KR102250467B1 - 칩 간격 유지 장치 - Google Patents

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Abstract

칩의 간격을 넓힌 상태로 유지할 때의 칩의 오염을 억제 가능한 칩 간격 유지 장치를 제공한다.
익스팬드 시트(23)에 점착된 피가공물(11)을 분할하여 형성한 복수의 칩(27)의 간격을 확장한 상태로 유지하는 칩 간격 유지 장치(2)로서, 피가공물의 외주 가장자리와 환형 프레임(25)의 내주 사이의 확장된 익스팬드 시트를 향하여 원적외선(A)을 조사하여, 익스팬드 시트를 수축시키는 원적외선 조사 수단(42)과, 원적외선 조사 수단에 인접하여 배치되고, 원적외선 조사 수단이 익스팬드 시트를 향하여 원적외선을 조사할 때에 피가공물에 대하여 기체(B)를 분사하는 분사구(44a)를 가지며, 피가공물의 상방에 공기층을 형성하는 공기층 형성 수단(44)을 구비하는 구성으로 하였다.

Description

칩 간격 유지 장치{APPARATUS FOR MAINTAINING SPACES BETWEEN CHIPS}
본 발명은 익스팬드 시트를 확장하여 넓힌 칩의 간격을 유지하는 칩 간격 유지 장치에 관한 것이다.
휴대 전화로 대표되는 소형 경량인 전자 기기에서는, IC 등의 디바이스를 구비하추는 디바이스 칩이 필수적인 구성으로 되어 있다. 디바이스 칩(이하, 칩)은, 예컨대, 실리콘 등의 재료로 이루어지는 웨이퍼의 표면을 스트리트라고 불리는 복수의 분할 예정 라인으로 구획하고, 각 영역에 디바이스를 형성한 후, 이 스트리트를 따라 웨이퍼를 분할함으로써 제조된다.
최근에는, 웨이퍼의 스트리트를 따라 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하고, 외력을 부여하여 복수의 칩으로 분할하는 분할 방법이 실용화되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이 분할 방법에서는, 개질층이 형성된 웨이퍼에 익스팬드 시트를 점착하고, 이 익스팬드 시트를 확장함으로써 웨이퍼에 외력을 부여하고 있다.
그런데, 익스팬드 시트를 확장하여 넓힌 칩의 간격을 유지하기 위해, 익스팬드 시트가 고정된 환형 프레임의 내주와 웨이퍼의 외주 사이의 영역을 가열하여, 확장 후의 익스팬드 시트를 부분적으로 수축시키는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 이 방법에서 칩의 간격을 넓힌 상태로 유지함으로써, 이후의 핸들링 등을 용이하게 할 수 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2011-77482호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2012-156400호 공보
그런데, 전술한 방법에서는, 가열에 의해 휘발한 익스팬드 시트의 성분이 칩에 부착되어, 칩을 오염시켜 버리는 경우가 있다. 본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 칩의 간격을 넓힌 상태로 유지할 때의 칩의 오염을 억제 가능한 칩 간격 유지 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 익스팬드 시트에 점착된 피가공물을 분할하여 형성한 복수의 칩의 간격을 확장한 상태로 유지하는 칩 간격 유지 장치로서, 피가공물을 지지하는 지지면을 가지고, 익스팬드 시트를 통해 복수의 칩으로 분할된 피가공물을 흡인 유지 가능한 테이블과, 상기 익스팬드 시트가 장착된 환형 프레임을 상기 테이블의 외주부에 고정하는 고정 수단과, 상기 익스팬드 시트를 확장하여, 복수의 상기 칩 사이에 간격을 형성하는 확장 수단과, 상기 테이블의 상기 지지면의 상방에 배치되며, 피가공물의 외주 가장자리와 상기 환형 프레임의 내주 사이의 확장된 상기 익스팬드 시트를 향하여 원적외선을 조사하여, 상기 익스팬드 시트를 수축시키는 원적외선 조사 수단과, 상기 원적외선 조사 수단을, 상기 익스팬드 시트에 대하여 원적외선을 조사하는 조사 위치와 후퇴 위치에 위치 설정하는 위치 설정 수단과, 상기 원적외선 조사 수단에 인접하여 배치되고, 상기 원적외선 조사 수단이 상기 익스팬드 시트를 향하여 원적외선을 조사할 때에 피가공물에 대하여 기체를 분사하는 분사구를 가지며, 피가공물의 상방에 공기층을 형성하는 공기층 형성 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 칩 간격 유지 장치가 제공된다.
본 발명에 따른 칩 간격 유지 장치는, 피가공물의 상방에 공기층을 형성하는 공기층 형성 수단을 구비하기 때문에, 익스팬드 시트로부터 휘발하는 성분의 피가공물에의 부착을 공기층에 의해 억제할 수 있다. 이에 의해, 칩의 간격을 넓힌 상태로 유지할 때의 칩의 오염을 억제할 수 있다.
도 1은 칩 간격 유지 장치로 처리되는 피가공물을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 칩 간격 유지 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 칩 간격 유지 장치의 단면 등을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 배치 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 분할 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 흡인 유지 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 가열 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태의 칩 간격 유지 장치로 처리되는 피가공물을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 피가공물(11)은, 예컨대, 실리콘 등의 재료로 형성된 대략 원형의 판형물(웨이퍼)이며, 표면(11a)은, 중앙의 디바이스 영역(13)과, 디바이스 영역(13)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(15)으로 나누어져 있다.
디바이스 영역(13)은, 격자형으로 배열된 스트리트(분할 예정 라인)(17)로 더욱 복수의 영역으로 구획되어 있고, 각 영역에는 IC 등의 디바이스(19)가 형성되어 있다. 피가공물(11)의 외주는 모따기 가공되어 있어, 둥글게 되어 있다.
피가공물(11)의 내부에는, 분할의 기점이 되는 개질층(21)이, 각 스트리트(17)를 따라 형성되어 있다. 개질층(21)은, 예컨대, 피가공물(11)에 흡수되기 어려운 파장의 레이저 빔을 피가공물(11)의 내부에 집광함으로써 형성된다. 또한, 개질층(21) 대신에, 분할의 기점이 될 수 있는 레이저 가공홈이나 절삭홈 등을 형성하여도 좋다.
피가공물(11)의 이면(11b)측에는, 피가공물(11)보다 대직경의 익스팬드 시트(23)가 점착되어 있다. 이 익스팬드 시트(23)는, 수지 등의 재료로 형성되어 있고, 외력을 부여함으로써 확장된다. 익스팬드 시트(23)의 외주부에는, 대략 원형의 개구를 구비한 환형 프레임(25)이 장착되어 있다.
즉, 피가공물(11)은, 익스팬드 시트(23)를 통해 환형 프레임(25)에 지지되어 있다. 또한, 도 1에서는, 피가공물(11)의 이면(11b)측에 익스팬드 시트(23)를 점착하고 있지만, 피가공물(11)의 표면(11a)측에 익스팬드 시트(23)를 점착하여도 좋다.
도 2는 본 실시형태에 따른 칩 간격 유지 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 3은 본 실시형태에 따른 칩 간격 유지 장치의 단면 등을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 칩 간격 유지 장치(2)는, 피가공물(11)을 지지하는 지지 테이블(테이블)(4)을 구비하고 있다. 지지 테이블(4)은, 스테인레스 등의 금속 재료로 이루어지는 원반형의 프레임(6)과, 프레임(6)의 상면 중앙부에 배치된 다공질 부재(8)를 포함한다.
다공질 부재(8)는, 피가공물(11)과 대략 동일 직경의 원반형으로 형성되어 있고, 도 3에 나타내는 바와 같이, 지지 테이블(4)의 하방에 마련된 흡인로(10), 밸브(12) 등을 통해 흡인원(14)에 접속되어 있다. 다공질 부재(8)의 상면은, 피가공물(11)을 지지하는 지지면(8a)으로 되어 있고, 흡인원(14)의 부압에 의해 피가공물(11)을 흡인 유지할 수 있다.
피가공물(11)의 익스팬드 시트(23)측을 지지면(8a)에 중첩하고, 흡인원(14)의 부압을 작용시킴으로써, 피가공물(11)은, 익스팬드 시트(23)를 통해 지지 테이블(4)에 흡인 유지된다. 다공질 부재(8)의 하방에는, 지지면(8a)을 가열하는 시트 히터(16)가 마련되어 있어, 지지 테이블(4)에서 흡인 유지한 익스팬드 시트(23)를 가열할 수 있다.
프레임(6)의 하방에는, 2개의 지지 테이블 승강 기구(확장 수단)(18)가 마련되어 있다. 각 지지 테이블 승강 기구(18)는, 실린더 케이스(20)와 실린더 케이스(20)에 삽입 관통된 피스톤 로드(22)를 구비하고, 피스톤 로드(22)의 상단부에는 지지 테이블(4)이 고정되어 있다. 지지 테이블(4)의 높이 위치는, 이 2개의 지지 테이블 승강 기구(18)로 조절된다.
프레임(6)의 외측에는, 프레임(6)의 외주를 둘러싸도록, 스테인레스 등의 금속 재료로 이루어지는 원환형의 외주 테이블(24)이 배치되어 있다. 외주 테이블(24)의 하방에는, 2개의 외주 테이블 승강 기구(확장 수단)(26)가 마련되어 있다.
각 외주 테이블 승강 기구(26)는, 실린더 케이스(28)와 실린더 케이스(28)에 삽입 관통된 피스톤 로드(30)를 구비하고, 피스톤 로드(30)의 상단부에는 외주 테이블(24)이 고정되어 있다. 외주 테이블(24)의 높이 위치는, 이 2개의 외주 테이블 승강 기구(26)로 조절된다.
외주 테이블(24)의 외측에는, 환형 프레임(25)을 배치하는 배치 테이블(32)이 마련되어 있다. 배치 테이블(32)의 중앙부에는, 지지 테이블(4) 및 외주 테이블(24)에 대응하는 원형의 개구(32a)가 마련되어 있고, 지지 테이블(4) 및 외주 테이블(24)은, 이 개구(32a) 내에 위치 설정된다.
배치 테이블(32)의 하방에는, 4개의 배치 테이블 승강 기구(34)가 마련되어 있다. 각 배치 테이블 승강 기구(34)는, 실린더 케이스(36)와 실린더 케이스(36)에 삽입 관통된 피스톤 로드(38)를 구비하고, 피스톤 로드(38)의 상단부에는 배치 테이블(32)이 고정되어 있다. 배치 테이블(32)의 높이 위치는, 이 4개의 배치 테이블 승강 기구(34)로 조절된다.
배치 테이블(32)의 상면에는, 피가공물(11)의 표면(11a)측이 상방에 노출되도록 환형 프레임(25)이 배치된다. 이에 의해, 피가공물(11)은, 개구(32a)의 중앙 부근에 위치 설정되어, 익스팬드 시트(23)를 통해 지지 테이블(4)에 지지된다.
배치 테이블(32)의 상방에는, 배치 테이블(32)에 배치된 환형 프레임(25)을 상방으로부터 압박하여 고정하는 플레이트(고정 수단)(40)가 마련되어 있다. 플레이트(40)의 중앙부에는, 배치 테이블(32)의 개구(32a)에 대응하는 개구(40a)가 마련되어 있다. 피가공물(11)과 익스팬드 시트(23)의 일부는, 이 개구(40a)로부터 상방에 노출된다.
환형 프레임(25)을 플레이트(40)로 고정한 후에는, 지지 테이블 승강 기구(18) 및 외주 테이블 승강 기구(26)로 지지 테이블(4) 및 외주 테이블(24)을 상승시킨다. 이와 같이, 배치 테이블(32)에 대하여 지지 테이블(4) 및 외주 테이블(24)을 상대적으로 상승시킴으로써, 환형 프레임(25)에 장착된 익스팬드 시트(23)를 확장시킬 수 있다.
지지 테이블(4) 및 외주 테이블(24)의 상방에는, 원적외선을 조사하는 2개의 원적외선 히터(원적외선 조사 수단)(42)를 구비한 원반형의 공기층 형성 유닛(공기층 형성 수단)(44)이 배치되어 있다. 이 원적외선 히터(42)에 의해, 플레이트(40)의 개구(40a)로부터 노출된 익스팬드 시트(23)의 일부에 원적외선을 조사할 수 있다.
원적외선 히터(42)는, 예컨대, 3 ㎛∼25 ㎛에 피크 파장을 갖는 원적외선을 조사할 수 있도록 구성되어 있다. 이러한 파장의 원적외선은, 금속 재료에 흡수되기 어렵기 때문에, 익스팬드 시트(23)를 수축시킬 때의 지지 테이블(4), 외주 테이블(24) 등의 가열을 방지할 수 있다. 즉, 원적외선이 조사된 영역에 있어서만 익스팬드 시트(23)를 적절하게 가열하여, 수축시킬 수 있다.
공기층 형성 유닛(44)은, 상하로 신장하는 회전축(46)을 통해 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)과 연결되어 있다. 회전축(46)은, 원적외선 히터(42) 및 공기층 형성 유닛(44)을 상하로 이동시키는 이동 유닛(위치 설정 수단)(도시하지 않음)에 지지되어 있다. 이 이동 유닛에 의해, 원적외선 히터(42) 및 공기층 형성 유닛(44)은, 익스팬드 시트(23)에 대하여 원적외선을 조사하는 하방의 조사 위치와, 상방의 후퇴 위치에 위치 설정된다.
원적외선 히터(42)를 조사 위치에 위치 설정하며, 회전축(46)의 둘레로 회전시키면서 원적외선을 조사함으로써, 피가공물(11)의 외주와 환형 프레임(25)의 내주 사이에 위치하는 익스팬드 시트(23)를 가열할 수 있다. 그 결과, 상기 위치의 익스팬드 시트(23)는 수축한다.
공기층 형성 유닛(44)의 중앙에는, 피가공물(11)을 향하여 기체(공기 등)를 분사하는 분사구(44a)가 형성되어 있다. 이 분사구(44a)에는, 회전축(46)의 내부에 형성된 공급로(46a), 밸브(48) 등을 통해 기체 공급원(50)이 접속되어 있다. 익스팬드 시트(23)에 원적외선을 조사할 때에는, 밸브(48)를 개방하여 분사구(44a)로부터 기체를 분사시킨다. 이에 의해, 피가공물(11)의 상방에 기체의 흐름(공기층)을 형성할 수 있다.
다음에, 전술한 칩 간격 유지 장치(2)의 사용예를 설명한다. 우선, 지지 테이블(4) 상에 피가공물(11)을 배치하는 배치 단계를 실시한다. 도 4는 배치 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 배치 단계에서는, 피가공물(11)의 표면(11a)측이 상방에 노출되도록, 배치 테이블(32)의 상면에 환형 프레임(25)을 배치한다. 이에 의해, 피가공물(11)은, 익스팬드 시트(23)를 통해 지지 테이블(4)에 지지된다.
또한, 흡인로(10)의 밸브(12)는 폐쇄해 둔다. 또한, 이 배치 단계를 실시하는 타이밍에 시트 히터(16)를 작동시켜, 지지 테이블(4)의 지지면(8a)을 미리 50℃∼80℃ 정도로 가열해 두면 좋다. 단, 지지면(8a)의 온도는 특별히 한정되지 않고, 익스팬드 시트(23)의 종류에 따라 변경할 수 있다.
배치 단계 후에는, 익스팬드 시트(23)를 확장하여 피가공물(11)을 분할하는 분할 단계를 실시한다. 도 5는 분할 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 분할 단계에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 배치 테이블(32)에 배치된 환형 프레임(25)을 플레이트(40)로 고정하여, 지지 테이블 승강 기구(18) 및 외주 테이블 승강 기구(26)로 지지 테이블(4) 및 외주 테이블(24)을 상승시킨다.
이 분할 단계에서도 흡인로(10)의 밸브(12)는 폐쇄해 두어, 피가공물(11)을 지지 테이블(4)에 흡인시키지 않도록 한다. 환형 프레임(25)은, 배치 테이블(32)과 플레이트(40)로 협지 고정되어 있기 때문에, 지지 테이블(4) 및 외주 테이블(24)을 배치 테이블(32)에 대하여 상대적으로 상승시키면, 익스팬드 시트(23)는 확장한다.
이에 의해, 피가공물(11)에는 익스팬드 시트(23)를 확장하는 방향의 외력이 더해져, 피가공물(11)은, 개질층(21)이 형성된 스트리트(17)를 따라 복수의 칩(27)으로 분할된다.
또한, 이 익스팬드 시트(23)의 확장에 의해, 분할된 칩(27)의 간격이 넓혀진다. 전술한 바와 같이, 지지 테이블(4)의 지지면(8a)은, 시트 히터(16)에 의해 가열되고 있기 때문에, 익스팬드 시트(23)를 충분히 연화시켜 칩(27)의 간격을 용이하게 넓힐 수 있다.
또한, 시트 히터(16)는, 피가공물(11)에 대응한 영역만을 가열하기 때문에, 피가공물(11)의 외주와 환형 프레임(25)의 내주 사이의 영역에 있어서, 익스팬드 시트(23)의 열에 의한 연화는 억제된다. 즉, 피가공물(11)의 외주와 환형 프레임(25)의 내주 사이의 영역에 있어서, 익스팬드 시트(23)는 지나치게 확장되지 않고 끝난다.
분할 단계 후에는, 피가공물(11)을 지지 테이블(4)에 흡인시키는 흡인 유지 단계를 실시한다. 도 6은 흡인 유지 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 흡인 유지 단계에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 흡인로(10)의 밸브(12)를 개방하여, 지지면(8a)에 흡인원(14)의 부압을 작용시킨다.
이에 의해, 간격이 넓어진 상태의 복수의 칩(27)을, 지지 테이블(4)에서 흡인 유지할 수 있다. 복수의 칩(27)을 지지 테이블(4)에서 흡인 유지한 후에는, 지지 테이블(4) 및 외주 테이블(24)을, 배치 테이블(32)과 동일한 높이 위치까지 하강시킨다.
흡인 유지 단계 후에는, 익스팬드 시트(23)에 원적외선을 조사하는 가열 단계를 실시한다. 도 7은 가열 단계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 가열 단계에서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 원적외선 히터(42)를 상방의 후퇴 위치로부터 하방의 조사 위치로 이동시켜, 원적외선(A)을 조사하면서 회전축(46)의 둘레로 180도 회전시킨다.
구체적으로는, 예컨대, 익스팬드 시트(23)를 약 180℃까지 가열하는 것 같은 원적외선(A)을 원적외선 히터(42)로부터 조사한다. 또한, 공급로(46a)의 밸브(48)를 개방하여, 분사구(44a)로부터 피가공물(11)[칩(27)]을 향하여 기체(B)를 분사한다. 또한, 이 흡인 유지 단계에서도, 흡인로(10)의 밸브(12)는 개방해 둔다.
이에 의해, 피가공물(11)의 외주와 환형 프레임(25)의 내주 사이의 영역에서 익스팬드 시트(23)를 가열하여, 수축시킬 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 전술한 바와 같이, 피가공물(11)의 상방에 외측[환형 프레임(25)측]을 향하는 기체(B)의 흐름(공기층)을 형성하고 있기 때문에, 가열에 의해 휘발한 익스팬드 시트(23)의 성분이 피가공물(11)에 부착하기 어려워진다.
이상과 같이, 본 실시형태의 칩 간격 유지 장치(2)는, 피가공물(11)의 상방에 기체(B)의 흐름(공기층)을 형성하는 공기층 형성 유닛(공기층 형성 수단)(44)을 구비하기 때문에, 기체(B)의 흐름에 의해, 익스팬드 시트(23)로부터 휘발하는 성분의 피가공물(11)에의 부착을 억제할 수 있다. 이에 의해, 칩(27)의 간격을 넓힌 상태로 유지할 때의 칩(27)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 칩 간격 유지 장치(2)는, 피가공물(11)의 외주와 환형 프레임(25)의 내주 사이에 원적외선(A)을 조사하여 익스팬드 시트(23)를 수축시키는 원적외선 히터(원적외선 조사 수단)(42)를 구비하기 때문에, 피가공물(11)의 외주와 환형 프레임(25)의 내주 사이에 있어서 익스팬드 시트(23)를 원적외선(A)으로 수축시켜, 칩(27)의 간격을 적절하게 유지할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 칩 간격 유지 장치(2)에서는, 원적외선(A)을 사용하기때문에, 칩 간격 유지 장치(2)를 구성하는 지지 테이블(4), 외주 테이블(24) 등의 가열을 방지할 수 있다. 즉, 본 실시형태의 칩 간격 유지 장치(2)는, 익스팬드 시트(23)만을 원적외선(A)으로 가열하여, 수축시켜, 칩(27)의 간격을 적절하게 유지할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 여러가지 변경하여 실시할 수 있다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 지지 테이블 승강 기구(확장 수단)(18) 및 외주 테이블 승강 기구(확장 수단)(26)로 지지 테이블(4) 및 외주 테이블(24)을 상승시킴으로써, 환형 프레임(25)에 장착된 익스팬드 시트(23)를 확장하고 있지만, 본 발명의 확장 수단은, 지지 테이블 승강 기구(18) 및 외주 테이블 승강 기구(26)에 한정되지 않는다.
예컨대, 배치 테이블 승강 기구(34)로 배치 테이블(32)을 하강시켜, 익스팬드 시트(23)를 확장하여도 좋다. 이 경우에는, 배치 테이블 승강 기구(34)가 확장 수단이 된다. 또한, 예컨대, 외주 테이블 승강 기구(26)로 외주 테이블(24)을 상승시켜, 익스팬드 시트(23)를 확장하여도 좋다. 이 경우에는, 외주 테이블 승강 기구(26)가 확장 수단이 된다. 또한, 피가공물(11)의 외주와 환형 프레임(25)의 내주 사이의 영역을 압박하는 다른 확장 수단을 이용하여도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 원적외선 히터(42)와 공기층 형성 유닛(44)을 동일한 이동 유닛(위치 설정 수단)으로 이동시키고 있지만, 상이한 이동 유닛(위치 설정 수단)으로 독립적으로 이동시켜도 좋다.
그 외, 상기 실시형태에 따른 구성, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.
2 칩 간격 유지 장치
4 지지 테이블(테이블)
6 프레임
8 다공질 부재
8a 지지면
10 흡인로
12 밸브
14 흡인원
16 시트 히터
18 지지 테이블 승강 기구(확장 수단)
20 실린더 케이스
22 피스톤 로드
24 외주 테이블
26 외주 테이블 승강 기구(확장 수단)
28 실린더 케이스
30 피스톤 로드
32 배치 테이블
32a 개구
34 배치 테이블 승강 기구
36 실린더 케이스
38 피스톤 로드
40 플레이트(고정 수단)
40a 개구
42 원적외선 히터(원적외선 조사 수단)
44 공기층 형성 유닛(공기층 형성 수단)
44a 분사구
46 회전축
46a 공급로
48 밸브
50 기체 공급원
11 피가공물
11a 표면
11b 이면
13 디바이스 영역
15 외주 잉여 영역
17 스트리트(분할 예정 라인)
19 디바이스
21 개질층
23 익스팬드 시트
25 환형 프레임
27 칩
A 원적외선
B 기체

Claims (1)

  1. 익스팬드 시트에 점착된 피가공물을 분할하여 형성한 복수의 칩의 간격을 확장한 상태로 유지하는 칩 간격 유지 장치에 있어서,
    피가공물을 지지하는 지지면을 가지고, 익스팬드 시트를 통해 복수의 칩으로 분할된 피가공물을 흡인 유지 가능한 테이블;
    상기 익스팬드 시트가 장착된 환형 프레임을 상기 테이블의 외주부에 고정하는 고정 수단;
    상기 익스팬드 시트를 확장시켜, 복수의 상기 칩 사이에 간격을 형성하는 확장 수단;
    상기 테이블의 상기 지지면의 상방에 배치되며, 피가공물의 외주 가장자리와 상기 환형 프레임의 내주 사이의 확장된 상기 익스팬드 시트를 향하여 원적외선을 조사하여, 상기 익스팬드 시트를 수축시키는 원적외선 조사 수단;
    상기 원적외선 조사 수단을, 상기 익스팬드 시트에 대하여 원적외선을 조사하는 조사 위치와 후퇴 위치에 위치 설정하는 위치 설정 수단; 및
    외주 측에 상기 원적외선 조사 수단을 구비한 원반 형상으로 형성되고, 상기 원적외선 조사 수단이 상기 익스팬드 시트를 향하여 원적외선을 조사할 때에 피가공물에 대하여 기체를 분사하는 분사구를 중앙 측에 가지며, 상기 원적외선의 조사에 의해 상기 익스팬드 시트가 가열될 때 상기 익스팬드 시트에서 휘발되는 상기 익스팬드 시트의 성분이 피가공물에 부착되지 않도록, 피가공물의 상방에 피가공물 측에서 상기 환형 프레임 측으로 향하는 상기 기체의 흐름으로 이루어지는 공기층을 형성하는 공기층 형성 수단
    을 포함하고,
    상기 공기층 형성 수단은 피가공물을 덮지 않는 것을 특징으로 하는
    칩 간격 유지 장치.
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