KR102606114B1 - 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치 - Google Patents

웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102606114B1
KR102606114B1 KR1020180136055A KR20180136055A KR102606114B1 KR 102606114 B1 KR102606114 B1 KR 102606114B1 KR 1020180136055 A KR1020180136055 A KR 1020180136055A KR 20180136055 A KR20180136055 A KR 20180136055A KR 102606114 B1 KR102606114 B1 KR 102606114B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
holding
adhesive tape
suction
fixing
Prior art date
Application number
KR1020180136055A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190064440A (ko
Inventor
마사루 나카무라
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20190064440A publication Critical patent/KR20190064440A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102606114B1 publication Critical patent/KR102606114B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Abstract

(과제) 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할할 수 있음과 함께, 인접하는 칩끼리의 간격을 분할시의 간격으로 유지할 수 있는 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치를 제공한다.
(해결 수단) 웨이퍼의 분할 방법은, 분할 장치 (12) 에 점착 테이프 (6) 를 개재하여 환상 프레임 (4) 에 수용된 웨이퍼 (2) 를 재치하는 재치 공정과, 분할 장치 (12) 에 재치된 웨이퍼 (2) 에 대해 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡인력을 작용시키지 않는 상태에서 이반 수단 (18) 을 작동시켜 점착 테이프 (6) 를 확장하여 웨이퍼 (2) 를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리에 간격을 형성하는 확장 공정과, 점착 테이프 (6) 가 확장된 상태에서 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡인력을 작용시켜 점착 테이프 (6) 를 개재하여 웨이퍼 (2) 를 흡인 유지하는 흡인 유지 공정과, 유지면과 고정면이 동일 면이 될 때까지 웨이퍼 유지부 (14) 와 프레임 고정부 (16) 를 상대적으로 접근시킴과 함께 웨이퍼 (2) 와 환상 프레임 (4) 사이에 있는 느스해진 점착 테이프 (6) 를 가열하여 수축시키는 수축 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치{WAFER DIVIDING METHOD AND WAFER DIVIDING APPARATUS}
본 발명은, 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리의 간격을 유지하는 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 레이저 가공 장치에 의해 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 후, 외력이 부여되어 개개의 디바이스마다의 칩으로 분할되고, 분할된 각 칩은 휴대 전화, PC 등의 전기 기기에 이용된다.
레이저 가공 장치는 하기 (1) 내지 (3) 의 타입의 것이 존재하며, 피가공물의 종류, 가공 정밀도 등에 따라 레이저 가공 장치가 선택된다.
(1) 피가공물에 대해 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 피가공물에 조사하여 어블레이션 가공에 의해 분할의 기점이 되는 홈을 형성하는 타입 (예를 들어 특허문헌 1 참조)
(2) 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선의 집광점을 피가공물의 내부에 위치시켜 레이저 광선을 피가공물에 조사하고, 분할의 기점이 되는 개질층을 피가공물의 내부에 형성하는 타입 (예를 들어 특허문헌 2 참조)
(3) 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 피가공물의 내부에 위치시켜 펄스 레이저 광선을 피가공물에 조사하고, 분할의 기점이 되는 세공과 세공을 둘러싸는 비정질 영역으로 이루어지는 복수의 실드 터널을 형성하는 타입 (예를 들어 특허문헌 3 참조)
그리고, 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 웨이퍼는 분할 장치에 의해 개개의 디바이스마다의 칩으로 분할된다 (예를 들어 특허문헌 4 참조). 특허문헌 4 에 기재된 분할 장치에 있어서 웨이퍼를 개개의 디바이스마다의 칩으로 분할할 때에는, 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를, 개구를 갖는 환상 프레임에 점착 테이프를 개재하여 수용하고, 분할 장치의 웨이퍼 유지부에 웨이퍼를 재치 (載置) 함과 함께, 프레임 고정부에 환상 프레임을 고정시킨다. 이어서, 웨이퍼 유지부와 프레임 고정부를 상대적으로 이반 (離反) 시킴으로써 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼에 방사상 장력을 작용시킨다. 이로써, 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스마다의 칩으로 분할할 수 있음과 함께 인접하는 칩끼리에 간격을 형성할 수 있다.
