TW201926443A - 晶圓分割方法以及晶圓分割裝置 - Google Patents
晶圓分割方法以及晶圓分割裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201926443A TW201926443A TW107142414A TW107142414A TW201926443A TW 201926443 A TW201926443 A TW 201926443A TW 107142414 A TW107142414 A TW 107142414A TW 107142414 A TW107142414 A TW 107142414A TW 201926443 A TW201926443 A TW 201926443A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive film
- holding
- holding portion
- dividing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Abstract
[課題]提供一種晶圓分割方法以及一種晶圓分割裝置,可將形成有分割起點的晶圓分割為各個晶片的同時也可將相鄰晶片彼此間的間隔維持在分割時的間隔。[解決手段]晶圓分割方法包含:載置步驟,將透過黏著膠膜6而容納於環狀框架4的晶圓2載置於分割裝置12;擴張步驟,在晶圓保持部14的吸引力並未對載置於分割裝置12的晶圓2起作用的狀態下,作動遠離手段18而擴張黏著膠膜6,以將晶圓2分割為各個晶片的同時也於相鄰晶片彼此間形成間隔;吸引保持步驟,在黏著膠膜6擴張的狀態下,使晶圓保持部14的吸引力起作用,透過黏著膠膜6而吸引保持晶圓2;以及收縮步驟,使晶圓保持部14以及框架固定部16相對接近,直到保持面與固定面成為同一平面,同時也加熱存在於晶圓2與環狀框架4之間鬆弛的黏著膠膜而使其收縮。
Description
本發明關於一種晶圓分割方法以及一種晶圓分割裝置,將沿著分割預定線形成有分割起點的晶圓分割為各個晶片的同時也維持相鄰晶片彼此間的間隔。
被交叉的多條分割預定線劃分的正面上形成有IC、LSI等的多個元件的晶圓是透過雷射加工工裝置而沿著分割預定線形成分割起點後,施加外力以分割為每一個元件的各個晶片,分割後的各晶片是利用於行動電話、個人電腦等的電子設備。
雷射加工裝置存在下述(1)至(3)類型的裝置,可根據工件的種類、加工精度等來選擇雷射加工裝置。 (1)透過將波長對工件具有吸收性的脈衝雷射光線照射於工件而進行燒蝕加工,形成作為分割起點的槽的類型(例如參考專利文獻1) (2)將波長對工件具有穿透性的脈衝雷射光線的聚光點定位於工件的內部,而將雷射光線照射於工件,於工件的內部形成作為分割起點的改質層(例如參考專利文獻2) (3)將波長對工件具有穿透性的雷射光線的聚光點定位於工件的內部,而將脈衝雷射光線照射於工件,形成由細孔以及圍繞細孔的非晶質區域組成的作為分割起點的多條潛盾通道的類型(例如參考專利文獻3)。
接著,沿著分割預定線形成有分割起點的晶圓是透過分割裝置而分割為每一個元件的各個晶片(例如參考專利文獻4)。在專利文獻4所載的分割裝置中將晶圓分割為每一個元件的各個晶片時,是將沿著分割預定線形成有分割起點的晶圓透過黏著膠膜而收納於具有開口的環狀框架,將晶圓載置於分割裝置的晶圓保持部的同時,也將環狀框架固定於框架固定部。其次,使晶圓保持部以及框架固定部相對遠離,藉此來擴張黏著膠膜而使放射狀張力作用於晶圓。藉此,可將沿著分割預定線形成有分割起點的晶圓分割為每一個元件的各個晶片的同時也可在鄰接晶片彼此之間形成間隔。
[習知技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本特開平10-305420號公報 [專利文獻2] 日本特許第3408805號公報 [專利文獻3] 日本特開2014-221483號公報 [專利文獻4] 日本特開2005-129607號公報
[發明所欲解決的課題] 然而,在將晶圓分割為各個晶片的狀態下,使晶圓保持部的吸引力起作用而吸引保持晶圓,然後使晶圓保持部的保持面以及框架固定部的固定面接近,直到成為同一平面時,使其接近的途中存在於晶圓與環狀框架之間的黏著膠膜會產生鬆弛,空氣從黏著膠膜與保持面之間洩漏而保持面的吸引力下降,因此,存在晶片彼此接近而無法維持分割時所形成的晶片彼此間的間隔的問題。
因此,本發明的目的在於提供一種晶圓分割方法以及一種晶圓分割裝置,可將形成有分割起點的晶圓分割為各個晶片的同時,也可將相鄰晶片彼此間的間隔維持在分割時的間隔。
[解決課題的技術手段] 根據本發明的一觀點,提供一種晶圓分割方法,將晶圓分割為各個晶片的同時也維持相鄰晶片彼此間的間隔,該晶圓為透過黏著膠膜而收納於具有收納晶圓的開口的環狀框架並且沿著交叉的多條分割預定線形成有分割起點,該晶圓分割方法包含:載置步驟,將透過黏著膠膜而收納於該環狀框架的晶圓載置於分割裝置,該分割裝置具備:晶圓保持部,具有透過黏著膠膜而吸引保持晶圓的保持面;框架固定部,與該保持面同一平面上具有固定該環狀框架的固定面;以及遠離手段,使該晶圓保持部以及該框架固定部相對遠離而擴張黏著膠膜,以將晶圓分割為各個晶片;擴張步驟,在該晶圓保持部的吸引力並未對載置於該分割裝置的晶圓起作用的狀態下,作動該遠離手段而擴張黏著膠膜,以將晶圓分割為各個晶片的同時也於相鄰晶片彼此間形成間隔;吸引保持步驟,在黏著膠膜擴張的狀態下,使該晶圓保持部的吸引力起作用,透過黏著膠膜而吸引保持晶圓;以及收縮步驟,使該晶圓保持部以及該框架固定部相對接近,直到該保持面與該固定面成為同一平面,同時也加熱存在於晶圓與該環狀框架之間鬆弛的黏著膠膜而使其收縮,其中,該收縮工程包含防止洩漏步驟,在該保持面與該固定面成為同一平面的途中,以不會於該保持面產生空氣洩漏的方式加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮。
較佳地,當配設於該晶圓保持部的壓力計的數值產生變化時,實施該防止洩漏步驟。較佳地,在預先設定的時機下實施該防止洩漏步驟。較佳地,在停止該保持面與該固定面接近的狀態下實施該防止洩漏步驟。
根據本發明的另一觀點,提供一種晶圓分割裝置,將晶圓分割為各個晶片的同時也維持相鄰晶片彼此間的間隔,該晶圓為透過黏著膠膜而收納於具有收納晶圓的開口的環狀框架並且沿著交叉的多條分割預定線形成有分割起點,該晶圓分割裝置包含:晶圓保持部,具有透過黏著膠膜而吸引保持晶圓的保持面;框架固定部,與該保持面同一平面上具有固定該環狀框架的固定面;遠離手段,使該晶圓保持部以及該框架固定部相對地遠離而擴張黏著膠膜,以將晶圓分割為各個晶片;加熱手段,加熱存在於晶圓與該環狀框架之間鬆弛的黏著膠膜而使其收縮;以及控制手段,其中,該控制手段實施:擴張控制,在該晶圓保持部的吸引力並未對載置於該晶圓保持部的晶圓起作用的狀態下,作動該遠離手段而擴張黏著膠膜,以將晶圓分割為各個晶片的同時也於相鄰晶片彼此間形成間隔;吸引保持控制,在黏著膠膜擴張的狀態下,使該晶圓保持部的吸引力起作用,透過黏著膠膜而吸引保持晶圓;以及收縮控制,使該晶圓保持部以及該框架固定部相對接近,直到該保持面與該固定面成為同一平面,同時也利用該加熱手段加熱存在於晶圓與該環狀框架之間鬆弛的黏著膠膜而使其收縮,且其中,在該收縮控制中,該控制手段在該保持面與該固定面成為同一平面的途中,以不會於該保持面產生空氣洩漏的方式加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮。
較佳地,該晶圓保持部配設有壓力計,當配設於該晶圓保持部的壓力計的數值產生變化時,該控制手段利用該加熱手段加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮,以防止洩漏。較佳地,在預先設定的時機下,該控制手段利用該加熱手段加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮,以防止洩漏。較佳地,在停止該保持面與該固定面接近的狀態下,該控制手段利用該加熱手段加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮。
[發明功效] 根據本發明的晶圓分割方法,由於收縮步驟包含在保持面與固定面成為同一平面的途中,以不會於該保持面產生空氣洩漏的方式加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮的防止洩漏步驟,因此可將形成有分割起點的晶圓分割為各個晶片的同時,也可將相鄰晶片彼此間的間隔維持在分割時的間隔。
根據本發明的晶圓分割分割裝置,在收縮控制中,由於控制手段在保持面與固定面成為同一平面的途中,以不會於該保持面產生空氣洩漏的方式加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮,因此可將形成有分割起點的晶圓分割為各個晶片的同時,也可將相鄰晶片彼此間的間隔維持在分割時的間隔。
以下,一邊參照圖式一邊說明涉及本發明的晶圓分割方法以及晶圓分割裝置的實施方式。
圖1表示可透過本發明的晶圓分割方法以及晶圓分割裝置而分割為各個晶片的晶圓2。圓盤狀的晶圓2是透過黏著膠膜6而收納於具有收納晶圓2的開口4a的環狀框架4。亦即,黏著膠膜6的周緣固定於環狀的環狀框架4以覆蓋開口4a,晶圓2的背面2b貼附於黏著膠膜6。晶圓2的正面2a被格子狀的分割預定線(省略標號)劃分為多個矩形區域,且多個矩形區域分別形成有IC、LSI等的多個元件8。此外,晶圓2透過適當的雷射加工裝置而沿著分割預定線形成有格子狀的分割起點10。分割起點10為透過燒蝕加工於晶圓2的正面2a形成的槽,可由晶圓2內部形成的改質層、或多條潛盾通道等構成,該潛盾通道是由細孔以及圍繞細孔的非晶質區域組成。亦或,分割起點10可為透過可旋轉地安裝有切割刀片的切割裝置而形成的切割槽。此外,可由聚氯乙烯(PVC)等形成的黏著膠膜6具有加熱至預定溫度以上時會收縮的熱收縮性。環狀框架4是由不銹鋼等的具有耐熱性的適當金屬材料形成。
參考圖1以及圖2,說明依據本發明所構成的晶圓分割裝置。分割裝置12具備:晶圓保持部14,具有透過黏著膠膜6而吸引保持晶圓2的保持面;框架固定部16,與保持面同一平面上具有固定環狀框架4的固定面;遠離手段18,使晶圓保持部14以及框架固定部16相對地遠離並且擴張黏著膠膜6,以將晶圓2分割為各個晶片;加熱手段20,加熱存在於晶圓2與環狀框架4之間鬆弛的黏著膠膜6而使其收縮;以及控制手段22(參考圖2)。
晶圓保持部14包含圓形狀的基板24(參考圖1)、從基板24上表面向上方延伸的圓筒狀的支柱26、固定於支柱26上端的多孔質的圓形狀吸附卡盤28、以及透過流路30(參考圖2)而連接於吸附卡盤28的吸引源32(參考圖2)。如圖2所示,吸附卡盤28的直徑比晶圓2的直徑還要大,並且比環狀框架4的內徑還要小。晶圓保持部14的流路30配設有測量流路30內壓力的壓力計34、以及開閉流路30的閥件36。接著在晶圓保持部14中,透過在開啟閥件36的狀態下作動吸引源32而於吸附卡盤28的上表面生成吸引力,可吸引保持載置於吸附卡盤28的上面表的晶圓2。亦即,在本實施方式中,透過黏著膠膜6而吸引保持晶圓2的保持面是透過吸附卡盤28的上表面而構成。
說明框架固定部16以及遠離手段18。本實施方式中如圖1所示,遠離手段18是由多組電動缸所組成,從基台24的上表面周緣部沿圓周方向取間隔並向上延伸。構成遠離手段18的多組電動缸的上端連結有框架固定部16,遠離手段18使框架固定部16相對晶圓保持部14於上下方向移動,並且使其停止於任意位置。框架固定部16包含連結於遠離手段18上端的環狀的升降片38、以及沿圓周方向取間隔並配置於升降片38的外周緣的多個夾具40。如圖1及圖2所示,升降片38的內徑比晶圓保持部14的支柱26的外徑還要大,升降片38的內圓周面與支柱26的外圓周面之間存在間隙。此外,升降片38的內徑及外徑是對應環狀框架4的內徑及外徑而形成,升降片38的上表面可載置環狀框架4。接著在框架固定部16中,可利用夾具40固定載置於升降片38的上面表的環狀框架4。亦即,在本實施方式中,與保持面同一平面上固定環狀框架4的固定面是由升降片38的上表面構成。此外,在遠離手段18中,在環狀框架4固定於框架固定部16的狀態下,透過使框架固定部16相對晶圓保持部14下降並遠離,可擴張黏著膠膜6而將晶圓2分割為每一個元件8的各個晶片。再者,本實施方式中的遠離手段18雖然為使框架固定部16相對晶圓保持部14遠離,但只要遠離手段可使晶圓保持部以及框架固定部相對地遠離即可,因此與本實施方式相反地,遠離手段也可為使晶圓保持部相對框架固定部上升並遠離的構成。此外,遠離手段也可由氣缸構成。
如圖2所示,加熱手段20包含圓板狀為整體的加熱器噴嘴42、透過流路44而連接於加熱器噴嘴42的加熱器46、以及開閉流路44的閥件48。加熱器噴嘴42的下表面形成有環狀的噴出口42a,噴出口42a配置於吸附卡盤28與升降片38之間的上方(亦即,晶圓2載置於分割裝置12時,晶圓2與環狀框架4之間的黏著膠膜6的上方)。接著在加熱手段20中,透過在開啟閥件48的狀態下作動加熱器46而從加熱器噴嘴42的噴出口42a噴出高溫(例如600℃)空氣,可加熱存在於晶圓2與環狀框架4之間鬆弛的黏著膠膜6而使其收縮。
由電腦構成的控制手段22包含(以下皆未圖示)依照控制程式進行運算處理的中央處理裝置(CPU)、儲存控制程式等的唯讀記憶體(ROM)、以及儲存運算結果等的可讀寫的隨機存取記體(RAM)。控制手段22電氣連接至晶圓保持部14的吸引源32及閥件36、遠離手段18和加熱手段20的加熱器46及閥件48,以控制晶圓保持部14的吸引源32及閥件36、遠離手段18和加熱手段20的加熱器46及閥件48的作動。此外,控制手段22亦電氣連接至晶圓保持部14的壓力計34,壓力計34將測量得到的流路30內壓力的數值傳送至控制手段22。
接著,說明涉及本發明的晶圓切割方法。本說明書中,說明上述使用分割裝置12的晶圓分割方法。在使用分割裝置12的晶圓分割方法中,首先,實施載置步驟,將透過黏著膠膜6而容納於環狀框架4的晶圓2載置於分割裝置12。在載置步驟中如圖3所示,首先,作動遠離手段18而將升降片38的上表面定位成與吸附卡盤28的上表面同一平面。其次,將晶圓2的正面2a朝上,將晶圓2載置於晶圓保持部14的吸附卡盤28的上表面(保持面),並且將環狀框架4載置於框架固定部16的升降片38的上表面(固定面)。此外,利用夾具40固定環狀框架4。
實施載置步驟後,透過控制手段22來實施擴張控制(擴張步驟),在晶圓保持部14的吸引力並未對載置於分割裝置12的晶圓保持部14的晶圓2起作用的狀態下,作動遠離手段18並擴張黏著膠膜6,以將晶圓2分割為各個晶片的同時也於相鄰晶片彼此間形成間隔。在擴張控制(擴張步驟)中,首先,透過不使晶圓保持部14的吸引源32作動、或者關閉晶圓保持部14的閥件36,成為吸附卡盤28的吸引力不對晶圓2起作用的狀態。其次如圖4所示,利用遠離手段18使升降片38下降,使升降片38的上表面相對吸附卡盤28的上表面遠離。如此,由於環狀框架4也隨著升降片38下降,因此於環狀框架4周緣被固定的黏著膠膜6擴張而對晶圓2作用放射狀張力。藉此,可將沿著分割預定線形成有分割起點10的晶圓2分割為每一個元件8的各個晶片的同時,也可於相鄰晶片彼此之間形成間隔。
實施擴張控制(擴張步驟)後,透過控制手段22來實施吸引保持控制(吸引保持步驟),在黏著膠膜6擴張的狀態下,使晶圓保持部14的吸引力起作用,透過黏著膠膜6而吸引保持晶圓2。在吸引保持控制(吸引保持步驟)中,在黏著膠膜6擴張的狀態下,開啟晶圓保持部14的閥件36的同時也使吸引源32作動,於吸附卡盤28的上表面生成吸引力。藉此,可使吸附卡盤28的吸引力對分割為每一個元件8的各個晶片的晶圓2起作用,透過黏著膠膜6而吸引保持晶圓2。
實施吸引保持控制(吸引保持步驟)後,透過控制手段22來實施收縮控制(收縮步驟),使晶圓保持部14以及框架固定部16相對接近,直到保持面與固定面成為同一平面,同時也利用加熱手段20加熱存在於晶圓2與環狀框架4之間鬆弛的黏著膠膜6而使其收縮。在本實施方式的收縮控制(收縮步驟)中,在利用遠離手段18使框架固定部16相對晶圓保持部14上升,直到晶圓保持部14的吸附卡盤28的上表面(保持面)與框架固定部16的升降片38的上表面(固定面)成為同一平面的時候,在吸附卡盤28的上表面與升降片38的上表面為同一平面的途中透過控制手段22來實施防止洩漏控制(防止洩漏步驟),以不會於吸附卡盤28的上表面產生空氣洩漏的方式利用加熱手段20加熱鬆弛的黏著膠膜6而使其收縮。
防止洩漏控制(防止洩漏步驟)例如可在配設於晶圓保持部14的壓力計34的數值產生變化時實施。亦即,透過黏著膠膜6而將晶圓2吸引保持於吸附卡盤28的上表面時,從此時壓力計34的數值(例如0.5大氣壓)算起變化預定值(例如0.01大氣壓)以上時可實施防止洩漏步驟。防止洩漏控制(防止洩漏步驟)較佳在停止晶圓保持部14的吸附卡盤28的上表面(保持面)與框架固定部16的升降片38的上表面(固定面)接近的狀態下實施。防止洩漏控制(防止洩漏步驟)如圖5所示,透過開啟加熱手段20的閥件48的同時也作動加熱器46,將高溫(例如600℃)空氣從加熱器噴嘴42的噴出口42a朝向存在於晶圓2與環狀框架4之間鬆弛的黏著膠膜6噴出,如圖6所示,加熱鬆弛的黏著膠膜6而使其收縮。藉此,可維持吸附卡盤28對分割為每一個元件8的各個晶片的晶圓2的吸引力,並且可將相鄰晶片彼此間的間隔維持在分割時的間隔。接著,如圖7所示,當晶圓保持部14的吸附卡盤28的上表面(保持面)與框架固定部16的升降片38的上表面(固定面)成為同一平面時,透過控制手段22來實施加熱鬆弛的黏著膠膜6而使其收縮的收縮步驟,則如圖8所示,消除了黏著膠膜6的鬆弛。再者,加熱鬆弛的黏著膠膜6而使其收縮的回數可比2回還要多,或者也可為1回。
