CN109860110B - 晶片的分割方法和晶片的分割装置 - Google Patents

晶片的分割方法和晶片的分割装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109860110B
CN109860110B CN201811424973.2A CN201811424973A CN109860110B CN 109860110 B CN109860110 B CN 109860110B CN 201811424973 A CN201811424973 A CN 201811424973A CN 109860110 B CN109860110 B CN 109860110B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
adhesive tape
holding
dividing
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811424973.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109860110A (zh
Inventor
中村胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN109860110A publication Critical patent/CN109860110A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109860110B publication Critical patent/CN109860110B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

提供晶片的分割方法和晶片的分割装置，将形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并将相邻的芯片彼此之间的间隔维持为分割时的间隔。分割方法包含如下工序：载置工序，将借助粘接带(6)被收纳于环状框架(4)的晶片(2)载置于分割装置(12)；扩展工序，在不对晶片作用吸引力的状态下使远离单元(18)进行动作而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片并在相邻的芯片彼此之间形成间隔；吸引保持工序，在粘接带已扩展的状态下使晶片保持部的吸引力进行作用而对晶片进行吸引保持；和收缩工序，使晶片保持部和框架固定部(16)相对地接近并对晶片与环状框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使粘接带收缩直至保持面与固定面成为同一平面。

Description

晶片的分割方法和晶片的分割装置
技术领域
本发明涉及晶片的分割方法和晶片的分割装置，将沿着分割预定线形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并且维持相邻的芯片彼此之间的间隔。
背景技术
由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片在通过激光加工装置沿着分割预定线形成了分割起点之后被赋予外力而分割成各个器件的芯片，分割得到的各芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
激光加工装置存在下述类型(1)至(3)，可根据被加工物的种类、加工精度等选择激光加工装置。
类型(1)：将对于被加工物具有吸收性的波长的脉冲激光光线照射至被加工物而通过烧蚀加工形成作为分割起点的槽(例如，参照专利文献1)。
类型(2)：将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位于被加工物的内部而将激光光线照射至被加工物，在被加工物的内部形成作为分割起点的改质层(例如，参照专利文献2)。
类型(3)：将对于被加工物具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于被加工物的内部而将脉冲激光光线照射至被加工物，形成作为分割起点的由细孔和围绕细孔的非晶质区域构成的多个盾构隧道(例如，参照专利文献3)。
并且，沿着分割预定线形成有分割起点的晶片通过分割装置分割成各个器件的芯片(例如，参照专利文献4)。在专利文献4记载的分割装置中，在将晶片分割成各个器件的芯片时，将沿着分割预定线形成有分割起点的晶片借助粘接带收纳于具有开口的环状框架上，将晶片载置于分割装置的晶片保持部，并且利用框架固定部对环状框架进行固定。接着，使晶片保持部和框架固定部相对地远离，从而使粘接带扩展而对晶片作用放射状张力。由此，能够将沿着分割预定线形成有分割起点的晶片分割成各个器件的芯片，并且能够在相邻的芯片彼此之间形成间隔。
专利文献1：日本特开平10-305420号公报
专利文献2：日本特许第3408805号公报
专利文献3：日本特开2014-221483号公报
专利文献4：日本特开2005-129607号公报