일본 공개특허공보 평10-305420호 일본 특허 제3408805호 일본 공개특허공보 2014-221483호 일본 공개특허공보 2005-129607호
그러나, 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할한 상태에서, 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시켜 웨이퍼를 흡인 유지하고, 그 후 웨이퍼 유지부의 유지면과 프레임 고정부의 고정면이 동일 면이 될 때까지 접근시키면, 접근시키는 도중에 웨이퍼와 환상 프레임 사이에 있는 점착 테이프에 느슨함이 발생하여, 점착 테이프와 유지면 사이로부터 에어가 리크되어 유지면의 흡인력이 저하되고, 이 결과, 칩끼리가 접근하여, 분할시에 형성된 칩끼리의 간격을 유지할 수 없다는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할할 수 있음과 함께, 인접하는 칩끼리의 간격을 분할시의 간격으로 유지할 수 있는 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 환상 프레임에 점착 테이프를 개재하여 수용되어 교차하는 복수의 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리의 간격을 유지하는 웨이퍼의 분할 방법으로서, 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 웨이퍼 유지부와, 그 유지면과 동일 면에서 그 환상 프레임을 고정시키는 고정면을 갖는 프레임 고정부와, 그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 이반시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 이반 수단을 구비한 분할 장치에 점착 테이프를 개재하여 그 환상 프레임에 수용된 웨이퍼를 재치하는 재치 공정과, 그 분할 장치에 재치된 웨이퍼에 대해 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시키지 않는 상태에서 그 이반 수단을 작동시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리에 간격을 형성하는 확장 공정과, 점착 테이프가 확장된 상태에서 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시켜 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 흡인 유지 공정과, 그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 될 때까지 그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 접근시킴과 함께 웨이퍼와 프레임 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 수축 공정을 포함하고, 그 수축 공정은, 그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 되는 도중에 그 유지면에 에어의 리크가 발생하지 않도록 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 리크 방지 서브 공정을 포함하는 웨이퍼의 분할 방법이 제공된다.
바람직하게는, 그 웨이퍼 유지부에 배치 형성된 압력계의 값이 변화하였을 때, 그 리크 방지 스텝을 실시한다. 그 리크 방지 스텝은, 미리 설정된 타이밍으로 실시되는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 그 리크 방지 스텝은, 그 유지면과 그 고정면의 접근을 정지시킨 상태에서 실시한다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 환상 프레임에 점착 테이프를 개재하여 수용되어 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리의 간격을 유지하는 웨이퍼의 분할 장치로서, 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 웨이퍼 유지부와, 그 유지면과 동일 면에서 그 환상 프레임을 고정시키는 고정면을 갖는 프레임 고정부와, 그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 이반시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 이반 수단과, 웨이퍼와 그 환상 프레임 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 가열 수단과, 제어 수단을 구비하고, 그 제어 수단은, 그 웨이퍼 유지부에 재치된 웨이퍼에 대해 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시키지 않는 상태에서 그 이반 수단을 작동시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리에 간격을 형성하는 확장 제어와, 점착 테이프가 확장된 상태에서 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시켜 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 흡인 유지 제어와, 그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 될 때까지 그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 접근시킴과 함께 웨이퍼와 그 환상 프레임 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프를 그 가열 수단으로 가열하여 수축시키는 수축 제어를 실시하고, 그 제어 수단은, 그 수축 제어에 있어서, 그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 되는 도중에 그 유지면에 에어의 리크가 발생하지 않도록 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 웨이퍼의 분할 장치가 제공된다.
바람직하게는, 그 웨이퍼 유지부에는 압력계가 배치 형성되고, 그 제어 수단은, 그 웨이퍼 유지부에 배치 형성된 압력계의 값이 변화하였을 때, 느슨해진 점착 테이프를 그 가열 수단으로 가열하여 수축시켜 리크를 방지한다. 바람직하게는, 그 제어 수단은, 미리 설정된 타이밍으로 느슨해진 점착 테이프를 그 가열 수단으로 가열하여 수축시켜 리크를 방지한다. 바람직하게는, 그 제어 수단은, 그 유지면과 그 고정면의 접근을 정지시킨 상태에서 느슨해진 점착 테이프를 그 가열 수단으로 가열하여 수축시킨다.
본 발명의 웨이퍼의 분할 방법에 의하면, 수축 공정은, 유지면과 고정면이 동일 면이 되는 도중에 그 유지면에 에어의 리크가 발생하지 않도록 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 리크 방지 서브 공정을 포함하므로, 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할할 수 있음과 함께, 인접하는 칩끼리의 간격을 분할시의 간격으로 유지할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼의 분할 장치에 의하면, 제어 수단은, 수축 제어에 있어서, 유지면과 고정면이 동일 면이 되는 도중에 그 유지면에 에어의 리크가 발생하지 않도록 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키므로, 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할할 수 있음과 함께, 인접하는 칩끼리의 간격을 분할시의 간격으로 유지할 수 있다.
도 1 은 본 발명 실시형태의 웨이퍼의 분할 장치의 사시도.
도 2 는 도 1 에 나타내는 분할 장치의 단면도.
도 3 은 재치 공정이 실시되고 있는 상태를 나타내는 분할 장치의 단면도.
도 4 는 확장 공정이 실시되고 있는 상태를 나타내는 분할 장치의 단면도.
도 5 는 수축 공정의 리크 방지 스텝이 실시되고 있는 상태를 나타내는 분할 장치의 단면도.