在以上所述的本實施方式中實施了擴張控制(擴張步驟)、吸引保持控制(吸引保持步驟)、以及收縮控制(收縮步驟),並且在收縮控制(收縮步驟)中,在晶圓保持部14的吸附卡盤28的上表面(保持面)與框架固定部16的升降片38的上表面(固定面)成為同一平面的途中,以不會於吸附卡盤28的上表面(保持面)產生空氣洩漏的方式,實施加熱鬆弛的黏著膠膜6而使其收縮的防止洩漏控制(防止洩漏步驟),因此可將沿著分割預定線形成分割起點10的晶圓2分割為每一個元件8的各個晶片的同時,也可將相鄰晶片彼此間的間隔維持在分割時的間隔。
再者,防止洩漏控制(防止洩漏步驟)可在預先設定的時機下實施。亦即,可從實施擴張控制(擴張步驟)的狀態,在透過遠離手段18而使框架固定部16相對晶圓保持部14上升預定量的時機下實施防止洩漏控制(防止洩漏步驟)。針對實施防止洩漏控制(防止洩漏步驟)的時機,例如晶圓2透過黏著膠膜6而吸引保持於吸附卡盤28的上表面時,可利用實驗預先求出從此時壓力計34的數值算起變化預定值以上時框架固定部16的上升量,定出利用遠離手段18使框架固定部16僅上升利用實驗預先求出的上升量的時機。
2‧‧‧晶圓
4‧‧‧環狀框架
4a‧‧‧開口
6‧‧‧黏著膠膜
8‧‧‧元件
10‧‧‧分割起點
12‧‧‧分割裝置
14‧‧‧晶圓保持部
16‧‧‧框架固定部
18‧‧‧遠離手段
20‧‧‧加熱手段
22‧‧‧控制手段
34‧‧‧壓力計
圖1為本發明實施方式的晶圓分割裝置的立體圖。 圖2為圖1所示的分割裝置的剖面圖。 圖3為表示實施載置步驟的狀態的分割裝置其剖面圖。 圖4為表示實施擴張步驟的狀態的分割裝置其剖面圖。 圖5為表示實施收縮步驟中防止洩漏步驟的狀態的分割裝置其剖面圖。 圖6為表示實施防止洩漏步驟、並且消除黏著膠膜的鬆弛的狀態的分割裝置其剖面圖。 圖7為表示黏著膠膜的鬆弛再度發生、並且再度實施洩漏防止步驟的狀態的分割裝置其剖面圖。 圖8為表示晶圓保持部的保持面與框架固定部的固定面成為同一平面的狀態的分割裝置其剖面圖。
Claims (8)
- 一種晶圓分割方法,將晶圓分割為各個晶片的同時也維持相鄰晶片彼此間的間隔,該晶圓為透過黏著膠膜而收納於具有收納晶圓的開口的環狀框架並且沿著交叉的多條分割預定線形成有分割起點,該晶圓分割方法包含: 載置步驟,將透過黏著膠膜而收納於該環狀框架的晶圓載置於分割裝置,該分割裝置具備:晶圓保持部,具有透過黏著膠膜而吸引保持晶圓的保持面;框架固定部,與該保持面同一平面上具有固定該環狀框架的固定面;以及遠離手段,使該晶圓保持部以及該框架固定部相對遠離而擴張黏著膠膜,以將晶圓分割為各個晶片; 擴張步驟,在該晶圓保持部的吸引力並未對載置於該分割裝置的晶圓起作用的狀態下,作動該遠離手段而擴張黏著膠膜,以將晶圓分割為各個晶片的同時也於相鄰晶片彼此間形成間隔; 吸引保持步驟,在黏著膠膜擴張的狀態下,使該晶圓保持部的吸引力起作用,透過黏著膠膜而吸引保持晶圓;以及 收縮步驟,使該晶圓保持部以及該框架固定部相對接近,直到該保持面與該固定面成為同一平面,同時也加熱存在於晶圓與該環狀框架之間鬆弛的黏著膠膜而使其收縮, 其中,該收縮工程包含防止洩漏步驟,在該保持面與該固定面成為同一平面的途中,以不會於該保持面產生空氣洩漏的方式加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓分割方法,其中, 當配設於該晶圓保持部的壓力計的數值產生變化時,實施該防止洩漏步驟。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓分割方法,其中, 在預先設定的時機下實施該防止洩漏步驟。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之晶圓分割方法,其中, 在停止該保持面與該固定面接近的狀態下實施該防止洩漏步驟。
- 一種晶圓分割裝置,將晶圓分割為各個晶片的同時也維持相鄰晶片彼此間的間隔,該晶圓為透過黏著膠膜而收納於具有收納晶圓的開口的環狀框架並且沿著交叉的多條分割預定線形成有分割起點,該晶圓分割裝置包含: 晶圓保持部,具有透過黏著膠膜而吸引保持晶圓的保持面; 框架固定部,與該保持面同一平面上具有固定該環狀框架的固定面; 遠離手段,使該晶圓保持部以及該框架固定部相對地遠離而擴張黏著膠膜,以將晶圓分割為各個晶片; 加熱手段,加熱存在於晶圓與該環狀框架之間鬆弛的黏著膠膜而使其收縮;以及 控制手段, 其中,該控制手段實施: 擴張控制,在該晶圓保持部的吸引力並未對載置於該晶圓保持部的晶圓起作用的狀態下,作動該遠離手段而擴張黏著膠膜,以將晶圓分割為各個晶片的同時也於相鄰晶片彼此間形成間隔; 吸引保持控制,在黏著膠膜擴張的狀態下,使該晶圓保持部的吸引力起作用,透過黏著膠膜而吸引保持晶圓;以及 收縮控制,使該晶圓保持部以及該框架固定部相對接近,直到該保持面與該固定面成為同一平面,同時也利用該加熱手段加熱存在於晶圓與該環狀框架之間鬆弛的黏著膠膜而使其收縮, 且其中,在該收縮控制中,該控制手段在該保持面與該固定面成為同一平面的途中,以不會於該保持面產生空氣洩漏的方式加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮。
- 如申請專利範圍第5項所述之晶圓分割裝置,其中, 該晶圓保持部配設有壓力計, 當配設於該晶圓保持部的該壓力計的數值產生變化時,該控制手段利用該加熱手段加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮,以防止洩漏。
- 如申請專利範圍第5項所述之晶圓分割裝置,其中, 在預先設定的時機下,該控制手段利用該加熱手段加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮,以防止洩漏。
- 如申請專利範圍第5或6項所述之晶圓分割裝置,其中, 在停止該保持面與該固定面接近的狀態下,該控制手段利用該加熱手段加熱鬆弛的黏著膠膜而使其收縮。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-230321 | 2017-11-30 | ||
JP2017230321A JP7027137B2 (ja) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | ウエーハの分割方法およびウエーハの分割装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201926443A true TW201926443A (zh) | 2019-07-01 |
TWI781256B TWI781256B (zh) | 2022-10-21 |
Family
ID=66848828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107142414A TWI781256B (zh) | 2017-11-30 | 2018-11-28 | 晶圓分割方法以及晶圓分割裝置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7027137B2 (zh) |
KR (1) | KR102606114B1 (zh) |
CN (1) | CN109860110B (zh) |
TW (1) | TWI781256B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021027237A (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021027235A (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021027238A (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021027236A (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP2005129607A (ja) | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2007123658A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 粘着テープの拡張装置 |
JP5409280B2 (ja) | 2009-11-09 | 2014-02-05 | 株式会社ディスコ | チップ間隔拡張方法 |
JP6151557B2 (ja) | 2013-05-13 | 2017-06-21 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
JP2015204362A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社ディスコ | チップ間隔維持方法 |
JP6494288B2 (ja) | 2015-01-13 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | 加工装置及び加工方法 |
JP2017107921A (ja) | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6618412B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2019-12-11 | 株式会社ディスコ | 拡張装置 |
-
2017
- 2017-11-30 JP JP2017230321A patent/JP7027137B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-07 KR KR1020180136055A patent/KR102606114B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-27 CN CN201811424973.2A patent/CN109860110B/zh active Active
- 2018-11-28 TW TW107142414A patent/TWI781256B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7027137B2 (ja) | 2022-03-01 |
KR20190064440A (ko) | 2019-06-10 |
TWI781256B (zh) | 2022-10-21 |
CN109860110B (zh) | 2024-01-02 |
JP2019102588A (ja) | 2019-06-24 |
CN109860110A (zh) | 2019-06-07 |
KR102606114B1 (ko) | 2023-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201926443A (zh) | 晶圓分割方法以及晶圓分割裝置 | |
TWI657727B (zh) | Wafer interval maintaining device | |
JP5568760B2 (ja) | レーザーによって脆い物質で作られた平行平面板を複数の個々のプレートに分割する方法及び装置 | |
TWI687985B (zh) | 分割裝置及晶圓之分割方法 | |
JP5378780B2 (ja) | テープ拡張方法およびテープ拡張装置 | |
TWI469206B (zh) | Adhesive tape expansion method | |
TWI659460B (zh) | Tape expansion device | |
KR102249339B1 (ko) | 칩 간격 유지 장치 및 칩 간격 유지 방법 | |
JP5409280B2 (ja) | チップ間隔拡張方法 | |
TWI762627B (zh) | 擴展方法及擴展裝置 | |
KR20150118530A (ko) | 칩 간격 유지 방법 | |
KR102356848B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
TW201842559A (zh) | 分割方法 | |
TWI614078B (zh) | 被加工物之分割方法 | |
JP2010147316A (ja) | テープ拡張方法およびテープ拡張装置 | |
TWI790351B (zh) | 分割裝置及分割方法 | |
JP7112205B2 (ja) | 分割装置 | |
JP2020126960A (ja) | エキスパンド装置 | |
JP2018186156A (ja) | バーコードシールの保護方法 | |
TW202242977A (zh) | 晶片間隔形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |