CN115241053A - 芯片间隔形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供芯片间隔形成方法，在芯片之间良好地形成规定的间隔。在芯片间隔形成步骤中，从设置于扩展片的下方的保持台的保持面喷出空气，从而降低扩展片与保持面之间的摩擦。因此，能够容易地对扩展片进行扩展，因此能够在芯片之间良好地形成规定的间隔。

Description

芯片间隔形成方法
技术领域
本发明涉及对扩展片进行扩展而在构成被加工物的多个芯片之间形成规定的间隔的芯片间隔形成方法。
背景技术
存在如下的工艺：将沿着分割预定线在内部形成有断裂起点的晶片或者已沿着分割预定线分割成多个芯片的晶片粘贴于扩展片，并对扩展片进行扩展，由此扩大芯片间隔。
另外，存在如下的工艺：将上述的晶片粘贴在层叠有被称为粘片膜的粘接片的扩展片上，并对扩展片进行扩展，由此扩大晶片的芯片间隔，并且根据芯片而将粘片膜分割。
片扩展装置具有框架固定部、吸引保持台以及配置于吸引保持台的外周的扩展鼓。通过使扩展鼓在垂直方向上上升而对扩展片进行扩展，从而对芯片间隔进行扩展。然后，为了维持扩展后的芯片间隔，利用吸引保持台对扩展片进行吸引保持。
专利文献1：日本特许第6741529号公报
专利文献2：日本特开2007-123658号公报
但是，在上述的片扩展装置中，在扩展鼓上升时，扩展鼓和吸引保持台配置在大致同一平面上。因此，会在扩展片的与芯片对应的中央区域与吸引保持台的保持面之间产生摩擦，因此难以充分地将扩展片的中央区域扩展。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供芯片间隔形成方法，在芯片之间良好地形成规定的间隔。
根据本发明，提供芯片间隔形成方法，在构成被加工物的多个芯片之间形成规定的间隔，该被加工物借助扩展片而支承于环状框架的开口，其中，该芯片间隔形成方法具有如下的步骤：芯片间隔形成步骤，从设置于该扩展片的下方的保持台的保持面喷出空气，从而在降低了该扩展片与该保持面之间的摩擦的状态下将该扩展片扩展，在该芯片之间形成规定的间隔；以及收缩步骤，在实施了该芯片间隔形成步骤之后，在通过该保持台的该保持面对该扩展片的与该芯片对应的区域进行吸引保持而维持了该芯片彼此的间隔的状态下，对该扩展片的位于该环状框架的内周缘与被加工物的外周缘之间的部分进行加热，从而使该部分收缩。
在本发明的芯片间隔形成方法中，在芯片间隔形成步骤中，从设置于扩展片的下方的保持台的保持面喷出空气，由此降低扩展片与保持面之间的摩擦。因此，能够容易地对扩展片的与芯片对应的区域进行扩展，因此能够在芯片之间良好地形成规定的间隔。
附图说明
图1是包含晶片在内的框架单元的立体图。
图2是示出改质层形成步骤的剖视图。
图3是片扩展装置的分解立体图。
图4是片扩展装置的剖视图。
图5是示出芯片间隔形成步骤的框架保持工序的剖视图。
图6是示出芯片间隔形成步骤的片扩展工序的剖视图。
图7是示出收缩步骤的片吸引保持工序的剖视图。
图8是示出收缩步骤的退避工序的剖视图。
图9是示出收缩步骤的片收缩工序的剖视图。
图10是示出收缩步骤的片收缩工序的剖视图。
图11是示出改质层形成步骤的另一例的剖视图。
标号说明
4：片扩展装置；17：控制部；5：框架保持部件；40：基台；51：筒状基座；52：夹具；511：载置面；6：片扩展机构；61：扩展鼓；611：周壁；612：底壁；613：扩展辅助辊；614：孔；62：保持台；621：主体；622：保持面；623：主体通气路；63：移动部件；630：活塞基台；631：活塞杆；632：支承基台；635：连接管；636：空气通路；637：吸引源；638：空气源；639：切换阀；8：加热部件；81：红外线加热器；82：支承杆；83：转动部件；200：激光照射器；201：激光光线；210：切削刀具；100：晶片；101：器件；103：分割预定线；110：框架单元；111：环状框架；112：开口；113：扩展片；120：芯片；131：晶片粘贴区域；132：收缩区域；202：改质层；212：分割槽。
具体实施方式
在本发明实施方式的芯片间隔形成方法中，使用图1所示的晶片100作为被加工物。晶片100具有圆形状，在正面上形成有格子状的分割预定线103。在由分割预定线103划分的各区域中形成有器件101。
在本实施方式中，晶片100以框架单元110的状态被处理。框架单元110是通过扩展片113使具有能够收纳晶片100的开口112的环状框架111与定位于环状框架111的开口112中的晶片100一体化而形成的。这样，在本实施方式中，晶片100借助扩展片113而支承于环状框架111的开口112。
接着，对本实施方式的芯片间隔形成方法的各步骤进行说明。该芯片间隔形成方法是用于在构成晶片100的多个芯片之间形成规定的间隔的方法。
[改质层形成步骤]
在该步骤中，如图2所示，使用激光照射器200沿着晶片100的分割预定线103照射激光光线201。由此，在晶片100的内部，沿着分割预定线103形成成为断裂起点的强度弱的改质层202。其结果是，晶片100被改质层202划分成多个分别包含1个器件101的芯片120。
[芯片间隔形成步骤]
在该步骤中，通过对框架单元110的扩展片113进行扩展，在晶片100的芯片120之间形成规定的间隔。
在该步骤中，使用图3以及图4所示的片扩展装置4。如图3所示，该片扩展装置4具有矩形状的基台40。在该基台40的上表面配设有对框架单元110的环状框架111进行保持的框架保持部件5。
该框架保持部件5具有：配设于基台40的上表面的筒状基座51；以及配设于该筒状基座51的上端部外周的作为框架固定部的4个夹具52。筒状基座51的上表面作为用于载置框架单元110的环状框架111的载置面511发挥功能。载置于载置面511的环状框架111通过夹具52固定于筒状基座51。这样，框架保持部件5能够对包含环状框架111和晶片100在内的框架单元110进行保持。
在框架保持部件5的筒状基座51内配设有对安装于环状框架111的扩展片113进行扩展的片扩展机构6。该片扩展机构6具有：保持台62，其对晶片100进行保持；扩展鼓61，其以从下方对保持台62进行保持的方式配置；以及移动部件63，其使扩展鼓61和保持台62沿着Z轴方向移动。
保持台62对框架保持部件5所保持的框架单元110的晶片100进行保持。保持台62具有圆板状的主体621和配设在主体621上的保持面(吸附卡盘)622。如图4所示，保持面622以覆盖设置于主体621的主体通气路623的方式配设于主体621的上表面。
保持面622具有通气性，通过与图4所示的吸引源637连通，对扩展片113中的粘贴有晶片100的区域即晶片粘贴区域131(参照图1)进行吸引保持。即，保持台62能够通过保持面622隔着扩展片113对晶片100进行吸引保持。另外，保持面622构成为通过与图4所示的空气源638连通而喷出规定的量(例如微量)的空气。
具有这样的结构的保持台62被扩展鼓61支承。如图3所示，扩展鼓61具有形成为环状的周壁611以及覆盖周壁611的下表面的圆形状的底壁612。在底壁612的中央设置有贯通底壁612的孔614。另外，在周壁611的上端配设有多个扩展辅助辊613。如图4所示，扩展辅助辊613的上表面配置于与保持台62的保持面622大致相同的高度。
保持台62的主体621被扩展鼓61的周壁611大致无间隙地覆盖周围，并且被支承在扩展鼓61的底壁612上。
扩展鼓61被移动部件63支承。移动部件63由气缸机构构成，具有活塞基台630、设置为能够相对于活塞基台630在Z轴方向上移动的活塞杆631以及设置于活塞杆631的上端的圆形状的支承基台632。支承基台632从下方对扩展鼓61的底壁612进行支承。
因此，凭借移动部件63，通过使活塞杆631在Z轴方向上移动，能够使扩展鼓61和保持台62在Z轴方向上移动。
在支承基台632的中心设置有连接管635。连接管635贯通扩展鼓61的底壁612的孔614(参照图3)和保持台62的主体621的中央。这样，保持台62和扩展鼓61在被同一连接管635贯穿中央的状态下被移动部件63的支承基台632支承。
另外，如图4所示，在连接管635以及活塞杆631中设置有空气通路636。该空气通路636的一端经由连接管635和保持台62的主体通气路623与保持台62的保持面622连接。另外，空气通路636的另一端经由活塞杆631及切换阀639与空气源638及吸引源637连接。
即，保持台62的保持面622能够经由该空气通路636与吸引源637或空气源638连通。
另外，如图3所示，片扩展装置4具有用于对保持于框架保持部件5的框架单元110的扩展片113进行加热的加热部件8。
加热部件8具有：红外线加热器81；对红外线加热器81进行支承的支承杆82；以及使支承杆82转动的转动部件83。红外线加热器81形成为大小与扩展片113中的收缩区域132(参照图1)大致对应的环状。该收缩区域132是扩展片113中的晶片粘贴区域131与环状框架111之间的区域即扩展片113的位于环状框架111的内周缘与晶片100的外周缘之间的部分。
转动部件83使红外线加热器81在退避位置(图3所示的位置)与加热位置之间转动。加热位置是框架保持部件5上所保持的框架单元110的扩展片113中的收缩区域132的上方的位置。
另外，片扩展装置4具有控制部17。控制部17通过控制片扩展装置4的各部件的动作来执行芯片间隔形成步骤。
以下，对使用了这样的片扩展装置4的芯片间隔形成步骤进行说明。
在该步骤中，例如作业者如图5所示，将框架单元110的环状框架111载置于框架保持构件5中的筒状基座51的载置面511上，并利用夹具52固定于筒状基座51(框架保持工序)。
此时，控制部17对移动部件63进行控制而使活塞杆631向下方侧移动，由此，如图5所示，将保持台62的保持面622和扩展鼓61的扩展辅助辊613配置在比框架单元110的扩展片113靠下方的位置。
并且，控制部17控制切换阀639，使保持台62的保持面622经由空气通路636与空气源638连通。由此，如图5中使用箭头301所示，从设置于扩展片113的下方的保持台62的保持面622喷出空气。
接着，控制部17在从保持面622喷出空气的状态下，控制移动部件63，如图6中箭头401所示，使活塞杆631向上方侧移动。由此，如图6所示，控制部17按照使扩展鼓61的扩展辅助辊613和保持台62的保持面622位于比筒状基座51的载置面511靠上方的位置的方式，使扩展鼓61和保持台62上升至规定的扩展位置。
由此，扩展鼓61的扩展辅助辊613与扩展片113抵接而将扩展片113推起。由此，扩展片113被扩展(片扩展工序)。其结果是，对粘贴在扩展片113上的晶片100呈放射状地作用拉伸力。这样，通过对晶片100呈放射状地作用拉伸力，晶片100沿着改质层202(沿着分割预定线103形成)断裂而分离成各个芯片120，在相邻的芯片120之间形成规定的间隔。
另外，在该片扩展工序中，配置在与扩展辅助辊613的上表面大致相同的高度的保持台62的保持面622也与扩展片113接触。关于这一点，在本实施方式中，通过从保持面622喷出空气，减小了扩展片113与保持面622之间的摩擦。因此，能够抑制与保持面622的摩擦带来的影响并且容易地将扩展片113扩展，因此能够在芯片120之间良好地形成规定的间隔。
另外，控制部17通过对扩展鼓61和保持台62向上方的移动量进行控制，能够对扩展片113的扩展量(伸展量)进行调整。并且，控制部17通过调整扩展片113的扩展量，能够使在各个芯片120之间形成的间隔成为规定的间隔。
[收缩步骤]
在该步骤中，控制部17在各个芯片120之间形成有规定的间隔的状态下对切换阀639进行控制，使保持台62的保持面622与吸引源637连通。由此，如图7中使用箭头302而示出的那样，控制部17通过保持面622对扩展片113的与芯片120对应的区域(晶片粘贴区域131；参照图1)进行吸引保持，维持芯片120之间的间隔(片吸引保持工序)。
在该状态下，控制部17控制移动部件63，如图8中箭头402所示，使活塞杆631向下方侧移动。由此，控制部17按照使保持面622和扩展辅助辊613的上表面成为与筒状基座51的载置面511大致相同的高度(退避工序)的方式，使扩展鼓61和保持台62下降到规定的退避位置。
由此，扩展鼓61的扩展辅助辊613从扩展片113分离。其结果是，在扩展片113中的晶片粘贴区域131与环状框架111之间的区域(即，在晶片100的外周侧被拉伸的部分)即收缩区域132中产生松弛。
接着，如图9所示，控制部17将加热部件8(参照图3)的红外线加热器81定位于扩展片113中的收缩区域132的上方即加热位置，使红外线加热器81接通。由此，扩展片113中的收缩区域132被红外线加热器81所照射的红外线加热，如图10所示那样收缩(片收缩工序)。
这样，在收缩步骤中，通过加热使在晶片100的外周侧被拉伸的收缩区域132收缩。
之后，控制部17控制切换阀639，解除保持台62的保持面622与吸引源637之间的连通。然后，例如作业者将框架单元110从框架保持部件5取下，结束处理。
如上所述，在本实施方式中，在芯片间隔形成步骤中，从设置于扩展片113的下方的保持台62的保持面622喷出空气，由此降低扩展片113与保持面622之间的摩擦。因此，能够容易地对扩展片113的晶片粘贴区域131进行扩展，因此能够在芯片120之间良好地形成规定的间隔。
并且，在收缩步骤中，通过使扩展片113中的收缩区域132收缩，在维持了通过芯片间隔形成步骤而形成于芯片120之间的间隔的状态下，扩展片113恢复至无松弛地张紧的状态。因此，例如，在将框架单元110向未图示的拾取装置搬送时，能够抑制因芯片120彼此接触而导致的损伤。
另外，在本实施方式中，加热部件8具有红外线加热器81。关于这一点，加热部件8也可以具有向收缩区域132吹送热风的部件来代替红外线加热器81。
另外，在本实施方式中，如图2所示，在芯片间隔形成步骤之前实施改质层形成步骤，从而在晶片100上形成改质层202。然后，在芯片间隔形成步骤中，以改质层202为起点，将晶片100分割成多个芯片120。关于这一点，在本实施方式中，也可以代替改质层形成步骤而实施以下的分割步骤。
[分割步骤]
在该步骤中，如图11所示，使用切削刀具210沿着晶片100的分割预定线103形成分割槽212。其结果是，晶片100被分割槽212分割成多个分别包含1个器件101的芯片120。
在该情况下，在实施芯片间隔形成步骤之前，晶片100已经被分割成多个芯片120。因此，在芯片间隔形成步骤中，晶片100中的芯片120的间隔扩展为规定的间隔。
同样在该情况下，在芯片间隔形成步骤中，也能够通过从保持台62的保持面622喷出空气而降低扩展片113与保持面622之间的摩擦。因此，能够容易地对扩展片113的晶片粘贴区域131进行扩展，因此能够在芯片120之间良好地形成规定的间隔。
另外，在分割步骤中，也可以使用图2所示的激光照射器200通过激光来形成分割槽212。

Claims (1)

1.一种芯片间隔形成方法，在构成被加工物的多个芯片之间形成规定的间隔，该被加工物借助扩展片而支承于环状框架的开口，其特征在于，
该芯片间隔形成方法具有如下的步骤：
芯片间隔形成步骤，从设置于该扩展片的下方的保持台的保持面喷出空气，从而在降低了该扩展片与该保持面之间的摩擦的状态下将该扩展片扩展，在该芯片之间形成规定的间隔；以及
收缩步骤，在实施了该芯片间隔形成步骤之后，在通过该保持台的该保持面对该扩展片的与该芯片对应的区域进行吸引保持而维持了该芯片彼此的间隔的状态下，对该扩展片的位于该环状框架的内周缘与被加工物的外周缘之间的部分进行加热，从而使该部分收缩。
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