도 6 은 리크 방지 스텝이 실시되어, 점착 테이프의 느슨함이 해소된 상태를 나타내는 분할 장치의 단면도.
도 7 은 점착 테이프의 느슨함이 재발하여, 다시 리크 방지 스텝이 실시되고 있는 상태를 나타내는 분할 장치의 단면도.
도 8 은 웨이퍼 유지부의 유지면과 프레임 고정부의 고정면이 동일 면이 된 상태를 나타내는 분할 장치의 단면도이다.
이하, 본 발명에 관련된 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치의 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1 에는, 본 발명의 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치에 의해 개개의 칩으로 분할될 수 있는 웨이퍼 (2) 가 나타나 있다. 원반상의 웨이퍼 (2) 는, 웨이퍼 (2) 를 수용하는 개구 (4a) 를 갖는 환상 프레임 (4) 에 점착 테이프 (6) 를 개재하여 수용되어 있다. 즉, 개구 (4a) 를 덮도록 점착 테이프 (6) 의 주연이 환상의 환상 프레임 (4) 에 고정되고, 점착 테이프 (6) 에 웨이퍼 (2) 의 이면 (2b) 이 첩부되어 있다. 웨이퍼 (2) 의 표면 (2a) 은, 격자상의 분할 예정 라인 (부호를 생략한다) 에 의해 복수의 사각형 영역으로 구획되고, 복수의 사각형 영역의 각각에 IC, LSI 등의 복수의 디바이스 (8) 가 형성되어 있다. 또, 웨이퍼 (2) 에는, 적절한 레이저 가공 장치에 의해 분할 예정 라인을 따라 격자상의 분할의 기점 (10) 이 형성되어 있다. 분할의 기점 (10) 은, 어블레이션 가공에 의해 웨이퍼 (2) 의 표면 (2a) 에 형성된 홈, 웨이퍼 (2) 의 내부에 형성된 개질층, 또는 세공과 세공을 둘러싸는 비정질 영역으로 이루어지는 복수의 실드 터널 등으로 구성될 수 있다. 혹은, 분할의 기점 (10) 은, 절삭 블레이드를 회전 가능하게 장착한 절삭 장치에 의해 형성된 절삭홈이어도 된다. 또, 폴리염화비닐 (PVC) 등으로 형성될 수 있는 점착 테이프 (6) 는, 소정 온도 이상으로 가열되면 수축되는 열수축성을 갖는다. 환상 프레임 (4) 은, 스테인리스강 등의 내열성을 갖는 적절한 금속 재료로 형성되어 있다.
도 1 및 도 2 를 참조하여, 본 발명에 따라 구성된 웨이퍼의 분할 장치에 대하여 설명한다. 분할 장치 (12) 는, 점착 테이프 (6) 를 개재하여 웨이퍼 (2) 를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 웨이퍼 유지부 (14) 와, 유지면과 동일 면에서 환상 프레임 (4) 을 고정시키는 고정면을 갖는 프레임 고정부 (16) 와, 웨이퍼 유지부 (14) 와 프레임 고정부 (16) 를 상대적으로 이반시켜 점착 테이프 (6) 를 확장하여 웨이퍼 (2) 를 개개의 칩으로 분할하는 이반 수단 (18) 과, 웨이퍼 (2) 와 환상 프레임 (4) 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프 (6) 를 가열하여 수축시키는 가열 수단 (20) 과, 제어 수단 (22) (도 2 참조) 을 구비한다.
웨이퍼 유지부 (14) 는, 원형상의 기판 (24) (도 1 참조) 과, 기판 (24) 의 상면으로부터 상방으로 연장되는 원통상의 지주 (26) 와, 지주 (26) 의 상단에 고정된 다공질의 원형상 흡착척 (28) 과, 유로 (30) (도 2 참조) 에 의해 흡착척 (28) 에 접속된 흡인원 (32) (도 2 참조) 을 포함한다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 흡착척 (28) 의 직경은, 웨이퍼 (2) 의 직경보다 크고, 또한 환상 프레임 (4) 의 내경보다 작다. 웨이퍼 유지부 (14) 의 유로 (30) 에는, 유로 (30) 내의 압력을 측정하는 압력계 (34) 와, 유로 (30) 를 개폐하는 밸브 (36) 가 배치 형성되어 있다. 그리고 웨이퍼 유지부 (14) 에 있어서는, 밸브 (36) 를 연 상태에서 흡인원 (32) 을 작동시켜 흡착척 (28) 의 상면에 흡인력을 생성함으로써, 흡착척 (28) 의 상면에 재치된 웨이퍼 (2) 를 흡인 유지할 수 있다. 즉 본 실시형태에서는, 점착 테이프 (6) 를 개재하여 웨이퍼 (2) 를 흡인 유지하는 유지면이 흡착척 (28) 의 상면에 의해 구성되어 있다.
프레임 고정부 (16) 및 이반 수단 (18) 에 대하여 설명한다. 본 실시형태에서는 도 1 에 나타내는 바와 같이, 이반 수단 (18) 은, 기대 (24) 의 상면 주연부로부터 둘레 방향으로 간격을 두고 상방으로 연장되는 복수의 전동 실린더로 구성되어 있다. 이반 수단 (18) 을 구성하는 복수의 전동 실린더의 상단에는 프레임 고정부 (16) 가 연결되어 있고, 이반 수단 (18) 은 웨이퍼 유지부 (14) 에 대해 프레임 고정부 (16) 를 상하 방향으로 이동시킴과 함께 임의의 위치에서 정지시킨다. 프레임 고정부 (16) 는, 이반 수단 (18) 의 상단에 연결된 환상의 승강편 (38) 과, 둘레 방향으로 간격을 두고 승강편 (38) 의 외주연에 배치된 복수의 클램프 (40) 를 포함한다. 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 승강편 (38) 의 내경은 웨이퍼 유지부 (14) 의 지주 (26) 의 외경보다 크고, 승강편 (38) 의 내주면과 지주 (26) 의 외주면 사이에는 간극이 존재한다. 또, 승강편 (38) 의 내경 및 외경은 환상 프레임 (4) 의 내경 및 외경에 대응하여 형성되어 있고, 승강편 (38) 의 상면에는 환상 프레임 (4) 이 재치될 수 있다. 그리고 프레임 고정부 (16) 에 있어서는, 승강편 (38) 의 상면에 재치된 환상 프레임 (4) 을 클램프 (40) 로 고정시킬 수 있다. 즉 본 실시형태에서는, 유지면과 동일 면에서 환상 프레임 (4) 을 고정시키는 고정면이 승강편 (38) 의 상면에 의해 구성되어 있다. 또, 이반 수단 (18) 에 있어서는, 프레임 고정부 (16) 에 환상 프레임 (4) 이 고정된 상태에서, 웨이퍼 유지부 (14) 에 대해 프레임 고정부 (16) 를 하강시켜 이반시킴으로써, 점착 테이프 (6) 를 확장하여 웨이퍼 (2) 를 개개의 디바이스 (8) 마다의 칩으로 분할할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 이반 수단 (18) 은 웨이퍼 유지부 (14) 에 대해 프레임 고정부 (16) 를 이반시키고 있지만, 이반 수단은 웨이퍼 유지부와 프레임 고정부를 상대적으로 이반시킬 수 있으면 되고, 따라서 이반 수단은, 본 실시형태와는 반대로 프레임 고정부에 대해 웨이퍼 유지부를 상승시켜 이반시키는 구성이어도 된다. 또, 이반 수단은 에어 실린더로 구성되어 있어도 된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 가열 수단 (20) 은, 전체적으로 원판상의 히터 노즐 (42) 과, 유로 (44) 에 의해 히터 노즐 (42) 에 접속된 히터 (46) 와, 유로 (44) 를 개폐하는 밸브 (48) 를 포함한다. 히터 노즐 (42) 의 하면에는 환상의 분출구 (42a) 가 형성되고, 분출구 (42a) 는, 흡착척 (28) 과 승강편 (38) 사이에 있어서의 상방 (즉, 분할 장치 (2) 에 웨이퍼 (2) 가 재치되었을 때의 웨이퍼 (2) 와 환상 프레임 (4) 사이의 점착 테이프 (6) 의 상방) 에 배치되어 있다. 그리고 가열 수단 (20) 에 있어서는, 밸브 (48) 를 연 상태에서 히터 (46) 를 작동시켜 고온 (예를 들어 600 ℃) 의 에어를 히터 노즐 (42) 의 분출구 (42a) 로부터 분출시킴으로써, 웨이퍼 (2) 와 환상 프레임 (4) 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프 (6) 를 가열하여 수축시킬 수 있다.
컴퓨터로 구성되는 제어 수단 (22) 은, 제어 프로그램에 따라 연산 처리하는 중앙 처리 장치 (CPU) 와, 제어 프로그램 등을 격납하는 리드 온리 메모리 (ROM) 와, 연산 결과 등을 격납하는 판독 입력 가능한 랜덤 액세스 메모리 (RAM) 를 포함한다 (모두 도시하지 않는다). 제어 수단 (22) 은, 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡인원 (32) 및 밸브 (36), 이반 수단 (18) 그리고 가열 수단 (20) 의 히터 (46) 및 밸브 (48) 에 전기적으로 접속되어, 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡인원 (32) 및 밸브 (36), 이반 수단 (18) 그리고 가열 수단 (20) 의 히터 (46) 및 밸브 (48) 의 작동을 제어한다. 또, 제어 수단 (22) 은 웨이퍼 유지부 (14) 의 압력계 (34) 에도 전기적으로 접속되어, 압력계 (34) 가 측정한 유로 (30) 내의 압력의 값이 제어 수단 (22) 에 보내진다.
