TW202107592A - 擴展裝置、擴展方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 高效率實施擴展薄片的收縮。 [解決手段] 本發明之擴展裝置係將包含:被加工物、被貼著在該被加工物的擴展薄片、及貼著該擴展薄片的外周側的環狀框架的被加工物單元的該擴展薄片進行擴張的擴展裝置,其具備:可將擴展薄片進行擴張的擴張單元;及將擴展薄片加熱且使其收縮的薄片收縮單元,該薄片收縮單元係包含:熱風噴出口;空氣供給路;將該空氣供給路的內部加熱的加熱單元;及控制來自空氣供給源的空氣的供給與遮斷的閥,該薄片收縮單元係可打開該閥而對該空氣供給路供給該空氣,由該熱風噴出口噴射經加熱的該空氣,該薄片收縮單元係藉由關閉該閥,無須停止該加熱單元,即可停止由該熱風噴出口噴射經加熱的該空氣。

Description

擴展裝置、擴展方法
本發明係關於將外周側被貼著在環狀框架的擴展薄片進行擴張的擴展裝置、及擴展方法。
在圓板狀的晶圓的表面設定複數彼此交叉的分割預定線(亦被稱為切割道(street)),若在以分割預定線被區劃的各區域形成元件之後,沿著分割預定線將晶圓分割,可形成各個的元件晶片。所形成的元件晶片係被裝載在電子機器等來使用。
晶圓的分割係例如使用雷射加工裝置來實施。例如,將對晶圓具透過性的波長的雷射射束沿著分割預定線聚光在該晶圓的內部,沿著分割預定線形成成為分割起點的改質層。
在晶圓的背面側係預先貼著被稱為擴展薄片的薄片。在擴展薄片的外周側係黏貼以金屬等所形成的環狀框架。接著,若在該擴展薄片貼著晶圓,形成晶圓、擴展薄片、及環狀框架成為一體的被加工物單元。
若在沿著分割預定線而在晶圓的內部形成有改質層的狀態下將擴展薄片朝徑向外側擴張,以該改質層為起點而使晶圓破斷而形成元件晶片,各元件晶片的間隔被更加加寬。若各元件晶片的間隔被加寬,之後搬運被加工物單元時,各元件晶片彼此不易接觸,抑制該元件晶片損傷。
但是,若解除擴展薄片擴張,由於在擴展薄片產生鬆弛,因此實施將已產生鬆弛的擴展薄片加熱而作熱收縮之被稱為熱收縮(Heat Shrink)的工程(參照例如專利文獻1及專利文獻2)。若使擴展薄片收縮,擴展薄片的鬆弛減低,維持各元件晶片的間隔。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2010-206136號公報 [專利文獻2] 日本特開2011-100920號公報
(發明所欲解決之問題)
以往當將複數被加工物單元的擴展薄片接連地擴張,且使經擴張的擴展薄片收縮時,每逢實施擴展薄片加熱,即反覆加熱單元的作動與停止。此時,在實施某被加工物單元的擴展薄片的收縮之後,在至實施接下來的被加工物單元的擴展薄片的收縮為止的期間,加熱單元的溫度下降。
若加熱單元的溫度未達預定的溫度,無法以預定的程度適當實施擴展薄片的收縮。因此,實施擴展薄片的收縮時,必須使加熱單元作動而待機至加熱單元的溫度達至預定的溫度為止。若接連地實施擴展薄片的擴張,因至實施擴展薄片的收縮為止的待機時間所致之處理效率降低的問題明顯,迫切希望改善。
本發明係鑑於該問題點而完成者,其目的在提供可高效率實施擴展薄片的收縮的擴展裝置及擴展方法。 (解決問題之技術手段)
藉由本發明之一態樣,提供一種擴展裝置,其係將包含:被加工物、被貼著在該被加工物的擴展薄片、及貼著該擴展薄片的外周側的環狀框架的被加工物單元的該擴展薄片進行擴張的擴展裝置,其特徵為:具備:框架保持單元,其係可保持該被加工物單元的該環狀框架;擴張單元,其係可將具有被保持在該框架保持單元的該環狀框架的該被加工物單元所包含的該擴展薄片進行擴張;及薄片收縮單元,其係藉由將具有被保持在該框架保持單元的該環狀框架的該被加工物單元所包含的該擴展薄片的該被加工物的外周、與該環狀框架的內周緣之間的區域加熱且使其收縮,減低藉由該擴張單元被擴張且產生鬆弛的該擴展薄片的該鬆弛,該薄片收縮單元係包含:熱風噴出口,其係與該擴展薄片相對面;空氣供給路,其係其中一端連通於該熱風噴出口,並且另一端連接於空氣供給源;加熱單元,其係藉由將該空氣供給路的內部加熱,將由該空氣供給源被供給的空氣加熱;閥,其係控制來自該空氣供給源的空氣的供給與遮斷;及開關,其係切換該加熱單元的加熱、與加熱的停止,該薄片收縮單元係打開該閥而由該空氣供給源對該空氣供給路供給該空氣,在該空氣供給路中將該空氣以該加熱單元加熱,藉此可由該熱風噴出口噴射經加熱的該空氣,該薄片收縮單元係藉由關閉該閥而遮斷由該空氣供給源對該空氣供給路供給空氣,無須停止該加熱單元,即可停止由該熱風噴出口噴射經加熱的該空氣。
藉由本發明之其他一態樣,提供一種擴展方法,其係將分別包含:被加工物、被貼著在該被加工物的擴展薄片、及貼著該擴展薄片的外周側的環狀框架的複數被加工物單元的該擴展薄片接連地擴張的擴展方法,其特徵為:具備:擴張步驟,其係保持該環狀框架,且將該擴展薄片進行擴張;及薄片收縮步驟,其係在實施該擴張步驟後,在該擴展薄片的該被加工物的外周、與該環狀框架的內周緣之間的區域噴射藉由加熱單元被加熱的空氣,使該擴展薄片的該區域收縮,減低在該擴張步驟中所生成的該擴展薄片的鬆弛,對複數被加工物單元,接連地實施該擴張步驟、與該薄片收縮步驟的期間,未使該加熱單元的作動停止,該薄片收縮步驟係藉由開始該空氣的噴射而開始,藉由停止該空氣的噴射而結束。 (發明之效果)
在本發明之一態樣之擴展裝置及擴展方法中,在加熱單元將空氣加熱,且使經加熱的空氣噴射而將擴展薄片加熱。接著,未實施擴展薄片的收縮的期間,加熱單元並未停止而使空氣的噴射停止。因此,即使在未實施擴展薄片的加熱的期間,加熱單元的溫度亦不會降低。
此時,實施擴展薄片的加熱時,不需要待機至加熱單元的溫度達至預定的溫度。在本發明之一態樣之擴展裝置及擴展方法中,由於可在短時間實施被加工物單元的擴展薄片的擴張與收縮,因此可提升處理效率。
因此,藉由本發明,提供可高效率實施擴展薄片的收縮的擴展裝置及擴展方法。
參照所附圖示,說明本發明之實施形態。在本實施形態之擴展裝置及擴展方法中,將被加工物、擴展薄片、及環狀框架被一體化的被加工物單元的擴展薄片擴張。在圖2等中顯示被加工物單元11的剖面。
被加工物單元11所具備的擴展薄片7係例如包含:由氯乙烯或聚烯烴等所成的基材層、及被支持在該基材層的糊層。擴展薄片7的其中一面的中央區域係被貼著在被加工物1。此外,擴展薄片7的外周部係被貼著在具備開口的環狀框架9的內周部。
被加工物1係例如由矽、SiC(矽碳化物)、或其他半導體等材料所成的晶圓、或由藍寶石、玻璃、石英等材料所成的大致圓板狀的基板。被加工物1的表面係以彼此交叉的複數分割預定線(切割道)被區劃成複數區域,在被區劃的各區域形成IC(Integrated circuit,積體電路)等元件5。若沿著該分割預定線分割被加工物1,可形成各個的元件晶片。
在被加工物1的內部係沿著該分割預定線形成有成為分割起點的改質層3。改質層3係可藉由例如將對被加工物1具透過性的波長(可透過被加工物1的波長)的雷射射束沿著分割預定線而聚光在被加工物1的內部來形成。
若對沿著分割預定線而在內部形成有改質層3的被加工物1施加朝向徑向外側之力,產生由改質層3至被加工物1的上下面的裂痕,被加工物1被分割而形成各個的元件晶片15(參照圖4等)。之後,為了輕易由擴展薄片7拾取各個的元件晶片15,擴展薄片7更加被擴張,元件晶片15間的間隔被加寬。
其中,在被加工物1亦可預先設有DAF(晶粒黏附膜)。DAF係將元件晶片15構裝在預定的構裝對象時作為接著劑發揮功能的膜。該擴展裝置係可按每個DAF將設有DAF的被加工物1分割。此時,形成設有DAF的元件晶片15。
使用圖1至圖5,說明本實施形態之擴展裝置。在圖1中模式顯示擴展裝置2的斜視圖,在圖2中模式顯示被搬入被加工物單元11的該擴展裝置2的剖面圖。
擴展裝置2係具備:固定被加工物單元11的環狀框架9的框架保持單元4、及可將被加工物單元11的擴展薄片7擴張的擴張單元14。此外,擴展裝置2係具備將被擴張而產生鬆弛的擴展薄片7加熱而使其作收縮來減低該鬆弛的薄片收縮單元30。以下詳述擴展裝置2的各構成要素。
框架保持單元4係具備可支持被加工物單元11的環狀框架9的框架支持部6。框架支持部6係上表面平坦的環狀構件,在中央具備對應環狀框架9的開口直徑的直徑的開口6a。在框架支持部6的下表面係連接有複數桿12的上端,該桿12的下端係分別收容在空氣汽缸10等升降機構。藉由使空氣汽缸10作動且使桿12作升降,可將框架支持部6作升降。
框架保持單元4係另外具備可連同框架支持部6一起夾持環狀框架9的環狀的框架按壓部8。框架按壓部8係在中央具備有與框架支持部6的開口6a為同等直徑的開口8a的環狀構件,下表面為平坦。
若使環狀框架9所載置的框架支持部6上升,且使該環狀框架9接觸框架按壓部8的下表面時,環狀框架9藉由框架支持部6及框架按壓部8予以夾持來保持。框架按壓部8係可以不會在所固定的環狀框架9發生位置偏移的方式,以強固之力把持環狀框架9。
其中,在框架按壓部8亦可設有可對藉由框架保持單元4被保持的被加工物單元11供給冷風的冷卻機構。若將擴展薄片7擴張時預先藉由該冷卻機構將擴展薄片7冷卻,可將擴展薄片7硬化。
若擴展薄片7未被硬化,將擴展薄片7擴張時,擴展薄片7僅在被加工物1的外周、與環狀框架9的內周緣之間的區域伸長,不易將朝向徑向外側之力適當地作用在被加工物1。因此,若將擴展薄片7藉由該冷卻機構冷卻而使其硬化,擴展薄片7不易伸長,以接著說明的擴張單元14將擴展薄片7擴張而適當地使該力作用在被加工物1,藉此可將被加工物1分割。
擴張單元14係可將具有以框架保持單元4所保持的環狀框架9的被加工物單元11所包含的擴展薄片7擴張。擴張單元14係具備收納在框架保持單元4的框架支持部6的開口6a的保持平台16。透過具有以框架保持單元4所固定的環狀框架9的被加工物單元11所包含的擴展薄片7,被加工物1被載置於保持平台16的上表面。
保持平台16係可透過擴展薄片7來吸引保持被加工物1。在保持平台16的上表面係形成有複數吸引口20,在保持平台16的內部係形成有連接於各個的吸引口20的吸引路18。接著,吸引路18係連接於被配設在保持平台16的外部的吸引源24。
在吸引路18與吸引源24之間設有開閉閥(閥(valve))22。若打開開閉閥22,可將因吸引源24所產生的負壓,透過吸引路18及吸引口20而作用於載置於保持平台16的上表面的被保持物。亦即,吸引路18、吸引口20、開閉閥22、及吸引源24等係作為透過擴展薄片7來吸引保持被加工物1的保持機構來發揮功能。
在保持平台16的下表面係連接有複數桿28的上端,該桿28的下端係分別被收容在空氣汽缸26等升降機構。使空氣汽缸26作動而使桿28作升降,藉此可將保持平台16作升降。若在使環狀框架9固定在框架保持單元4的狀態下使保持平台16上升,被貼著在環狀框架9的擴展薄片7朝徑向外側擴張。
薄片收縮單元30係將被擴張而產生鬆弛的擴展薄片7的環狀框架9的內周緣、與被加工物1的外周緣之間的區域加熱而使其作收縮,減低擴展薄片7的鬆弛。薄片收縮單元30係具備:由上方支持該薄片收縮單元30的各構成要素的桿32;連接於該桿32的下端的圓板狀的支持板34;及設在支持板34的外周部下表面的複數加熱單元36。
加熱單元36係具有將空氣加熱且使經加熱的該空氣噴出至下方的功能。在圖2中顯示加熱單元36的剖面。加熱單元36係具備沿著鉛直方向的圓筒狀框體的空氣供給路38。
在空氣供給路38的上端係透過設在支持板34的內部的空氣供給管34a、及設在桿32的內部的空氣供給管32a而連接有空氣供給源40。在空氣供給路38、與空氣供給源40之間設有開閉閥(閥(valve))42,若打開開閉閥42,可由空氣供給源40對空氣供給路38供給空氣。
在空氣供給路38的內部係設有線圈加熱器44,作為將由空氣供給源40被供給的空氣加熱的熱源。接著,在空氣供給路38的下表面係設有熱風噴出口38a。線圈加熱器44係連接於電源及開關46,若將開關46形成為ON而將電流流至線圈加熱器44時,由該線圈加熱器44生熱而將由空氣供給源40被供給的空氣加熱。
若在線圈加熱器44發熱的狀態下打開開閉閥42,藉由線圈加熱器44被加熱的空氣(熱風)由該熱風噴出口38a被噴出至下方。其中,在本實施形態之擴展裝置2中,係將開關46常時形成為ON。接著,藉由控制開閉閥42的開閉,來控制由該加熱單元36對擴展薄片7開始供給及停止供給經加熱的空氣。
例如,開關46係當開始擴展裝置2的運轉時被形成為ON,將複數被加工物單元11的擴展薄片7擴張之後,在結束擴展裝置2的運轉時被形成為OFF。因此,由熱風噴出口38a係安定地噴出被加熱至預定的溫度以上的空氣。
薄片收縮單元30係在支持板34的中央下表面具備旋轉馬達48,在該旋轉馬達48係裝設有沿著鉛直方向的旋轉軸50的上端。在旋轉軸50的下端係連接有圓板狀的擋板52。圓板狀的擋板52的直徑係稍微小於框架保持單元4的框架按壓部8的開口8a的直徑。框架按壓部8亦可在將擋板52收容在該開口8a的狀態下對擋板52作相對升降。
擋板52係在與支持板34中的複數加熱單元36的配置相對應的配置下具備複數開口52a(參照圖1及圖5)。例如,支持板34係在離該支持板34的下表面的中心的直徑成為預定的直徑之複數以等間隔排列的固定位置,分別具備加熱單元36。接著,擋板52係在離該擋板52的中心的直徑成為該預定的直徑之複數以等間隔排列的位置,以與該加熱單元36的數量相同的數量具備開口52a。
擋板52係具有防止來自加熱單元36的熱不必要地傳至被加工物單元11的功能。若欲遮斷由加熱單元36傳達熱至被加工物單元11,使旋轉馬達48作動而使旋轉軸50旋轉,藉此使擋板52旋轉,且將各加熱單元36的位置、與各開口52a的位置錯開。
此外,藉由薄片收縮單元30來使產生被加工物單元11的鬆弛的擴展薄片7收縮時,使擋板52旋轉而將各開口52a的位置對合在各加熱單元36的位置。接著,將透過加熱單元36的空氣供給路38的熱風噴出口38a、與擋板52的開口52a而被加熱的空氣供給至擴展薄片7。
其中,擋板52的態樣並非限定於此。例如,擋板52亦可具備可將各開口52a個別開閉的開閉機構。此時,薄片收縮單元30並不需要具備使擋板52旋轉的旋轉馬達48。此外,各加熱單元36亦可個別具備在空氣供給路38的熱風噴出口38a的下方具備開閉機構的擋板。
在薄片收縮單元30的桿32的上端連接有未圖示的旋轉馬達。若一邊將藉由加熱單元36被加熱的空氣供給至擴展薄片7一邊使該旋轉馬達作動,被擴張而產生鬆弛的擴展薄片7的被加工物1與環狀框架9的內周緣之間的區域遍及全周被加熱。接著,擴展薄片7收縮,鬆弛被減低。
擴展薄片7的收縮完成後,若關閉開閉閥42而使由空氣供給源40對空氣供給路38供給空氣停止時,可停止經加熱的空氣供給至擴展薄片7。此時,並不需要將開關46形成為OFF來使流至線圈加熱器44的電流停止。
此外,使旋轉馬達48作動而使旋轉軸50旋轉,藉此使擋板52旋轉,且將各加熱單元36的位置、與各開口52a的位置錯開。此時,由於形成為擋板52進入至空氣供給路38與擴展薄片7之間的狀態,因此更確實地遮蔽對擴展薄片7傳熱。
薄片收縮單元30係打開開閉閥42(閥(valve))而由空氣供給源40對空氣供給路38供給空氣,且在該空氣供給路38以該加熱單元36將該空氣加熱,藉此可噴射由熱風噴出口38a被加熱的該空氣。此外,薄片收縮單元30係關閉該閥而遮斷由空氣供給源40對空氣供給路38供給空氣,藉此無須停止加熱單元36的線圈加熱器44,即可停止由熱風噴出口38a噴射經加熱的該空氣。
以往,將複數被加工物單元11的擴展薄片7接連地擴張,且使經擴張的擴展薄片7收縮時,每逢實施擴展薄片7的加熱,即反覆加熱單元36的作動與停止。此時,實施某被加工物單元11的擴展薄片7的收縮後,在至實施接下來的被加工物單元11的擴展薄片7的收縮為止的期間,加熱單元36的溫度下降。
若加熱單元36的溫度未達至預定的溫度,無法以預定的程度均一地實施擴展薄片7的收縮。因此,實施擴展薄片7的收縮時,必須一邊使加熱單元36作動一邊待機至加熱單元36的溫度達至預定的溫度為止。
相對於此,在本實施形態之擴展裝置2中,係在實施擴展薄片7的收縮後,即使在保持將線圈加熱器44的開關46形成為ON的狀況下,亦可停止擴展薄片7的加熱。接著,將新的被加工物單元11搬入至擴展裝置2且使擴展薄片7擴張,在至使該擴展薄片7收縮為止的期間,線圈加熱器44係以預定的輸出持續發熱。接著,藉由打開開閉閥42,可對該擴展薄片7供給經加熱的空氣。
因此,不實施擴展薄片7的收縮的期間,線圈加熱器44的溫度亦不會下降,因此無須待機線圈加熱器44的溫度上升至預定的溫度,即可開始擴展薄片7的收縮。因此,藉由本實施形態之擴展裝置2,可以短時間實施被加工物單元11的擴展薄片7的擴張與收縮,因此可提升處理效率。
但是,在本實施形態之擴展裝置2中,亦可有在未實施擴展薄片7的收縮的期間,線圈加熱器44的開關46被形成為OFF的時間。此時,考慮從將開關46形成為ON之後,線圈加熱器44上升至預定的溫度為止所需時間,在實施擴展薄片7的收縮之前,確保該時間而將開關46切換成ON。
接著,說明本實施形態之擴展方法。該擴展方法係例如在擴展裝置2中予以實施。以下以在擴展裝置2予以實施的情形為例,說明本實施形態之擴展方法。在該擴展方法中,係將分別包含:被加工物1;被貼著在該被加工物1的擴展薄片7;及貼著該擴展薄片7的外周側的環狀框架9的複數被加工物單元11的該擴展薄片7接連地擴張。
首先,在本實施形態之擴展方法中,亦可實施將被加工物單元11搬入至擴展裝置2的搬入步驟。在圖2係模式顯示被搬入至擴展裝置2的狀態的被加工物單元11及該擴展裝置2。其中,在圖2以下的各圖中係顯示擴展裝置2等一部分構成要素的剖面圖。
搬入被加工物單元11時,如圖2所示,將被加工物單元11的環狀框架9載置於框架保持單元4的框架支持部6之上,透過擴展薄片7而將被加工物1載置於保持平台16之上。
接著,實施保持被加工物單元11的環狀框架9,且將擴展薄片7擴張的擴張步驟。在圖3係模式顯示擴張步驟的剖面圖。將擴展薄片7擴張時,首先,使空氣汽缸10作動而使桿12上升,且使框架支持部6上升至環狀框架9抵接於上方的框架按壓部8為止。此時,藉由框架支持部6、及框架按壓部8,夾持被加工物單元11的環狀框架9予以保持。
接著,將擴展薄片7朝徑向外側擴張。在圖4中顯示將擴展薄片7擴張的擴展裝置2、及所被擴張的擴展薄片7的剖面圖。將擴展薄片7朝徑向外側擴張時,使擴張單元14的空氣汽缸26作動而使桿28上升而使保持平台16上升。
此時,擴展薄片7被擴張而朝向徑向外側之力作用在被加工物1,由改質層3以上下方向產生裂痕,以該改質層3為起點而被加工物1被分割。若被加工物1被分割,形成分別具有元件5的各個的元件晶片15。元件晶片15係接著被保持在擴展薄片7。
其中,擴展裝置2亦可具備藉由冷風來冷卻被加工物單元11的冷卻機構,將擴展薄片7擴張時,亦可藉由該冷卻機構,預先在擴展裝置2的內部將被加工物單元11冷卻。若將擴展薄片7冷卻,擴展薄片7會變硬,將擴展薄片7朝徑向外側擴張時,可輕易地將因擴張所致之力適當地作用在被加工物1。接著,使擴展薄片7擴張後,係停止擴展薄片7等的冷卻。
此外,亦可在擴展裝置2的保持平台16亦設有冷卻機構。在被加工物1配設有DAF的情形等,亦可視需要使安裝在保持平台16的該冷卻機構作動,透過擴展薄片7而將被加工物1冷卻。若將被加工物1冷卻,可抑制DAF的伸長,因此容易連同被加工物1一起將DAF分割。
之後,解除擴展薄片7的擴張時,使空氣汽缸26作動而使桿28下降,且使保持平台16下降。在此,在將擴展薄片7擴張後、解除擴展薄片7的擴張之前,預先打開開閉閥22。接著,使因吸引源24所產生的負壓透過吸引路18及吸引口20而作用在被加工物單元11的擴展薄片7及被加工物1,且使保持平台16保持擴展薄片7等。
若解除擴展薄片7的擴張,在擴展薄片7產生鬆弛。此時,擴展薄片7之與被加工物1相重疊的區域係藉由保持平台16的保持機構予以固定,因此如圖5所示,鬆弛集中在擴展薄片7的被加工物1的外周、與環狀框架9的內周緣之間的區域。
因此,接著實施將擴展薄片7加熱而使其收縮的薄片收縮步驟,俾以減低該鬆弛。使擴展薄片7藉由加熱而作收縮的處理亦被稱為熱收縮。在圖5中係顯示將擴展薄片7的擴張解除且加熱的擴展裝置2、與該擴展薄片7的剖面圖。
在薄片收縮步驟中,使旋轉馬達48作動而使擋板52旋轉,且使開口52a移動至加熱單元36的下方。接著,打開開閉閥42(閥)而由空氣供給源40對空氣供給路38供給空氣。其中,開關46係預先被形成為ON,線圈加熱器44係被預先加熱至預定的溫度。開關46係例如與擴展裝置2的起動同時被形成為ON。
若該空氣被供給至空氣供給路38,該空氣藉由線圈加熱器44被加熱。接著,在空氣供給路38的內部被加熱的空氣通過空氣供給路38的熱風噴出口38a、及擋板的開口52a,而被噴射在產生鬆弛的擴展薄片7的該區域。接著,若使桿32旋轉,擴展薄片7的該區域遍及全域被加熱,且鬆弛被去除。
其中,使擴展裝置2運轉的期間,開關46係常時形成為ON,藉由控制開閉閥42的開閉來切換經加熱的空氣的噴射及停止。薄片收縮步驟係藉由開始噴射該空氣而開始,且藉由停止噴射該空氣而結束。
將開關46形成為ON之後,至線圈加熱器44達至預定的溫度為止,係必須要有一定的時間,但是若將開關46常時形成為ON,不需要待機線圈加熱器44的溫度上升。因此,並非為控制開關46的ON及OFF的切換,而是藉由控制開閉閥42的開閉,來控制薄片收縮步驟的開始與停止。
若對擴展薄片7的該區域噴射該經加熱的空氣而加熱,擴展薄片7的該區域作收縮,可減低在該擴張步驟所生成的該擴展薄片7的鬆弛。此時,使保持平台16的保持機構的運轉停止且解除擴展薄片7的吸引時,在與被加工物1相重疊的區域,擴展薄片7保持被擴張的狀況。
若減低擴展薄片7的鬆弛,由於元件晶片15的間隔被保持較寬,因此之後搬運被加工物單元11時等,鄰接的元件晶片15不易彼此接觸,抑制元件晶片15的損傷。實施薄片收縮步驟後,被加工物單元11係被搬出至擴展裝置2的外部,且由擴展薄片7拾取各個的元件晶片15。
在擴展裝置2係由外部被搬入新的被加工物單元11。接著,在該擴展裝置2中,係實施對該被加工物單元11的擴張步驟、及薄片收縮步驟。如上所示,在本實施形態之擴展方法中,對複數被加工物單元11接連地實施該擴張步驟、及該薄片收縮步驟。
在此,在對複數被加工物單元11接連地實施該擴張步驟、與該鬆弛去除步驟的期間,不使加熱單元36的作動停止。該薄片收縮步驟係藉由打開開閉閥42(閥)且開始該空氣的噴射而開始,且藉由關閉開閉閥42(閥)而停止該空氣的噴射而結束。
因此,未實施擴展薄片7的收縮的期間,線圈加熱器44的溫度亦不會下降,因此無須待機線圈加熱器44的溫度上升至預定的溫度,可開始擴展薄片7的薄片收縮步驟。因此,藉由本實施形態之擴展方法,由於可在短時間實施被加工物單元11的擴展薄片7的擴張與收縮,因此可提升處理效率。
其中,本發明並非為限定於上述實施形態的記載,可作各種變更來實施。例如,在上述實施形態中,係說明將擴展薄片7擴張時,在環狀框架9藉由框架支持部6及框架按壓部8被夾持的狀態下,使保持平台16上升的情形。但是,本發明之一態樣並非限定於此。
例如,擴展裝置2亦可具備將被黏貼成閉塞環狀框架9的開口的擴展薄片7的該環狀框架9的內側的區域由上方下推,藉此將該擴展薄片7擴張的擴張機構。此時,以擴展薄片7之貼著被加工物1的面朝向下方的方式調整被加工物單元11的方向而將被加工物單元11搬入至擴展裝置2。
上述實施形態之構造、方法等只要未脫離本發明之目的的範圍,即可適當變更來實施。
1:被加工物 3:改質層 5:元件 7:擴展薄片 7a:DAF(晶粒黏附膜) 9:框架 11:被加工物單元 13:分割溝 15:元件晶片 2:擴展裝置 4:框架保持單元 6:框架支持部 6a,8a:開口 8:框架按壓部 10,26:空氣汽缸 12,28:桿 14:擴張單元 16:保持平台 18:吸引路 20:吸引口 22,42:開閉閥 24:吸引源 30:薄片收縮單元 32:桿 32a,34a:空氣供給管 34:支持板 36:加熱單元 38:空氣供給路 38a:熱風噴出口 40:空氣供給源 44:線圈加熱器 46:開關 48:旋轉馬達 50:旋轉軸 52:擋板 52a:開口
[圖1]係模式顯示擴展裝置之一例的斜視圖。 [圖2]係模式顯示被搬入被加工物單元的擴展裝置的剖面圖。 [圖3]係模式顯示固定擴展薄片後的狀態的擴展裝置的剖面圖。 [圖4]係模式顯示實施擴展薄片的擴張的擴展裝置的剖面圖。 [圖5]係模式顯示實施產生鬆弛的擴展薄片的加熱的擴展裝置的剖面圖。
1:被加工物
2:擴展裝置
4:框架保持單元
5:元件
6:框架支持部
6a,8a:開口
7:擴展薄片
8:框架按壓部
9:框架
10,26:空氣汽缸
11:被加工物單元
12,28:桿
13:分割溝
14:擴張單元
15:元件晶片
16:保持平台
18:吸引路
20:吸引口
22,42:開閉閥
24:吸引源
30:薄片收縮單元
32:桿
32a,34a:空氣供給管
34:支持板
36:加熱單元
38:空氣供給路
38a:熱風噴出口
40:空氣供給源
44:線圈加熱器
46:開關
48:旋轉馬達
50:旋轉軸
52:擋板
52a:開口

Claims (2)

  1. 一種擴展裝置,其係將包含:被加工物、被貼著在該被加工物的擴展薄片、及貼著該擴展薄片的外周側的環狀框架的被加工物單元的該擴展薄片進行擴張的擴展裝置,其特徵為: 具備: 框架保持單元,其係可保持該被加工物單元的該環狀框架; 擴張單元,其係可將具有被保持在該框架保持單元的該環狀框架的該被加工物單元所包含的該擴展薄片進行擴張;及 薄片收縮單元,其係藉由將具有被保持在該框架保持單元的該環狀框架的該被加工物單元所包含的該擴展薄片的該被加工物的外周、與該環狀框架的內周緣之間的區域加熱且使其收縮,減低藉由該擴張單元被擴張且產生鬆弛的該擴展薄片的該鬆弛, 該薄片收縮單元係包含: 熱風噴出口,其係與該擴展薄片相對面; 空氣供給路,其係其中一端連通於該熱風噴出口,並且另一端連接於空氣供給源; 加熱單元,其係藉由將該空氣供給路的內部加熱,將由該空氣供給源被供給的空氣加熱; 閥,其係控制來自該空氣供給源的空氣的供給與遮斷;及 開關,其係切換該加熱單元的加熱、與加熱的停止, 該薄片收縮單元係打開該閥而由該空氣供給源對該空氣供給路供給該空氣,在該空氣供給路中將該空氣以該加熱單元加熱,藉此可由該熱風噴出口噴射經加熱的該空氣, 該薄片收縮單元係藉由關閉該閥而遮斷由該空氣供給源對該空氣供給路供給空氣,無須停止該加熱單元,即可停止由該熱風噴出口噴射經加熱的該空氣。
  2. 一種擴展方法,其係將分別包含:被加工物、被貼著在該被加工物的擴展薄片、及貼著該擴展薄片的外周側的環狀框架的複數被加工物單元的該擴展薄片接連地擴張的擴展方法,其特徵為: 具備: 擴張步驟,其係保持該環狀框架,且將該擴展薄片進行擴張;及 薄片收縮步驟,其係在實施該擴張步驟後,在該擴展薄片的該被加工物的外周、與該環狀框架的內周緣之間的區域噴射藉由加熱單元被加熱的空氣,使該擴展薄片的該區域收縮,減低在該擴張步驟中所生成的該擴展薄片的鬆弛, 對複數被加工物單元,接連地實施該擴張步驟、與該薄片收縮步驟的期間,未使該加熱單元的作動停止, 該薄片收縮步驟係藉由開始該空氣的噴射而開始,藉由停止該空氣的噴射而結束。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11682650B2 (en) 2021-06-01 2023-06-20 National Pingtung University Of Science And Technology Heat assisted flip chip bonding apparatus
TWI809408B (zh) * 2021-06-01 2023-07-21 國立屏東科技大學 加熱輔助覆晶接合裝置
TWI819486B (zh) * 2021-09-14 2023-10-21 日商山葉發動機股份有限公司 擴展裝置

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