KR102356848B1 - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

익스팬드 테이프의 융기에 기인하는 척 테이블로부터의 말림을 억제한 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다.
웨이퍼(11)에 개질층(25)을 형성하는 개질층 형성 단계와, 익스팬드 테이프(21)를 통해 환형의 프레임(23)으로 웨이퍼를 지지한 웨이퍼 유닛(1)을 준비하는 웨이퍼 유닛 준비 단계와, 웨이퍼가 배치된 척 테이블(14)을, 프레임을 유지한 프레임 유지 수단(32)에 대하여 밀어 올리도록 익스팬드 테이프를 확장하고, 개질층을 기점으로 웨이퍼를 칩(27a, 27b)으로 분할하면서, 칩의 간격을 확장하는 확장 단계와, 척 테이블로 웨이퍼를 흡인 유지하여 칩의 간격을 유지하면서, 프레임 유지 수단에 대한 척 테이블의 밀어 올림 상태를 해제하는 밀어 올림 해제 단계와, 척 테이블 외주와 프레임 내주 사이의 익스팬드 테이프에 자극을 부여하여, 느슨함을 제거하는 느슨함 제거 단계를 포함하고, 개질층 형성 단계에서는, 미리 정해진 분할 예정 라인(17)에서 외주 잉여 영역(15)을 제외하도록 개질층을 형성하는 구성으로 하였다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{METHOD OF PROCESSING WAFER}
본 발명은 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하여 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
휴대 전화로 대표되는 소형 경량인 전자 기기에서는, IC 등의 디바이스를 구비하는 디바이스 칩이 필수적인 구성으로 되어 있다. 디바이스 칩(이하, 칩)은, 예컨대, 실리콘 등의 재료로 이루어지는 웨이퍼의 표면을 스트리트라고 불리는 복수의 분할 예정 라인으로 구획하고, 각 영역에 디바이스를 형성한 후, 이 스트리트를 따라 웨이퍼를 분할함으로써 제조된다.
최근에는, 웨이퍼의 스트리트를 따라 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하고, 외력을 부여하여 복수의 칩으로 분할하는 분할 방법이 실용화되어 있다. 이 분할 방법에서는, 예컨대, 개질층이 형성된 웨이퍼에 익스팬드 테이프의 중앙부를 점착하고, 이 중앙부를 밀어 올리도록 익스팬드 테이프를 확장함으로써 웨이퍼에 외력을 부여하고 있다.
그런데, 익스팬드 테이프를 확장하여 넓힌 칩의 간격을 유지하기 위해, 익스팬드 테이프의 외주부를 고정한 환형의 프레임의 내주와 웨이퍼의 외주 사이의 영역을 가열하여, 확장 후의 익스팬드 테이프의 느슨해진 부분을 부분적으로 수축시키는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이 방법으로 칩의 간격을 넓힌 상태로 유지하면, 이후의 핸들링 등을 용이하게 할 수 있다. 또한, 이 방법에 따르면, 테이프의 느슨함에 의한 칩끼리의 스침을 막아 파손을 회피할 수 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2007-27562호 공보
전술한 방법에서는, 프레임의 내주와 웨이퍼의 외주 사이의 영역을 가열하기 전에, 확장된 익스팬드 테이프를 척 테이블로 흡인하여 칩의 간격을 유지하면서, 익스팬드 테이프의 밀어 올림을 해제하여 웨이퍼와 프레임을 동일한 높이에 위치 부여하고 있다.
그러나, 익스팬드 테이프의 밀어 올림을 해제하면, 프레임의 내주와 웨이퍼의 외주 사이에서 익스팬드 테이프가 휘어 융기하여, 척 테이블로부터 익스팬드 테이프가 말려 버리는 경우가 있었다. 이 경우, 특히, 익스팬드 테이프가 말린 부분에서는, 칩의 간격을 적절하게 유지할 수 없게 된다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 익스팬드 테이프의 융기에 기인하는 척 테이블로부터의 말림을 억제한 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 격자상의 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획되어, 각 영역에 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 위요하고, 상기 격자상의 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획된 외주 잉여 영역을 표면에 갖는 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼를 투과하는 파장의 레이저 광선에 의해 상기 분할 예정 라인을 따른 개질층을 웨이퍼의 내부에 형성하는 개질층 형성 단계와, 익스팬드 테이프를 통해 환형의 프레임의 개구에 웨이퍼가 지지된 웨이퍼 유닛을 준비하는 웨이퍼 유닛 준비 단계와, 상기 개질층 형성 단계 및 상기 웨이퍼 유닛 준비 단계를 실시한 후에, 상기 웨이퍼 유닛의 웨이퍼를, 상기 익스팬드 테이프를 통해 척 테이블의 유지면에 배치하며, 상기 프레임을 프레임 유지 수단으로 유지하는 확장 준비 단계와, 상기 확장 준비 단계를 실시한 후에, 상기 척 테이블을 상기 프레임 유지 수단에 대하여 밀어 올리도록 상기 척 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 상대 이동시켜 상기 익스팬드 테이프를 확장하고, 상기 개질층을 기점으로 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 복수의 칩으로 분할하면서 상기 칩의 간격을 확장하는 확장 단계와, 상기 확장 단계를 실시한 후에, 상기 익스팬드 테이프를 통해 상기 척 테이블의 상기 유지면에서 웨이퍼를 흡인 유지하여 상기 칩의 간격을 유지하면서, 상기 프레임 유지 수단에 대한 상기 척 테이블의 밀어 올림 상태를 해제하는 밀어 올림 해제 단계와, 상기 밀어 올림 해제 단계를 실시한 후에, 상기 확장 단계에서 확장되어 느슨해진 상기 척 테이블 외주와 상기 프레임 내주 사이의 상기 익스팬드 테이프에 자극을 부여하여, 느슨함을 제거하는 느슨함 제거 단계를 포함하고, 상기 개질층 형성 단계에서는, 상기 분할 예정 라인 중 미리 정해진 일부의 분할 예정 라인에서, 상기 외주 잉여 영역에는 상기 개질층을 형성하지 않고, 상기 디바이스 영역에만 상기 개질층을 형성함으로써, 상기 분할 예정 라인 중 상기 미리 정해진 일부의 분할 예정 라인을 제외한 나머지 분할 예정 라인에서 형성된 상기 개질층을 따라 상기 외주 잉여 영역이 분할되어 형성되는 가공 잉여 칩의 면적을 크게 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 개질층 형성 단계에서는, 상기 확장 단계에 있어서 상기 디바이스 영역이 복수의 상기 칩으로 분할될 수 있도록 상기 미리 정해진 일부의 분할 예정 라인의 개수가 조정되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 웨이퍼의 가공 방법에서는, 개질층 형성 단계에 있어서, 미리 정해진 분할 예정 라인에서 외주 잉여 영역을 제외하고 개질층을 형성하여, 가공 여분 칩을 대면적화하고 있기 때문에, 익스팬드 테이프가 휘어 융기하여도 척 테이블로부터 말리기 어려워진다. 이와 같이, 본 발명에 따르면, 익스팬드 테이프의 융기에 기인하는 척 테이블로부터의 말림을 억제한 웨이퍼의 가공 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시형태의 웨이퍼 유닛을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 개질층 형성 단계를 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 3은 익스팬드 테이프의 방향과 개질층의 관계를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 4의 (A)는 확장 준비 단계를 모식적으로 나타내는 도면이고, 도 4의 (B)는 확장 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 5의 (A)는 밀어 올림 해제 단계를 모식적으로 나타내는 도면이고, 도 5의 (B)는 느슨함 제거 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼 유닛 준비 단계(도 1 참조), 개질층 형성 단계(도 2 참조), 확장 준비 단계[도 4의 (A) 참조], 확장 단계[도 4의 (B) 참조], 밀어 올림 해제 단계[도 5의 (A) 참조], 및 느슨함 제거 단계[도 5의 (B) 참조]를 포함한다.
웨이퍼 유닛 준비 단계에서는, 웨이퍼가 익스팬드 테이프를 통해 환형의 프레임에 지지된 웨이퍼 유닛을 준비한다. 개질층 형성 단계에서는, 웨이퍼의 내부에 레이저 광선을 집광시켜, 스트리트(분할 예정 라인)를 따르는 개질층을 형성한다.