다음으로, 본 발명에 관련된 웨이퍼의 분할 방법에 대하여 설명한다. 본 명세서에서는, 상기 서술한 분할 장치 (12) 를 사용하는 웨이퍼의 분할 방법에 대하여 설명한다. 분할 장치 (12) 를 사용하는 웨이퍼의 분할 방법에서는, 먼저, 점착 테이프 (6) 를 개재하여 환상 프레임 (4) 에 수용된 웨이퍼 (2) 를 분할 장치 (12) 에 재치하는 재치 공정을 실시한다. 재치 공정에서는 도 3 에 나타내는 바와 같이, 먼저, 이반 수단 (18) 을 작동시켜 승강편 (38) 의 상면을 흡착척 (28) 의 상면과 동일 면에 위치시킨다. 이어서, 웨이퍼 (2) 의 표면 (2a) 을 위를 향하게 하여, 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡착척 (28) 의 상면 (유지면) 에 웨이퍼 (2) 를 재치함과 함께, 프레임 고정부 (16) 의 승강편 (38) 의 상면 (고정면) 에 환상 프레임 (4) 을 재치한다. 또, 클램프 (40) 로 환상 프레임 (4) 을 고정시킨다.
재치 공정을 실시한 후, 분할 장치 (12) 의 웨이퍼 유지부 (14) 에 재치된 웨이퍼 (2) 에 대해 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡인력을 작용시키지 않는 상태에서 이반 수단 (18) 을 작동시켜 점착 테이프 (6) 를 확장하여 웨이퍼 (2) 를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리에 간격을 형성하는 확장 제어 (확장 공정) 를 제어 수단 (22) 에 의해 실시한다. 확장 제어 (확장 공정) 에서는, 먼저, 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡인원 (32) 을 작동시키지 않고, 혹은 웨이퍼 유지부 (14) 의 밸브 (36) 를 닫음으로써, 웨이퍼 (2) 에 대해 흡착척 (28) 의 흡인력을 작용시키지 않는 상태로 한다. 이어서 도 4 에 나타내는 바와 같이, 이반 수단 (18) 과 승강편 (38) 을 하강시켜, 흡착척 (28) 의 상면에 대해 승강편 (38) 의 상면을 이반시킨다. 그렇게 하면, 승강편 (38) 과 함께 환상 프레임 (4) 도 하강하므로, 환상 프레임 (4) 에 주연이 고정되어 있는 점착 테이프 (6) 가 확장하여 웨이퍼 (2) 에 방사상 장력이 작용한다. 이로써, 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점 (10) 이 형성된 웨이퍼 (2) 를 개개의 디바이스 (8) 마다의 칩으로 분할할 수 있음과 함께, 인접하는 칩끼리에 간격을 형성할 수 있다
확장 제어 (확장 공정) 를 실시한 후, 점착 테이프 (6) 가 확장된 상태에서 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡인력을 작용시켜 점착 테이프 (6) 를 개재하여 웨이퍼 (2) 를 흡인 유지하는 흡인 유지 제어 (흡인 유지 공정) 를 제어 수단 (22) 에 의해 실시한다. 흡인 유지 제어 (흡인 유지 공정) 에서는, 점착 테이프 (6) 가 확장된 상태에서, 웨이퍼 유지부 (14) 의 밸브 (36) 를 염과 함께 흡인원 (32) 을 작동시켜, 흡착척 (28) 의 상면에 흡인력을 생성한다. 이로써, 개개의 디바이스 (8) 마다의 칩으로 분할된 웨이퍼 (2) 에 대해 흡착척 (28) 의 흡인력을 작용시켜, 점착 테이프 (6) 를 개재하여 웨이퍼 (2) 를 흡인 유지할 수 있다.
흡인 유지 제어 (흡인 유지 공정) 를 실시한 후, 유지면과 고정면이 동일 면이 될 때까지 웨이퍼 유지부 (14) 와 프레임 고정부 (16) 를 상대적으로 접근시킴과 함께 웨이퍼 (2) 와 환상 프레임 (4) 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프 (6) 를 가열 수단 (20) 으로 가열하여 수축시키는 수축 제어 (수축 공정) 를 제어 수단 (22) 에 의해 실시한다. 본 실시형태에 있어서의 수축 제어 (수축 공정) 에서는, 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡착척 (28) 의 상면 (유지면) 과 프레임 고정부 (16) 의 승강편 (38) 의 상면 (고정면) 이 동일 면이 될 때까지, 웨이퍼 유지부 (14) 에 대해 프레임 고정부 (16) 를 이반 수단 (18) 으로 상승시키는 바, 흡착척 (28) 의 상면과 승강편 (38) 의 상면이 동일 면이 되는 도중에, 흡착척 (28) 의 상면에 에어의 리크가 발생하지 않도록, 느슨해진 점착 테이프 (6) 를 가열 수단 (20) 으로 가열하여 수축시키는 리크 방지 제어 (리크 방지 스텝) 를 제어 수단 (22) 에 의해 실시한다.
