JP7049941B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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Description

分割予定ラインにＴＥＧが形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって分割予定ラインに対応するウエーハの内部に改質層が形成され、外力が付与されて個々のデバイスに分割されて、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される（例えば、特許文献１を参照。）。
また、デバイスの評価、解析に用いられるＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｕｏｕｐ）と称される金属片が分割予定ラインに形成されているウエーハを個々のデバイスに分割する場合は、ＴＥＧが形成された分割予定ラインの上面にレーザー光線の集光点を位置付けて照射し、ＴＥＧを切断する必要がある。
特許第３４０８８０５号公報
上記したＴＥＧを分割予定ラインに沿って切断すべくウエーハの上面側からレーザー光線の集光点をＴＥＧに位置付けて照射してアブレーション加工を実施すると、レーザー光線が照射された位置からデブリが飛散して集光レンズが汚染されるという問題がある。
また、デブリの飛散を抑制するためにウエーハの表面に保護テープを貼着してレーザー光線を照射すると、保護テープを貼着する際に用いられる糊剤が保護テープを剥離した後にウエーハの表面に付着して残存し、デバイスの品質を低下させるという問題がある。特に、内部に改質層を形成するウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を用いてアブレーション加工を実施することでＴＥＧを切断する場合に、このような汚染の問題が生じる。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、分割予定ラインにＴＥＧが形成されたウエーハに対しレーザー光線を照射して加工する際にも、集光レンズを汚染することなく、デバイスの品質も低下させることのないウエーハの加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域が表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、少なくともデバイス領域を覆う大きさのポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートのいずれかのシートをウエーハの表面に敷設して熱圧着し、ウエーハの表面を該シートで保護するウエーハ表面保護工程と、シート側からレーザー光線の集光点をウエーハの分割予定ラインに位置付けて照射し分割予定ラインに形成されたＴＥＧを切断するＴＥＧ切断工程と、ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて照射し分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、該ＴＥＧ切断工程と該改質層形成工程とを実施した後、ウエーハに外力を付与し、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法が提供される。
好ましくは、該ＴＥＧ切断工程の前又は後に、ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着すると共にウエーハを収容する開口を有するフレームを貼着してダイシングテープを介してウエーハをフレームで支持するフレーム支持工程を含み、該改質層形成工程において、ダイシングテープ越しにレーザー光線を照射する。また、該ウエーハの分割工程の前に該ウエーハの表面から該シートを剥離することが好ましい。さらに、該ＴＥＧ切断工程で使用するレーザー光線は、該改質層形成工程で使用されるレーザー光線と同じにすることができる。
該ポリオレフィン系のシートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかで構成することができ、該シートとしてポリオレフィン系のシートが選択された場合の該シート熱圧着工程における該シートの加熱温度は、該シートがポリエチレンシートで構成される場合は１２０～１４０℃であり、該シートがポリプロピレンシートで構成される場合は１６０～１８０℃であり、該シートがポリスチレンシートで構成される場合は２２０～２４０℃とすることがこのましい。
該ポリエステル系のシートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシート、のいずれかで構成することができ、該シートとしてポリエステル系のシートが選択された場合の該シート熱圧着工程における該シートの加熱温度は、該シートがポリエチレンテレフタレートシートで構成される場合は２５０～２７０℃であり、該シートがポリエチレンナフタレートシートで構成される場合は１６０～１８０℃とすることが好ましい。
本発明のウエーハの加工装置は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域が表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、少なくともデバイス領域を覆う大きさのポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートのいずれかのシートをウエーハの表面に敷設して熱圧着し、ウエーハの表面を該シートで保護するウエーハ表面保護工程と、シート側からレーザー光線の集光点をウエーハの分割予定ラインに位置付けて照射し分割予定ラインに形成されたＴＥＧを切断するＴＥＧ切断工程と、ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて照射し分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、該ＴＥＧ切断工程と該改質層形成工程とを実施した後、ウエーハに外力を付与し、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、から少なくとも構成されていることから、ＴＥＧにレーザー光線を照射して切断する際に、熱圧着されたシートによってデブリの飛散が抑制され集光レンズの汚染を防止することができる。また、シートは熱圧着によってウエーハと一体化されていることから、ウエーハの表面から該シートを剥離しても、糊剤、ワックス、液状樹脂等がデバイスに残存するという問題が生じ得ず、デバイスの品質を低下させるという問題が解消される。
本実施形態のウエーハ表面保護工程を実施する際に（ａ）シートをウエーハの表面に敷設する態様を示す斜視図、及び（ｂ）シートをウエーハの表面に敷設した後の状態を示す斜視図である。 本実施形態のウエーハ表面保護工程において、シートをウエーハの表面に熱圧着する態様を示す側面図である。 図２に示すウエーハ表面保護工程により得られた一体化ユニットの側面図、及び一部拡大断面図である。 本実施形態におけるフレーム支持工程を説明するための斜視図である。 本実施形態における（ａ）ＴＥＧ切断工程の実施態様を示す斜視図、及び（ｂ）ＴＥＧ切断工程を実施した後の状態を示す斜視図である。 本実施形態における改質層形成工程を説明するための斜視図である。 図６に示す改質層形成工程を実施した後にシートを剥離する態様を示す斜視図である。 本実施形態におけるウエーハ分割工程を説明するための側面図である。 ウエーハ表面保護工程においてシートをウエーハの表面に熱圧着するための別の実施態様を示す（ａ）斜視図、及び（ｂ）一部拡大断面図である。
以下、本発明に基づき構成されたウエーハの加工方法の実施形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
本実施形態のウエーハの加工方法を実施するに際し、まず、図１（ａ）に示すように、ウエーハ１０、及びシート２０を用意する。ウエーハ１０はＳｉＣ基板からなり、表面１０ａには、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画されるデバイス領域１０ｃが形成され、デバイス領域１０ｃは、デバイス１２が形成されない外周領域１０ｄに囲繞されている。説明の都合上、図１（ａ）に示すウエーハ１０の全体斜視図では省略しているが、右方にウエーハ１０のデバイス領域１０ｃの一部を拡大して示すように、分割予定ライン１４上の一部には、デバイス１２の評価、解析に用いられる金属片であるＴＥＧ１６が形成されている。シート２０は、例えば、ウエーハ１０と略同形状に設定されており、ポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートによって構成される。本実施形態では、シート２０としてポリオレフィン系のポリエチレン（ＰＥ）シートを選択している。なお、シート２０の大きさは必ずしもウエーハ１０と同形状である必要はなく、少なくともデバイス領域１０ｃを覆う大きさであればよい。
（ウエーハ表面保護工程）
ウエーハ１０、及びシート２０を用意したならば、図１（ａ）に示すように、ウエーハ１０の裏面１０ｂを上方に、すなわち、ウエーハ１０の表面１０ａを下方に向けてシート２０上に位置付け、支持テーブル４０の上面に配設したシート２０をウエーハ１０の表面１０ａに敷設した状態とする（図１（ｂ）を参照。）。支持テーブル４０は、基台５０上に配設されており、支持テーブル４０の上面は平坦に形成され、フッ素樹脂で被覆されている。支持テーブル４０の内部には、図２に示すように、加熱手段として電気ヒータ４２が配設され、さらに、図示しない温度センサーが内蔵される。電気ヒータ４２及び該温度センサーは、図示しない制御装置、及び電源に接続され、支持テーブル４０を所望の温度に調整することが可能になっている。
ウエーハ１０の表面１０ａにシート２０を敷設したならば、シート２０をウエーハ１０に熱圧着する。図２を参照しながら、以下に具体的に説明する。
シート２０をウエーハ１０に熱圧着するためには、図２の各図に示す熱圧着装置６０を利用する。熱圧着装置６０は、支持テーブル４０を含む密閉環境を形成するための密閉カバー部材６２を備える。なお、図２では、内部の構成を説明する都合上、密閉カバー部材６２のみ断面を示している。密閉カバー部材６２は、基台５０の上面全体を覆う箱型部材であり、上壁６２ａ、及び上壁６２ａの外周端部から垂下される側壁６２ｂから構成され、下方側は開放されている。上壁６２ａの中央には、押圧部材６４の支持軸６４ａが貫通し、上下方向に進退させるための開口６２ｃが形成されている。また、支持軸６４ａを上下に進退させつつ、密閉カバー部材６２の内部空間Ｓを外部と遮断して密閉環境とすべく、支持軸６４ａの外周を支持する開口部６２ｃにシール構造６２ｄが形成される。支持軸６４ａの下端には、押圧プレート６４ｂが配設されている。押圧プレート６４ｂは、少なくともウエーハ１０よりも大径であり、好ましくは支持テーブル４０よりもやや大きい寸法に設定された円盤形状である。密閉カバー部材６２の側壁６２ｂの下端面には、全周にわたって弾性シール部材６２ｅが配設されている。また、図示は省略するが、押圧部材６４の上方には、押圧部材６４を上下方向に進退させるための駆動手段が配設される。
上記したように、ウエーハ１０の表面１０ａにシート２０を敷設し、すなわち、ウエーハ１０の裏面１０ｂを上にしてシート２０を介して支持テーブル４０上に載置したならば、図２（ａ）に示すように基台５０上に位置付けられた密閉カバー部材６２を下降させて、基台５０上に載置する。このとき、押圧プレート６４ｂは、図２（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の上面に接触しない上方位置に引き上げられている。密閉カバー部材６２が基台５０上に載置されると、側壁６２ｂの下端面に配設された弾性シール部材６２ｅが基台５０の上面に密着する。基台５０における支持テーブル４０の近傍位置には、吸引孔５２が配設されており、吸引孔５２を介して、密閉カバー部材６２によって形成される内部空間Ｓに吸引手段が接続される。
図２（ｂ）に示すように、密閉カバー部材６２を基台５０上に載置し、密閉カバー部材６２の内部空間Ｓが密閉環境とされたならば、図示しない吸引手段を作動して、吸引孔５２を介して内部空間Ｓの空気を吸引し、ウエーハ１０を含む領域を真空に近い状態まで減圧する。これと同時に、電気ヒータ４２を作動させて、ウエーハ１０を支持しているシート２０を加熱する。支持テーブル４０の電気ヒータ４２を作動させ、図示しない温度センサーによって支持テーブル４０の温度を制御することにより、シート２０を構成するポリエチレンシートが融点近傍の温度（１２０～１４０℃）になるように加熱する。さらに、シート２０を加熱すると同時に、図２（ｃ）に示すように、押圧プレート６４ｂを下降させてウエーハ１０の上面全体を均等な力で押圧する。ウエーハ１０を収容している内部空間Ｓが減圧されることにより、ウエーハ１０とシート２０との間に残存する空気も吸引されて除去される。そして、シート２０は、上記した温度に加熱されることにより軟化して粘着性が増し、シート２０とウエーハ１０とが熱圧着されて一体化ユニットＷが形成され、ウエーハ表面保護工程が完了する。このウエーハ表面保護工程を実施することにより、ウエーハ１０の表面１０ａに形成されたデバイス領域１０ｃがシート２０により覆われ、保護された状態となる。
上記したウエーハ表面保護工程が完了したならば、図示しない吸引手段、及び電気ヒータ４２を停止し、押圧プレート６４ｂを上昇させると共に、密閉カバー部材６２を上方に引き上げる。シート２０の温度が常温近傍まで低下したならば、支持テーブル４０から一体化ユニットＷを搬出することができる。本実施形態では、支持テーブル４０の上面にフッ素樹脂が被覆されていることから、加熱されることにより粘着性が増したシート２０であったとしても、支持テーブル４０から容易に剥離される。
上記したウエーハ表面保護工程を実施することにより形成された一体化ユニットＷについて、図３を参照しながら、さらに説明する。上記したように、ウエーハ表面保護工程によれば、密閉環境内で減圧した状態で、シート２０を加熱し、シート２０が軟化した状態でウエーハ１０を押圧して一体化させるため、ウエーハ１０は、糊剤やワックス等を介することなくシート２０に十分な支持力で支持される。さらに、ウエーハ１０の表面１０ａに形成されている分割予定ライン１４にＴＥＧ１６が形成されている場合、ＴＥＧ１６の近傍からも完全に空気が吸引されて除去され、図中に一体化ユニットＷの一部の断面を拡大して示すように、加熱されて軟化した状態のシート２０にデバイス１２、及びＴＥＧ１６が埋設され密着して一体化される。
（ＴＥＧ切断工程）
上記したウエーハ表面保護工程を実施したならば、次いで、分割予定ライン１４に形成されたＴＥＧ１６を切断するＴＥＧ切断工程を実施する。以下に、ＴＥＧ切断工程についてより具体的に説明する。
熱圧着装置６０の支持テーブル４０から剥離された一体化ユニットＷは、図４に示すように、ウエーハ１０の裏面１０ｂを下方に向けてダイシングテープＴに貼着されると共に、ウエーハ１０を収容する開口部を有するフレームＦにダイシングテープＴの外周部が貼着されて支持される（フレーム支持工程）。
一体化ユニットＷがフレームＦに支持されたならば、図５（ａ）に示す周知のレーザー加工装置７０（一部のみ示す。）に搬送し、ダイシングテープＴ側を下にして図示しない保持手段に保持させる。該保持手段に一体化ユニットＷを保持させたならば、図示しない撮像カメラ等を含むアライメント手段を用いて、レーザー光線照射手段７２から照射されるレーザー光線ＬＢの照射位置と被照射位置との位置合わせを行うアライメントを実施する。
上記したアライメントを実施したならば、レーザー光線照射手段７２に配設された集光レンズ７２ａを介して照射されるレーザー光線ＬＢの集光点をウエーハ１０上の所定の加工開始位置の表面に位置付ける。次いで、レーザー光線ＬＢを照射しながら、矢印Ｘで示す方向にウエーハ１０を移動させることにより、シート２０越しにウエーハ１０の分割予定ライン１４に沿ってレーザー光線を照射する。これにより、分割予定ライン１４に沿ってアブレーション加工が施され、レーザー加工溝１００が形成されると共に、上記したＴＥＧ１６が切断される。そして、ウエーハ１０が保持された保持手段を、図示しない移動手段により、Ｘ方向、Ｙ方向、回転方向に適宜移動させることで、図５（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の全ての分割予定ライン１４にレーザー光線ＬＢを照射してアブレーション加工を施し、分割予定ライン１４上のＴＥＧ１６が切断される。このように、ＴＥＧ切断工程におけるレーザー光線ＬＢの照射は、ウエーハ１０の表面１０ａに熱圧着されたシート２０越しに実施されるため、アブレーション加工により発生するデブリの飛散がシート２０によって妨げられ、集光レンズ７２ａの汚染が抑制される。以上により、ＴＥＧ切断工程が完了する。
なお、上記ＴＥＧ切断工程を実施する際のレーザー加工条件は、例えば、以下のように設定される。
波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：６０ｋＨｚ
平均出力 ：１Ｗ
送り速度（Ｖ） ：６００ｍｍ／秒
上記したＴＥＧ切断工程が実施されたならば、次いで、改質層形成工程を実施する。以下に改質層形成工程についてより具体的に説明する。
（改質層形成工程）
本実施形態の改質層形成工程は、上記したレーザー加工装置７０をそのまま使用することができる。レーザー加工装置７０によって上記したＴＥＧ切断工程が実施されたウエーハ１０は、図示しない保持手段から一旦取り出される。そして、図６に示すように、ダイシングテープＴを介して保持された一体化ユニットＷをフレームＦごと裏返し、一体化ユニットＷ側を下にして、すなわち、ダイシングテープＴ側を上にして、再び保持手段に保持させる。保持手段に一体化ユニットＷを保持させたならば、図示しないアライメント手段により、レーザー光線ＬＢの照射位置と、ウエーハ１０の分割予定ライン１４との位置合わせを実施する。なお、図６に示すように、改質層形成工程は、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側からレーザー光線ＬＢを照射するものであり、ウエーハ１０の表面１０ａ側が下に向けられていることから、アライメント手段には、図示しない赤外線照射手段と赤外線撮像手段を備え、裏面１０ｂ側から分割予定ライン１４を確認してアライメントを実施することが可能に構成されている。
上記したアライメントを実施したならば、レーザー光線照射手段７２を作動させてレーザー光線ＬＢの集光点をウエーハ１０の分割予定ライン１４に対応する内部に位置付ける。次いで、ダイシングテープＴ越しにレーザー光線ＬＢを照射しながら、矢印Ｘで示す方向にウエーハ１０を移動させる。本実施形態のレーザー光線照射手段７２から照射されるレーザー光線ＬＢは、上記したレーザー加工条件で示したように、ウエーハ１０を構成するＳｉＣに対して透過性を有する波長（＝１０６４ｎｍ）であることにより、分割予定ライン１４の内部に、ウエーハ１０の分割起点となる改質層１１０を形成する。そして、ウエーハ１０が保持された保持手段を、上記したＴＥＧ切断工程と同様に、Ｘ方向、Ｙ方向、回転方向に適宜移動させることで、ウエーハ１０の全ての分割予定ライン１４に沿って、その内部に改質層１１０を形成する。以上により改質層形成工程が完了する。
（ウエーハ分割工程）
上記した改質層形成工程を実施したならば、ウエーハ１０に外力を付与してウエーハ１０を個々のデバイス１２に分割するウエーハ分割工程を実施する。以下に、ウエーハ分割工程についてより具体的に説明する。
ウエーハ分割工程を実施する前に、まず、図７に示すように、フレームＦに支持されたウエーハ１０から、シート２０を剥離する。シート２０を剥離する際にシート２０を加熱すれば、シート２０が軟化するため、より容易に剥離させることが可能になる。また、シート２０をウエーハ１０から剥離する際に冷却することによってシート２０の粘着力が低下する場合もあり、シート２０を冷却してから剥離工程を実施してもよい。シート２０の剥離を実施する際に、シート２０を加熱するか、冷却するかについては、シート２０を構成する素材の特性に応じて選択すればよい。本実施形態では、上記したように、ウエーハ１０を、熱圧着によりシート２０に支持させており、シート２０とウエーハ１０の間に、液状樹脂、糊剤、ワックス等を介在させていない。よって、ウエーハ１０の表面１０ａからシート２０を剥離しても、ウエーハ１０の表面１０ａ、すなわち、デバイス１２に液状樹脂、糊剤、ワックス等が残存することがなく、デバイス１２の品質を低下させるという問題が発生しない。
ウエーハ１０からシート２０を剥離したならば、図８に示すウエーハ分割工程を実施するための分割装置８０に搬送する。分割装置８０によってウエーハ分割工程を実施する具体的な態様について、以下に説明する。
ウエーハ分割工程は、図８にその一部を断面で示す分割装置８０によって実施されるものであり、分割装置８０は、フレーム保持部材８１と、その上面部にフレームＦを載置してフレームＦを保持するクランプ８２と、クランプ８２により保持されたフレームＦに装着されたウエーハ１０を拡張するための少なくとも上方が開口した円筒形状からなる拡張ドラム８３とを備えている。フレーム保持部材８１は、拡張ドラム８３を囲むように設置された複数のエアシリンダ８４ａと、エアシリンダ８４ａから延びるピストンロッド８４ｂとから構成される支持手段８４により昇降可能に支持されている。
拡張ドラム８３は、フレームＦの内径よりも小さく、フレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着されるウエーハ１０の外径よりも大きく設定されている。ここで、図８に示すように、分割装置８０は、フレーム保持部材８１と、拡張ドラム８３の上面部が略同一の高さになる位置（点線で示す）と、支持手段８４の作用によりフレーム保持部材８１が下降させられ、拡張ドラム８３の上端部が、フレーム保持部材８１の上端部よりも相対的に高くなる位置（実線で示す）と、にすることができる。
フレーム保持部材８１を下降させて、拡張ドラム８３の上端を、点線で示す位置から、実線で示す高い位置になるように相対的に変化させると、フレームＦに装着された粘着テープＴは拡張ドラム８３の上端縁によって拡張させられる。この結果、ダイシングテープＴに貼着されているウエーハ１０には放射状に外力（引張力）が作用するため、上述したＴＥＧ切断工程、及び改質層形成工程において形成されたレーザー加工溝１００、及び改質層１１０に沿って個々のデバイス１２に分割される。以上により、ウエーハ分割工程が完了する。
上記したウエーハ分割工程が完了し、個々のデバイス１２が分割され、離反されたならば、ピックアップコレット８５を作動させて間隔が広げられた状態のデバイス１２を吸着し、ダイシングテープＴから剥離して、次工程に搬送、又は、図示しない収容ケースに収容する。以上により、本実施形態におけるウエーハの加工方法が完了する。
本実施形態では、上記した分割装置８０によってウエーハ１０に放射状に作用する外力を付与し、個々のデバイス１２に分割したが、ウエーハ１０に外力を付与して個々のデバイス１２に分割する手段はこれに限定されない。例えば、楔状部材を分割予定ライン１４に沿って押圧して外力を付与することによってウエーハ１０を分割したり、ローラ状の押圧手段によってウエーハ１０を上方から押圧し外力を付与してウエーハ１０を個々のデバイス１２に分割したりすることも可能である。
本実施形態では、ＴＥＧ切断工程で照射するレーザー光線を、改質層形成工程において照射するレーザー光線と同一のレーザー光線を照射することとし、集光点位置を分割予定ライン１４の表面位置に調整することでアブレーション加工を施し、ＴＥＧを切断している。これにより、ＴＥＧ切断工程を実施する際に、改質層形成工程で作動するレーザー光線照射手段７２とは別のレーザー光線照射手段を用意する必要がなく、経済的である。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＥＧを切断することが可能な別の波長のレーザー光線を照射することができる他のレーザー光線照射手段を用意して。ＴＥＧ切断工程において照射することを除外しない。
本実施形態では、ダイシングテープＴを介してウエーハ１０をフレームＦに支持させるフレーム支持工程を、ＴＥＧ切断工程の前に実施したが、本発明はこれに限定されず、ＴＥＧ切断工程の後に実施するようにしてもよい。
上記した実施形態では、ポリエチレンシートによりシート２０を構成したが、本発明はこれに限定されない。液状樹脂、糊剤、ワックス等を必要とせず、熱圧着によりウエーハ１０の表面を保護可能なシート２０としては、ポリオレフィン系シート、ポリエステル系シートの中から適宜選択することができる。ポリオレフィン系シートとしては、上記したポリエチレンシートの他、例えば、ポリプロピレン（ＰＰ）シート、ポリスチレン（ＰＳ）シートを選択することができる。また、ポリエステル系シートとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）シートを選択することができる。
上記した実施形態では、ウエーハ表面保護工程においてシート２０を熱圧着する際の加熱温度を、ポリエチレンシートの融点近傍の温度（１２０～１４０℃）に設定したが、上記したように、シート２０として他のシートを選択して構成する場合は、選択したシートの素材の融点近傍の温度になるように加熱することが好ましい。例えば、シート２０がポリプロピレンシートで構成される場合は、加熱する際の温度設定を１６０～１８０℃とし、シート２０がポリスチレンシートで構成される場合は、加熱する際の温度を２２０～２４０℃とすることが好ましい。また、シート２０がポリエチレンテレフタレートシートで構成される場合は、加熱する際の温度を２５０～２７０℃とし、シート２０がポリエチレンナフタレートシートで構成される場合は、加熱する際の温度を１６０～１８０℃に設定することが好ましい。
また、上記した実施形態では、密閉カバー部材６２により密閉環境を形成したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図９（ａ）に示すように、ウエーハ１０をシート２０と共にシート２０よりも大きい吸着チャック９１を有する保持手段９０に保持させ、吸着チャック９１の上面全体をフィルム状部材２００で覆い、吸着チャック９１から負圧Ｖｍを作用させることで、ウエーハ１０を含むフィルム状部材２００の内側を密閉環境とし、該密閉環境内の空間を減圧することができる。そして、図９（ｂ）に一部拡大断面図として示すように、図示しない加熱手段を備えたローラ２１０により、シート２０を所望の温度に加熱しながら、フィルム状部材２００の上からウエーハ１０の裏面１０ｂ全体を押圧することで、本発明のシート熱圧着工程を実施することも可能である。
１０：ウエーハ
１２：デバイス
１４：分割予定ライン
１６：ＴＥＧ
２０：シート
４０：支持テーブル
４２：電気ヒータ
５０：基台
５２：吸引孔
６０：熱圧着装置
６２：密閉カバー部材
６４：押圧部材
６４ａ：押圧プレート
７０：レーザー加工装置
７２：レーザー光線照射手段
７２ａ：集光レンズ
８０：分割装置
１００：レーザー加工溝
１１０：改質層
２００：フィルム状部材
２１０：ローラ

Claims (8)

  1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域が表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
    少なくともデバイス領域を覆う大きさのポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートのいずれかのシートをウエーハの表面に敷設して熱圧着し、ウエーハの表面を該シートで保護するウエーハ表面保護工程と、
    シート側からレーザー光線の集光点をウエーハの分割予定ラインに位置付けて照射し分割予定ラインに形成されたＴＥＧを切断するＴＥＧ切断工程と、
    ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて照射し分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
    該ＴＥＧ切断工程と該改質層形成工程とを実施した後、ウエーハに外力を付与し、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
    から少なくとも構成されるウエーハの加工方法。
  2. 該ＴＥＧ切断工程の前又は後に、ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着すると共にウエーハを収容する開口を有するフレームを貼着してダイシングテープを介してウエーハをフレームで支持するフレーム支持工程を含み、
    該改質層形成工程において、ダイシングテープ越しにレーザー光線を照射する請求項１に記載のウエーハの加工方法。
  3. 該ウエーハの分割工程の前に該ウエーハの表面から該シートを剥離する請求項１、又は２に記載のウエーハの加工方法。
  4. 該ＴＥＧ切断工程で使用するレーザー光線は、該改質層形成工程で使用されるレーザー光線と同じである請求項１乃至３に記載のウエーハの加工方法。
  5. 該ポリオレフィン系のシートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかで構成される請求項１乃至４のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
  6. 該シートとしてポリオレフィン系のシートが選択された場合の該シート熱圧着工程における該シートの加熱温度は、該シートがポリエチレンシートで構成される場合は１２０～１４０℃であり、該シートがポリプロピレンシートで構成される場合は１６０～１８０℃であり、該シートがポリスチレンシートで構成される場合は２２０～２４０℃である請求項５に記載のウエーハの加工方法。
  7. 該ポリエステル系のシートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシート、のいずれかで構成される請求項１乃至４のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
  8. 該シートとしてポリエステル系のシートが選択された場合の該シート熱圧着工程における該シートの加熱温度は、該シートがポリエチレンテレフタレートシートで構成される場合は２５０～２７０℃であり、該シートがポリエチレンナフタレートシートで構成される場合は１６０～１８０℃である請求項７に記載のウエーハの加工方法。
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