JP6934327B2 - ウエーハの分割方法及び分割装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ウエーハを個々のチップに分割するウエーハの分割方法及び分割装置に関する。
近年、ウエーハの分割予定ラインのライン幅を狭くして、1枚のウエーハからチップの取り分を多くする方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載のウエーハの分割方法は、ウエーハに対して透過性を有するレーザビームを照射して、ウエーハ内部に分割予定ラインに沿った改質層を形成する。その後、エキスパンド装置等によってリングフレームに貼られたテープを拡張することで、このテープの上面に貼着されたウエーハに外力を付与し、改質層を分割起点としてウエーハを個々のチップへと分割している。
テープの拡張によってチップ間隔が広がるが、テープの拡張が解除されると、シートに大きな皺(弛み)が生じて隣接するチップ同士が接触して破損する可能性がある。そこで、ウエーハの外周とリングフレームの内周の間のテープを加熱して熱収縮させることで、チップ間隔を維持する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。また、ウエーハの周囲に生じたテープの皺を把持して熱圧着することでテープから皺を除去する方法も提案されている(例えば、特許文献3参照)。
特開2005−129607号公報 特開2002−334852号公報 特開2013−239557号公報
特許文献2及び3では、ウエーハの外周部分のテープを熱収縮或いは熱圧着するときに、拡張されたテープを保持テーブルで吸引保持してテープの形を維持するようにしている。一方、特にチップサイズが小さなウエーハを分割するためにはテープを大きく引き伸ばす必要がある。このようにテープを引き伸ばした場合、テープには大きなテンションが掛かり、熱収縮や熱圧着を行うときに、テープが弾性回復によって縮む力も大きくなる。このため、保持テーブルの吸引力でテープの形を維持することが困難になり、テープの熱収縮等を行う前に、テープの縮みによってチップ間の間隔が狭くなってチップのピックアップに支障が生じる、という問題がある。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、チップ同士の間隔を適切に維持することができるウエーハの分割方法及び分割装置を提供することを目的の1つとする。
本発明の一態様のウエーハの分割方法は、リングフレームの開口部を塞いで熱収縮性を有するテープを貼着し開口部のテープに分割予定ラインに沿って分割起点を形成したウエーハを貼着したワークセットのテープを介してウエーハを吸引保持するテーブルと、ワークセットのリングフレームを保持するリングフレーム保持部と、テーブルとリングフレーム保持部とを相対的に接近および離間する方向に上下移動させる昇降手段と、ワークセットのウエーハの外周とリングフレームの内周との間のリング状のテープを加熱するヒータと、を備え、リングフレーム保持部でワークセットを保持した状態で、昇降手段でテーブルを上昇方向にリングフレーム保持部を下降方向に相対的に離間する方向に移動させて開口部のテープを引き伸ばし分割起点でウエーハを分割させチップにする分割装置を用いたウエーハの分割方法であって、リングフレーム保持部でワークセットを保持する保持工程と、保持工程の後、昇降手段でテーブルとリングフレーム保持部とを離間する方向に移動させテープを引き伸ばし分割起点でウエーハを分割し、隣接するチップとチップとの間に所定の隙間を形成する分割工程と、分割工程の後、引き伸ばされたテープのウエーハが貼着されたエリアをテーブルで吸引保持するテープ保持工程と、テープ保持工程の後、テーブルとリングフレーム保持部とをさらに離間する方向に移動させウエーハの外周とリングフレームの内周との間のリング状のテープを引き伸ばすリングテープ拡張工程と、リングテープ拡張工程の後、昇降手段でテーブルとリングフレーム保持部とを接近する方向に移動させリング状のテープを弛ませると共にヒータでリング状のテープを加熱し熱収縮させ隣接するチップとチップとの間の所定の隙間を維持してワークセットを固定させる固定工程と、を備えることを特徴とする。
この構成によれば、分割工程によってウエーハを分割した後、引き伸ばされたテープをテーブルで吸引保持してウエーハが貼着されたエリアのテープの形を維持しつつ、リング状のテープを更に引き伸ばしてから固定工程で熱収縮させている。これにより、固定工程中、リング状のテープを弛ませても、ウエーハが貼着されたエリアのテープの形を維持することができ、隣接するチップの間隔も適切に維持することが可能となる。
本発明の一態様の分割装置は、上記の分割起点が形成されたウエーハの分割方法を可能にする分割装置であって、リングフレームの開口部を塞いで熱収縮性を有するテープを貼着し開口部のテープに分割予定ラインに沿って分割起点を形成したウエーハを貼着したワークセットのテープを介してウエーハを吸引保持するテーブルと、ワークセットのリングフレームを保持するリングフレーム保持部と、テーブルとリングフレーム保持部とを相対的に接近および離間する方向に上下移動させる昇降手段と、ワークセットのウエーハの外周とリングフレームの内周との間のリング状のテープを加熱するヒータと、昇降手段を制御する制御手段とを備え、制御手段は、分割工程を実施するためにテーブルとリングフレーム保持部とを相対的に離間する方向に移動させ第1の間隔を形成してテープを引き伸ばす第1の制御部と、リングテープ拡張工程を実施するためにテーブルとリングフレーム保持部とを相対的に第1の間隔よりさらに離間させる方向に移動させ第2の間隔を形成しリング状のテープを引き伸ばす第2の制御部と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、ウエーハとリングフレームとの間のリング状のテープを分割工程で引き伸ばした後、リングテープ拡張工程で更に引き伸ばしているので、テープを熱収縮しても隣接するチップ同士の間隔を適切に維持することができる。
本実施の形態の分割装置の斜視図である。 図2Aは保持工程の一例、図2Bは分割工程の一例、図2Cはテープ保持工程の一例の説明図である。 チップの間隔の不具合例を示す説明図である。 図4Aはリングテープ拡張工程の一例、図4Bは固定工程の一例の説明図である。
以下、添付図面を参照して、本実施の形態の分割装置について説明する。図1は、本実施の形態の分割装置の斜視図である。なお、分割装置は、図1に記載された構成に限定されず、適宜変更することが可能である。
図1に示すように、分割装置1は、リングフレームFにテープTを介して支持されたウエーハWを、テープTの拡張によって個々のチップC(図2A参照)に分割するように構成されている。また、分割装置1は、テープTの拡張の解除時にウエーハWの外周とリングフレームFの内周の間に生じるテープTの弛みを熱収縮(ヒートシュリンク)によって除去するように構成されている。このように、テープTが引き伸ばされて弛んだ箇所だけを熱収縮させて、ウエーハWの分割後のチップC同士が接触して破損しないようにチップCの間隔が維持されている。
ウエーハWの表面には格子状の分割予定ラインLが設けられており、分割予定ラインLによって区画された各領域に各種デバイス(不図示)が形成されている。なお、ウエーハWは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板にIC、LSI等のデバイスが形成された半導体ウエーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の無機材料基板にLED等の光デバイスが形成された光デバイスウエーハでもよい。ウエーハWはリングフレームFに貼られたテープTに貼着され、ウエーハWとリングフレームFとテープTを一体化させたワークセットWSが分割装置1に搬入される。
ワークセットWSのリングフレームFは熱収縮性を有するテープTによって開口部が塞がれており、開口部の内側のテープTにウエーハWが貼着されている。ウエーハWの内部には、分割予定ラインLに沿った分割起点として改質層(不図示)が形成されている。なお、改質層は、レーザーの照射によってウエーハWの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。
また、以下の説明では、分割起点としてウエーハWの内部に形成された改質層を例示するが、この構成に限定されない。分割起点は、ウエーハWの分割時の起点になればよく、例えば、レーザー加工溝、切削溝、スクライブラインで構成されてもよい。さらに、テープTは、伸縮性を有すると共に熱収縮性を有するものであればよく、特に材質は限定されない。なお、テープ基材は、例えば、PO(Polyolefin)、PVC(Polyvinyl Chloride)で形成されることが好ましい。
分割装置1には、ワークセットWSのテープTを介してウエーハWを吸引保持可能なテーブル10が配置され、テーブル10の周囲にはワークセットWSのリングフレームFを保持するリングフレーム保持部20が配置されている。テーブル10は、複数の支柱部11によって支持されており、テーブル10の上面には多孔質のポーラス板12が配置されている。この多孔質のポーラス板12によってテーブル10の上面にウエーハWを吸引保持する保持面13が形成されている。保持面13にはテーブル10内の流路を通じて吸引源16(図2A参照)に接続され、保持面13に生じる負圧によってウエーハWが吸引保持される。
また、保持面13から吸引源16に連なる流路には開閉バルブ14(図2A参照)が設けられており、開閉バルブ14によってウエーハWに対する保持面13の吸引保持と吸引解除が切り替えられている。テーブル10の外周エッジには、全周に渡って複数のローラ部15が回転可能に設けられている。複数のローラ部15は、保持面13にウエーハWが保持された状態で、ウエーハWの周囲のテープTに下側から転接されている。複数のローラ部15がテープTに転接されることで、テープTの拡張時にテーブル10の外周エッジで生じるテープTの摩擦が抑えられている。
リングフレーム保持部20は、載置テーブル21上のリングフレームFを、カバープレート22で上方から挟み込むようにして、載置テーブル21上にリングフレームFを保持している。載置テーブル21及びカバープレート22の中央には、テーブル10よりも大径の円形開口23、24がそれぞれ形成されている。載置テーブル21上にカバープレート22が被せられると、カバープレート22と載置テーブル21によってリングフレームFが保持されると共に、載置テーブル21及びカバープレート22の円形開口23、24からウエーハWとテープTの一部とが外部に露出される。
リングフレーム保持部20は、載置テーブル21上のリングフレームFにカバープレート22が被せられた状態で、例えば、不図示のクランプ部によってカバープレート22が載置テーブル21に固定される。リングフレーム保持部20は、テーブル10とリングフレーム保持部20とを、相対的に離間及び接近させる方向に上下移動させる昇降手段26に支持されている。昇降手段26は、載置テーブル21の四隅を支持する4つの電動シリンダで構成されている。昇降手段26のシリンダロッド27の突出量が制御されることで、テーブル10上のウエーハWとリングフレーム保持部20との距離が調節される。
リングフレーム保持部20の上方には、テープTに生じた弛みを収縮させる収縮手段30が設けられている。収縮手段30はウエーハWの中心軸上に設けられており、ウエーハWの中心を挟んで対向するように旋回アーム31の両端に一対のヒータ32を配置している。ヒータ32は、例えば、金属材料に吸収され難い2.5μm〜30μmをピーク波形とする遠赤外線をスポット照射するように構成されている。これにより、装置各部の加熱を抑えてウエーハWの外周とリングフレームFの内周との間のリング状のテープTの弛みが部分的に加熱されて熱収縮される。
また、収縮手段30の旋回アーム31には、一対のヒータ32を上下動させる上下動作部33と、一対のヒータ32をウエーハWの中心軸回りに回転させる回転モータ34とが設けられている。上下動作部33は、リングフレーム保持部20の昇降動作に合わせて、テープTに対する一対のヒータ32の高さを調整する。回転モータ34は、ウエーハWの周囲のテープTの弛みが全周に亘って加熱されるように一対のヒータ32を旋回する。上下動作部33及び回転モータ34によって一対のヒータ32がテープTに対して適切に位置付けられることで、ウエーハWの周囲のテープTが良好に加熱される。
また、分割装置1には、昇降手段26を含む装置各部を統括制御する制御手段40が設けられている。制御手段40は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。制御手段40によってテーブル10とリングフレーム保持部20が相対移動されてテープTの拡張動作が制御され、また、収縮手段30の一対のヒータ32でテープTの弛みが除去されてテープTの収縮動作が制御される。さらに、制御手段40は、昇降手段26によるリングフレーム保持部20の移動を後述のように制御する第1の制御部40a及び第2の制御部40bを備えている。
続いて、図2ないし図4を参照して、本実施の形態の分割装置によるウエーハの分割方法について説明する。図2Aは保持工程の一例、図2Bは分割工程の一例、図2Cはテープ保持工程の一例の説明図である。図3は、チップの間隔の不具合例を示す説明図である。図4Aはリングテープ拡張工程の一例、図4Bは固定工程の一例の説明図である。
図2Aに示すように、先ず保持工程が実施される。保持工程では、テーブル10の保持面13と、リングフレーム保持部20の載置テーブル21の上面とが同一面上に配置された状態で、テーブル10上にテープTを介してウエーハWが載置される。その後、ウエーハWの周囲のリングフレームFがリングフレーム保持部20に保持される、言い換えると、ワークセットWSがリングフレーム保持部20に保持される。このとき、開閉バルブ14が閉じられており、吸引源16からのテーブル10への吸引力が遮断されている。
図2Bに示すように、保持工程の後に分割工程が実施される。分割工程では、リングフレーム保持部20でワークセットWSを保持した状態で、制御手段40における第1の制御部40aの制御によって、テーブル10を上昇方向に、リングフレーム保持部20を下降方向に相対的に離間する方向に移動される。つまり、リングフレーム保持部20が下降されてテーブル10とリングフレーム保持部20とが上下に離間される。このとき、テーブル10の保持面13と載置テーブル21の上面との高さが異なるようになり、それらの間に第1の間隔101が形成される。これにより、テープTが放射方向に引き伸ばされ、テープTを介して強度が低下した改質層を分割起点にしてウエーハWが個々のチップCに分割される。この分割によって、隣接するチップCとチップCとの間には所定の隙間Sが形成される。
図2Cに示すように、分割工程の後にテープ保持工程が実施される。テープ保持工程では、隣接するチップCとチップCとの間に隙間Sが形成された状態で、開閉バルブ14が開かれる。これにより、テーブル10の保持面13に吸引力が発生され、引き伸ばされたテープTのウエーハWが貼着されたエリアが保持面13にて吸引保持される。
ところで、ウエーハWの分割後にリングフレームFを上昇してテープTの引き伸ばしが解除されると、テープTのテンションが緩められる。このとき、従来の分割装置では、ウエーハWの外周とリングフレームFの内周(開口部)との間のリング状のテープTが弛まないように、かかるテープTを加熱して熱収縮している。このテープTの加熱時には、テーブルにてウエーハWが貼着されたエリアのテープTを吸引保持するものの、テープTのテンションが大きくなると、テープTが熱収縮される前に弾性回復によって縮んでしまう。このため、図3に示すように、特に、ウエーハWの外周部分における隣接するチップCの隙間Sの間隔Caが、それ以外の部分で予め設定した所定間隔となる間隔Cbより小さくなり、チップCのピックアップができなくなる場合がある。
そこで、本実施の形態では、テープ保持工程の後であってテープTを加熱して熱収縮される固定工程の実施前に、図4Aに示すように、リングテープ拡張工程が実施される。リングテープ拡張工程では、テープ保持工程での保持手段10によるテープTの吸引保持を維持しつつ、リングフレーム保持部20が下降されてテーブル10とリングフレーム保持部20とが上下にさらに離間される。この離間においては、制御手段40における第2の制御部40bで昇降手段26が制御され、テーブル10の保持面13が載置テーブル21の上面より更に高くなるように移動され、それらの間に第1の間隔101(図2B参照)より大きくなる第2の間隔102が形成される。これにより、分割工程時よりも、ウエーハWとリングフレームFとの間のリング状のテープTが更に引き伸ばされ、かかるリング状のテープTを弾性回復し難くすることができる。このとき、テーブル10によってテープTのウエーハWが貼着されたエリアが吸引保持されるため、このエリアではテープTが引き伸ばされずに隣接するチップCの所定の隙間Sが維持される。
図4Bに示すように、リングテープ拡張工程の後に固定工程が実施される。固定工程では、保持手段10によるテープTの吸引保持を維持しつつ、制御手段40で昇降手段26が制御されてテーブル10とフレーム保持手段20とが接近する方向に移動される。この移動によって、ウエーハWとリングフレームFとの間のリング状のテープTに弛みが発生するが、ウエーハWの上方に位置付けられる収縮手段30にて、回転モータ34によって一対のヒータ32が旋回されてテープTの弛みが熱収縮される。このとき、テーブル10とフレーム保持手段20との接近移動に合わせて、上下動作部33によってヒータ32の高さが調整される。ウエーハW周囲のリング状のテープTだけが熱収縮されるため、テーブル10の吸引保持が解除されても隣接するチップCとチップCとの間の隙間Sが所定の間隔に維持された状態でワークセットWSが固定される。
そして、固定工程後は開閉バルブ14が閉じられ、テーブル10によるテープTの吸引が解除されてワークセットWSの搬送を可能にしている。
以上のように、本実施の形態においては、ウエーハWとリングフレームFとの間のリング状のテープTを分割工程で引き伸ばした後、リングテープ拡張工程で更に引き伸ばしているので、リング状のテープTを弛ませたときの弾性回復する力を弱めることができる。これにより、固定工程でリング状のテープTを熱収縮するときに、ウエーハWの外周領域に貼着されたテープTに作用する縮む方向の力を抑制することができ、特に、ウエーハWの外周部分における隣接するチップCの隙間Sが小さくなることを回避することができる。この結果、後工程でのチップCのピックアップを正常に行うことができ、ピッカーを規定の動作プログラムに従って動かすことで、全てのチップCを適切にピックアップさせることができる。
なお、収縮手段30は、上記実施の形態と同様にテープTを熱収縮できる限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、ヒータ32を1体として旋回アーム31の一端部に配置したり、ウエーハWとリングフレームFとの間のリング状のテープTに対応し、ヒータをリング状に形成して旋回アーム31や回転モータ34を省略した構成としたりしてもよい。
また、本実施の形態では、昇降手段がテーブルに対してリングフレーム保持部を昇降させる構成にしたが、この構成に限定されない。昇降手段は、テーブルとリングフレーム保持部とを相対的に接近及び離間させる構成であればよく、例えば、リングフレーム保持部に対してテーブルを昇降させる構成にしてもよい。また、昇降手段は電動シリンダに限定されず、2段で伸縮するエアシリンダや、2つのエアシリンダを伸縮方向に連結させて一体化させた他のアクチュエータで構成されていてもよい。
また、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
また、本発明の実施の形態は上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。
また、本実施の形態では、本発明を分割装置に適用した構成について説明したが、テープを適切に拡張する他のエキスパンド装置に適用することも可能である。
以上説明したように、本発明は、チップ同士の間隔が適切となるようにウエーハを分割することができるという効果を有し、特に、半導体ウエーハを分割する分割方法及び分割装置に有用である。
1 分割装置
10 テーブル
13 保持面
20 リングフレーム保持部
26 昇降手段
32 ヒータ
40 制御手段
40a 第1の制御部
40b 第2の制御部
51 改質層(分割起点)
C チップ
F リングフレーム
S 隙間
T テープ
W ウエーハ
WS ワークセット

Claims (2)

  1. リングフレームの開口部を塞いで熱収縮性を有するテープを貼着し該開口部の該テープに分割予定ラインに沿って分割起点を形成したウエーハを貼着したワークセットの該テープを介してウエーハを吸引保持するテーブルと、該ワークセットの該リングフレームを保持するリングフレーム保持部と、該テーブルと該リングフレーム保持部とを相対的に接近および離間する方向に上下移動させる昇降手段と、該ワークセットのウエーハの外周と該リングフレームの内周との間のリング状の該テープを加熱するヒータと、を備え、該リングフレーム保持部で該ワークセットを保持した状態で、該昇降手段で該テーブルを上昇方向に該リングフレーム保持部を下降方向に相対的に離間する方向に移動させて該開口部の該テープを引き伸ばし該分割起点でウエーハを分割させチップにする分割装置を用いたウエーハの分割方法であって、
    該リングフレーム保持部で該ワークセットを保持する保持工程と、
    該保持工程の後、該昇降手段で該テーブルと該リングフレーム保持部とを離間する方向に移動させ該テープを引き伸ばし該分割起点でウエーハを分割し、隣接するチップとチップとの間に所定の隙間を形成する分割工程と、
    該分割工程の後、引き伸ばされた該テープのウエーハが貼着されたエリアを該テーブルで吸引保持するテープ保持工程と、
    該テープ保持工程の後、該テーブルと該リングフレーム保持部とをさらに離間する方向に移動させウエーハの外周とリングフレームの内周との間のリング状の該テープを引き伸ばすリングテープ拡張工程と、
    該リングテープ拡張工程の後、該昇降手段で該テーブルと該リングフレーム保持部とを接近する方向に移動させ該リング状のテープを弛ませると共に該ヒータで該リング状のテープを加熱し熱収縮させ隣接するチップとチップとの間の該所定の隙間を維持してワークセットを固定させる固定工程と、を備えるウエーハの分割方法。
  2. 請求項1記載の分割起点が形成されたウエーハの分割方法を可能にする分割装置であって、
    リングフレームの開口部を塞いで熱収縮性を有するテープを貼着し該開口部の該テープに分割予定ラインに沿って分割起点を形成したウエーハを貼着したワークセットの該テープを介してウエーハを吸引保持するテーブルと、該ワークセットの該リングフレームを保持するリングフレーム保持部と、該テーブルと該リングフレーム保持部とを相対的に接近および離間する方向に上下移動させる昇降手段と、該ワークセットのウエーハの外周と該リングフレームの内周との間のリング状の該テープを加熱するヒータと、該昇降手段を制御する制御手段とを備え、
    該制御手段は、
    該分割工程を実施するために該テーブルと該リングフレーム保持部とを相対的に離間する方向に移動させ第1の間隔を形成して該テープを引き伸ばす第1の制御部と、
    該リングテープ拡張工程を実施するために該テーブルと該リングフレーム保持部とを相対的に該第1の間隔よりさらに離間させる方向に移動させ第2の間隔を形成し該リング状のテープを引き伸ばす第2の制御部と、を備える分割装置。
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CN201810531146.7A CN109003897B (zh) 2017-06-07 2018-05-29 晶片的分割方法和分割装置
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6901909B2 (ja) * 2017-06-05 2021-07-14 株式会社ディスコ エキスパンド方法及びエキスパンド装置
JP7313219B2 (ja) * 2019-07-22 2023-07-24 株式会社ディスコ エキスパンド方法及びエキスパンド装置
JP7386649B2 (ja) 2019-08-29 2023-11-27 株式会社ディスコ テープ拡張装置
JP7321883B2 (ja) 2019-10-18 2023-08-07 株式会社ディスコ シートの拡張方法
TWI727860B (zh) * 2020-07-22 2021-05-11 環球晶圓股份有限公司 晶圓橫向撞擊測試裝置及晶圓強度測試方法
TWI821679B (zh) * 2020-08-25 2023-11-11 南韓商杰宜斯科技有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4647830B2 (ja) 2001-05-10 2011-03-09 株式会社ディスコ 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置
JP4288392B2 (ja) * 2003-09-29 2009-07-01 株式会社東京精密 エキスパンド方法
EP1575081A1 (en) * 2002-10-28 2005-09-14 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Expansion method and device
JP2005129607A (ja) 2003-10-22 2005-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2006054246A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分離方法
JP2006114691A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US7858902B2 (en) * 2007-02-13 2010-12-28 Disco Corporation Wafer dividing method and laser beam processing machine
JP5354149B2 (ja) * 2008-04-08 2013-11-27 株式会社東京精密 エキスパンド方法
JP5378780B2 (ja) * 2008-12-19 2013-12-25 株式会社ディスコ テープ拡張方法およびテープ拡張装置
JP5409280B2 (ja) * 2009-11-09 2014-02-05 株式会社ディスコ チップ間隔拡張方法
JP5323779B2 (ja) * 2010-07-26 2013-10-23 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP2013191718A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の分割装置及び分割方法
JP5985245B2 (ja) 2012-05-15 2016-09-06 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置
JP6017388B2 (ja) * 2013-09-09 2016-11-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2015204362A (ja) * 2014-04-14 2015-11-16 株式会社ディスコ チップ間隔維持方法
JP6266429B2 (ja) * 2014-05-08 2018-01-24 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置及びチップ間隔維持方法
JP6320198B2 (ja) * 2014-06-27 2018-05-09 株式会社ディスコ テープ拡張装置
JP6570942B2 (ja) * 2015-09-18 2019-09-04 株式会社ディスコ 分割装置及びウエーハの分割方法
JP6577341B2 (ja) * 2015-11-13 2019-09-18 日東電工株式会社 積層体および半導体装置の製造方法
JP2017107921A (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

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