리크 방지 제어 (리크 방지 스텝) 는, 예를 들어, 웨이퍼 유지부 (14) 에 배치 형성된 압력계 (34) 의 값이 변화하였을 때 실시할 수 있다. 즉, 점착 테이프 (6) 를 개재하여 웨이퍼 (2) 를 흡착척 (28) 의 상면에서 흡인 유지하고 있을 때의 압력계 (34) 의 값 (예를 들어 0.5 기압) 으로부터 소정값 (예를 들어 0.01 기압) 이상 변화하였을 때 리크 방지 스텝을 실시할 수 있다. 리크 방지 제어 (리크 방지 스텝) 는, 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡착척 (28) 의 상면 (유지면) 과 프레임 고정부 (16) 의 승강편 (38) 의 상면 (고정면) 의 접근을 정지시킨 상태에서 실시하는 것이 바람직하다. 리크 방지 제어 (리크 방지 스텝) 는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 가열 수단 (20) 의 밸브 (48) 를 염과 함께 히터 (46) 를 작동시킴으로써 고온 (예를 들어 600 ℃) 의 에어를 히터 노즐 (42) 의 분출구 (42a) 로부터 웨이퍼 (2) 와 환상 프레임 (4) 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프 (6) 를 향하여 분출함으로써, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 느슨해진 점착 테이프 (6) 를 가열하여 수축시킨다. 이로써, 개개의 디바이스 (8) 마다의 칩으로 분할된 웨이퍼 (2) 에 대한 흡착척 (28) 의 흡인력을 유지할 수 있어, 인접하는 칩끼리의 간격을 분할시의 간격으로 유지할 수 있다. 그리고, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡착척 (28) 의 상면 (유지면) 과 프레임 고정부 (16) 의 승강편 (38) 의 상면 (고정면) 이 동일 면이 되었을 때, 느슨해진 점착 테이프 (6) 를 가열하여 수축시키는 수축 스텝을 제어 수단 (22) 에 의해 실시하여, 도 8 에 나타내는 바와 같이 점착 테이프 (6) 의 느슨함을 해소한다. 또한, 느슨해진 점착 테이프 (6) 를 가열하여 수축시키는 횟수는 2 회보다 많아도 되고 혹은 1 회여도 된다.
이상과 같이 본 실시형태에서는, 확장 제어 (확장 공정) 와 흡인 유지 제어 (흡인 유지 공정) 와 수축 제어 (수축 공정) 를 실시하고, 수축 제어 (수축 공정) 에 있어서, 웨이퍼 유지부 (14) 의 흡착척 (28) 의 상면 (유지면) 과 프레임 고정부 (16) 의 승강편 (38) 의 상면 (고정면) 이 동일 면이 되는 도중에, 흡착척 (28) 의 상면 (유지면) 에 에어의 리크가 발생하지 않도록, 느슨해진 점착 테이프 (6) 를 가열하여 수축시키는 리크 방지 제어 (리크 방지 스텝) 를 실시하므로, 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점 (10) 이 형성된 웨이퍼 (2) 를 개개의 디바이스 (8) 마다의 칩으로 분할할 수 있음과 함께, 인접하는 칩끼리의 간격을 분할시의 간격으로 유지할 수 있다.
또한, 리크 방지 제어 (리크 방지 스텝) 는, 미리 설정된 타이밍에서 실시해도 된다. 즉, 확장 제어 (확장 공정) 를 실시한 상태에서, 이반 수단 (18) 에 의해 웨이퍼 유지부 (14) 에 대해 프레임 고정부 (16) 를 소정량 상승시킨 타이밍에서 리크 방지 제어 (리크 방지 스텝) 를 실시해도 된다. 리크 방지 제어 (리크 방지 스텝) 를 실시하는 타이밍에 대해서는, 예를 들어, 점착 테이프 (6) 를 개재하여 웨이퍼 (2) 를 흡착척 (28) 의 상면에서 흡인 유지하고 있을 때의 압력계 (34) 의 값으로부터 소정값 이상 변화하였을 때의 프레임 고정부 (16) 의 상승량을 실험으로 미리 구해두고, 실험에서 미리 구한 상승량만큼 이반 수단 (18) 으로 프레임 고정부 (16) 를 상승시킨 타이밍으로 할 수 있다.
2 : 웨이퍼
4 : 프레임
4a : 개구
6 : 점착 테이프
8 : 디바이스
10 : 분할의 기점
12 : 분할 장치
14 : 웨이퍼 유지부
16 : 프레임 고정부
18 : 이반 수단
20 : 가열 수단
22 : 제어 수단
34 : 압력계

Claims (8)

  1. 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 환상 프레임에 점착 테이프를 개재하여 수용되고, 복수의 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리의 간격을 유지하는 웨이퍼의 분할 방법으로서,
    점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 웨이퍼 유지부와, 그 유지면과 동일 면에서 그 환상 프레임을 고정시키는 고정면을 갖는 프레임 고정부와, 그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 이반시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 이반 수단을 구비한 분할 장치에 점착 테이프를 개재하여 그 환상 프레임에 수용된 웨이퍼를 재치하는 재치 공정과,
    그 분할 장치에 재치된 웨이퍼에 대해 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시키지 않는 상태에서 그 이반 수단을 작동시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리에 간격을 형성하는 확장 공정과,
    점착 테이프가 확장된 상태에서 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시켜 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 흡인 유지 공정과,
    그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 될 때까지 그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 접근시킴과 함께 웨이퍼와 환상 프레임 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 수축 공정을 포함하고,
    그 수축 공정은, 그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 되는 도중에 그 유지면에 에어의 리크가 발생하지 않도록 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 리크 방지 서브 공정을 포함하고,
    그 웨이퍼 유지부에 배치 형성된 압력계의 값이, 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 그 웨이퍼 유지부에서 흡인 유지하고 나서 소정치 이상 변화했을 때, 그 리크 방지 서브 공정을 실시하는, 웨이퍼의 분할 방법.
  2. 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 환상 프레임에 점착 테이프를 개재하여 수용되고, 복수의 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리의 간격을 유지하는 웨이퍼의 분할 방법으로서,
    점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 웨이퍼 유지부와, 그 유지면과 동일 면에서 그 환상 프레임을 고정시키는 고정면을 갖는 프레임 고정부와, 그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 이반시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 이반 수단을 구비한 분할 장치에 점착 테이프를 개재하여 그 환상 프레임에 수용된 웨이퍼를 재치하는 재치 공정과,
    그 분할 장치에 재치된 웨이퍼에 대해 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시키지 않는 상태에서 그 이반 수단을 작동시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리에 간격을 형성하는 확장 공정과,
    점착 테이프가 확장된 상태에서 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시켜 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 흡인 유지 공정과,
    그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 될 때까지 그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 접근시킴과 함께 웨이퍼와 환상 프레임 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 수축 공정을 포함하고,
    그 수축 공정은, 그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 되는 도중에 그 유지면에 에어의 리크가 발생하지 않도록 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 리크 방지 서브 공정을 포함하고,
    그 웨이퍼 유지부에 배치 형성된 압력계의 값이, 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 그 웨이퍼 유지부에서 흡인 유지하고 나서 소정치 이상 변화할 때의 그 이반 수단의 작동량을 미리 구해두고, 미리 구한 그 작동량만큼 그 이반 수단이 작동한 타이밍에서 그 리크 방지 서브 공정을 실시하는, 웨이퍼의 분할 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    그 리크 방지 서브 공정은, 그 유지면과 그 고정면의 접근을 정지시킨 상태에서 실시되는, 웨이퍼의 분할 방법.
  4. 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 환상 프레임에 점착 테이프를 개재하여 수용되고, 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리의 간격을 유지하는 웨이퍼의 분할 장치로서,
    점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 웨이퍼 유지부와, 그 유지면과 동일 면에서 그 환상 프레임을 고정시키는 고정면을 갖는 프레임 고정부와,
    그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 이반시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 이반 수단과,
    웨이퍼와 그 환상 프레임 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 가열 수단과,
    제어 수단을 구비하고,
    그 제어 수단은,
    그 웨이퍼 유지부에 재치된 웨이퍼에 대해 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시키지 않는 상태에서 그 이반 수단을 작동시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리에 간격을 형성하는 확장 제어와,
    점착 테이프가 확장된 상태에서 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시켜 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 흡인 유지 제어와,
    그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 될 때까지 그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 접근시킴과 함께 웨이퍼와 그 환상 프레임 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프를 그 가열 수단으로 가열하여 수축시키는 수축 제어를 실시하고,
    그 제어 수단은, 그 수축 제어에 있어서, 그 웨이퍼 유지부에 배치 형성된 압력계의 값이, 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 그 웨이퍼 유지부에서 흡인 유지하고 나서 소정치 이상 변화했을 때, 그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 되는 도중에 그 유지면에 에어의 리크가 발생하지 않도록 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는, 웨이퍼의 분할 장치.
  5. 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 환상 프레임에 점착 테이프를 개재하여 수용되고, 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리의 간격을 유지하는 웨이퍼의 분할 장치로서,
    점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 웨이퍼 유지부와, 그 유지면과 동일 면에서 그 환상 프레임을 고정시키는 고정면을 갖는 프레임 고정부와,
    그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 이반시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 이반 수단과,
    웨이퍼와 그 환상 프레임 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키는 가열 수단과,
    제어 수단을 구비하고,
    그 제어 수단은,
    그 웨이퍼 유지부에 재치된 웨이퍼에 대해 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시키지 않는 상태에서 그 이반 수단을 작동시켜 점착 테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 함께 인접하는 칩끼리에 간격을 형성하는 확장 제어와,
    점착 테이프가 확장된 상태에서 그 웨이퍼 유지부의 흡인력을 작용시켜 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 흡인 유지하는 흡인 유지 제어와,
    그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 될 때까지 그 웨이퍼 유지부와 그 프레임 고정부를 상대적으로 접근시킴과 함께 웨이퍼와 그 환상 프레임 사이에 있는 느슨해진 점착 테이프를 그 가열 수단으로 가열하여 수축시키는 수축 제어를 실시하고,
    그 제어 수단은, 그 수축 제어에 있어서, 그 유지면과 그 고정면이 동일 면이 되는 도중에 그 유지면에 에어의 리크가 발생하지 않도록 느슨해진 점착 테이프를 가열하여 수축시키고,
    그 웨이퍼 유지부에 배치 형성된 압력계의 값이, 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 그 웨이퍼 유지부에서 흡인 유지하고 나서 소정치 이상 변화할 때의 그 이반 수단의 작동량이 그 제어 수단에 미리 설정되어 있고,
    그 제어 수단은, 미리 설정된 그 작동량만큼 그 이반 수단이 작동한 타이밍에서 느슨해진 점착 테이프를 그 가열 수단으로 가열하여 수축시켜 리크를 방지하는, 웨이퍼의 분할 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    그 제어 수단은, 그 유지면과 그 고정면의 접근을 정지시킨 상태에서 느슨해진 점착 테이프를 그 가열 수단으로 가열하여 수축시키는, 웨이퍼의 분할 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020180136055A 2017-11-30 2018-11-07 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치 KR102606114B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017230321A JP7027137B2 (ja) 2017-11-30 2017-11-30 ウエーハの分割方法およびウエーハの分割装置
JPJP-P-2017-230321 2017-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190064440A KR20190064440A (ko) 2019-06-10
KR102606114B1 true KR102606114B1 (ko) 2023-11-23

Family

ID=66848828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180136055A KR102606114B1 (ko) 2017-11-30 2018-11-07 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7027137B2 (ko)
KR (1) KR102606114B1 (ko)
CN (1) CN109860110B (ko)
TW (1) TWI781256B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021027237A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021027238A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021027235A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021027236A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015204362A (ja) 2014-04-14 2015-11-16 株式会社ディスコ チップ間隔維持方法
JP2016131187A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社ディスコ 加工装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2005129607A (ja) 2003-10-22 2005-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2007123658A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着テープの拡張装置
JP5409280B2 (ja) 2009-11-09 2014-02-05 株式会社ディスコ チップ間隔拡張方法
JP6151557B2 (ja) 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2017107921A (ja) 2015-12-07 2017-06-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6618412B2 (ja) * 2016-04-01 2019-12-11 株式会社ディスコ 拡張装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015204362A (ja) 2014-04-14 2015-11-16 株式会社ディスコ チップ間隔維持方法
JP2016131187A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社ディスコ 加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201926443A (zh) 2019-07-01
JP7027137B2 (ja) 2022-03-01
TWI781256B (zh) 2022-10-21
CN109860110A (zh) 2019-06-07
KR20190064440A (ko) 2019-06-10
CN109860110B (zh) 2024-01-02
JP2019102588A (ja) 2019-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102606114B1 (ko) 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치
TWI657727B (zh) Wafer interval maintaining device
US10559487B2 (en) Wafer dividing method and dividing apparatus
TWI687985B (zh) 分割裝置及晶圓之分割方法
JP6320198B2 (ja) テープ拡張装置
KR102249339B1 (ko) 칩 간격 유지 장치 및 칩 간격 유지 방법
US10515840B2 (en) Expanding method and expanding apparatus
KR20150118530A (ko) 칩 간격 유지 방법
JP7030469B2 (ja) テープ拡張装置及びテープ拡張方法
JP2013051368A (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
TWI735712B (zh) 分割裝置及分割方法
JP2013191718A (ja) 被加工物の分割装置及び分割方法
JP6785162B2 (ja) 分割装置
JP7115862B2 (ja) 分割装置及び分割方法
JP7242130B2 (ja) エキスパンド装置
JP2018186156A (ja) バーコードシールの保護方法
JP2019140267A (ja) 分割装置
JP6751337B2 (ja) 接着フィルムの破断方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant