸方向に移動させ、ウエーハ10の分割予定ラインにおける片端部の表面高さに集光点を位置付ける。
集光器86をZ軸方向に移動して、集光点位置をウエーハ10の表面高さに位置付けたならば、レーザー光線照射手段6を作動させながら、X軸方向移動機構76によってX軸方向可動板74をX軸方向に対して所定の移動速度で移動させる。ウエーハ10にレーザー光線LBを照射してレーザー加工を実施する際は、図7、図8に基づき説明したように、ポリゴンミラー91をモータ92によって適宜の回転速度で回転させる。ポリゴンミラー91を構成するミラーMの位置がポリゴンミラー91の回転と共に変化することで、ウエーハ10に対してレーザー光線LBが分散されて照射される。所定のミラーMにレーザー光線LBが照射された後は、ポリゴンミラー91の回転方向Rにおける下流側のミラーMにレーザー光線LBが照射され、ウエーハ10に対してレーザー光線LBが分散されて照射される。発振器82からレーザー光線LBが発振され、ポリゴンミラー91が回転している間、このようなレーザー加工が繰り返される。なお、ポリゴンミラー91を構成するミラーMの枚数、ポリゴンミラー91の回転速度等は、被加工物に応じて適宜決定される。
なお、上記したレーザー加工装置2におけるレーザー加工条件は、例えば、以下の加工条件で実施することができる。
レーザー光線の波長 :226nm、355nm、532nm、1064nm
平均出力 :10〜100W
繰り返し周波数 :0〜300MHz
パルス幅 :50fs〜1ns
加工送り速度 :10〜1000mm/s
レーザー光線の波長 :226nm、355nm、532nm、1064nm
平均出力 :10〜100W
繰り返し周波数 :0〜300MHz
パルス幅 :50fs〜1ns
加工送り速度 :10〜1000mm/s
本実施形態では、保持テーブル32上に液体供給機構40の液体チャンバー41が載置されており、図7に示すように、所定の流速で純水からなる液体Wが加工送り方向となるX軸方向と直交するY軸方向に常に流れている(なお、図7では、説明の都合上、液体チャンバー41、カバー板42等は省略されている。)。この状態で、液体Wを介してレーザー光線LBがウエーハ10上の分割予定ラインに照射され、アブレーション加工が実施される。このようにウエーハ10の表面に対してアブレーション加工が施されることで、レーザー光線LBが照射される位置にある液体Wに気泡が発生する。これに対し、本実施形態では、ウエーハ10上に形成される隙間を常に所定の流速で液体Wが流されている(図3を参照。)ため、レーザー光線LBの照射位置近傍に発生した気泡は、速やかに液体チャンバー41の下流側に流され除去される。これにより、ポリゴンミラー91を用いてウエーハ10に対してレーザー光線LBを分散させて照射する場合において、アブレーション加工により発生する気泡を避けてウエーハ10にレーザー光線LBを照射することができ、良好なアブレーション加工を継続して実施することができる。さらに、本実施形態によれば、アブレーション加工により、デブリが発生しても、液体チャンバー41内を液体Wが継続して流れていることにより、液体W中に放出されたデブリが速やかに液体チャンバー41から除去される。この液体W中に放出されたデブリは、液体供給機構40に配設された濾過フィルター46により捕捉されるため、再び液体チャンバー41に循環されることが防止される。
上記したアブレーション加工を所定の分割予定ラインに実施したならば、Y軸方向移動機構64でY軸方向可動部材62をY軸方向に移動させ、集光器86を、隣接した未加工の分割予定ラインの片端部に位置付けて、上記したアブレーション加工と同様のレーザー加工を実施する。そして、隣接する全ての分割予定ラインに対してアブレーション加工を実施したならば、保持テーブル32を90度回転させることで、先に加工した分割予定ラインに直交する未加工の分割予定ラインに対しても同様のアブレーション加工を実施する。このようにして、ウエーハ10上の全ての分割予定ラインに対してアブレーション加工を実施することができる。
上記したように、保持テーブル32上には、液体チャンバー41により密閉された空間41bが形成され、少なくとも保持テーブル32上は、透明板42aで覆われる。そして、空間41b内に液体Wを所定の流速で流通させ、透明板42aと、液体Wを介してレーザー光線を照射してレーザー加工を実施する。これにより、ウエーハ10の表面から発生する気泡や、レーザー加工により発生するデブリ等が速やかに除去され、レーザー加工の妨げになることがなく、また、加工後のデバイスにデブリが付着すること等を防止して品質を低下させることがない。
なお、上記した実施形態では、カバー板42が、透明板42aと、該透明板42aの外周縁を保持するステンレスからなる矩形状の枠板42bで構成したが、これに限定されず、カバー板42の全面が透明な板で構成されていてもよい。また、上記した実施形態では、透明板42aをガラス板で形成したが、これに限定されず、レーザー光線LBを透過する透明な板であればよく、例えば、アクリル板等、樹脂製の板であってもよい。
上記した実施形態では、発振器82から照射されたレーザー光線LBを、ポリゴンミラー91により分散させて集光レンズ86bに導くようにした例を提示したが、これに限定されず、ポリゴンミラー91に代えて、固定して設置される反射ミラーであってもよい。さらに、上記した実施形態では、ウエーハ10になされるレーザー加工は、アブレーション加工である例を提示したが、被加工物の内部に改質層を形成する加工(例えば、特許文献2に記載のレーザー加工。)、所謂シールドトンネルを形成する加工(例えば、特許文献3に記載のレーザー加工。)に適用することを妨げない。
2:レーザー加工装置
6:レーザー光線照射手段
10:ウエーハ
21:基台
22:枠体
30:保持手段
32:保持テーブル
32a:吸着チャック
40:液体供給機構
41:液体チャンバー
41b:空間
41c:液体供給口
41d:液体排出口
42:カバー板
42a:透明板
42b:枠板
43:液体供給ノズル
44:液体排出ノズル
45:液体供給ポンプ
46:濾過フィルター
47:液体貯留タンク
82:発振器
86:集光器
88:アライメント手段
LB:レーザー光線
6:レーザー光線照射手段
10:ウエーハ
21:基台
22:枠体
30:保持手段
32:保持テーブル
32a:吸着チャック
40:液体供給機構
41:液体チャンバー
41b:空間
41c:液体供給口
41d:液体排出口
42:カバー板
42a:透明板
42b:枠板
43:液体供給ノズル
44:液体排出ノズル
45:液体供給ポンプ
46:濾過フィルター
47:液体貯留タンク
82:発振器
86:集光器
88:アライメント手段
LB:レーザー光線
Claims (2)
- 板状の被加工物を保持する保持テーブルを備えた保持手段と、該保持テーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射して加工を施すレーザー光線照射手段と、を少なくとも含み構成されるレーザー加工装置であって、
該保持手段の上部には、該保持テーブルに保持された被加工物の上面との間に隙間を形成して位置付けられる透明板を備えた液体チャンバーと、該液体チャンバーの一方から該隙間に液体を供給する液体供給ノズルと、該液体チャンバーの他方から液体を回収して液体の流れを生成する液体排出ノズルと、から構成される液体供給機構が配設され、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したレーザー光線を集光し該透明板と該隙間に供給された液体とを透過して該保持テーブルに保持された被加工物に照射する集光器と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置。 - 該レーザー光線照射手段には、該発振器から発振されたレーザー光線を分散させる分散手段が配設される、請求項1に記載のレーザー加工装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017197830A JP2019069465A (ja) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | レーザー加工装置 |
CN201811157736.4A CN109664029A (zh) | 2017-10-11 | 2018-09-30 | 激光加工装置 |
KR1020180119760A KR20190040906A (ko) | 2017-10-11 | 2018-10-08 | 레이저 가공 장치 |
TW107135530A TW201914721A (zh) | 2017-10-11 | 2018-10-09 | 雷射加工裝置 |
DE102018217293.5A DE102018217293B4 (de) | 2017-10-11 | 2018-10-10 | Laserbearbeitungsvorrichtung |
US16/157,283 US11090762B2 (en) | 2017-10-11 | 2018-10-11 | Laser processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017197830A JP2019069465A (ja) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | レーザー加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019069465A true JP2019069465A (ja) | 2019-05-09 |
Family
ID=65817174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017197830A Pending JP2019069465A (ja) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | レーザー加工装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11090762B2 (ja) |
JP (1) | JP2019069465A (ja) |
KR (1) | KR20190040906A (ja) |
CN (1) | CN109664029A (ja) |
DE (1) | DE102018217293B4 (ja) |
TW (1) | TW201914721A (ja) |
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2017
- 2017-10-11 JP JP2017197830A patent/JP2019069465A/ja active Pending
-
2018
- 2018-09-30 CN CN201811157736.4A patent/CN109664029A/zh active Pending
- 2018-10-08 KR KR1020180119760A patent/KR20190040906A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-10-09 TW TW107135530A patent/TW201914721A/zh unknown
- 2018-10-10 DE DE102018217293.5A patent/DE102018217293B4/de active Active
- 2018-10-11 US US16/157,283 patent/US11090762B2/en active Active
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DE102021211093A1 (de) | 2020-10-15 | 2022-04-21 | Disco Corporation | Laserbearbeitungsverfahren |
KR20220050042A (ko) | 2020-10-15 | 2022-04-22 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 방법 |
DE102021211093B4 (de) | 2020-10-15 | 2024-02-15 | Disco Corporation | Laserbearbeitungsverfahren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109664029A (zh) | 2019-04-23 |
TW201914721A (zh) | 2019-04-16 |
US20190105734A1 (en) | 2019-04-11 |
US11090762B2 (en) | 2021-08-17 |
DE102018217293B4 (de) | 2022-10-06 |
KR20190040906A (ko) | 2019-04-19 |
DE102018217293A1 (de) | 2019-04-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200814 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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