확장 준비 단계에서는, 칩 간격 유지 장치가 구비하는 척 테이블에 웨이퍼를 배치하고, 프레임 유지 테이블(프레임 유지 수단)로 프레임을 유지한다. 확장 단계에서는, 척 테이블을 프레임 유지 테이블에 대하여 밀어 올리도록 이동시켜, 익스팬드 테이프를 확장한다. 이에 의해, 개질층이 형성된 스트리트를 따라 웨이퍼는 복수의 칩으로 분할되고, 또한, 칩의 간격이 넓혀진다.
밀어 올림 해제 단계에서는, 척 테이블로 웨이퍼를 흡인 유지하여 칩의 간격을 유지하면서, 척 테이블의 밀어 올림 상태를 해제한다. 느슨함 제거 단계에서는, 척 테이블의 외주와 프레임의 내주 사이에서 익스팬드 테이프에 자극을 부여하여, 익스팬드 테이프의 느슨함을 제거한다. 이하, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에 대해서 상세하게 서술한다.
우선, 웨이퍼 유닛을 준비하는 웨이퍼 유닛 준비 단계를 실시한다. 도 1은 본 실시형태의 웨이퍼 유닛을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 유닛(1)은, 예컨대, 실리콘 등의 재료로 형성된 원반형의 웨이퍼(11)를 포함한다.
웨이퍼(11)의 표면(11a)은, 중앙의 디바이스 영역(13)과, 디바이스 영역(13)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(15)으로 나누어진다. 이 디바이스 영역(13) 및 외주 잉여 영역(15)은, 격자형으로 배열된 스트리트(분할 예정 라인)(17)로 더욱 복수의 소영역으로 구획되어 있고, 디바이스 영역(13) 내의 각 소영역에는, IC 등의 디바이스(19)가 형성되어 있다.
웨이퍼 유닛 준비 단계에서는, 예컨대, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측에, 웨이퍼(11)보다 대직경의 익스팬드 테이프(21)를 점착한다. 익스팬드 테이프(21)는, 수지 등의 재료로 형성되어 있고, 외력을 부여함으로써 확장된다. 이 익스팬드 테이프(21)의 외주부에는, 대략 원형의 개구를 구비한 환형의 프레임(23)이 점착된다.
이에 의해, 웨이퍼(11)는, 익스팬드 테이프(21)를 통해 환형의 프레임(23)에 지지된다. 또한, 도 1에서는, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측에 익스팬드 테이프(21)를 점착하고 있지만, 웨이퍼(11)의 표면(11a)측에 익스팬드 테이프(21)를 점착하여도 좋다.
웨이퍼 유닛 준비 단계 후에는, 웨이퍼(11)의 스트리트(17)를 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 단계를 실시한다. 도 2는 개질층 형성 단계를 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 이 개질층 형성 단계는, 예컨대, 도 2에 나타내는 레이저 가공 장치(2)로 실시된다.
레이저 가공 장치(2)는, 웨이퍼(11)를 흡인 유지하는 유지 테이블(4)을 구비하고 있다. 유지 테이블(4)은, 모터 등의 회전 구동원(도시되지 않음)과 연결되어 있으며, 연직축의 둘레로 회전한다. 또한, 유지 테이블(4)의 하방에는, 이동 기구(도시되지 않음)가 마련되어 있고, 유지 테이블(4)은, 이 이동 기구로 수평 방향으로 이동한다.
유지 테이블(4)의 상면은, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측[익스팬드 테이프(21)측]을 흡인 유지하는 유지면(4a)으로 되어 있다. 유지면(4a)에는, 유지 테이블(4)의 내부에 형성된 유로(도시되지 않음)를 통하여 흡인원(도시되지 않음)의 부압이 작용하여, 웨이퍼(11)를 흡인하는 흡인력이 발생한다. 유지 테이블(4)의 주위에는, 환형의 프레임(23)을 협지 고정하는 복수의 클램프(6)가 배치되어 있다.
유지 테이블(4)의 상방에는, 레이저 가공 헤드(8)가 배치되어 있다. 레이저 가공 헤드(8)는, 레이저 발진기(도시되지 않음)에서 발진한 레이저 빔(L)을, 유지 테이블(4)에 흡인 유지된 웨이퍼(11)의 내부에 집광시킨다. 레이저 발진기는, 웨이퍼(11)에 흡수되기 어려운 파장[웨이퍼(11)를 투과하는 파장]의 레이저 빔(L)을 발진할 수 있도록 구성되어 있다.
개질층 형성 단계에서는, 우선, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측[익스팬드 테이프(21)측]을 유지 테이블(4)의 유지면(4a)에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(11)는, 표면(11a)측이 상방에 노출된 상태로 유지 테이블(4)에 흡인 유지된다.
다음에, 유지 테이블(4)을 이동, 회전시켜, 레이저 가공 헤드(8)를 가공 대상의 스트리트(17)의 상방에 위치 부여한다. 그 후, 레이저 가공 헤드(8)로부터 웨이퍼(11)를 향하여 레이저 빔(L)을 조사하면서, 유지 테이블(4)을 가공 대상의 스트리트(17)와 평행한 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 레이저 빔(L)의 집광점 근방에 다광자 흡수를 발생시켜, 스트리트(17)를 따르는 개질층(25)을 형성할 수 있다.
이 개질층 형성 단계에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 일부의 스트리트(17)에서 외주 잉여 영역(15) 내에 개질층(25)을 형성하지 않는다. 즉, 미리 정해진 스트리트(17)에서는, 디바이스 영역(13)에만 개질층(25)을 형성하고 있다.
이와 같이, 미리 정해진 스트리트(17)에서 외주 잉여 영역(15)을 제외하고 개질층(25)을 형성하면, 외주 잉여 영역(15)에서 분할되는 가공 여분 칩을 대면적화할 수 있다. 그 결과, 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(11)의 외주와 프레임(23)의 내주 사이에 있어서 익스팬드 테이프(21)가 휘어 융기하여도, 익스팬드 테이프(21)는 말리기 어려워진다.
또한, 이러한 미리 정해진 스트리트(17)[디바이스 영역(13)에만 개질층(25)이 형성된 스트리트(17)]의 개수가 많아지면, 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(13)을 적절하게 분할할 수 없게 된다. 그래서, 미리 정해진 스트리트(17)의 개수는, 디바이스 영역(13)을 적절하게 분할할 수 있는 정도로 조정된다.
또한, 예컨대, 롤형으로 권취된 익스팬드 테이프(21)를 이용하는 경우에는, 익스팬드 테이프(21)의 방향 등에 따라 전술한 미리 정해진 스트리트(17)를 설정하는 것이 바람직하다. 도 3은 익스팬드 테이프(21)의 방향과 개질층(25)의 관계를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 롤형으로 권취된 익스팬드 테이프(21)는, 조출 방향(D1)과 수직인 폭 방향(D2)에 있어서, 조출 방향(D1)보다 확장하기 어렵고, 또한, 축소하기 쉽게 되어 있기 때문에 휘기 쉽다. 따라서, 익스팬드 테이프(21)는, 폭 방향(D2)에 있어서 웨이퍼(11)의 외주와 프레임(23)의 내주 사이에서 융기하여 유지 테이블(4)로부터 말리기 쉽다.
그래서, 이러한 경우에는, 폭 방향(D2)의 단부(A)에 대응하는 외주 잉여 영역(15)에 있어서, 가공 여분 칩이 보다 대면적화되도록 미리 정해진 스트리트(17)를 설정한다. 이에 의해, 익스팬드 테이프(21)의 말림을 보다 적절하게 방지할 수 있다.
모든 스트리트(17)를 따라 개질층(25)이 형성되면, 개질층 형성 단계는 종료한다. 또한, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 유닛 준비 단계를 실시한 후에 개질층 형성 단계를 실시하고 있지만, 개질층 형성 단계를 실시한 후에 웨이퍼 유닛 준비 단계를 실시하여도 좋다.
웨이퍼 유닛 준비 단계 및 개질층 형성 단계 후에는, 익스팬드 테이프(21)를 확장하기 위한 준비를 행하는 확장 준비 단계를 실시한다. 도 4의 (A)는 확장 준비 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
확장 준비 단계 및 그 이후의 단계는, 도 4의 (A) 등에 나타내는 칩 간격 유지 장치(12)로 실시된다. 칩 간격 유지 장치(12)는, 웨이퍼(11)를 유지하는 척 테이블(14)을 구비하고 있다. 척 테이블(14)은, 스테인레스 등의 금속 재료로 이루어지는 원반형의 프레임(16)과, 프레임(16)의 상면 중앙부에 배치된 다공질 부재(18)를 포함한다.
다공질 부재(18)는, 웨이퍼(11)보다 대직경의 원반형으로 형성되어 있고, 척 테이블(14)의 하방에 마련된 흡인로(20), 밸브(22) 등을 통해 흡인원(24)에 접속되어 있다. 다공질 부재(18)의 상면은, 웨이퍼(11)를 유지하는 유지면(18a)으로 되어 있고, 흡인원(24)의 부압을 작용시켜 웨이퍼(11)를 흡인 유지할 수 있다.
프레임(16)의 하방에는, 척 테이블 승강 기구(26)가 마련되어 있다. 척 테이블 승강 기구(26)는, 실린더 케이스(28)와, 실린더 케이스(28)에 삽입 관통된 피스톤 로드(30)를 구비하고, 피스톤 로드(30)의 상단부에는 프레임(16)이 고정되어 있다. 척 테이블(14)의 높이 위치는, 이 척 테이블 승강 기구(26)로 조절된다.
프레임(16)의 외측에는, 프레임(23)을 배치하는 프레임 유지 테이블(프레임 유지 수단)(32)이 마련되어 있다. 프레임 유지 테이블(32)의 중앙부에는, 척 테이블(14)에 대응하는 원형의 개구가 형성되어 있고, 척 테이블(14)은, 이 개구 내에 위치 부여된다. 프레임 유지 테이블(32)의 하방에는, 프레임 유지 테이블(32)을 지지하는 지지 다리(34)가 마련되어 있다.
프레임 유지 테이블(32)의 상방에는, 프레임 유지 테이블(32)에 배치된 프레임(23)을 상방으로부터 고정하는 플레이트(36)가 마련되어 있다. 플레이트(36)의 중앙부에는, 프레임 유지 테이블(32)의 개구에 대응하는 개구가 형성되어 있다. 웨이퍼(11)와 익스팬드 테이프(21)의 일부는, 플레이트(36)의 개구로부터 상방에 노출된다.
확장 준비 단계에서는, 웨이퍼(11)의 표면(11a)측이 상방에 노출되도록, 프레임 유지 테이블(32)의 상면에 프레임(23)을 배치하여, 플레이트(36)로 고정한다. 이에 의해, 프레임(23)은, 프레임 유지 테이블(32)에 유지되고, 웨이퍼(11)는, 익스팬드 테이프(21)를 통해 척 테이블(14)의 유지면(18a)에 배치된다. 또한, 이 확장 준비 단계에서는, 흡인로(20)의 밸브(22)를 폐쇄해 둔다.
확장 준비 단계 후에는, 확장 단계를 실시한다. 도 4의 (B)는 확장 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 확장 단계에서는, 척 테이블(14)을 프레임 유지 테이블(32)에 대하여 밀어 올리도록 상대 이동시킨다. 구체적으로는, 도 4의 (B)에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 승강 기구(26)로 척 테이블(14)을 상승시킨다.
또한, 이 확장 단계에서도 흡인로(20)의 밸브(22)는 폐쇄해 두어, 웨이퍼(11)를 척 테이블(14)에 흡인시키지 않도록 한다. 환형 프레임(23)은, 프레임 유지 테이블(32)과 플레이트(36)로 협지 고정되어 있기 때문에, 척 테이블(14)을 프레임 유지 테이블(32)에 대하여 상승시키면, 익스팬드 테이프(21)는 확장한다.
이에 의해, 웨이퍼(11)에는 익스팬드 테이프(21)를 확장하는 방향의 외력이 가해진다. 그 결과, 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(13)은, 개질층(21)이 형성된 스트리트(17)를 따라 복수의 칩(27a)으로 분할되고, 또한, 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(13)은, 개질층(21)이 형성된 스트리트(17)를 따라 복수의 가공 여분 칩(27b)으로 분할된다.
본 실시형태에서는, 미리 정해진 스트리트(17)에서 외주 잉여 영역(15)을 제외하도록 개질층(25)을 형성하고 있기 때문에, 웨이퍼(11)의 외주 잉여 영역(15)은, 면적이 비교적 큰 가공 여분 칩(27b)으로 분할된다. 또한, 이 익스팬드 테이프(21)의 확장에 의해, 분할된 칩(27a) 및 가공 여분 칩(27b)의 간격은 충분히 넓혀진다.
확장 단계 후에는, 척 테이블(14)의 밀어 올림 상태를 해제하는 밀어 올림 해제 단계를 실시한다. 도 5의 (A)는 밀어 올림 해제 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 밀어 올림 해제 단계에서는, 도 5의 (A)에 나타내는 바와 같이, 흡인로(20)의 밸브(22)를 개방하여, 유지면(18a)에 흡인원(24)의 부압을 작용시킨다.
이에 의해, 간격이 넓혀진 상태의 칩(27a) 및 가공 여분 칩(27b)을, 익스팬드 테이프(21)를 통해 척 테이블(14)에서 흡인 유지할 수 있다. 칩(27a) 및 가공 여분 칩(27b)를 흡인 유지한 후에는, 척 테이블(14)을 프레임 유지 테이블(32)과 대략 동일한 높이까지 하강시킨다.
익스팬드 테이프(21)는, 앞선 확장 단계에서 확장되어 있기 때문에, 척 테이블(14)을 프레임 유지 테이블(32)과 대략 동일한 높이까지 하강시키면, 웨이퍼(11)의 외주와 프레임(23)의 내주 사이에서 익스팬드 테이프(21)가 느슨해져, 융기(21a)를 발생시킨다.
본 실시형태에서는, 전술한 바와 같이 가공 여분 칩(27b)이 대면적화되어 있기 때문에, 척 테이블(14)의 흡인력을 각 가공 여분 칩(27b)에 충분히 작용시켜, 융기(21a)에 기인하는 익스팬드 테이프(21)의 말림을 억제할 수 있다.
밀어 올림 해제 단계 후에는, 웨이퍼(11)의 외주와 프레임(23)의 내주 사이의 익스팬드 테이프(21)의 느슨함을 제거하는 느슨함 제거 단계를 실시한다. 도 5의 (B)는 느슨함 제거 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 느슨함 제거 단계에서는, 도 5의 (B)에 나타내는 바와 같이, 예컨대, 원적외선 히터(자극 부여 수단)(38)를 웨이퍼(11)의 외주와 프레임(23)의 내주 사이에 위치 부여하여, 익스팬드 테이프(21)에 원적외선을 조사한다.
구체적으로는, 예컨대, 익스팬드 테이프(21)를 약 180℃로 가열하는 것 같은 원적외선을 원적외선 히터(38)로부터 조사한다. 또한, 이 느슨함 제거 단계에서도,흡인로(20)의 밸브(22)는 개방해 둔다. 이에 의해, 칩(27a) 및 가공 여분 칩(27b)을 척 테이블(14)에서 흡인 유지한 채로, 웨이퍼(11)의 외주와 프레임(23)의 내주 사이의 영역에서 익스팬드 테이프(21)를 가열, 수축시켜, 느슨함을 제거할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에서는, 개질층 형성 단계에 있어서, 미리 정해진 스트리트(분할 예정 라인)(17)에서 외주 잉여 영역(15)을 제외하고 개질층(25)을 형성하여, 가공 여분 칩(27b)을 대면적화하기 때문에, 가공 여분 칩(27b)을 척 테이블(14)에서 충분히 흡인 유지할 수 있다. 그 때문에, 익스팬드 테이프(21)가 휘어 융기(21a)를 발생시켜도, 익스팬드 테이프(21)는 척 테이블(14)로부터 말리기 어려워진다.
따라서, 칩(27a) 및 가공 여분 칩(27b)의 간격을 척 테이블(14)로 적절하게 유지할 수 있다. 전술한 원리로부터, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 특히, 칩(27a)의 면적이 작은 경우에 효과적이다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 여러가지 변경하여 실시 가능하다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 느슨함 제거 단계에 있어서 익스팬드 테이프(21)에 원적외선을 조사하고 있지만, 익스팬드 테이프(21)에 별도의 자극을 부여하여 느슨함을 제거하여도 좋다.
그 외, 상기 실시형태에 따른 구성, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.
1 웨이퍼 유닛
11 웨이퍼
11a 표면
11b 이면
13 디바이스 영역
15 외주 잉여 영역
17 스트리트(분할 예정 라인)
19 디바이스
21 익스팬드 테이프
21a 융기
23 프레임
25 개질층
27a 칩
27b 가공 여분 칩
2 레이저 가공 장치
4 유지 테이블
4a 유지면
6 클램프
8 레이저 가공 헤드
12 칩 간격 유지 장치
14 척 테이블
16 프레임
18 다공질 부재
18a 지지면
20 흡인로
22 밸브
24 흡인원
26 척 테이블 승강 기구
28 실린더 케이스
30 피스톤 로드
32 프레임 유지 테이블(프레임 유지 수단)
34 지지 다리
36 플레이트
38 원적외선 히터(자극 부여 수단)

Claims (2)

  1. 직교하는 두 방향으로 연장되는 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획되어, 각 영역에 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 위요하고, 상기 직교하는 두 방향으로 연장되는 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획된 외주 잉여 영역을 표면에 갖는 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 분할하는 웨이퍼의 가공 방법에 있어서,
    웨이퍼를 투과하는 파장의 레이저 광선에 의해 상기 분할 예정 라인을 따른 개질층을 웨이퍼의 내부에 형성하는 개질층 형성 단계;
    익스팬드 테이프를 통해 환형의 프레임의 개구에 웨이퍼가 지지된 웨이퍼 유닛을 준비하는 웨이퍼 유닛 준비 단계;
    상기 개질층 형성 단계 및 상기 웨이퍼 유닛 준비 단계를 실시한 후에, 상기 웨이퍼 유닛의 웨이퍼를, 상기 익스팬드 테이프를 통해 척 테이블의 유지면에 배치하며, 상기 프레임을 프레임 유지 수단으로 유지하는 확장 준비 단계;
    상기 확장 준비 단계를 실시한 후에, 상기 척 테이블을 상기 프레임 유지 수단에 대하여 밀어 올리도록 상기 척 테이블과 상기 프레임 유지 수단을 상대 이동시켜 상기 익스팬드 테이프를 확장하고, 상기 개질층을 기점으로 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 복수의 칩으로 분할하면서 상기 칩의 간격을 확장하는 확장 단계;
    상기 확장 단계를 실시한 후에, 상기 익스팬드 테이프를 통해 상기 척 테이블의 상기 유지면에서 웨이퍼를 흡인 유지하여 상기 칩의 간격을 유지하면서, 상기 프레임 유지 수단에 대한 상기 척 테이블의 밀어 올림 상태를 해제하는 밀어 올림 해제 단계; 및
    상기 밀어 올림 해제 단계를 실시한 후에, 상기 확장 단계에서 확장되어 느슨해진 상기 척 테이블 외주와 상기 프레임 내주 사이의 상기 익스팬드 테이프에 자극을 부여하여, 느슨함을 제거하는 느슨함 제거 단계
    를 포함하고, 상기 개질층 형성 단계에서는, 상기 직교하는 두 방향 중 어느 한 방향으로 연장되는 상기 분할 예정 라인 중 미리 정해진 일부의 분할 예정 라인에서, 상기 외주 잉여 영역에는 상기 개질층을 형성하지 않고, 상기 디바이스 영역에만 상기 개질층을 형성함으로써, 상기 분할 예정 라인 중 상기 미리 정해진 일부의 분할 예정 라인을 제외한 나머지 분할 예정 라인에서 형성된 상기 개질층을 따라 상기 외주 잉여 영역이 분할되어 형성되는 가공 여분 칩의 면적을 크게 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 개질층 형성 단계에서는, 상기 확장 단계에 있어서 상기 디바이스 영역이 복수의 상기 칩으로 분할될 수 있도록 상기 미리 정해진 일부의 분할 예정 라인의 개수가 조정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
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