但是，存在如下的问题：当在已将晶片分割成各个芯片的状态下使晶片保持部的吸引力进行作用而对晶片进行吸引保持然后使晶片保持部的保持面与框架固定部的固定面接近直至成为同一平面时，在接近的过程中会在处于晶片与环状框架之间的粘接带上产生松弛，会从粘接带与保持面之间泄漏空气而使保持面的吸引力降低，其结果是，芯片彼此接近而无法维持分割时所形成的芯片彼此之间的间隔。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供晶片的分割方法和晶片的分割装置，能够将形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并且能够将相邻的芯片彼此之间的间隔维持为分割时的间隔。
根据本发明的一个方式，提供晶片的分割方法，将借助粘接带被收纳于具有对晶片进行收纳的开口的环状框架并且沿着交叉的多条分割预定线形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并且维持相邻的芯片彼此之间的间隔，其中，该晶片的分割方法包含如下的工序：载置工序，将借助粘接带被收纳于该环状框架的晶片载置于分割装置，该分割装置具有晶片保持部、框架固定部和远离单元，该晶片保持部具有隔着粘接带对晶片进行吸引保持的保持面，该框架固定部具有与该保持面成为同一平面并且对该环状框架进行固定的固定面，该远离单元使该晶片保持部和该框架固定部相对地远离而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片；扩展工序，在不对载置于该分割装置的晶片作用该晶片保持部的吸引力的状态下使该远离单元进行动作而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片，并且在相邻的芯片彼此之间形成间隔；吸引保持工序，在粘接带已扩展的状态下使该晶片保持部的吸引力进行作用而隔着粘接带对晶片进行吸引保持；以及收缩工序，使该晶片保持部和该框架固定部相对地接近并且对处于晶片与框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩直至该保持面与该固定面成为同一平面为止，该收缩工序包含如下的防泄漏子工序：对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，以使得在该保持面与该固定面成为同一平面的过程中不会在该保持面上产生空气的泄漏。
优选在配设于该晶片保持部的压力计的值发生了变化时实施该防泄漏步骤。优选该防泄漏步骤按照预先设定的时机实施。优选在停止了该保持面与该固定面的接近的状态下实施该防泄漏步骤。
根据本发明的其他方式，提供晶片的分割装置，其将借助粘接带被收纳于具有对晶片进行收纳的开口的环状框架并且沿着分割预定线形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并且维持相邻的芯片彼此之间的间隔，其中，该晶片的分割装置具有：晶片保持部，其具有隔着粘接带对晶片进行吸引保持的保持面；框架固定部，其具有与该保持面成为同一平面并且对该环状框架进行固定的固定面；远离单元，其使该晶片保持部和该框架固定部相对地远离而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片；加热单元，其对处于晶片与该环状框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩；以及控制单元，该控制单元实施如下的控制：扩展控制，在不对载置于该晶片保持部的晶片作用该晶片保持部的吸引力的状态下使该远离单元进行动作而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片，并且在相邻的芯片彼此之间形成间隔；吸引保持控制，在粘接带已扩展的状态下使该晶片保持部的吸引力进行作用而隔着粘接带对晶片进行吸引保持；以及收缩控制，使该晶片保持部和该框架固定部相对地接近并且利用该加热单元对处于晶片与该环状框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩直至该保持面与该固定面成为同一平面为止，该控制单元在该收缩控制中对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，以使得在该保持面与该固定面成为同一平面的过程中不会在该保持面上产生空气的泄漏。
优选在该晶片保持部中配设有压力计，该控制单元在配设于该晶片保持部的压力计的值发生了变化时，利用该加热单元对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，从而防止泄漏。优选该控制单元按照预先设定的时机利用该加热单元对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，从而防止泄漏。优选该控制单元在停止了该保持面与该固定面的接近的状态下利用该加热单元对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩。
根据本发明的晶片的分割方法，收缩工序包含如下的防泄漏子工序：对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，以使得在保持面与固定面成为同一平面的过程中不会在该保持面上产生空气的泄漏，因此能够将形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并且能够将相邻的芯片彼此之间的间隔维持为分割时的间隔。
根据本发明的晶片的分割装置，控制单元在收缩控制中对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，以使得在保持面与固定面成为同一平面的过程中不会在该保持面上产生空气的泄漏，因此能够将形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并且能够将相邻的芯片彼此之间的间隔维持为分割时的间隔。
附图说明
图1是本发明实施方式的晶片的分割装置的立体图。
图2是图1所示的分割装置的剖视图。
图3是示出实施载置工序的状态的分割装置的剖视图。
图4是示出实施扩展工序的状态的分割装置的剖视图。
图5是示出实施收缩工序的防泄漏步骤的状态的分割装置的剖视图。
图6是示出实施了防泄漏步骤且消除了粘接带的松弛的状态的分割装置的剖视图。
图7是示出再次产生粘接带的松弛而再次实施防泄漏步骤的状态的分割装置的剖视图。
图8是示出晶片保持部的保持面与框架固定部的固定面成为了同一平面的状态的分割装置的剖视图。
标号说明
2：晶片；4：框架；4a：开口；6：粘接带；8：器件；10：分割起点；12：分割装置；14：晶片保持部；16：框架固定部；18：远离单元；20：加热单元；22：控制单元；34：压力计。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的晶片的分割方法和晶片的分割装置的实施方式进行说明。
在图1中示出可通过本发明的晶片的分割方法和晶片的分割装置分割成各个芯片的晶片2。圆盘状的晶片2借助粘接带6而被收纳于具有对晶片2进行收纳的开口4a的环状框架4。即，按照覆盖开口4a的方式将粘接带6的周缘固定于环状的环状框架4，晶片2的背面2b被粘贴于粘接带6上。晶片2的正面2a由格子状的分割预定线(省略了标号)划分成多个矩形区域，在多个矩形区域中分别形成有IC、LSI等多个器件8。另外，在晶片2中通过适当的激光加工装置沿着分割预定线形成有格子状的分割起点10。分割起点10可包括：通过烧蚀加工而形成于晶片2的正面2a的槽；形成于晶片2的内部的改质层；或由细孔和围绕细孔的非晶质区域构成的多个盾构隧道等。或者，分割起点10也可以是通过以能够旋转的方式安装有切削刀具的切削装置所形成的切削槽。另外，可由聚氯乙烯(PVC)等形成的粘接带6具有热收缩性，当加热至规定的温度以上时发生收缩。环状框架4由不锈钢等具有耐热性的适当的金属材料形成。
参照图1和图2，对按照本发明构成的晶片的分割装置进行说明。分割装置12具有：晶片保持部14，其具有隔着粘接带6对晶片2进行吸引保持的保持面；框架固定部16，其具有与保持面成为同一平面且对环状框架4进行固定的固定面；远离单元18，其使晶片保持部14和框架固定部16相对地远离而使粘接带6扩展，从而将晶片2分割成各个芯片；加热单元20，其对处于晶片2与环状框架4之间的产生了松弛的粘接带6进行加热而使该粘接带6收缩；以及控制单元22(参照图2)。
晶片保持部14包含：圆形状的基板24(参照图1)；圆筒状的支柱26，其从基板24的上表面向上方延伸；多孔质的圆形状吸附卡盘28，其固定于支柱26的上端；以及吸引源32(参照图2)，其通过流路30(参照图2)与吸附卡盘28连接。如图2所示，吸附卡盘28的直径比晶片2的直径大且比环状框架4的内径小。在晶片保持部14的流路30上配设有对流路30内的压力进行测量的压力计34以及对流路30进行开闭的阀36。并且，在晶片保持部14中，在将阀36打开的状态下使吸引源32进行动作而在吸附卡盘28的上表面上生成吸引力，从而能够对载置于吸附卡盘28的上表面的晶片2进行吸引保持。即，在本实施方式中，由吸附卡盘28的上表面构成隔着粘接带6对晶片2进行吸引保持的保持面。
对框架固定部16和远离单元18进行说明。如图1所示，在本实施方式中，远离单元18由从基台24的上表面周缘部向上方延伸的多个电动气缸构成，它们在周向上隔开间隔。框架固定部16与构成远离单元18的多个电动气缸的上端连结，远离单元18使框架固定部16相对于晶片保持部14在上下方向上移动，并且在任意的位置停止。框架固定部16包含：环状的升降片38，其与远离单元18的上端连结；以及多个夹具40，它们在周向上隔开间隔地配置在升降片38的外周缘。如图1和图2所示，升降片38的内径大于晶片保持部14的支柱26的外径，在升降片38的内周面与支柱26的外周面之间存在间隙。另外，升降片38的内径和外径与环状框架4的内径和外径相对应地形成，能够在升降片38的上表面上载置环状框架4。并且，在框架固定部16中，能够利用夹具40对载置于升降片38的上表面上的环状框架4进行固定。即，在本实施方式中，由升降片38的上表面构成与保持面成为同一平面且对环状框架4进行固定的固定面。另外，在远离单元18中，在利用框架固定部16对环状框架4进行固定的状态下使框架固定部16相对于晶片保持部14下降、远离，从而能够使粘接带6扩展而将晶片2分割成各个器件8的芯片。另外，本实施方式中的远离单元18使框架固定部16相对于晶片保持部14远离，但远离单元只要能够使晶片保持部与框架固定部相对地远离即可，因此，远离单元也可以是与本实施方式相反的、使晶片保持部相对于框架固定部上升、远离的结构。另外，远离单元可以由气缸构成。
