JP2016015360A - チップ間隔維持装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】チップの間隔を拡げた状態に維持する際のチップの汚染を抑制可能なチップ間隔維持装置を提供する。
【解決手段】エキスパンドシート(23)に貼着された被加工物(11)を分割して形成した複数のチップ(27)の間隔を拡張した状態に維持するチップ間隔維持装置(2)であって、被加工物の外周縁と環状フレーム(25)の内周との間の拡張されたエキスパンドシートに向けて遠赤外線(A)を照射し、エキスパンドシートを収縮させる遠赤外線照射手段(42)と、遠赤外線照射手段に隣接して配設され、遠赤外線照射手段がエキスパンドシートに向けて遠赤外線を照射する際に被加工物に対して気体(B)を噴射する噴射口(44a)を有し、被加工物の上方にエアー層を形成するエアー層形成手段(44)と、を備える構成とした。
【選択図】図2

Description

本発明は、エキスパンドシートを拡張して拡げたチップの間隔を維持するチップ間隔維持装置に関する。
携帯電話に代表される小型軽量な電子機器では、IC等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成となっている。デバイスチップ(以下、チップ)は、例えば、シリコン等の材料でなるウェーハの表面をストリートと呼ばれる複数の分割予定ラインで区画し、各領域にデバイスを形成した後、このストリートに沿ってウェーハを分割することで製造される。
近年では、ウェーハのストリートに沿って分割の起点となる改質層を形成し、外力を付与して複数のチップへと分割する分割方法が実用化されている(例えば、特許文献1参照)。この分割方法では、改質層が形成されたウェーハにエキスパンドシートを貼着し、このエキスパンドシートを拡張することでウェーハに外力を付与している。
ところで、エキスパンドシートを拡張して拡げたチップの間隔を維持するために、エキスパンドシートが固定された環状フレームの内周とウェーハの外周との間の領域を加熱して、拡張後のエキスパンドシートを部分的に収縮させる方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。この方法でチップの間隔を拡げた状態に維持することで、後のハンドリング等を容易にできる。
特開2011−77482号公報 特開2012−156400号公報
ところで、上述の方法では、加熱によって揮発したエキスパンドシートの成分がチップに付着し、チップを汚染してしまうことがある。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、チップの間隔を拡げた状態に維持する際のチップの汚染を抑制可能なチップ間隔維持装置を提供することである。
本発明によれば、エキスパンドシートに貼着された被加工物を分割して形成した複数のチップの間隔を拡張した状態に維持するチップ間隔維持装置であって、被加工物を支持する支持面を有し、エキスパンドシートを介して複数のチップに分割された被加工物を吸引保持可能なテーブルと、該エキスパンドシートが装着された環状フレームを該テーブルの外周部に固定する固定手段と、該エキスパンドシートを拡張し、複数の該チップ間に間隔を形成する拡張手段と、該テーブルの該支持面の上方に配設され、被加工物の外周縁と該環状フレームの内周との間の拡張された該エキスパンドシートに向けて遠赤外線を照射し、該エキスパンドシートを収縮させる遠赤外線照射手段と、該遠赤外線照射手段を、該エキスパンドシートに対して遠赤外線を照射する照射位置と退避位置とに位置付ける位置付け手段と、該遠赤外線照射手段に隣接して配設され、該遠赤外線照射手段が該エキスパンドシートに向けて遠赤外線を照射する際に被加工物に対して気体を噴射する噴射口を有し、被加工物の上方にエアー層を形成するエアー層形成手段と、を備えたことを特徴とするチップ間隔維持装置が提供される。
本発明に係るチップ間隔維持装置は、被加工物の上方にエアー層を形成するエアー層形成手段を備えるので、エキスパンドシートから揮発する成分の被加工物への付着をエアー層によって抑制できる。これにより、チップの間隔を拡げた状態に維持する際のチップの汚染を抑制できる。
チップ間隔維持装置で処理される被加工物を模式的に示す斜視図である。 チップ間隔維持装置の構成例を模式的に示す斜視図である。 チップ間隔維持装置の断面等を模式的に示す図である。 載置ステップを模式的に示す図である。 分割ステップを模式的に示す図である。 吸引保持ステップを模式的に示す図である。 加熱ステップを模式的に示す図である。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1は、本実施形態のチップ間隔維持装置で処理される被加工物を模式的に示す斜視図である。図1に示すように、被加工物11は、例えば、シリコン等の材料で形成された略円形の板状物(ウェーハ)であり、表面11aは、中央のデバイス領域13と、デバイス領域13を囲む外周余剰領域15とに分けられている。
デバイス領域13は、格子状に配列されたストリート(分割予定ライン)17でさらに複数の領域に区画されており、各領域にはIC等のデバイス19が形成されている。被加工物11の外周は面取り加工されており、丸みを帯びている。
被加工物11の内部には、分割の起点となる改質層21が、各ストリート17に沿って形成されている。改質層21は、例えば、被加工物11に吸収されにくい波長のレーザービームを被加工物11の内部に集光することで形成される。なお、改質層21に代えて、分割の起点となり得るレーザー加工溝や切削溝等を形成しても良い。
被加工物11の裏面11b側には、被加工物11より大径のエキスパンドシート23が貼着されている。このエキスパンドシート23は、樹脂等の材料で形成されており、外力を付与することで拡張される。エキスパンドシート23の外周部には、略円形の開口を備えた環状フレーム25が装着されている。
すなわち、被加工物11は、エキスパンドシート23を介して環状フレーム25に支持されている。なお、図1では、被加工物11の裏面11b側にエキスパンドシート23を貼着しているが、被加工物11の表面11a側にエキスパンドシート23を貼着しても良い。
図2は、本実施形態に係るチップ間隔維持装置の構成例を模式的に示す斜視図であり、図3は、本実施形態に係るチップ間隔維持装置の断面等を模式的に示す図である。図2及び図3に示すように、チップ間隔維持装置2は、被加工物11を支持する支持テーブル(テーブル)4を備えている。支持テーブル4は、ステンレス等の金属材料でなる円盤状の枠体6と、枠体6の上面中央部に配置された多孔質部材8とを含む。
多孔質部材8は、被加工物11と略同径の円盤状に形成されており、図3に示すように、支持テーブル4の下方に設けられた吸引路10、バルブ12等を介して吸引源14に接続されている。多孔質部材8の上面は、被加工物11を支持する支持面8aとなっており、吸引源14の負圧によって被加工物11を吸引保持できる。
被加工物11のエキスパンドシート23側を支持面8aに重ね、吸引源14の負圧を作用させることで、被加工物11は、エキスパンドシート23を介して支持テーブル4に吸引保持される。多孔質部材8の下方には、支持面8aを加熱するシートヒータ16が設けられており、支持テーブル4で吸引保持したエキスパンドシート23を加熱できる。
枠体6の下方には、2個の支持テーブル昇降機構(拡張手段)18が設けられている。各支持テーブル昇降機構18は、シリンダケース20とシリンダケース20に挿通されたピストンロッド22とを備え、ピストンロッド22の上端部には支持テーブル4が固定されている。支持テーブル4の高さ位置は、この2個の支持テーブル昇降機構18で調節される。
枠体6の外側には、枠体6の外周を囲むように、ステンレス等の金属材料でなる円環状の外周テーブル24が配置されている。外周テーブル24の下方には、2個の外周テーブル昇降機構(拡張手段)26が設けられている。
各外周テーブル昇降機構26は、シリンダケース28とシリンダケース28に挿通されたピストンロッド30とを備え、ピストンロッド30の上端部には外周テーブル24が固定されている。外周テーブル24の高さ位置は、この2個の外周テーブル昇降機構26で調節される。
外周テーブル24の外側には、環状フレーム25を載置する載置テーブル32が設けられている。載置テーブル32の中央部には、支持テーブル4及び外周テーブル24に対応する円形の開口32aが設けられており、支持テーブル4及び外周テーブル24は、この開口32a内に位置付けられる。
載置テーブル32の下方には、4個の載置テーブル昇降機構34が設けられている。各載置テーブル昇降機構34は、シリンダケース36とシリンダケース36に挿通されたピストンロッド38とを備え、ピストンロッド38の上端部には載置テーブル32が固定されている。載置テーブル32の高さ位置は、この4個の載置テーブル昇降機構34で調節される。
載置テーブル32の上面には、被加工物11の表面11a側が上方に露出するように環状フレーム25が載置される。これにより、被加工物11は、開口32aの中央付近に位置付けられ、エキスパンドシート23を介して支持テーブル4に支持される。
載置テーブル32の上方には、載置テーブル32に載置された環状フレーム25を上方から押圧して固定するプレート(固定手段)40が設けられている。プレート40の中央部には、載置テーブル32の開口32aに対応する開口40aが設けられている。被加工物11とエキスパンドシート23の一部とは、この開口40aから上方に露出する。
環状フレーム25をプレート40で固定した後には、支持テーブル昇降機構18及び外周テーブル昇降機構26で支持テーブル4及び外周テーブル24を上昇させる。このように、載置テーブル32に対して支持テーブル4及び外周テーブル24を相対的に上昇させることで、環状フレーム25に装着されたエキスパンドシート23を拡張できる。
支持テーブル4及び外周テーブル24の上方には、遠赤外線を照射する2個の遠赤外線ヒータ(遠赤外線照射手段)42を備えた円盤状のエアー層形成ユニット(エアー層形成手段)44が配置されている。この遠赤外線ヒータ42によって、プレート40の開口40aから露出したエキスパンドシート23の一部に遠赤外線を照射できる。
遠赤外線ヒータ42は、例えば、3μm〜25μmにピーク波長を有する遠赤外線を照射できるように構成されている。このような波長の遠赤外線は、金属材料に吸収されにくいので、エキスパンドシート23を収縮させる際の支持テーブル4、外周テーブル24等の加熱を防止できる。つまり、遠赤外線が照射された領域においてのみエキスパンドシート23を適切に加熱し、収縮させることができる。
エアー層形成ユニット44は、上下に伸びる回転軸46を介してモータ等の回転駆動源(不図示)と連結されている。回転軸46は、遠赤外線ヒータ42及びエアー層形成ユニット44を上下に移動させる移動ユニット(位置付け手段)(不図示)に支持されている。この移動ユニットによって、遠赤外線ヒータ42及びエアー層形成ユニット44は、エキスパンドシート23に対して遠赤外線を照射する下方の照射位置と、上方の退避位置とに位置付けられる。
遠赤外線ヒータ42を照射位置に位置付けるとともに、回転軸46の周りに回転させながら遠赤外線を照射することで、被加工物11の外周と環状フレーム25の内周との間に位置するエキスパンドシート23を加熱できる。その結果、当該位置のエキスパンドシート23は収縮する。
エアー層形成ユニット44の中央には、被加工物11に向けて気体(空気等)を噴射する噴射口44aが形成されている。この噴射口44aには、回転軸46の内部に形成された供給路46a、バルブ48等を介して気体供給源50が接続されている。エキスパンドシート23に遠赤外線を照射する際には、バルブ48を開いて噴射口44aから気体を噴射させる。これにより、被加工物11の上方に気体の流れ(エアー層)を形成できる。
次に、上述したチップ間隔維持装置2の使用例を説明する。まず、支持テーブル4上に被加工物11を載置する載置ステップを実施する。図4は、載置ステップを模式的に示す図である。図4に示すように、載置ステップでは、被加工物11の表面11a側が上方に露出するように、載置テーブル32の上面に環状フレーム25を載置する。これにより、被加工物11は、エキスパンドシート23を介して支持テーブル4に支持される。
なお、吸引路10のバルブ12は閉じておく。また、この載置ステップを実施するタイミングでシートヒータ16を作動させ、支持テーブル4の支持面8aをあらかじめ50℃〜80℃程度に加熱しておくと良い。ただし、支持面8aの温度は特に限定されず、エキスパンドシート23の種類に応じて変更できる。
載置ステップの後には、エキスパンドシート23を拡張して被加工物11を分割する分割ステップを実施する。図5は、分割ステップを模式的に示す図である。分割ステップでは、図5に示すように、載置テーブル32に載置された環状フレーム25をプレート40で固定して、支持テーブル昇降機構18及び外周テーブル昇降機構26で支持テーブル4及び外周テーブル24を上昇させる。
この分割ステップでも吸引路10のバルブ12は閉じておき、被加工物11を支持テーブル4に吸引させないようにする。環状フレーム25は、載置テーブル32とプレート40とで挟持固定されているので、支持テーブル4及び外周テーブル24を載置テーブル32に対して相対的に上昇させると、エキスパンドシート23は拡張する。
これによって、被加工物11にはエキスパンドシート23を拡張する方向の外力が加わり、被加工物11は、改質層21が形成されたストリート17に沿って複数のチップ27に分割される。
また、このエキスパンドシート23の拡張によって、分割されたチップ27の間隔が拡げられる。上述のように、支持テーブル4の支持面8aは、シートヒータ16によって加熱されているので、エキスパンドシート23を十分に軟化させてチップ27の間隔を容易に拡げることができる。
なお、シートヒータ16は、被加工物11に対応した領域のみを加熱するので、被加工物11の外周と環状フレーム25の内周との間の領域において、エキスパンドシート23の熱による軟化は抑制される。つまり、被加工物11の外周と環状フレーム25の内周との間の領域において、エキスパンドシート23は拡張され過ぎずに済む。
分割ステップの後には、被加工物11を支持テーブル4に吸引させる吸引保持ステップを実施する。図6は、吸引保持ステップを模式的に示す図である。吸引保持ステップでは、図6に示すように、吸引路10のバルブ12を開いて、支持面8aに吸引源14の負圧を作用させる。
これにより、間隔が拡がった状態の複数のチップ27を、支持テーブル4で吸引保持できる。複数のチップ27を支持テーブル4で吸引保持した後には、支持テーブル4及び外周テーブル24を、載置テーブル32と同じ高さ位置まで下降させる。
吸引保持ステップの後には、エキスパンドシート23に遠赤外線を照射する加熱ステップを実施する。図7は、加熱ステップを模式的に示す図である。加熱ステップでは、図7に示すように、遠赤外線ヒータ42を上方の退避位置から下方の照射位置に移動させて、遠赤外線Aを照射しながら回転軸46の周りに180度回転させる。
具体的には、例えば、エキスパンドシート23を約180℃まで加熱するような遠赤外線Aを遠赤外線ヒータ42から照射する。また、供給路46aのバルブ48を開いて、噴射口44aから被加工物11(チップ27)に向けて気体Bを噴射する。なお、この吸引保持ステップでも、吸引路10のバルブ12は開いておく。
これにより、被加工物11の外周と環状フレーム25の内周との間の領域でエキスパンドシート23を加熱し、収縮させることができる。なお、本実施形態では、上述のように、被加工物11の上方に外側(環状フレーム25側)へと向かう気体Bの流れ(エアー層)を形成しているので、加熱によって揮発したエキスパンドシート23の成分が被加工物11に付着し難くなる。
以上のように、本実施形態のチップ間隔維持装置2は、被加工物11の上方に気体Bの流れ(エアー層)を形成するエアー層形成ユニット(エアー層形成手段)44を備えるので、気体Bの流れによって、エキスパンドシート23から揮発する成分の被加工物11への付着を抑制できる。これにより、チップ27の間隔を拡げた状態に維持する際のチップ27の汚染を抑制できる。
また、本実施形態のチップ間隔維持装置2は、被加工物11の外周と環状フレーム25の内周との間に遠赤外線Aを照射してエキスパンドシート23を収縮させる遠赤外線ヒータ(遠赤外線照射手段)42を備えるので、被加工物11の外周と環状フレーム25の内周との間においてエキスパンドシート23を遠赤外線Aで収縮させて、チップ27の間隔を適切に維持できる。
さらに、本実施形態のチップ間隔維持装置2では、遠赤外線Aを使用するので、チップ間隔維持装置2を構成する支持テーブル4、外周テーブル24等の加熱を防止できる。つまり、本実施形態のチップ間隔維持装置2は、エキスパンドシート23のみを遠赤外線Aで加熱し、収縮させて、チップ27の間隔を適切に維持できる。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施できる。例えば、上記実施形態では、支持テーブル昇降機構(拡張手段)18及び外周テーブル昇降機構(拡張手段)26で支持テーブル4及び外周テーブル24を上昇させることで、環状フレーム25に装着されたエキスパンドシート23を拡張しているが、本発明の拡張手段は、支持テーブル昇降機構18及び外周テーブル昇降機構26に限定されない。
例えば、載置テーブル昇降機構34で載置テーブル32を下降させて、エキスパンドシート23を拡張しても良い。この場合には、載置テーブル昇降機構34が拡張手段となる。また、例えば、外周テーブル昇降機構26で外周テーブル24を上昇させて、エキスパンドシート23を拡張しても良い。この場合には、外周テーブル昇降機構26が拡張手段となる。さらに、被加工物11の外周と環状フレーム25の内周との間の領域を押圧する他の拡張手段を用いても良い。
また、上記実施形態では、遠赤外線ヒータ42とエアー層形成ユニット44とを同じ移動ユニット(位置付け手段)で移動させているが、異なる移動ユニット(位置付け手段)で独立に移動させても良い。
その他、上記実施形態に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
2 チップ間隔維持装置
4 支持テーブル(テーブル)
6 枠体
8 多孔質部材
8a 支持面
10 吸引路
12 バルブ
14 吸引源
16 シートヒータ
18 支持テーブル昇降機構(拡張手段)
20 シリンダケース
22 ピストンロッド
24 外周テーブル
26 外周テーブル昇降機構(拡張手段)
28 シリンダケース
30 ピストンロッド
32 載置テーブル
32a 開口
34 載置テーブル昇降機構
36 シリンダケース
38 ピストンロッド
40 プレート(固定手段)
40a 開口
42 遠赤外線ヒータ(遠赤外線照射手段)
44 エアー層形成ユニット(エアー層形成手段)
44a 噴射口
46 回転軸
46a 供給路
48 バルブ
50 気体供給源
11 被加工物
11a 表面
11b 裏面
13 デバイス領域
15 外周余剰領域
17 ストリート(分割予定ライン)
19 デバイス
21 改質層
23 エキスパンドシート
25 環状フレーム
27 チップ
A 遠赤外線
B 気体

Claims (1)

  1. エキスパンドシートに貼着された被加工物を分割して形成した複数のチップの間隔を拡張した状態に維持するチップ間隔維持装置であって、
    被加工物を支持する支持面を有し、エキスパンドシートを介して複数のチップに分割された被加工物を吸引保持可能なテーブルと、
    該エキスパンドシートが装着された環状フレームを該テーブルの外周部に固定する固定手段と、
    該エキスパンドシートを拡張し、複数の該チップ間に間隔を形成する拡張手段と、
    該テーブルの該支持面の上方に配設され、被加工物の外周縁と該環状フレームの内周との間の拡張された該エキスパンドシートに向けて遠赤外線を照射し、該エキスパンドシートを収縮させる遠赤外線照射手段と、
    該遠赤外線照射手段を、該エキスパンドシートに対して遠赤外線を照射する照射位置と退避位置とに位置付ける位置付け手段と、
    該遠赤外線照射手段に隣接して配設され、該遠赤外線照射手段が該エキスパンドシートに向けて遠赤外線を照射する際に被加工物に対して気体を噴射する噴射口を有し、被加工物の上方にエアー層を形成するエアー層形成手段と、を備えたことを特徴とするチップ間隔維持装置。
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KR1020150089517A KR102250467B1 (ko) 2014-07-01 2015-06-24 칩 간격 유지 장치
CN201510363748.2A CN105280553B (zh) 2014-07-01 2015-06-26 芯片间隔维持装置
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017204557A (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2018190940A (ja) * 2017-05-11 2018-11-29 株式会社ディスコ シート貼着方法
CN108987270A (zh) * 2017-06-05 2018-12-11 株式会社迪思科 扩展方法和扩展装置
JP2019110268A (ja) * 2017-12-20 2019-07-04 株式会社ディスコ 分割装置
JP2019145707A (ja) * 2018-02-22 2019-08-29 アスリートFa株式会社 ボール搭載装置
JP2019204842A (ja) * 2018-05-22 2019-11-28 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
JP2019212782A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019212783A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019212784A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021168419A (ja) * 2016-10-28 2021-10-21 株式会社東京精密 ワーク分割装置及びワーク分割方法

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6870974B2 (ja) 2016-12-08 2021-05-12 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP6901882B2 (ja) * 2017-03-22 2021-07-14 株式会社ディスコ 加工方法
JP7061664B2 (ja) * 2018-02-28 2022-04-28 三井化学東セロ株式会社 部品製造方法、保持フィルム及び保持具形成装置
JP7281873B2 (ja) 2018-05-14 2023-05-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7130323B2 (ja) 2018-05-14 2022-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7143019B2 (ja) * 2018-06-06 2022-09-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154687B2 (ja) * 2018-06-19 2022-10-18 株式会社ディスコ テープ拡張装置
JP7139047B2 (ja) 2018-07-06 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7139048B2 (ja) 2018-07-06 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154698B2 (ja) * 2018-09-06 2022-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7175560B2 (ja) * 2018-09-06 2022-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7166718B2 (ja) 2018-10-17 2022-11-08 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7171134B2 (ja) * 2018-10-17 2022-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7199786B2 (ja) * 2018-11-06 2023-01-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020077681A (ja) * 2018-11-06 2020-05-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7251898B2 (ja) * 2018-12-06 2023-04-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7246825B2 (ja) * 2018-12-06 2023-03-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR20210092321A (ko) * 2018-12-14 2021-07-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 취성 기판들 상의 양면 디바이스들의 핸들링 및 프로세싱
JP7224719B2 (ja) * 2019-01-17 2023-02-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7229636B2 (ja) * 2019-01-17 2023-02-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282452B2 (ja) 2019-02-15 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282453B2 (ja) 2019-02-15 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282455B2 (ja) 2019-03-05 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7277019B2 (ja) * 2019-03-05 2023-05-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7313767B2 (ja) * 2019-04-10 2023-07-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020174100A (ja) * 2019-04-10 2020-10-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012009464A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Disco Abrasive Syst Ltd 拡張テープ収縮装置
JP2012156400A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP2012174795A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2013051368A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2014063953A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分割装置及びワーク分割方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058489A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の分割方法及び分割装置
JP4744742B2 (ja) * 2001-08-06 2011-08-10 株式会社ディスコ 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置
JP2004273895A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
JP4694795B2 (ja) * 2004-05-18 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2007027562A (ja) 2005-07-20 2007-02-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハに装着された接着フィルムの破断方法
JP2009064905A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd 拡張方法および拡張装置
TWM341921U (en) * 2007-11-15 2008-10-01 Honjig Tech Machine Co Ltd Wafer expander
JP2009272503A (ja) 2008-05-09 2009-11-19 Disco Abrasive Syst Ltd フィルム状接着剤の破断装置及び破断方法
JP2011077482A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP5409280B2 (ja) 2009-11-09 2014-02-05 株式会社ディスコ チップ間隔拡張方法
CN102646584B (zh) * 2011-02-16 2014-06-25 株式会社东京精密 工件分割装置及工件分割方法
JP5294358B2 (ja) * 2012-01-06 2013-09-18 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ及びこれを使用した半導体装置の製造方法
JP2016001677A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012009464A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Disco Abrasive Syst Ltd 拡張テープ収縮装置
JP2012156400A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP2012174795A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2013051368A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2014063953A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分割装置及びワーク分割方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017204557A (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021168419A (ja) * 2016-10-28 2021-10-21 株式会社東京精密 ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP7214958B2 (ja) 2016-10-28 2023-01-31 株式会社東京精密 ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2018190940A (ja) * 2017-05-11 2018-11-29 株式会社ディスコ シート貼着方法
KR102388514B1 (ko) * 2017-06-05 2022-04-20 가부시기가이샤 디스코 확장 방법 및 확장 장치
JP2018206939A (ja) * 2017-06-05 2018-12-27 株式会社ディスコ エキスパンド方法及びエキスパンド装置
CN108987270B (zh) * 2017-06-05 2024-02-02 株式会社迪思科 扩展方法和扩展装置
CN108987270A (zh) * 2017-06-05 2018-12-11 株式会社迪思科 扩展方法和扩展装置
KR20180133204A (ko) * 2017-06-05 2018-12-13 가부시기가이샤 디스코 확장 방법 및 확장 장치
JP7076204B2 (ja) 2017-12-20 2022-05-27 株式会社ディスコ 分割装置
JP2019110268A (ja) * 2017-12-20 2019-07-04 株式会社ディスコ 分割装置
JP7064749B2 (ja) 2018-02-22 2022-05-11 アスリートFa株式会社 ボール搭載装置
JP2019145707A (ja) * 2018-02-22 2019-08-29 アスリートFa株式会社 ボール搭載装置
JP2019204842A (ja) * 2018-05-22 2019-11-28 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
JP2019212784A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019212783A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019212782A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154686B2 (ja) 2018-06-06 2022-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

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