JP2012156400A - テープ拡張装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】効率よく樹脂拡張テープを加熱することができるテープ拡張装置を提供する。
【解決手段】開口部に樹脂拡張テープを介して板状ワーク4を支持する環状フレーム5を保持するフレーム保持手段10と、環状フレーム5と板状ワーク4とを板状ワーク4の表面と垂直に交わる方向に離反させて樹脂拡張テープを拡張し板状ワーク4を分割予定ライン2に沿って分割する分割手段20と、を有するテープ拡張装置であって、樹脂拡張テープを2.5μm以上30.0μm以下の波長を含む電磁波の照射により加熱して樹脂拡張テープの拡張されて弛み6aを生じた箇所を収縮させる加熱手段40を有する。
【選択図】図4−4

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の板状ワークを分割予定ラインに沿って分割するために樹脂拡張テープを拡張するテープ拡張装置に関する。
フィルム状接着剤が貼着された半導体ウエーハの場合、フィルム状接着剤は非常に柔軟な糊状物質によって形成されているため、フィルム状接着剤側が貼着された保護テープを拡張すると、フィルム状接着剤も伸びてしまいフィルム状接着剤自体を確実に破断することが困難となる。そこで、フィルム状接着剤を冷却する冷却手段を備え、冷却しながら破断を行うことでフィルム状接着剤が伸びずに破断されるようにした破断方法も試みられている(例えば、特許文献1参照)。また、フィルム状接着剤を用いないワークの場合にも、保護テープを拡張することによりワークを分割予定ラインに沿って分割する分割法が用いられている。
また、拡張した拡張テープ(保護テープ)の弛みをとるために赤外線ヒータで熱を与えて拡張テープを収縮させる技術も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2007−27250号公報 特開2006−114691号公報
しかしながら、特許文献2に示されるように、赤外線等を使用して拡張テープの加熱を行っても効率よく拡張テープが加熱されない場合があり、改良の余地がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、効率よく樹脂拡張テープを加熱することができるテープ拡張装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかるテープ拡張装置は、開口部に樹脂拡張テープを介して板状ワークを支持する環状フレームを保持するフレーム保持手段と、前記環状フレームと前記板状ワークとを該板状ワークの表面と垂直に交わる方向に離反させて前記樹脂拡張テープを拡張し前記板状ワークを分割予定ラインに沿って分割する分割手段と、を有するテープ拡張装置であって、前記樹脂拡張テープを2.5μm以上30.0μm以下の波長を含む電磁波の照射により加熱して該樹脂拡張テープの拡張された箇所を収縮させる加熱手段を有することを特徴とする。
また、本発明にかかるテープ拡張装置は、上記発明において、照射する前記電磁波は、ピーク波長が2.5μm以上30.0μm以下に存在することを特徴とする。
また、本発明にかかるテープ拡張装置は、上記発明において、照射する前記電磁波は、ピーク波長が2.5μm以上10.0μm以下に存在することを特徴とする。
また、本発明にかかるテープ拡張装置は、上記発明において、前記加熱手段と前記樹脂拡張テープとの間の雰囲気には、水蒸気を含む空気が存在し、照射する前記電磁波は、ピーク波長が3.0μm以上5.0μm以下又は8.0μm以上30.0μm以下に存在することを特徴とする。
また、本発明にかかるテープ拡張装置は、上記発明において、前記加熱手段と前記樹脂拡張テープとの間の雰囲気には、二酸化炭素が存在し、照射する前記電磁波は、ピーク波長が2.5μm以上14.0μm以下又は17.0μm以上30.0μm以下に存在することを特徴とする。
また、本発明にかかるテープ拡張装置は、上記発明において、前記加熱手段は、少なくとも2.5μm未満の波長の電磁波を減衰させる減衰機構を有することを特徴とする。
また、本発明にかかるテープ拡張装置は、上記発明において、前記樹脂拡張テープを拡張し前記板状ワークを分割予定ラインに沿って分割する際に、前記板状ワークを冷却する冷却手段を有することを特徴とする。
本発明によれば、樹脂が放射によって効率よく加熱される2.5μm以上30.0μm以下の波長が存在する電磁波を樹脂拡張テープに照射して加熱するようにしたので、効率よく樹脂拡張テープを加熱することができるテープ拡張装置を提供することができる。
図1は、本発明の実施の形態のテープ拡張装置の構成例を示す外観斜視図である。 図2は、図1の分解斜視図である。 図3は、図1の一部の縦断側面図である。 図4−1は、テープ拡張処理工程の初期位置工程を示す縦断側面図である。 図4−2は、テープ拡張処理工程の拡張工程を示す縦断側面図である。 図4−3は、テープ拡張処理工程の保持工程を示す縦断側面図である。 図4−4は、テープ拡張処理工程の弛み除去工程を示す縦断側面図である。 図4−5は、テープ拡張処理工程の終了時を示す縦断側面図である。 図5は、電磁波の波長−分光放射エネルギー密度の特性図である。 図6は、各々水蒸気、二酸化炭素雰囲気での電磁波の波長−吸収率特性図である。 図7は、電磁波の波長−放射率(吸収率)の特性図である。
以下、本発明のテープ拡張装置を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施の形態のテープ拡張装置の構成例を示す外観斜視図であり、図2は、その分解斜視図であり、図3は、その一部の縦断側面図であり、図4−1〜図4−5は、テープ拡張処理の工程を工程順に示す縦断側面図である。
まず、図2を参照して、分割対象となる板状ワーク等について説明する。本実施の形態は、表面に複数の分割予定ライン2が格子状に形成されるとともにこれら複数の分割予定ライン2によって区画された複数の領域にデバイス3が形成された板状ワーク4を分割対象とするもので、板状ワーク4の裏面にはダイボンディング用に利用されるフィルム状接着剤1が貼付されている。このフィルム状接着剤1は、エポキシ樹脂等で形成された厚さ数μm〜100μmのDAF(Die Attach Film)である。ここで、本実施の形態の板状ワーク4は、例えばパルスレーザ光線の照射等による変質層形成工程により分割予定ライン2に沿って変質層を形成済みのものが用いられる。このような変質層形成工程は、例えば特許第3408805号公報等で公知であるので、詳細な説明を省略する。そして、このような板状ワーク4は、裏面に貼付されたフィルム状接着剤1側が、開口部5aに伸縮性を有する樹脂拡張テープ6を介して環状フレーム5により支持される。樹脂拡張テープ6は、フィルム状接着剤1よりも凝固点の低い塩化ビニル等の材質からなる。
このような板状ワーク4をデバイス3毎に分割するテープ拡張装置は、フレーム保持手段10と、分割手段20と、冷却手段30と、加熱手段40とを筐体7内に備える。8は、筐体7の上部を覆う蓋体である。
フレーム保持手段10は、例えばSUS等の金属からなる矩形プレート状の保持部材11を備える。ここで、保持部材11は、中央部に環状フレーム5の開口部5aの内径と略同等の内径を有する開口13を備え、この開口13の周囲の上面が環状フレーム5を保持する保持面14として機能する。また、保持部材11の四隅下方には、保持部材11を昇降移動させるエアーピストン機構15を備える。また、フレーム保持手段10は、保持部材11を上昇させることで保持面14上に載置された環状フレーム5を保持面14とで挟持するための規制部材16を保持部材11の上方に備える。この規制部材16は、矩形板状に形成され、中央部に開口部5aや開口13と同等の大きさの円形状の開口17を有する。
また、分割手段20は、フレーム保持手段10の保持面14に保持された環状フレーム5に装着された樹脂拡張テープ6における板状ワーク4が貼付されているワーク貼付領域に作用する円形の押圧面21を有する。この押圧面21は、開口13の内径よりも小さな半径で形成されて、開口13内を昇降自在なものである。また、この押圧面21は、分割時以降、板状ワーク4部分を吸引部22の吸引力により吸引保持するものであり、多孔質材により形成されている。さらに、押圧面21の外周部には、頂部に環状溝23aが形成された筒体23が配置され、環状溝23に沿って複数の拡張補助ローラ24が回転自在に配設されている。これら拡張補助ローラ24は、分割手段20を拡張位置に移動して樹脂拡張テープ6を拡張する際に生じる摩擦抵抗を軽減させ、引張力を均等に作用させるためのものである。
さらに、分割手段20は、押圧面21や筒体23の下部側に連結されて、押圧面21を保持面14より下方に離隔した待機位置から保持面14を通り過ぎてこの保持面14より上方の拡張位置まで移動させるための駆動源としてエアーピストン機構25,26を備える。すなわち、エアーピストン機構25,26は、環状フレーム5と板状ワーク4とを板状ワーク4の表面と垂直に交わる方向に離反させるよう、フレーム保持手段10に対して相互に離隔した待機位置から相互に交差する拡張位置まで昇降移動可能に設けられた押圧面21や筒体23を昇降移動させる。
また、冷却手段30は、樹脂拡張テープ6を拡張し板状ワーク4を分割予定ライン2に沿って分割する際に、上方から例えば10℃以下の冷却空気を噴射ノズル31から噴射することで板状ワーク4を冷却するためのものである。この冷却手段30は、不要時には板状ワーク4の上方位置から退避するように進退自在に設けられている。
加熱手段40は、規制部材16の開口17の上方に位置させて蓋体8内に設けられたもので、樹脂拡張テープ6を2.5μm以上30.0μm以下の波長を含む電磁波の照射により加熱して樹脂拡張テープ6の拡張された箇所を収縮させるためものである。ここで、ピーク波長が2.5μm以上30.0μm以下に存在する電磁波を照射するとさらに効率よく樹脂拡張テープ6の拡張された箇所を収縮させることができる。ピーク波長とは、加熱手段40から発せられる電磁波を構成する波長の中で最も高い放射エネルギーを持つ波長を意味する。この加熱手段40は、樹脂拡張テープ6の拡張された箇所に電磁波を照射するように板状ワーク4の外径よりも大きくて開口13よりも小さな大きさで環状に形成された電磁波発生機構41を有する。この電磁波発生機構41としては例えば、セラミックスヒータやハロゲンランプなどを用いることができる。特に、2.5μm以上30.0μm以下の波長域にピーク強度が位置する条件で電磁波を発生させることが容易なセラミックスヒータが好ましい。セラミックスは、他のヒータの表面素材として用いることができる素材に比べて上記波長域における放射率が高いため、効果的に対象物を加熱できる。また、加熱手段40は、電磁波発生機構41の電磁波照射側面に位置させて減衰機構42を有することが好ましい。この減衰機構42は、2.5μm未満の波長の電磁波を減衰させるためのものであり、波長遮断フィルタ等が用いられている。
このような構成において、板状ワーク4を分割するためのテープ拡張処理について工程順に説明する。まず、図3に示すように、分割手段20を待機位置に下降させるとともに、フレーム保持手段10を待機位置に下降させた状態で、筐体7のシャッタ機構7aを開放させて、樹脂拡張テープ6上にフィルム状接着剤1を介して貼付された板状ワーク4を有する環状フレーム5を、保持面14上の所定位置に導入させる。
ついで、図4−1に示すように、エアーピストン機構15によってフレーム保持手段10を規制部材16に当接する位置まで上昇させることで、保持面14上に載置された環状フレーム5を保持面14と規制部材16とで挟持させる。
さらに、図4−2に示すように、板状ワーク4を吸引保持した押圧面21を筒体23(拡張補助ローラ24)とともにエアーピストン機構25,26によって待機位置から保持面14を越える拡張位置まで上昇移動させて樹脂拡張テープ6を拡張させることで、板状ワーク4をフィルム状接着剤1とともに、変質層が形成されることで強度が低下している分割予定ライン2に沿って破断して分割する。このとき、押圧面21の押圧上昇を受ける樹脂拡張テープ6は、その外周全体が固定状態の環状フレーム5に装着されているため、押圧面21の押圧上昇に伴う引張力が放射状に作用する。これにより、樹脂拡張テープ6上に貼付されているフィルム状接着剤1に対しても放射状に引張力が作用する。
また、このような樹脂拡張テープ6を拡張させて板状ワーク4を分割させる際には、冷却手段30の噴射ノズル31を板状ワーク4の上方に進出させて、板状ワーク4に対して冷却空気を噴射することで板状ワーク4を冷却する。これにより、板状ワーク4の裏面に接着されたフィルム状接着剤1も冷却され、その伸縮性が低下させられる。このように伸縮性が低下したフィルム状接着剤1に対して放射状に引張力が作用するため、板状ワーク4およびフィルム状接着剤1が分割予定ライン2に沿って良好に分割される。
板状ワーク4およびフィルム状接着剤1の分割後、図4−3に示すように、押圧面21をエアーピストン機構25によって拡張位置から待機位置まで下降移動させて板状ワーク4を押圧面21により吸引保持する。なお、筒体23はエアーピストン機構26によって拡張位置から待機位置よりもさらに下方位置まで下降移動させる。この状態では、樹脂拡張テープ6の拡張された箇所には弛み6aが生ずる。また、冷却手段30は、板状ワーク4の上方位置から退避させる。
ついで、図4−4に示すように、加熱手段40を樹脂拡張テープ6側に向けて下降させ、加熱手段40と樹脂拡張テープ6との間の雰囲気に空気を含む状態で、所定波長の電磁波を弛み6a部分に向けて照射することにより、弛み除去を行う。すなわち、樹脂拡張テープ6の弛み6a部分は、加熱手段40によって照射される所定波長の電磁波により加熱されて収縮することで、図4−5に示すように、弛み6aが除去される。
ここで、赤外線等を用いた放射による加熱の場合、加熱対象物である樹脂拡張テープ6に適した波長を選択して放射しないと加熱対象物が効率よく加熱されないが、本実施の形態では、塩化ビニル等の樹脂が放射によって効率よく加熱される2.5μm以上30.0μm以下の波長がピーク波長として存在する電磁波を加熱手段40によって照射しているので、樹脂拡張テープ6を効率よく加熱することができる。
また、加熱手段40から発せられる電磁波の放射強度は一般的に図5に示す黒体放射強度に、加熱手段40を構成する物質の放射率を掛け合わせて求められる(例えば、http://www.jp.horiba.com/analy/it/subete5.htm中の放射温度計プラザ「図2 大気における赤外線透過率)参照)。そして、図5に示すように、物質から放射される電磁波のピーク波長(一番放射エネルギーの高いところ)は、放射体の温度が高くなるにつれて短波長側にシフトする。また、放射強度はグラフの面積にあたり、短波長側ほどグラフの面積が大きくなり放射強度が大きくなる。従って、例えばピーク波長が2.5μm以上10.0μm以下に存在する電磁波を使用することが好ましく、ピーク波長が2.5μm以上6.0μm以下に存在する電磁波を使用することがさらに好ましい。
また、図6に示すように、空気中の水蒸気HOは、特に、2.0μm以上3.0μm未満辺りと、5.0μmより大きく8.0μm未満辺りの波長の電磁波を吸収し加熱されやすい性質を有する(例えば、http://ocw.kyoto-u.ac.jp/faculty-of-science-jp/climate-physics/pdf/physclim6-9.pdfのp47参照)。従って、水蒸気を含む空気等が加熱手段40と加熱対象物である樹脂拡張テープ6の間に存在する場合は3.0μm以上5.0μm以下又は8.0μm以上30.0μm以下の波長が存在する電磁波を使用することが好ましく、ピーク波長が3.0μm以上5.0μm以下又は8.0μm以上30.0μm以下に存在する電磁波を使用することがさらに好ましい。
同様に、図6に示すように、二酸化炭素COは、14.0μmより大きく17.0μm未満辺りの波長の電磁波を特に吸収するので、二酸化炭素等が加熱手段40と加熱対象物である樹脂拡張テープ6の間に存在する場合は2.5μm以上14.0μm以下又は17.0μm以上30.0μm以下の波長が存在する電磁波を使用することが好ましく、ピーク波長が2.5μm以上14.0μm以下又は17.0μm以上30.0μm以下に存在する電磁波を使用することがさらに好ましい。
言うまでもなく、水蒸気を含む空気等及び二酸化炭素等が加熱手段40と加熱対象物である樹脂拡張テープ6の間に存在する場合は3.0μm以上5.0μm以下又は8.0μm以上14.0μm以下又は17.0μm以上30.0μm以下の波長が存在する電磁波を使用することが好ましく、ピーク波長が3.0μm以上5.0μm以下又は8.0μm以上14.0μm以下又は17.0μm以上30.0μm以下に存在する電磁波を使用することがさらに好ましい。さらに、このような電磁波の中でも特に2.5μm以上10.0μm以下に存在する電磁波を使用することが好ましく、ピーク波長が2.5μm以上6.0μm以下に存在する電磁波を使用することがさらに好ましい。
さらに、半導体からなる板状ワーク4や金属製の環状フレーム5は、図7に示すように、2.5μm未満の波長の電磁波の放射により加熱されやすい特性を持つ(例えば、http://www.fintech.co.jp/sah/hikari-buturi.htm中の「[図−2]電磁波波長と物質の放射率(=吸収率)の関係」参照)。ここで、板状ワーク4が加熱されると板状ワーク4の品質に悪影響を与えるおそれがあり、環状フレーム5が加熱されると吸着パッドによる搬送機構に悪影響を与えるおそれがあり(すなわち、吸着パッドが熱により変形等するおそれがある)、さらには、その他周辺の金属部品が加熱されそれに付属するセンサー等の機械構成要素が加熱されることによる悪影響も考えられる。この点、本実施の形態では、2.5μm未満の波長の電磁波が含まれていたとしても、加熱手段40に付設されている減衰機構42により2.5μm未満の波長の電磁波は減衰させているので、樹脂拡張テープ6のみを加熱し、周辺部材を無用に加熱してしまうことを防止できる。同時に、減衰機構42は、加熱手段40を保護するカバーとしても機能する。
また、電磁波を用いた放射による樹脂拡張テープ6の加熱は、対流による加熱と異なり雰囲気中の空気の温度影響や空気の流れの影響を受けにくい。よって、冷却手段30による板状ワーク4の冷却環境を含む条件下での加熱手段として特に有効となる。また、加熱に際して、温風のような外力が働かないので、樹脂拡張テープ6へのダメージが少なく綺麗に弛み6aを除去することができる。
本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。板状ワーク4は、チップ実装用としてウエーハの裏面に設けられるDAF等のフィルム状接着剤1を有するものに特に限定されず、例えばシリコンウエーハ等の半導体ウエーハや、あるいは半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイア(Al)、系の無機材料基板、LCDドライバ等の各種電子部品、さらには、ミクロンオーダの加工位置精度が要求される各種加工材料が挙げられる。
さらには、本実施の形態では、板状ワーク4の分割とフィルム状接着剤1の破断とを同時に行う場合への適用例で説明したが、例えば50μm以上の如く比較的厚くて分割済みの板状ワーク4がフィルム状接着剤1上に貼着され、樹脂拡張テープ6の拡張によりフィルム状接着剤1のみの破断を行う場合でも、板状ワーク4の分割のみを行う場合でも同様に使用できる。
また、本実施の形態では、分割手段20をフレーム保持手段10に対して昇降移動させるようにしたが、フレーム保持手段10側を分割手段20に対して昇降移動させるように構成し、フレーム保持手段10の下降動作に伴い分割工程が行われるようにしてもよい。
また、冷却手段としては、噴射ノズル31を用いて板状ワーク4に向けて冷却空気を噴射させるものに限らず、例えば、ペルチェ素子等を用いて板状ワーク4を冷却するものでもよく、あるいは、板状ワーク4を含む閉塞空間内に冷却空気を送り込むことで冷却するもの等であってもよい。
2 分割予定ライン
4 板状ワーク
5 環状フレーム
5a 開口部
6 樹脂拡張テープ
10 フレーム保持手段
20 分割手段
30 冷却手段
40 加熱手段
42 減衰機構

Claims (7)

  1. 開口部に樹脂拡張テープを介して板状ワークを支持する環状フレームを保持するフレーム保持手段と、前記環状フレームと前記板状ワークとを該板状ワークの表面と垂直に交わる方向に離反させて前記樹脂拡張テープを拡張し前記板状ワークを分割予定ラインに沿って分割する分割手段と、を有するテープ拡張装置であって、
    前記樹脂拡張テープを2.5μm以上30.0μm以下の波長を含む電磁波の照射により加熱して該樹脂拡張テープの拡張された箇所を収縮させる加熱手段を有することを特徴とするテープ拡張装置。
  2. 照射する前記電磁波は、ピーク波長が2.5μm以上30.0μm以下に存在することを特徴とする請求項1に記載のテープ拡張装置。
  3. 照射する前記電磁波は、ピーク波長が2.5μm以上10.0μm以下に存在することを特徴とする請求項1に記載のテープ拡張装置。
  4. 前記加熱手段と前記樹脂拡張テープとの間の雰囲気には、水蒸気を含む空気が存在し、
    照射する前記電磁波は、ピーク波長が3.0μm以上5.0μm以下又は8.0μm以上30.0μm以下に存在することを特徴とする請求項1に記載のテープ拡張装置。
  5. 前記加熱手段と前記樹脂拡張テープとの間の雰囲気には、二酸化炭素が存在し、
    照射する前記電磁波は、ピーク波長が2.5μm以上14.0μm以下又は17.0μm以上30.0μm以下に存在することを特徴とする請求項1に記載のテープ拡張装置。
  6. 前記加熱手段は、少なくとも2.5μm未満の波長の電磁波を減衰させる減衰機構を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のテープ拡張装置。
  7. 前記樹脂拡張テープを拡張し前記板状ワークを分割予定ラインに沿って分割する際に、前記板状ワークを冷却する冷却手段を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のテープ拡張装置。
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