CN107442943B - 扩展片 - Google Patents

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Abstract

提供扩展片,将成本抑制得较低。一种扩展片(1),其在粘贴有板状的被加工物(11)的状态下被扩展,该扩展片(1)具有:基材(3);第1糊层(5a),其在基材上形成在供被加工物粘贴的位置;以及第2糊层(5b),其在基材上形成在供环状的框架(21)粘贴的位置,基材在除第1糊层和第2糊层以外的区域露出。

Description

扩展片
技术领域
本发明涉及在粘贴于板状的被加工物的状态下被扩展的扩展片。
背景技术
为了将以半导体晶片为代表的板状的被加工物分割成多个芯片,实用化了如下的加工方法:将激光束会聚在被加工物的内部而形成作为分割的起点的改质层(改质区域),之后施加分割所需的力(例如,参照专利文献1)。在该加工方法中,例如,通过对粘贴于被加工物的扩展片进行扩展而对被加工物施加力而分割成多个芯片。
并且,还公知有如下的加工方法:利用对被加工物进行磨削或研磨时所施加的力来将形成有改质层的被加工物分割成多个芯片(例如,参照专利文献2)。在利用该加工方法将被加工物分割成多个芯片之后,对粘贴于被加工物的扩展片进行扩展而使相邻的芯片的间隔扩大。由此,能够防止之后处理芯片时因芯片彼此的接触等而导致的破损。
在对扩展片进行扩展时,有时使用具有两种工作台的扩展装置(例如,参照专利文献3)。该扩展装置使对被加工物进行支承的中央的工作台相对于对扩展片的外周部进行固定的环状的工作台相对地上升,从而将扩展片推起而进行扩展。因此,当使用该扩展装置时,扩展片呈放射状扩展。
近年来,还提出了能够朝向规定的方向对扩展片进行扩展的扩展装置(例如,参照专利文献4)。该扩展装置具有:第1保持单元和第2保持单元,它们被配置成在与扩展片大致平行的第1方向上对被加工物进行夹持;以及第3保持单元和第4保持单元,它们被配置成在与第1方向垂直的第2方向上对被加工物进行夹持。
第1保持单元和第2保持单元构成为能够朝向互相分离的方向移动,第3保持单元和第4保持单元构成为能够朝向互相分离的方向移动。在利用各保持单元对扩展带的4个区域进行保持之后,如果使第1保持单元和第2保持单元朝向互相分离的方向移动,使第3保持单元和第4保持单元朝向互相分离的方向移动,则能够在第1方向和第2方向上对扩展片进行扩展。
专利文献1:日本特开2002-192370号公报
专利文献2:国际公开第2003/77295号
专利文献3:日本特开2011-77482号公报
专利文献4:日本特开2014-22382号公报
但是,由于上述的扩展片通常是一次性的,所以希望将涉及该扩展片的成本尽可能地抑制得较低。
发明内容
本发明是鉴于该点而完成的,其目的在于,提供扩展片,将成本抑制得较低。
根据本发明的一个方式,提供扩展片,其在粘贴有板状的被加工物的状态下被扩展,其特征在于,该扩展片具有:基材;第1糊层,其在该基材上形成在供被加工物粘贴的位置;以及第2糊层,其在该基材上形成在供环状的框架粘贴的位置,该基材在除该第1糊层和该第2糊层以外的区域露出。
在本发明的一个方式中,也可以在该第1糊层上配置有与被加工物粘接的粘接膜。
在本发明的一个方式的扩展片中,由于在比供环状的框架21粘贴的第2糊层靠外侧的区域(除第1糊层和第2糊层以外的区域)中没有设置糊层,所以与在比第2糊层靠外侧的区域设置糊层的情况等相比,能够减少由糊层产生的成本。即,根据本发明的一个方式,能够提供将成本抑制得较低的扩展片。
附图说明
图1是示意性地示出扩展片的结构例的立体图。
图2是示意性地示出扩展片的结构例的剖视图。
图3是示意性地示出扩展片被扩展装置保持的情形的立体图。
图4是示意性地示出扩展片被扩展装置扩展的情形的立体图。
图5是示意性地示出环状的框架被粘贴在扩展片上的情形的立体图。
图6是示意性地示出扩展片沿着环状的框架被切断的状态的立体图。
图7的(A)和图7的(B)是示意性地示出扩展片被扩展装置扩展的情形的剖视图。
图8是示意性地示出变形例的扩展片的结构例的剖视图。
图9是示意性地示出变形例的扩展片被扩展之后的状态的剖视图。
标号说明
1:扩展片;3:基材;3a:第1面(上表面);3b:第2面(下表面);5:糊层(粘合层、粘接层);5a:第1糊层;5b:第2糊层;7:隔离膜;9:粘接膜;11:被加工物;11a:第1面(正面);11b:第2面(背面);13:器件;15:改质层;17:芯片;21:框架;31:扩展片;2:扩展装置;4:第1保持单元(第1保持构件);6:第2保持单元(第2保持构件);8:第3保持单元(第3保持构件);10:第4保持单元(第4保持构件);12:上侧支承部件;14:下侧支承部件;16:接触部件;22:扩展装置;24:支承构造;26:扩展鼓;28:框架支承工作台;30:夹具;32:升降机构;34:缸筒;36:活塞杆;A1:第1粘贴区域;A2:第2粘贴区域;D1:第1方向;D2:第2方向。
具体实施方式
参照附图对本发明的一方式的实施方式进行说明。图1是示意性地示出本实施方式的扩展片的结构例的立体图,图2是示意性地示出扩展片的结构例的剖视图。另外,在图1中,将粘贴于扩展片的被加工物和环状的框架一并示出,在图2中,将扩展片相对于被加工物和环状的框架的平面位置关系与扩展片的截面一起示出。
如图1和图2所示,本实施方式的扩展片1包含片状的基材3和设置在基材3的第1面(上表面)3a侧的具有粘合力(粘接力)的糊层(粘合层、粘接层)5。基材3例如使用聚烯烃或聚氯乙烯等树脂形成为带状。不过,只要能够使用后述的扩展装置来适当地进行扩展,则基材3的形状、材质等并没有限制。
另一方面,糊层5例如由丙烯类或橡胶类的粘合剂形成。该糊层5包含:第1糊层5a,其设置在供板状的被加工物11粘贴的位置;以及环状的第2糊层5b,其围绕第1糊层5a。即,基材3的第1面3a在比环状的第2糊层5b靠外侧的区域(除第1糊层5a和第2糊层5b以外的区域)露出。对第2糊层5b例如使用粘合力比第1糊层5a强的材料。但是,第1糊层5a和第2糊层5b也可以由相同的材料形成。
通过第1糊层5a来形成供板状的被加工物11粘贴的大致圆形的第1粘贴区域A1,通过第2糊层5b来形成供环状的框架21粘贴的环状的第2粘贴区域A2。在本实施方式中,由于第2糊层5b的粘合力比第1糊层5a的粘合力强,所以由第2糊层5b形成的第2粘贴区域A2的粘合力也比由第1糊层5a形成的第1粘贴区域A1的粘合力强。
第1粘贴区域A1的大小(例如,直径)比被加工物11的大小(例如,直径)大,比形成于框架21的中央的开口部的大小(例如,直径)小。因此,当将被加工物11和框架21粘贴在扩展片1上时,第2糊层5b的内侧的缘位于比被加工物11的缘靠外侧并且比框架21的内侧的缘靠内侧的位置。
例如,优选第1粘贴区域A1的直径比被加工物11的直径大20mm以上。在该情况下,能够适当防止因粘贴被加工物11时的位置偏移而导致的粘贴不良的产生等。
另一方面,第2粘贴区域A2的外侧的缘位于比框架21的内侧的缘靠外侧的位置即可。在本实施方式中,第2粘贴区域A2的外侧的缘位于比框架21的外侧的缘稍微靠内侧的位置,但例如第2粘贴区域A2的外侧的缘也可以位于比框架21的外侧的缘靠外侧的位置。
例如,通过使第2糊层5b的内径(内侧的直径)比被加工物11的直径大并且比框架21的内径小,能够实现上述那样的第1粘贴区域A1和第2粘贴区域A2的位置关系。扩展片1例如如图1所示在将隔离膜7粘贴在糊层5侧的状态下卷绕成圆筒状。
接着,对使用该扩展片1的加工方法(扩展片1的使用方法)的一例进行说明。在本实施方式的加工方法中,首先,在将板状的被加工物11粘贴在扩展片1上之后,通过扩展装置对该扩展片1进行保持。图3是示意性地示出扩展片1被扩展装置保持的情形的立体图。
被加工物11例如是由硅等半导体制成的圆形的晶片,其第1面(正面)11a侧被划分成中央的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域。器件区域被呈格子状排列的分割预定线(间隔道)进一步划分成多个区域,在各区域内形成有IC、LSI等器件13。
在被加工物11的内部例如沿着分割预定线形成有作为分割的起点的改质层(在图3等中未图示)。该改质层能够通过沿着分割预定线对难以由被加工物11吸收的波长的激光束进行会聚的方法形成。另外,也可以代替改质层而使用由切削或激光烧蚀等方法形成的槽等来作为分割的起点。
当在扩展片1上粘贴板状的被加工物11时,例如,使该被加工物11的第2面(背面)11b侧与扩展片1的第1粘贴区域A1(第1糊层5a)紧贴。另外,在本实施方式中,使用由硅等半导体制成的圆形的晶片来作为被加工物11,但被加工物11的材质、形状、构造等并没有限制。
例如,也可以使用由陶瓷、树脂、金属等材料制成的基板来作为被加工物11。并且,也可以使用被分割成多个芯片之后的晶片或基板等来作为被加工物11。在该情况下,实施通过对扩展片1进行扩展而将被加工物11内相邻的芯片之间的间隔扩大的加工。
如图3所示,扩展装置2具有第1保持单元(第1保持构件)4和第2保持单元(第2保持构件)6,该第1保持单元4和第2保持单元6被配置成在与扩展片1大致平行的第1方向D1上对被加工物11进行夹持。并且,扩展装置2具有第3保持单元(第3保持构件)8和第4保持单元(第4保持构件)10,该第3保持单元8和第4保持单元10被配置成在与扩展片1大致平行并且与第1方向D1垂直的第2方向D2上对被加工物11进行夹持。
第1保持单元4和第2保持单元6分别被水平移动机构(未图示)支承,能够朝向互相分离的方向移动。同样,第3保持单元8和第4保持单元10分别被水平移动机构(未图示)支承,能够朝向互相分离的方向移动。
第1保持单元4、第2保持单元6、第3保持单元8和第4保持单元10分别包含配置在扩展片1的上方(糊层5侧)的上侧支承部件12和配置在扩展片1的下方(基材3的第2面(下表面)3b侧)的下侧支承部件14。上侧支承部件12和下侧支承部件14均形成为在规定的方向上伸长的棒状。上侧支承部件12和下侧支承部件14的伸长方向的长度均比被加工物11的直径长。
第1保持单元4和第2保持单元6所具有的上侧支承部件12和下侧支承部件14在第2方向D2上伸长。另一方面,第3保持单元8和第4保持单元10所具有的上侧支承部件12和下侧支承部件14在第1方向D1上伸长。
在各上侧支承部件12的下方侧和各下侧支承部件14的上方侧安装有多个接触部件16。多个接触部件16均形成为圆柱状,在与扩展片1接触的状态下能够旋转。第1保持单元4和第2保持单元6所具有的多个接触部件16的旋转轴均与第1方向D1平行,第3保持单元8和第4保持单元10所具有的多个接触部件16的旋转轴均与第2方向D2平行。
在对扩展片1进行保持时,如图3所示,通过各保持单元的上侧支承部件12和下侧支承部件14将扩展片1的比第2粘贴区域A2靠外侧的区域从上下夹住。即,通过第1保持单元4、第2保持单元6、第3保持单元8和第4保持单元10对第2粘贴区域A2周围的4个区域进行保持,使多个接触部件16与各区域接触。
在通过扩展装置2对扩展片1进行了保持之后,对扩展片1进行扩展。图4是示意性地示出扩展片1被扩展装置2扩展的情形的立体图。在对扩展片1进行扩展时,使支承着第1保持单元4和第2保持单元6的水平移动机构进行动作而使第1保持单元4和第2保持单元6朝向互相分离的方向移动。
并且,使支承着第3保持单元8和第4保持单元10的水平移动机构进行动作而使第3保持单元8和第4保持单元10朝向互相分离的方向移动。由此,如图4所示,能够使扩展片1在第1方向D1和第2方向D2上扩展而对被加工物11施加沿着第1方向D1和第2方向D2方向的方向上的力。
如上述那样,在第1保持单元4和第2保持单元6上设置有多个接触部件16,其中,该第1保持单元4和第2保持单元6在第1方向D1上朝向互相分离的方向移动,该多个接触部件16绕与第1方向D1平行的旋转轴旋转。并且,在第3保持单元8和第4保持单元10上设置有多个接触部件16,其中,该第3保持单元8和第4保持单元10在第2方向D2上朝向互相分离的方向移动,该多个接触部件16绕与第2方向D2平行旋转轴旋转。
因此,扩展片1被第1保持单元4和第2保持单元6保持为能够沿着第2方向D2移动,并且被第3保持单元8和第4保持单元10保持为能够沿着第1方向D1移动。即,能够在第2方向D2上对由第1保持单元4和第2保持单元6保持的区域进行适当地扩展,能够在第1方向D1上对由第3保持单元8和第4保持单元10保持的区域进行适当地扩展。
当通过扩展片1的扩展对被加工物11施加沿着第1方向D1和第2方向D2的方向的力时,被加工物11沿着形成有改质层的分割预定线被分割成多个芯片,并且,相邻的芯片彼此的间隔被扩大。另外,为了对被加工物11进行适当地分割而使芯片彼此的间隔充分扩大,优选使各分割预定线所排列的方向(与各分割预定线垂直的方向)与第1方向D1或第2方向D2一致而对由扩展产生的力进行高效地利用。
在对扩展片1进行了扩展之后,将环状的框架21粘贴在扩展片1上而进行固定。图5是示意性地示出环状的框架21被粘贴在扩展片1上的情形的立体图。在将环状的框架21粘贴在扩展片1上时,例如,如图5所示,使环状的框架21与扩展片1的第2粘贴区域A2(第2糊层5b)紧贴。
由此,能够将环状的框架21粘贴在扩展片1上而进行固定。在本实施方式中,由于在对扩展片1进行了扩展的状态下对环状的框架21进行固定以使其围绕被加工物11,所以即使在解除了扩展片1的扩展之后,也保持为芯片彼此的间隔扩大了的状态。
并且,在本实施方式中,由于第2粘贴区域A2的粘合力比第1粘贴区域A1的粘合力强,所以即使在对扩展片1进行了扩展的状态下也会得到由第2粘贴区域A2实现的充分的粘合力。因此,即使第2粘贴区域A2的粘合力因扩展片1的扩展而稍微降低,也能够将环状的框架21适当地粘贴在第2粘贴区域A2。
另外,在如本实施方式那样,在对扩展片1进行了扩展之后粘贴环状的框架21的情况下,考虑到因扩展产生的变形等而优选预先对第2粘贴区域A2的形状、大小等进行调整。由此,能够将环状的框架21适当地粘贴在扩展后的第2粘贴区域A2。
在将环状的框架21粘贴固定在扩展片1上之后,沿着该环状的框架21将扩展片1切断。图6是示意性地示出扩展片1沿着环状的框架21被切断的状态的立体图。扩展片1例如从基材3的第2面3b侧沿着框架21被切断。由此,完成了由被加工物11、框架21和已切断的扩展片1构成的框架单元。
另外,在形成了框架单元之后,将扩展片1从扩展装置2取下。在本实施方式中,由于利用各保持单元对没有形成糊层5的比第2糊层5b靠外侧的区域进行保持,所以容易将扩展片1从扩展装置2取下。
如上述那样,在本实施方式的扩展片1中,由于供环状的框架21粘贴的第2粘贴区域A2的粘合力比供被加工物11粘贴的第1粘贴区域A1的粘合力强,所以能够以较强的力将扩展片1粘接在环状的框架21上。
并且,在本实施方式的扩展片1中,由于在比供环状的框架21粘贴的第2糊层5b靠外侧的区域没有设置糊层5,所以与在比第2糊层5b靠外侧的区域设置糊层5的情况等相比,能够减少因糊层产生的成本。进而,也会得到容易从扩展装置2取下扩展片1的优点。
另外,本发明并不仅限于上述实施方式的记载,能够实施各种变更。例如,在上述实施方式中,对使用了在第1方向D1和第2方向D2上对扩展片1进行扩展的扩展装置2的加工方法(使用方法)的一例进行了说明,但也可以使用其他的扩展装置对扩展片1进行扩展。图7的(A)和图7的(B)是示意性地示出利用其他的扩展装置对扩展片1进行扩展的情形的剖视图。另外,对与上述实施方式中的结构等共同的结构等赋予相同的标号而省略详细的说明。
如图7的(A)和图7的(B)所示,扩展装置22具有对被加工物11进行支承的支承构造24和对粘贴于被加工物11的扩展片1进行扩展的圆筒状的扩展鼓26。例如,扩展鼓26的内径比被加工物11的直径大,扩展鼓26的外径比粘贴于扩展片1的环状的框架21的内径小。
支承构造24包含对环状的框架21进行支承的框架支承工作台28。该框架支承工作台28的上表面成为对固定于扩展片1的环状的框架21进行支承的支承面。在框架支承工作台28的外周部分设置有用于固定环状的框架21的多个夹具30。
在支承构造24的下方设置有升降机构32。升降机构32具有固定在下方的基台(未图示)的缸筒34和插入到缸筒34中的活塞杆36。在活塞杆36的上端部固定有框架支承工作台28。该升降机构32使支承构造24升降以使框架支承工作台28的上表面(支承面)在高度与扩展鼓26的上端相等的基准位置和比扩展鼓26的上端靠下方的扩展位置之间移动。
在利用扩展装置22对扩展片1进行扩展时,首先,将被加工物11和环状的框架21粘贴在扩展片1上而形成框架单元。即,使被加工物11的第2面(背面)11b侧与扩展片1的第1粘贴区域A1(第1糊层5a)紧贴,使环状的框架21与扩展片1的第2粘贴区域A2(第2糊层5b)紧贴。并且,沿着该环状的框架21将扩展片1切断。
在将被加工物11和环状的框架21固定在扩展片1上而形成框架单元之后,通过扩展装置22对包含扩展片1的框架单元进行保持。具体来说,如图7的(A)所示,将构成框架单元的环状的框架21载置在移动至基准位置的框架支承工作台28的上表面上,利用夹具30对该环状的框架21进行固定。由此,扩展鼓26的上端在被加工物11与环状的框架21之间与扩展片1接触。
在通过扩展装置22对包含扩展片1的框架单元进行保持之后,对扩展片1进行扩展。具体来说,利用升降机构32使支承构造24下降而如图7的(B)所示使框架支承工作台28的上表面移动至比扩展鼓26的上端靠下方的扩展位置。其结果是,扩展鼓26相对于框架支承工作台28上升,扩展片1被扩展鼓26推起而呈放射状扩展。
当扩展片1被扩展时,对被加工物11施加有将扩展片1扩展的方向的力(放射状的力)。由此,被加工物11以改质层15(图7的(A))为起点被分割成多个芯片,并且,相邻的芯片彼此的间隔被扩大。
并且,也可以在本发明的扩展片上设置DAF(Die Attach Film:粘片膜)等粘接膜。图8是示意性地示出变形例的扩展片的结构例的剖视图。另外,对与上述实施方式中的结构等共同的结构等赋予相同的标号而省略详细的说明。
如图8所示,变形例的扩展片31的基本的结构与上述实施方式的扩展片的结构相同。不过,在扩展片31的第1糊层5a上重叠配置有以DAF为代表的粘接膜9。扩展片31的使用方法等也可以与上述实施方式的使用方法等同样,但当在扩展片31上粘贴板状的被加工物11时,例如,使被加工物11的第2面11b侧与粘接膜9紧贴。
图9是示意性地示出变形例的扩展片31被扩展之后的状态的剖视图。当扩展片31被扩展时,如图9所示,被加工物11被分割成多个芯片17。此时,粘接膜9也被分割成大小与芯片17相同程度的小片。与粘接膜9的小片成为一体的芯片17从扩展片1被拾取而安装在电路基板等上。
并且,在上述实施方式中,对卷绕成辊状的带状扩展片1进行了说明,但本发明的扩展片也可以按照被加工物11或环状的框架21的大小而剪裁得较短。
另外,上述实施方式的构造、方法等只要在不脱离本发明的目的的范围内便能够实施适当变更。

Claims (2)

1.一种扩展片,其在粘贴有板状的被加工物的状态下被扩展并在被粘贴固定于环状的框架之后,沿着该框架被切断,其特征在于,该扩展片具有:
基材,其大小比该框架的大小大;
第1糊层,其在该基材上形成在供该被加工物粘贴的位置,该第1糊层的大小比该被加工物的大小大并且比该框架的开口部的大小小;以及
第2糊层,其在该基材上呈环状形成在供该框架粘贴的位置,该第2糊层具有比该被加工物的直径大且比该框架的内径小的内径和位于比该框架的外侧的缘靠内侧的位置的外侧的缘,
该基材在除该第1糊层和该第2糊层以外的区域露出,
该第2糊层具有考虑了因扩展产生的变形的形状和大小,
该第2糊层的粘合力比该第1糊层的粘合力强。
2.根据权利要求1所述的扩展片,其特征在于,
在该第1糊层上配置有与被加工物粘接的粘接膜。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021022606A (ja) * 2019-07-25 2021-02-18 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法及びウェーハの分割に用いるテープ

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4664739A (en) * 1983-12-19 1987-05-12 Stauffer Chemical Company Removal of semiconductor wafers from dicing film
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
ATE518242T1 (de) 2002-03-12 2011-08-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
JP4923398B2 (ja) * 2004-09-21 2012-04-25 日立化成工業株式会社 接着剤層付き半導体素子の製造方法
JP2006229021A (ja) * 2005-02-18 2006-08-31 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
KR100751182B1 (ko) 2006-07-25 2007-08-22 제일모직주식회사 박막 웨이퍼의 다이싱용 다이 본드 필름의 제조방법
WO2009034774A1 (ja) * 2007-09-14 2009-03-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. ウエハ加工用テープ
JP2009147201A (ja) * 2007-12-17 2009-07-02 Denki Kagaku Kogyo Kk ダイシングシート、その製造方法、および電子部品の製造方法
JP2011077482A (ja) 2009-10-02 2011-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP4976531B2 (ja) * 2010-09-06 2012-07-18 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム
JP2012069586A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
US9786541B2 (en) * 2011-09-30 2017-10-10 Lintec Corporation Dicing sheet with protective film forming layer and chip fabrication method
JP5980600B2 (ja) 2012-07-12 2016-08-31 株式会社ディスコ テープ拡張装置
JP5992277B2 (ja) * 2012-09-20 2016-09-14 株式会社ディスコ 加工方法
CN105074878B (zh) * 2013-03-27 2017-08-04 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片
US20170213765A1 (en) * 2014-05-23 2017-07-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Die bonding/dicing sheet

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