如图2所示，加热单元20包含：整体为圆板状的加热器喷嘴42；加热器46，其通过流路44与加热器喷嘴42连接；以及阀48，其对流路44进行开闭。在加热器喷嘴42的下表面上形成有环状的喷出口42a，喷出口42a配置在吸附卡盘28与升降片38之间的上方(即，晶片2被载置于分割装置2时的晶片2与环状框架4之间的粘接带6的上方)。并且，在加热单元20中，在将阀48打开的状态下使加热器46进行动作而将高温(例如600℃)的空气从加热器喷嘴42的喷出口42a喷出，由此能够对处于晶片2与环状框架4之间的产生了松弛的粘接带6进行加热而使该粘接带6收缩。
由计算机构成的控制单元22包含：按照控制程序进行运算处理的中央处理装置(CPU)；保存控制程序等的只读存储器(ROM)；以及保存运算结果等的能够读写的随机存取存储器(RAM)(均为图示)。控制单元22与晶片保持部14的吸引源32和阀36、远离单元18以及加热单元20的加热器46和阀48电连接，对晶片保持部14的吸引源32和阀36、远离单元18以及加热单元20的加热器46和阀48的动作进行控制。另外，控制单元22还与晶片保持部14的压力计34连接，将压力计34所测量的流路30内的压力的值发送至控制单元22。
接着，对本发明的晶片的分割方法进行说明。在本说明书中，对使用上述的分割装置12而进行的晶片的分割方法进行说明。在使用分割装置12而进行的晶片的分割方法中，首先实施载置工序，将借助粘接带6而被收纳于环状框架4的晶片2载置于分割装置12。如图3所示，在载置工序中，首先使远离单元18进行动作而将升降片38的上表面定位于与吸附卡盘28的上表面成为同一平面的位置。接着，使晶片2的正面2a朝上而将晶片2载置于晶片保持部14的吸附卡盘28的上表面(保持面)上，并且将环状框架4载置于框架固定部16的升降片38的上表面(固定面)上。另外，利用夹具40对环状框架4进行固定。
在实施了载置工序之后，通过控制单元22实施扩展控制(扩展工序)，在未对载置于分割装置12的晶片保持部14的晶片2作用晶片保持部14的吸引力的状态下使远离单元18进行动作而使粘接带6扩展，从而将晶片2分割成各个芯片，并且在相邻的芯片彼此之间形成间隔。在扩展控制(扩展工序)中，首先不使晶片保持部14的吸引源32进行动作或者将晶片保持部14的阀36关闭，从而成为不对晶片2作用吸附卡盘28的吸引力的状态。接着，如图4所示，利用远离单元18使升降片38下降，使升降片38的上表面相对于吸附卡盘28的上表面远离。于是，环状框架4也与升降片38一起下降，因此周缘固定于环状框架4的粘接带6扩展而对晶片2作用放射状张力。由此，能够将沿着分割预定线形成有分割起点10的晶片2分割成各个器件8的芯片，并且能够在相邻的芯片彼此之间形成间隔。
在实施了扩展控制(扩展工序)之后，通过控制单元22实施吸引保持控制(吸引保持工序)，在粘接带6已扩展的状态下使晶片保持部14的吸引力进行作用而隔着粘接带6对晶片2进行吸引保持。在吸引保持控制(吸引保持工序)中，在粘接带6已扩展的状态下将晶片保持部14的阀36打开，并且使吸引源32进行动作，从而在吸附卡盘28的上表面上生成吸引力。由此，能够对分割成各个器件8的芯片的晶片2作用吸附卡盘28的吸引力而隔着粘接带6对晶片2进行吸引保持。
在实施了吸引保持控制(吸引保持工序)之后，通过控制单元22实施收缩控制(收缩工序)，使晶片保持部14和框架固定部16相对地接近并且利用加热单元20对处于晶片2与环状框架4之间的产生了松弛的粘接带6进行加热而使该粘接带6收缩直至保持面与固定面成为同一平面为止。在本实施方式中的收缩控制(收缩工序)中，当利用远离单元18使框架固定部16相对于晶片保持部14上升直至晶片保持部14的吸附卡盘28的上表面(保持面)与框架固定部16的升降片38的上表面(固定面)成为同一平面时，通过控制单元22实施防泄漏控制(防泄漏步骤)，利用加热单元20对产生了松弛的粘接带6进行加热而使该粘接带6收缩，以使得在吸附卡盘28的上表面与升降片38的上表面成为同一平面的过程中不会在吸附卡盘28的上表面上产生空气的泄漏。
防泄漏控制(防泄漏步骤)例如可以在配设于晶片保持部14的压力计34的值发生变化时实施。即，可以在从利用吸附卡盘28的上表面隔着粘接带6对晶片2进行吸引保持时的压力计34的值(例如为0.5气压)变化了规定的值(例如0.01气压)以上时实施防泄漏步骤。防泄漏控制(防泄漏步骤)优选在停止了晶片保持部14的吸附卡盘28的上表面(保持面)与框架固定部16的升降片38的上表面(固定面)的接近的状态下实施。如图5所示，关于防泄漏控制(防泄漏步骤)，通过将加热单元20的阀48打开并且使加热器46进行动作而将高温(例如600℃)的空气从加热器喷嘴42的喷出口42a朝向处于晶片2与环状框架4之间的产生了松弛的粘接带6喷出，从而如图6所示，对产生了松弛的粘接带6进行加热而使该粘接带6收缩。由此，能够维持吸附卡盘28对已被分割成各个器件8的芯片的晶片2的吸引力，能够将相邻的芯片彼此之间的间隔维持为分割时的间隔。并且，如图7所示，在晶片保持部14的吸附卡盘28的上表面(保持面)与框架固定部16的升降片38的上表面(固定面)成为同一平面时，通过控制单元22实施收缩步骤，对产生了松弛的粘接带6进行加热而使该粘接带6收缩，从而如图8所示消除粘接带6的松弛。另外，对产生了松弛的粘接带6进行加热而使该粘接带6收缩的次数可以多于两次或者也可以为一次。
如上所述，在本实施方式中，实施扩展控制(扩展工序)、吸引保持控制(吸引保持工序)以及收缩控制(收缩工序)，在收缩控制(收缩工序)中，实施防泄漏控制(防泄漏步骤)，对产生了松弛的粘接带6进行加热而使该粘接带6收缩，以使得在晶片保持部14的吸附卡盘28的上表面(保持面)与框架固定部16的升降片38的上表面(固定面)成为同一平面的过程中不会在吸附卡盘28的上表面(保持面)上产生空气的泄漏，因此能够将沿着分割预定线形成有分割起点10的晶片2分割成各个器件8的芯片，并且能够将相邻的芯片彼此之间的间隔维持为分割时的间隔。
另外，防泄漏控制(防泄漏步骤)可以按照预先设定的时机实施。即，可以从实施了扩展控制(扩展工序)的状态起，在通过远离单元18使框架固定部16相对于晶片保持部14上升规定的量的时机实施防泄漏控制(防泄漏步骤)。关于实施防泄漏控制(防泄漏步骤)的时机，例如可以为如下的时机：预先通过实验求出从利用吸附卡盘28的上表面隔着粘接带6对晶片2进行吸引保持时的压力计34的值变化规定的值以上时的框架固定部16的上升量，将实施防泄漏控制(防泄漏步骤)的时机设定为已利用远离单元18使框架固定部16按照通过实验预先求出的上升量上升的时机。

Claims (6)

1.一种晶片的分割方法，将借助粘接带被收纳于具有对晶片进行收纳的开口的环状框架并沿着交叉的多条分割预定线形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并且维持相邻的芯片彼此之间的间隔，其中，
该晶片的分割方法包含如下的工序：
载置工序，将借助粘接带被收纳于该环状框架的晶片载置于分割装置，该分割装置具有晶片保持部、框架固定部和远离单元，该晶片保持部具有隔着粘接带对晶片进行吸引保持的保持面，该框架固定部具有与该保持面成为同一平面并且对该环状框架进行固定的固定面，该远离单元使该晶片保持部和该框架固定部相对地远离而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片；
扩展工序，在不对载置于该分割装置的晶片作用该晶片保持部的吸引力的状态下使该远离单元进行动作而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片，并且在相邻的芯片彼此之间形成间隔；
吸引保持工序，在粘接带已扩展的状态下使该晶片保持部的吸引力进行作用而隔着粘接带对晶片进行吸引保持；以及
收缩工序，使该晶片保持部和该框架固定部相对地接近并且对处于晶片与框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，直至该保持面与该固定面成为同一平面为止，
该收缩工序包含如下的防泄漏步骤：对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，以使得在该保持面与该固定面成为同一平面的过程中不会在该保持面上产生空气的泄漏，
在配设于该晶片保持部的压力计的值从利用该晶片保持部隔着粘接带对晶片进行吸引保持起变化了规定值以上时实施该防泄漏步骤。
2.一种晶片的分割方法，将借助粘接带被收纳于具有对晶片进行收纳的开口的环状框架并沿着交叉的多条分割预定线形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并且维持相邻的芯片彼此之间的间隔，其中，
该晶片的分割方法包含如下的工序：
载置工序，将借助粘接带被收纳于该环状框架的晶片载置于分割装置，该分割装置具有晶片保持部、框架固定部和远离单元，该晶片保持部具有隔着粘接带对晶片进行吸引保持的保持面，该框架固定部具有与该保持面成为同一平面并且对该环状框架进行固定的固定面，该远离单元使该晶片保持部和该框架固定部相对地远离而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片；
扩展工序，在不对载置于该分割装置的晶片作用该晶片保持部的吸引力的状态下使该远离单元进行动作而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片，并且在相邻的芯片彼此之间形成间隔；
吸引保持工序，在粘接带已扩展的状态下使该晶片保持部的吸引力进行作用而隔着粘接带对晶片进行吸引保持；以及
收缩工序，使该晶片保持部和该框架固定部相对地接近并且对处于晶片与框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，直至该保持面与该固定面成为同一平面为止，
该收缩工序包含如下的防泄漏步骤：对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，以使得在该保持面与该固定面成为同一平面的过程中不会在该保持面上产生空气的泄漏，
预先求出在配设于该晶片保持部的压力计的值从利用该晶片保持部隔着粘接带对晶片进行吸引保持起变化规定值以上时的该远离单元的动作量，按照该远离单元动作了预先求出的该动作量的时机实施该防泄漏步骤。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的分割方法，其中，
在停止了该保持面与该固定面的接近的状态下实施该防泄漏步骤。
4.一种晶片的分割装置，其将借助粘接带被收纳于具有对晶片进行收纳的开口的环状框架并沿着分割预定线形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并且维持相邻的芯片彼此之间的间隔，其中，
该晶片的分割装置具有：
晶片保持部，其具有隔着粘接带对晶片进行吸引保持的保持面；
框架固定部，其具有与该保持面成为同一平面并且对该环状框架进行固定的固定面；
远离单元，其使该晶片保持部和该框架固定部相对地远离而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片；
加热单元，其对处于晶片与该环状框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩；以及
控制单元，
该控制单元实施如下的控制：
扩展控制，在不对载置于该晶片保持部的晶片作用该晶片保持部的吸引力的状态下使该远离单元进行动作而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片，并且在相邻的芯片彼此之间形成间隔；
吸引保持控制，在粘接带已扩展的状态下使该晶片保持部的吸引力进行作用而隔着粘接带对晶片进行吸引保持；以及
收缩控制，使该晶片保持部和该框架固定部相对地接近并且利用该加热单元对处于晶片与该环状框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，直至该保持面与该固定面成为同一平面为止，
该控制单元在该收缩控制中，在配设于该晶片保持部的压力计的值从利用该晶片保持部隔着粘接带对晶片进行吸引保持起变化了规定值以上时，对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，以使得在该保持面与该固定面成为同一平面的过程中不会在该保持面上产生空气的泄漏。
5.一种晶片的分割装置，其将借助粘接带被收纳于具有对晶片进行收纳的开口的环状框架并沿着分割预定线形成有分割起点的晶片分割成各个芯片，并且维持相邻的芯片彼此之间的间隔，其中，
该晶片的分割装置具有：
晶片保持部，其具有隔着粘接带对晶片进行吸引保持的保持面；
框架固定部，其具有与该保持面成为同一平面并且对该环状框架进行固定的固定面；
远离单元，其使该晶片保持部和该框架固定部相对地远离而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片；
加热单元，其对处于晶片与该环状框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩；以及
控制单元，
该控制单元实施如下的控制：
扩展控制，在不对载置于该晶片保持部的晶片作用该晶片保持部的吸引力的状态下使该远离单元进行动作而使粘接带扩展，从而将晶片分割成各个芯片，并且在相邻的芯片彼此之间形成间隔；
吸引保持控制，在粘接带已扩展的状态下使该晶片保持部的吸引力进行作用而隔着粘接带对晶片进行吸引保持；以及
收缩控制，使该晶片保持部和该框架固定部相对地接近并且利用该加热单元对处于晶片与该环状框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，直至该保持面与该固定面成为同一平面为止，
该控制单元在该收缩控制中对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，以使得在该保持面与该固定面成为同一平面的过程中不会在该保持面上产生空气的泄漏，
在该控制单元中预先设定在配设于该晶片保持部的压力计的值从利用该晶片保持部隔着粘接带对晶片进行吸引保持起变化规定值以上时的该远离单元的动作量，
该控制单元按照该远离单元动作了预先设定的该动作量的时机利用该加热单元对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩，从而防止泄漏。
6.根据权利要求4或5所述的晶片的分割装置，其中，
该控制单元在停止了该保持面与该固定面的接近的状态下利用该加热单元对产生了松弛的粘接带进行加热而使该粘接带收缩。
CN201811424973.2A 2017-11-30 2018-11-27 晶片的分割方法和晶片的分割装置 Active CN109860110B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017230321A JP7027137B2 (ja) 2017-11-30 2017-11-30 ウエーハの分割方法およびウエーハの分割装置
JP2017-230321 2017-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109860110A CN109860110A (zh) 2019-06-07
CN109860110B true CN109860110B (zh) 2024-01-02

Family

ID=66848828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811424973.2A Active CN109860110B (zh) 2017-11-30 2018-11-27 晶片的分割方法和晶片的分割装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7027137B2 (zh)
KR (1) KR102606114B1 (zh)
CN (1) CN109860110B (zh)
TW (1) TWI781256B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021027236A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021027238A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021027237A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021027235A (ja) * 2019-08-07 2021-02-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123658A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着テープの拡張装置
JP2015204362A (ja) * 2014-04-14 2015-11-16 株式会社ディスコ チップ間隔維持方法
JP2016131187A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社ディスコ 加工装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2005129607A (ja) 2003-10-22 2005-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP5409280B2 (ja) 2009-11-09 2014-02-05 株式会社ディスコ チップ間隔拡張方法
JP6151557B2 (ja) 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2017107921A (ja) 2015-12-07 2017-06-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6618412B2 (ja) * 2016-04-01 2019-12-11 株式会社ディスコ 拡張装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123658A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着テープの拡張装置
JP2015204362A (ja) * 2014-04-14 2015-11-16 株式会社ディスコ チップ間隔維持方法
JP2016131187A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社ディスコ 加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019102588A (ja) 2019-06-24
KR20190064440A (ko) 2019-06-10
CN109860110A (zh) 2019-06-07
KR102606114B1 (ko) 2023-11-23
JP7027137B2 (ja) 2022-03-01
TW201926443A (zh) 2019-07-01
TWI781256B (zh) 2022-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109860110B (zh) 晶片的分割方法和晶片的分割装置
JP6320198B2 (ja) テープ拡張装置
US9991151B2 (en) Chip spacing maintaining apparatus
KR102249339B1 (ko) 칩 간격 유지 장치 및 칩 간격 유지 방법
JP5378780B2 (ja) テープ拡張方法およびテープ拡張装置
US10515840B2 (en) Expanding method and expanding apparatus
CN107039261B (zh) 分割装置以及晶片的分割方法
KR20150118530A (ko) 칩 간격 유지 방법
US20180358256A1 (en) Wafer dividing method and dividing apparatus
KR20190074961A (ko) 분할 장치
JP5953113B2 (ja) 被加工物の分割方法
CN111834274A (zh) 扩展装置、扩展方法
JP2019140266A (ja) 分割装置及び分割方法
JP6842352B2 (ja) バーコードシールの保護方法
JP6800524B2 (ja) チップ間隔維持方法
KR102698668B1 (ko) 분할 장치
JP2020126960A (ja) エキスパンド装置
JP7301477B2 (ja) プラズマエッチング装置
JP2013239664A (ja) 被加工物の分割方法
JP2024060889A (ja) 拡張方法
JP2024078183A (ja) 拡張方法及び拡張装置
JP2024080051A (ja) 分割装置
KR20240021304A (ko) 익스팬드 장치 및 익스팬드 방법
JP2021034697A (ja) テープ拡張装置
CN115241053A (zh) 芯片间隔形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant