CN111834274A - 扩展装置、扩展方法 - Google Patents

扩展装置、扩展方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111834274A
CN111834274A CN202010273122.3A CN202010273122A CN111834274A CN 111834274 A CN111834274 A CN 111834274A CN 202010273122 A CN202010273122 A CN 202010273122A CN 111834274 A CN111834274 A CN 111834274A
Authority
CN
China
Prior art keywords
expanding
sheet
unit
air
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010273122.3A
Other languages
English (en)
Inventor
松田智人
川口吉洋
齐藤亮太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN111834274A publication Critical patent/CN111834274A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting

Abstract

提供扩展装置、扩展方法,高效率地实施扩展片的收缩。该扩展装置对被加工物单元的扩展片进行扩展,该被加工物单元包含被加工物、粘贴于该被加工物的扩展片以及供该扩展片的外周侧粘贴的环状框架,该扩展装置具有能够对扩展片进行扩展的扩展单元以及对扩展片进行加热而使其收缩的片收缩单元,该片收缩单元包含热风喷出口、空气提供路、对该空气提供路的内部进行加热的加热单元以及对来自空气提供源的空气的提供和阻断进行控制的阀,该片收缩单元将该阀打开而向该空气提供路提供该空气,能够从该热风喷出口喷射加热的该空气,该片收缩单元通过将该阀关闭而能够不使该加热单元停止而停止从该热风喷出口喷射加热的该空气。

Description

扩展装置、扩展方法
技术领域
本发明涉及对外周侧粘贴于环状框架的扩展片进行扩展的扩展装置和扩展方法。
背景技术
在圆板状的晶片的正面上设定多条相互交叉的分割预定线(也被称为间隔道),并在由分割预定线划分的各区域内形成器件之后,当沿着分割预定线对晶片进行分割时,能够形成各个器件芯片。所形成的器件芯片搭载于电子设备等而使用。
晶片的分割例如使用激光加工装置来实施。例如将对于晶片具有透过性的波长的激光束沿着分割预定线会聚至该晶片的内部,从而沿着分割预定线形成作为分割起点的改质层。
在晶片的背面侧预先粘贴有被称为扩展片的片。在扩展片的外周侧粘贴有由金属等形成的环状框架。并且,当在该扩展片上粘贴晶片时,形成晶片、扩展片以及环状框架成为一体而得的被加工物单元。
当在沿着分割预定线在晶片的内部形成有改质层的状态下将扩展片向径向外侧扩展时,以该改质层为起点而将晶片断裂,形成器件芯片,进一步将各器件芯片之间的间隔扩展。当将各器件芯片之间的间隔扩展时,在之后对被加工物单元进行搬运等时,各器件芯片不容易相互接触,从而抑制该器件芯片的损伤。
不过,当解除扩展片的扩展时,在扩展片上产生松弛,因此实施如下被称为热收缩的工序:对产生松弛的扩展片进行加热而使其热收缩(例如参照专利文献1和专利文献2)。当使扩展片收缩时,扩展片的松弛减小,从而维持各器件芯片之间的间隔。
专利文献1:日本特开2010-206136号公报
专利文献2:日本特开2011-100920号公报
以往,将多个被加工物单元的扩展片一个一个地扩展,在使所扩展的扩展片收缩时,每次实施扩展片的加热时均重复进行加热单元的动作和停止。在该情况下,在实施了某个被加工物单元的扩展片的收缩之后直至要实施下一个被加工物单元的扩展片的收缩为止的期间,加热单元的温度下降。
在加热单元的温度未达到规定的温度的情况下,无法以规定的程度适当地实施扩展片的收缩。因此,在实施扩展片的收缩时,需要使加热单元进行动作而等待至加热单元的温度达到规定的温度为止。在一个一个地实施扩展片的扩展的情况下,由于直至实施扩展片的收缩为止的等待时间所导致的处理效率降低的问题显著,期望进行改善。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供扩展装置和扩展方法,能够高效率地实施扩展片的收缩。
根据本发明的一个方式,提供扩展装置,其对被加工物单元的扩展片进行扩展,该被加工物单元包含被加工物、粘贴于该被加工物的该扩展片以及供该扩展片的外周侧粘贴的环状框架,其特征在于,该扩展装置具有:框架保持单元,其能够对该被加工物单元的该环状框架进行保持;扩展单元,其能够对具有被该框架保持单元保持的该环状框架的该被加工物单元中所包含的该扩展片进行扩展;以及片收缩单元,其对具有被该框架保持单元保持的该环状框架的该被加工物单元中所包含的该扩展片的位于该被加工物的外周与该环状框架的内周缘之间的区域进行加热而使该扩展片的该区域收缩,从而减小通过该扩展单元进行扩展而产生了松弛的该扩展片的该松弛,该片收缩单元包含:热风喷出口,其与该扩展片面对;空气提供路,其一端与该热风喷出口连通,并且另一端与空气提供源连接;加热单元,其对该空气提供路的内部进行加热,由此对从该空气提供源提供的空气进行加热;阀,其对来自该空气提供源的空气的提供和阻断进行控制;以及开关,其对该加热单元的加热和加热的停止进行切换,该片收缩单元将该阀打开而从该空气提供源向该空气提供路提供该空气,在该空气提供路中利用该加热单元对该空气进行加热,由此能够从该热风喷出口喷射已加热的该空气,该片收缩单元将该阀关闭而阻断从该空气提供源向该空气提供路提供空气,由此能够不使该加热单元停止而停止从该热风喷出口喷射已加热的该空气。
根据本发明的另一方式,提供扩展方法,将多个被加工物单元的扩展片一个一个地扩展,该多个被加工物单元分别包含被加工物、粘贴于该被加工物的该扩展片以及供该扩展片的外周侧粘贴的环状框架,其特征在于,该扩展方法具有如下的步骤:扩展步骤,对该环状框架进行保持而对该扩展片进行扩展;以及片收缩步骤,在实施了该扩展步骤之后,向该扩展片的位于该被加工物的外周与该环状框架的内周缘之间的区域喷射通过加热单元进行了加热的空气,使该扩展片的该区域收缩,从而减小在该扩展步骤中产生的该扩展片的松弛,在对多个被加工物单元一个一个地实施该扩展步骤和该片收缩步骤的期间,不使该加热单元的动作停止,该片收缩步骤通过开始该空气的喷射而开始,通过停止该空气的喷射而结束。
在本发明的一个方式的扩展装置和扩展方法中,利用加热单元对空气进行加热,喷射已加热的空气而对扩展片进行加热。并且,在未实施扩展片的收缩的期间不停止加热单元而使空气的喷射停止。因此,在不实施扩展片的加热的期间,加热单元的温度也不降低。
在该情况下,在实施扩展片的加热时,无需等待至加热单元的温度达到规定的温度为止。在本发明的一个方式的扩展装置和扩展方法中,能够在短时间内实施被加工物单元的扩展片的扩展和收缩,因此能够提高处理效率。
因此,根据本发明,提供能够高效率地实施扩展片的收缩的扩展装置和扩展方法。
附图说明
图1是示意性示出扩展装置的一例的立体图。
图2是示意性示出搬入有被加工物单元的扩展装置的剖视图。
图3是示意性示出固定有扩展片的状态的扩展装置的剖视图。
图4是示意性示出实施扩展片的扩展的扩展装置的剖视图。
图5是示意性示出实施产生了松弛的扩展片的加热的扩展装置的剖视图。
标号说明
1:被加工物;3:改质层;5:器件;7:扩展片;7a:DAF(芯片贴装膜);9:框架;11:被加工物单元;13:分割槽;15:器件芯片;2:扩展装置;4:框架保持单元;6:框架支承部;6a、8a:开口;8:框架按压部;10、26:气缸;12、28:杆;14:扩展单元;16:保持工作台;18:吸引路;20:吸引口;22、42:开闭阀;24:吸引源;30:片收缩单元;32:杆;32a、34a:空气提供管;34:支承板;36:加热单元;38:空气提供路;38a:热风喷出口;40:空气提供源;44:盘管式加热器;46:开关;48:旋转电动机;50:旋转轴;52:遮板;52a:开口。
具体实施方式
参照附图,对本发明的实施方式进行说明。在本实施方式的扩展装置和扩展方法中,对被加工物、扩展片以及环状框架一体化的被加工物单元的扩展片进行扩展。在图2等中示出被加工物单元11的剖面。
被加工物单元11所具有的扩展片7例如包含由氯乙烯或聚烯烃等制成的基材层以及支承于该基材层的糊料层。扩展片7的一个面的中央区域粘贴于被加工物1。另外,扩展片7的外周部粘贴于具有开口的环状框架9的内周部。
被加工物1例如是由硅、SiC(碳化硅)或其他半导体等材料制成的晶片,或者是由蓝宝石、玻璃、石英等材料制成的大致圆板状的基板。被加工物1的正面由相互交叉的多条分割预定线(间隔道)划分成多个区域,在所划分的各区域内形成有IC(Integratedcircuit,集成电路)等器件5。当沿着该分割预定线将被加工物1分割时,能够形成各个器件芯片。
在被加工物1的内部沿着该分割预定线形成有作为分割起点的改质层3。例如可以通过将对于被加工物1具有透过性的波长(能够透过被加工物1的波长)的激光束沿着分割预定线会聚至被加工物1的内部而形成改质层3。
当对沿着分割预定线在内部形成有改质层3的被加工物1施加朝向径向外侧的力时,产生从改质层3到被加工物1的上下表面的裂纹,将被加工物1分割而形成各个器件芯片15(参照图4等)。然后,为了容易从扩展片7拾取各个器件芯片15,将扩展片7进一步扩展,从而将器件芯片15间的间隔扩展。
另外,也可以在被加工物1上预先设置DAF(芯片贴装膜)。DAF是作为将器件芯片15安装于规定的安装对象时的粘接剂发挥功能的膜。该扩展装置能够将设置有DAF的被加工物1连同DAF一起分割。在该情况下,形成设置有DAF的器件芯片15。
使用图1至图5对本实施方式的扩展装置进行说明。在图1中示意性示出扩展装置2的立体图,在图2中示意性示出搬入有被加工物单元11的该扩展装置2的剖视图。
扩展装置2具有:框架保持单元4,其对被加工物单元11的环状框架9进行固定;以及扩展单元14,其能够对被加工物单元11的扩展片7进行扩展。另外,扩展装置2具有片收缩单元30,该片收缩单元30对进行扩展而产生了松弛的扩展片7进行加热而使其收缩,从而减小该松弛。以下,对扩展装置2的各构成要素进行详细叙述。
框架保持单元4具有能够对被加工物单元11的环状框架9进行支承的框架支承部6。框架支承部6是上表面平坦的环状的部件,在中央具有直径与环状框架9的开口的直径对应的开口6a。在框架支承部6的下表面上连接有多个杆12的上端,该杆12的下端分别收纳于气缸10等升降机构中。通过使气缸10进行动作而使杆12升降,能够使框架支承部6升降。
框架保持单元4还具有能够与框架支承部6一起夹持环状框架9的环状的框架按压部8。框架按压部8是环状的部件,其在中央具有与框架支承部6的开口6a相同直径的开口8a,下表面平坦。
当使载置有环状框架9的框架支承部6上升而使该环状框架9与框架按压部8的下表面接触时,环状框架9被框架支承部6和框架按压部8夹持而保持。框架按压部8能够利用牢固的力把持环状框架9,以便所固定的环状框架9不产生位置偏移。
另外,可以在框架按压部8上设置能够向框架保持单元4所保持的被加工物单元11提供冷风的冷却机构。当在对扩展片7进行扩展时预先通过该冷却机构对扩展片7进行冷却时,能够使扩展片7硬化。
当在扩展片7未硬化的情况下对扩展片7进行扩展时,扩展片7仅仅在被加工物1的外周与环状框架9的内周缘之间的区域伸展,不容易向被加工物1适当地作用朝向径向外侧的力。因此,当将扩展片7通过该冷却机构冷却而硬化时,扩展片7变得不容易伸展,利用接下来说明的扩展单元14对扩展片7进行扩展而向被加工物1适当地作用该力,从而能够将被加工物1分割。
扩展单元14能够对具有被框架保持单元4保持的环状框架9的被加工物单元11中所包含的扩展片7进行扩展。扩展单元14具有收纳于框架保持单元4的框架支承部6的开口6a中的保持工作台16。在保持工作台16的上表面上隔着在具有框架保持单元4所固定的环状框架9的被加工物单元11中包含的扩展片7而载置有被加工物1。
保持工作台16能够隔着扩展片7而吸引保持被加工物1。在保持工作台16的上表面上形成有多个吸引口20,在保持工作台16的内部形成有与各个吸引口20连接的吸引路18。并且,吸引路18与配设在保持工作台16的外部的吸引源24连接。
在吸引路18与吸引源24之间设置有开闭阀(阀)22。当将开闭阀22打开时,能够将吸引源24所产生的负压经由吸引路18和吸引口20而作用于载置在保持工作台16的上表面的被保持物。即,吸引路18、吸引口20、开闭阀22以及吸引源24等作为隔着扩展片7而吸引保持被加工物1的保持机构发挥功能。
在保持工作台16的下表面上连接有多个杆28的上端,该杆28的下端分别收纳于气缸26等升降机构中。通过使气缸26进行动作而使杆28升降,从而能够使保持工作台16升降。当在将环状框架9固定于框架保持单元4的状态下使保持工作台16上升时,将粘贴于环状框架9的扩展片7向径向外侧扩展。
片收缩单元30对进行扩展而产生了松弛的扩展片7的环状框架9的内周缘与被加工物1的外周缘之间的区域进行加热而使其收缩,从而减小扩展片7的松弛。片收缩单元30具有:杆32,其从上方支承该片收缩单元30的各构成要素;圆板状的支承板34,其与该杆32的下端连接;以及多个加热单元36,它们设置于支承板34的外周部下表面上。
加热单元36具有对空气进行加热并使已加热的该空气向下方喷出的功能。在图2中示出加热单元36的剖面。加热单元36具有空气提供路38,该空气提供路38具有沿着铅垂方向的圆筒状的壳体。
在空气提供路38的上端通过设置于支承板34的内部的空气提供管34a和设置于杆32的内部的空气提供管32a而连接有空气提供源40。在空气提供路38与空气提供源40之间设置有开闭阀(阀)42,当将开闭阀42打开时,能够从空气提供源40向空气提供路38提供空气。
在空气提供路38的内部设置有盘管式加热器44作为对从空气提供源40提供的空气进行加热的热源。并且,在空气提供路38的下表面上设置有热风喷出口38a。盘管式加热器44与电源和开关46连接,当将开关46打开而在盘管式加热器44中流通电流时,从该盘管式加热器44产生热而对从空气提供源40提供的空气进行加热。
当在盘管式加热器44发热的状态下将开闭阀42打开时,通过盘管式加热器44加热后的空气(热风)从该热风喷出口38a向下方喷出。另外,在本实施方式的扩展装置2中,使开关46始终打开。并且,通过对开闭阀42的开闭进行控制而控制从该加热单元36向扩展片7提供的加热空气的开始和停止。
例如在开始扩展装置2的运转时打开开关46,在对多个被加工物单元11的扩展片7进行扩展后结束扩展装置2的运转时关闭开关46。因此,从热风喷出口38a稳定地喷出加热至规定的温度以上的空气。
片收缩单元30在支承板34的中央下表面上具有旋转电动机48,在该旋转电动机48上安装有沿着铅垂方向的旋转轴50的上端。在旋转轴50的下端连接有圆板状的遮板52。圆板状的遮板52的直径比框架保持单元4的框架按压部8的开口8a的直径略小。框架按压部8可以在将遮板52收纳于该开口8a的状态下相对于遮板52相对地升降。
遮板52以与支承板34中的多个加热单元36的配置对应的配置具有多个开口52a(参照图1和图5)。例如支承板34在距离该支承板34的下表面的中心的径向长度为规定的径向长度的多个等间隔排列的固定位置分别具有加热单元36。并且,遮板52在距离该遮板52的中心的径向长度为该规定的径向长度的多个等间隔排列的位置上,按照与该加热单元36的数量相同的数量具有开口52a。
遮板52具有防止来自加热单元36的热不必要地传递至被加工物单元11的功能。在希望将从加热单元36向被加工物单元11的热传递阻断的情况下,使旋转电动机48进行动作而使旋转轴50旋转,从而使遮板52旋转而使各加热单元36的位置与各开口52a的位置错开。
另外,在通过片收缩单元30使被加工物单元11的产生了松弛的扩展片7收缩时,使遮板52旋转而使各开口52a的位置对齐在各加热单元36的位置。并且,通过加热单元36的空气提供路38的热风喷出口38a和遮板52的开口52a而将已加热的空气提供给扩展片7。
另外,遮板52的方式不限于此。例如遮板52可以具有能够使各开口52a分别开闭的开闭机构。在该情况下,片收缩单元30无需具有使遮板52旋转的旋转电动机48。另外,各加热单元36可以在空气提供路38的热风喷出口38a的下方分别具有遮板,该遮板具有开闭机构。
在片收缩单元30的杆32的上端连接有未图示的旋转电动机。当一边通过加热单元36向扩展片7提供已加热的空气一边使该旋转电动机进行动作时,沿着整个圆周对进行扩展而产生了松弛的扩展片7的被加工物1和环状框架9的内周缘之间的区域进行加热。并且,扩展片7收缩而松弛减小。
当在完成扩展片7的收缩之后将开闭阀42关闭而停止从空气提供源40向空气提供路38提供空气时,能够停止向扩展片7提供已加热的空气。此时,无需将开关46关闭而停止在盘管式加热器44中流通的电流。
另外,使旋转电动机48进行动作而使旋转轴50旋转,从而使遮板52旋转而使各加热单元36的位置和各开口52a的位置错开。在该情况下,成为遮板52进入到空气提供路38与扩展片7之间的状态,因此更可靠地遮蔽向扩展片7的热的传递。
片收缩单元30将开闭阀42(阀)打开而从空气提供源40向空气提供路38提供空气,并在该空气提供路38中利用该加热单元36对该空气进行加热,从而能够从热风喷出口38a喷射已加热的该空气。另外,片收缩单元30将该阀关闭而阻断从空气提供源40向空气提供路38提供空气,从而能够不停止加热单元36的盘管式加热器44而停止从热风喷出口38a喷射已加热的该空气。
以往,将多个被加工物单元11的扩展片7一个一个地扩展,在使已扩展的扩展片7收缩时,每次实施扩展片7的加热时,均重复进行加热单元36的动作和停止。在该情况下,在实施了某个被加工物单元11的扩展片7的收缩之后直至要实施下一个被加工物单元11的扩展片7的收缩为止的期间,加热单元36的温度下降。
在加热单元36的温度未达到规定的温度的情况下,无法以规定的程度均匀地实施扩展片7的收缩。因此,在实施扩展片7的收缩时,需要在使加热单元36进行动作之后等待至加热单元36的温度达到规定的温度为止。
与此相对,在本实施方式的扩展装置2中,在实施了扩展片7的收缩之后,即使在将盘管式加热器44的开关46打开的状态下也能够停止扩展片7的加热。并且,在将新的被加工物单元11搬入至扩展装置2,使扩展片7扩展并使该扩展片7收缩的期间,盘管式加热器44以规定的输出持续发热。并且,通过将开闭阀42打开而能够向该扩展片7提供已加热的空气。
因此,在未实施扩展片7的收缩的期间,盘管式加热器44的温度也不下降,因此无需等待盘管式加热器44的温度上升至规定的温度而能够开始扩展片7的收缩。由此,根据本实施方式的扩展装置2,能够在短时间内实施被加工物单元11的扩展片7的扩展和收缩,因此能够提高处理效率。
不过,在本实施方式的扩展装置2中,也可以具有在未实施扩展片7的收缩的期间使盘管式加热器44的开关46关闭的时间。在该情况下,考虑从将开关46打开起直至盘管式加热器44上升至规定的温度为止所需的时间,在实施扩展片7的收缩之前,确保该时间而将开关46切换成打开。
接着,对本实施方式的扩展方法进行说明。该扩展方法例如在扩展装置2中实施。以下,以利用扩展装置2实施的情况为例而对本实施方式的扩展方法进行说明。在该扩展方法中,将分别包含被加工物1、粘贴于该被加工物1的扩展片7以及粘贴有该扩展片7的外周侧的环状框架9的多个被加工物单元11的该扩展片7一个一个地扩展。
首先,在本实施方式的扩展方法中,可以实施将被加工物单元11搬入至扩展装置2的搬入步骤。在图2中示意性示出搬入至扩展装置2的状态的被加工物单元11和该扩展装置2。另外,在图2及图2以后的各图中,示出扩展装置2等的一部分的构成要素的剖视图。
在搬入被加工物单元11时,如图2所示,将被加工物单元11的环状框架9载置于框架保持单元4的框架支承部6上,在保持工作台16上隔着扩展片7而载置被加工物1。
接着,实施对被加工物单元11的环状框架9进行保持而对扩展片7进行扩展的扩展步骤。图3是示意性示出扩展步骤的剖视图。在对扩展片7进行扩展时,首先使气缸10进行动作而使杆12上升,从而使框架支承部6上升,直至环状框架9与上方的框架按压部8抵接为止。在该情况下,通过框架支承部6和框架按压部8夹持被加工物单元11的环状框架9而保持。
接着,将扩展片7向径向外侧扩展。在图4中示出对扩展片7进行扩展的扩展装置2和已扩展的扩展片7的剖视图。在将扩展片7向径向外侧扩展时,使扩展单元14的气缸26进行动作而使杆28上升,从而使保持工作台16上升。
在该情况下,对扩展片7进行扩展而向被加工物1作用朝向径向外侧的力,从改质层3起沿上下方向产生裂纹,以该改质层3为起点而将被加工物1分割。当将被加工物1分割时,形成分别具有器件5的各个器件芯片15。器件芯片15继续保持于扩展片7。
另外,扩展装置2可以具有通过冷风对被加工物单元11进行冷却的冷却机构,在对扩展片7进行扩展时,可以通过该冷却机构预先在扩展装置2的内部对被加工物单元11进行冷却。当对扩展片7进行冷却时,扩展片7变硬,在将扩展片7向径向外侧扩展时,容易向被加工物1适当地作用扩展所带来的力。并且,在对扩展片7进行扩展之后,停止扩展片7等的冷却。
另外,也可以在扩展装置2的保持工作台16上设置冷却机构。在被加工物1上配设有DAF的情况等,可以根据需要使安装于保持工作台16的该冷却机构进行动作而隔着扩展片7对被加工物1进行冷却。当对被加工物1进行冷却时,能够抑制DAF的伸展,因此容易将DAF与被加工物1一起分割。
然后,在解除扩展片7的扩展时,使气缸26进行动作而使杆28下降,从而使保持工作台16下降。这里,在对扩展片7进行扩展后且在解除扩展片7的扩展前,预先将开闭阀22打开。并且,将吸引源24所产生的负压经由吸引路18和吸引口20而作用于被加工物单元11的扩展片7和被加工物1,从而在保持工作台16上保持扩展片7等。
当解除扩展片7的扩展时,在扩展片7上产生松弛。此时,扩展片7的与被加工物1重叠的区域通过保持工作台16的保持机构进行固定,因此如图5所示,松弛集中于扩展片7的被加工物1的外周与环状框架9的内周缘之间的区域。
因此,为了减小该松弛,接着实施对扩展片7进行加热而使其收缩的片收缩步骤。通过加热而使扩展片7收缩的处理也被称为热收缩。在图5中示出解除扩展片7的扩展并进行加热的扩展装置2和该扩展片7的剖视图。
在片收缩步骤中,使旋转电动机48进行动作而使遮板52旋转,使开口52a移动至加热单元36的下方。并且,将开闭阀42(阀)打开而从空气提供源40向空气提供路38提供空气。另外,开关46是预先打开的,盘管式加热器44预先被加热至规定的温度。开关46例如在扩展装置2的启动的同时打开。
当向空气提供路38提供该空气时,该空气被盘管式加热器44加热。并且,在空气提供路38的内部被加热的空气通过空气提供路38的热风喷出口38a和遮板的开口52a而喷射至产生了松弛的扩展片7的该区域。接着,当使杆32旋转时,沿着整个区域对扩展片7的该区域进行加热,将松弛去除。
另外,在使扩展装置2运转的期间,开关46始终打开,通过对开闭阀42的开闭进行控制而切换已加热的空气的喷射和停止。片收缩步骤通过开始该空气的喷射而开始,通过停止该空气的喷射而结束。
在将开关46打开之后直至盘管式加热器44达到规定的温度为止需要一定的时间,但当将开关46始终打开时,无需等待盘管式加热器44的温度的上升。因此,不切换开关46的打开和关闭而控制开闭阀42的开闭,从而能够控制片收缩步骤的开始和停止。
当对扩展片7的该区域喷射该已加热的空气而进行加热时,扩展片7的该区域发生收缩,从而能够减小在该扩展步骤中产生的该扩展片7的松弛。在该情况下,在停止保持工作台16的保持机构的运转而解除扩展片7的吸引时,在与被加工物1重叠的区域中,扩展片7维持被扩展的状态。
当减小扩展片7的松弛时,确保器件芯片15之间的间隔较宽,因此在之后对被加工物单元11进行搬运等时,相邻的器件芯片15不容易相互接触,抑制器件芯片15的损伤。在实施了片收缩步骤之后,将被加工物单元11搬出至扩展装置2的外部,从扩展片7上拾取各个器件芯片15。
从外部向扩展装置2搬入新的被加工物单元11。并且,在该扩展装置2中,对该被加工物单元11实施扩展步骤和片收缩步骤。这样,在本实施方式的扩展方法中,对多个被加工物单元11一个一个实施该扩展步骤和该片收缩步骤。
这里,在对多个被加工物单元11一个一个地实施该扩展步骤和该松弛去除步骤的期间,不使加热单元36的动作停止。该片收缩步骤通过将开闭阀42(阀)打开来开始该空气的喷射而开始,通过将开闭阀42(阀)关闭来停止该空气的喷射而结束。
因此,在未实施扩展片7的收缩的期间,盘管式加热器44的温度也不降低,因此无需等待盘管式加热器44的温度上升至规定的温度而能够开始扩展片7的片收缩步骤。由此,根据本实施方式的扩展方法,能够在短时间内实施被加工物单元11的扩展片7的扩展和收缩,因此能够提高处理效率。
另外,本发明不限于上述实施方式的记载,可以进行各种变更并实施。例如在上述实施方式中,对如下的情况进行了说明:在对扩展片7进行扩展时,在环状框架9被框架支承部6和框架按压部8夹持的状态下使保持工作台16上升。但是,本发明的一个方式不限于此。
例如扩展装置2可以具有如下的扩展机构:该扩展机构通过从上方将按照封住环状框架9的开口的方式粘贴的扩展片7的该环状框架9的内侧的区域压低而对该扩展片7进行扩展。在该情况下,按照扩展片7的粘贴有被加工物1的面朝向下方的方式调整被加工物单元11的朝向而将被加工物单元11搬入至扩展装置2。
上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围,则可以适当变更并实施。

Claims (2)

1.一种扩展装置,其对被加工物单元的扩展片进行扩展,该被加工物单元包含被加工物、粘贴于该被加工物的该扩展片以及供该扩展片的外周侧粘贴的环状框架,其特征在于,
该扩展装置具有:
框架保持单元,其能够对该被加工物单元的该环状框架进行保持;
扩展单元,其能够对具有被该框架保持单元保持的该环状框架的该被加工物单元中所包含的该扩展片进行扩展;以及
片收缩单元,其对具有被该框架保持单元保持的该环状框架的该被加工物单元中所包含的该扩展片的位于该被加工物的外周与该环状框架的内周缘之间的区域进行加热而使该扩展片的该区域收缩,从而减小通过该扩展单元进行扩展而产生了松弛的该扩展片的该松弛,
该片收缩单元包含:
热风喷出口,其与该扩展片面对;
空气提供路,其一端与该热风喷出口连通,并且另一端与空气提供源连接;
加热单元,其对该空气提供路的内部进行加热,由此对从该空气提供源提供的空气进行加热;
阀,其对来自该空气提供源的空气的提供和阻断进行控制;以及
开关,其对该加热单元的加热和加热的停止进行切换,
该片收缩单元将该阀打开而从该空气提供源向该空气提供路提供该空气,在该空气提供路中利用该加热单元对该空气进行加热,由此能够从该热风喷出口喷射已加热的该空气,
该片收缩单元将该阀关闭而阻断从该空气提供源向该空气提供路提供空气,由此能够不使该加热单元停止而停止从该热风喷出口喷射已加热的该空气。
2.一种扩展方法,将多个被加工物单元的扩展片一个一个地扩展,该多个被加工物单元分别包含被加工物、粘贴于该被加工物的该扩展片以及供该扩展片的外周侧粘贴的环状框架,其特征在于,
该扩展方法具有如下的步骤:
扩展步骤,对该环状框架进行保持而对该扩展片进行扩展;以及
片收缩步骤,在实施了该扩展步骤之后,向该扩展片的位于该被加工物的外周与该环状框架的内周缘之间的区域喷射通过加热单元进行了加热的空气,使该扩展片的该区域收缩,从而减小在该扩展步骤中产生的该扩展片的松弛,
在对多个被加工物单元一个一个地实施该扩展步骤和该片收缩步骤的期间,不使该加热单元的动作停止,
该片收缩步骤通过开始该空气的喷射而开始,通过停止该空气的喷射而结束。
CN202010273122.3A 2019-04-15 2020-04-09 扩展装置、扩展方法 Pending CN111834274A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-077153 2019-04-15
JP2019077153A JP7362202B2 (ja) 2019-04-15 2019-04-15 エキスパンド装置、エキスパンド方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111834274A true CN111834274A (zh) 2020-10-27

Family

ID=72913575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010273122.3A Pending CN111834274A (zh) 2019-04-15 2020-04-09 扩展装置、扩展方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7362202B2 (zh)
KR (1) KR20200121229A (zh)
CN (1) CN111834274A (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4647831B2 (ja) 2001-05-10 2011-03-09 株式会社ディスコ 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置
JP4647830B2 (ja) 2001-05-10 2011-03-09 株式会社ディスコ 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置
JP5021553B2 (ja) 2008-04-23 2012-09-12 リンテック株式会社 シート貼付装置及び貼付方法
JP5791866B2 (ja) 2009-03-06 2015-10-07 株式会社ディスコ ワーク分割装置
JP5409280B2 (ja) 2009-11-09 2014-02-05 株式会社ディスコ チップ間隔拡張方法
JP6966892B2 (ja) 2017-08-03 2021-11-17 株式会社ディスコ 分割装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202107592A (zh) 2021-02-16
JP7362202B2 (ja) 2023-10-17
KR20200121229A (ko) 2020-10-23
JP2020177951A (ja) 2020-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI657727B (zh) Wafer interval maintaining device
JP4288392B2 (ja) エキスパンド方法
CN109599352B (zh) 带扩展装置和带扩展方法
JP2006179693A (ja) ヒータ付き静電チャック
JP2010206136A (ja) ワーク分割装置
CN108987270B (zh) 扩展方法和扩展装置
TWI781256B (zh) 晶圓分割方法以及晶圓分割裝置
KR20190074961A (ko) 분할 장치
CN111834274A (zh) 扩展装置、扩展方法
TWI834864B (zh) 擴展裝置、擴展方法
TW202030832A (zh) 擴展裝置
KR20210020766A (ko) 익스펜드 장치
JP7154687B2 (ja) テープ拡張装置
JP6800524B2 (ja) チップ間隔維持方法
WO2020057109A1 (zh) 真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统及方法
TW202008442A (zh) 晶圓的加工方法
TW201935539A (zh) 分割裝置及分割方法
JP7401183B2 (ja) ウェーハの加工方法
JPH11168131A (ja) ウエハ搬送チャック
CN110943039A (zh) 晶片的加工方法
KR20190092926A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JPH07326584A (ja) 処理装置
JP3222318U (ja) 分割装置
JP7170208B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
KR102472950B1 (ko) 냉각/가열 복합 장치, 이를 구비하는 접착 필름 절단 어셈블리 및 접착 필름 절단 장비

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination