CN104979261A - 芯片间隔维持方法 - Google Patents

Abstract

提供一种芯片间隔维持方法，在短时间内可靠地去除扩张后的粘接带的松弛。芯片间隔维持方法是以拉伸粘接带而使其扩张的状态维持借助粘接带(T)被支承于环状框架(F)的被加工物(W)的多个芯片(C)的间隔的方法，构成为：使保持于保持台(11)的被加工物与保持于框架保持单元(12)的环状框架沿铅直方向相对移动，来拉伸粘接带，在被加工物的多个芯片间形成间隔，在保持台上吸引保持粘接带以维持多个芯片的间隔，并使保持台与框架保持单元阶段性地返回到初始状态而解除粘接带的张力，并且利用加热单元(41)对解除各阶段的张力时产生的粘接带的松弛进行热收缩。

Description

芯片间隔维持方法

技术领域

本发明涉及芯片间隔维持方法，针对借助粘接带而被支承于环状框架上的被加工物的分割后的各个芯片，以扩张的状态来维持芯片间隔。

背景技术

以往，已知有如下的方法：在贴附于粘接带的被加工物上沿着分割预定线形成改性层、激光加工槽、切削槽等分割起点后，将被加工物分割成各个芯片(例如，参照专利文献1)。在专利文献1所描述的分割方法中，对设置于环状框架的粘接带进行扩张，由此向沿着分割预定线形成的分割起点施加外力，沿着该强度降低的分割起点将被加工物分割成各个芯片。然而，当解除粘接带的张力时，粘接带中产生较大的松弛，有可能导致相邻的芯片彼此接触而产生缺损或破损。

因此，也提出了如下的方法：在维持(固定)着芯片之间的间隔的状态下，向粘接带的松弛较大的被加工物的周围施加热等外部刺激，来收缩粘接带的松弛。在该方法中，有可能因粘接带的材质或厚度而导致外部刺激并没有充分地收缩松弛、或者没有收缩松弛。因此，提出了如下方法：通过把持粘接带的松弛进行热压接而在粘接带中产生张力(例如，参照专利文献2)。在该专利文献2所描述的方法中，使得在被加工物的周围出现的粘接带的松弛向上方隆起，整周地把持该隆起的部位并且进行热压接，来去除粘接带的松弛。

专利文献1：日本特开2007－189057号公报

专利文献2：日本特开2013－239557号公报

然而，在专利文献2的方法中，存在如下问题：必须整周地对粘接带隆起的部位进行压接，特别是要想从大口径的被加工物的粘接带中去除松弛时需要大量的时间。

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种芯片间隔维持方法，能够在短时间内可靠地去除扩张后的粘接带的松弛。

本发明的芯片间隔维持方法维持使多个芯片的间隔扩张后的状态，所述多个芯片构成贴附于粘接带且安装于环状框架的被加工物，所述芯片间隔维持方法包括如下步骤：保持步骤，隔着该粘接带将被加工物载置在能够吸引保持被加工物的保持台上，并且利用框架保持单元保持该环状框架；芯片间隔扩张步骤，在实施了该保持步骤后，使该保持台与该框架保持单元沿铅直方向相对移动规定距离，使得该保持台相对于该框架保持单元向上凸起，来拉伸该粘接带，由此在该多个芯片之间形成间隔；吸引保持步骤，在实施了该芯片间隔扩张步骤后，在该保持台上隔着该粘接带吸引保持被加工物，由此维持相邻的该芯片间的间隔；以及芯片间隔固定步骤，在开始了该吸引保持步骤后，使该保持台与该框架保持单元沿铅直方向相对移动，多次地阶段性地解除该保持台相对于该框架保持单元的该规定距离的向上凸起，按照各阶段对被加工物与该环状框架的内周之间的被拉伸的该粘接带进行加热，使得该粘接带阶段性地多次收缩，使相邻的该芯片间的间隔固定。

根据该结构，使保持被加工物的保持台相对于保持环状框架的框架保持单元向上凸起，由此拉伸粘接带而在芯片间形成间隔。并且，在被加工物的芯片间维持间隔的状态下，阶段性地解除保持台的向上凸起，并且在松弛变大前通过加热逐渐地收缩粘接带的松弛。由此，在被加工物的芯片间维持着间隔的状态下，收缩粘接带的松弛而进行固定，因此不会产生相邻的芯片之间接触而缺损或破损的情况。并且，与把持粘接带的松弛而进行热压接的方法相比，能够在短时间内在粘接带中产生张力。

并且，在上述芯片间隔维持方法中，针对设定有交叉的多个分割预定线的被加工物，沿着该分割预定线形成分割起点，在该芯片间隔扩张步骤中，将被加工物分割成多个芯片，并且在芯片之间形成间隔。

发明效果

根据本发明，阶段性地解除粘接带的扩张状态并且通过加热使粘接带的松弛收缩，由此能够在短时间内可靠地去除扩张后的粘接带的松弛。

附图说明

图1是本实施方式的芯片间隔维持装置的立体图。

图2是示出本实施方式的保持步骤的一例的图。

图3是示出本实施方式的芯片间隔扩张步骤的一例的图。

图4是示出本实施方式的吸引保持步骤的一例的图。

图5是示出本实施方式的芯片间隔固定步骤的一例的图。

标号说明

1：芯片间隔维持装置；11：保持台；12：框架保持单元；41：加热单元；54：改性层(分割起点)；C：芯片；F：环状框架；S：松弛；T：粘接带；W：被加工物。

具体实施方式

以下，对本实施方式的芯片间隔维持装置进行说明。图1是本实施方式的芯片间隔维持装置的立体图。需要说明的是，本实施方式的芯片间隔维持装置不限定于图1所示的结构。芯片间隔维持装置只要是阶段性地解除粘接带的扩张状态，并且能够通过加热来去除粘接带的松弛的结构，则可以以任意的方式构成。

如图1所示，芯片间隔维持装置1构成为，通过粘接带T的带扩张，将借助粘接带T被支承于环状框架F的圆板状的被加工物W分割成各个芯片。并且，芯片间隔维持装置1构成为，以维持着芯片间隔的状态，阶段性地解除粘接带T的张力，通过加热(热收缩)来反复去除每次解除张力时产生的松弛。这样，仅仅对拉伸粘接带T而大幅松弛的部位进行热收缩，以维持着被加工物W的分割后的芯片间隔的状态来进行固定。

在被加工物W的表面51上设置有格子状的分割预定线52，在由分割预定线52划分的各区域上形成有各种器件(未图示)。在被加工物W的外缘设置有表示结晶方位的切口53。需要说明的是，被加工物W可以是在硅、砷化镓等的半导体基板上形成有IC、LSI等器件的半导体晶片，也可以是在陶瓷、玻璃、蓝宝石类的无机材料基板上形成有LED等光器件的光器件晶片。被加工物W以借助粘接带T被支承于环状框架F的状态，被送入芯片间隔维持装置1。

并且，在被加工物W的内部沿着分割预定线52形成有作为分割起点的改性层54(参照图2)。需要说明的是，改性层54是指如下这样的区域：在该区域中，因激光的照射而使得被加工物W的内部的密度、折射率、机械强度以及其他物理特性成为与周围不同的状态，强度比周围低。改性层54例如可以是熔融处理区域、裂纹区域、介电击穿区域、折射率变化区域，也可以是这些区域混杂在一起的区域。并且，在以下的说明中，作为分割起点举例示出改性层54，但是，对分割起点而言，只要使被加工物W的强度降低而成为分割时的起点即可，例如，也可以是激光加工槽、切削槽、划线。

芯片间隔维持装置1在中央处配置有能够吸引保持被加工物W的保持台11，在保持台11的周围配置有保持环状框架F的框架保持单元12。保持台11在筒状的外壁部21的上侧隔着支承板22(参照图2)配置有多孔性的多孔板23。借助该多孔性的多孔板23在保持台11的上表面形成有吸附被加工物W的保持面24。保持面24通过保持台11内的通道而与吸引源13(参照图2)连接，利用保持面24上产生的负压来吸引保持被加工物W。

并且，在从保持面24连接到吸引源13的通道中设置有开闭阀14(参照图2)，通过开闭阀14来切换保持面24的吸引保持与吸引解除。在保持台11的外壁部21的上端部、即保持台11的外周边缘，整周地设置有多个辊部25。多个辊部25在将被加工物W保持在保持面24上的状态下，从下侧与被加工物W的周围的粘接带T转动接触。通过使多个辊部25与粘接带T转动接触，来抑制在粘接带T扩张时在保持台11的外周边缘产生的摩擦。

在框架保持单元12中，利用盖板32从上方夹住载置台31上的环状框架F，在载置台31上保持环状框架F。在俯视时，载置台31是四边形，在中央处形成有直径比保持台11大的圆形开口33。利用使载置台31升降的4个升降汽缸34的活塞杆35从下侧支承载置台31的四角。4个升降汽缸34由电动汽缸等构成，通过控制活塞杆35的突出量来升降载置台31。

盖板32形成为下表面开放的箱状，以便覆盖载置台31。在盖板32的上壁部36的中央处形成有直径比保持台11大的圆形开口37。当将盖板32覆盖在载置台31上时，由盖板32与载置台31保持环状框架F，并且，被加工物W与粘接带T的一部分从盖板32的圆形开口37向上方露出。需要说明的是，盖板32在覆盖载置台31的状态下，例如借助未图示的夹持部被固定于载置台31。

在盖板32的上方设置有具有多个加热单元41的圆板状的升降板42。升降板42被固定于借助未图示的电动机等而旋转的旋转轴43的下端，且借助未图示的升降机构沿铅直方向移动。多个加热单元41是远红外加热器，被定位于环状框架F与被加工物W之间的环状区域。加热单元41例如点状地照射不易被金属材料吸收的峰值在3μm～25μm处的波形的远红外线，由此能够抑制装置各部分的加热而仅仅对粘接带T的照射部位适当地进行加热。

在这样的芯片间隔维持装置1中，框架保持单元12在保持环状框架F的状态下下降，从而保持台11从盖板32和载置台31的圆形开口33、37突出。通过使保持台11相对于框架保持单元12向上凸起，由此使得粘接带T沿径向扩张而将被加工物W分割成各个芯片。并且，当框架保持单元12上升而解除保持台11的向上凸起时，粘接带T的张力缓和而在被加工物W的周围产生松弛。该粘接带T的松弛通过来自多个加热单元41的远红外线的照射而得以去除。

在该情况下，当使框架保持单元12一次性上升而解除保持台11的向上凸起时，粘接带T的松弛变大而难以通过加热单元41的加热来适当地去除松弛。因此，在本实施方式的芯片间隔维持装置1中，使框架保持单元12分多次地一点点地上升而阶段性地解除保持台11的向上凸起，并且通过加热单元41的加热来去除在解除向上凸起的各阶段中产生的粘接带T的松弛。

以下，参照图2至图5，对由芯片间隔维持装置实现的芯片间隔维持方法进行说明。图2是示出本实施方式的保持步骤的一例的图。图3是示出本实施方式的芯片间隔扩张步骤的一例的图。图4是示出本实施方式的吸引保持步骤的一例的图。图5是示出本实施方式的芯片间隔固定步骤的一例的图。需要说明的是，设为在被加工物上通过前一阶段的步骤形成有分割起点的情况来进行说明。

如图2所示，首先实施保持步骤。在保持步骤中，在保持台11上隔着粘接带T载置有被加工物W，被加工物W周围的环状框架F由框架保持单元12保持。此时，保持台11形成为直径比被加工物W大，且保持台11的外周边缘的辊部25从下侧接触到被加工物W与环状框架F之间的粘接带T。并且，关闭开闭阀14，从吸引源13向多孔板23的吸引力被切断。此外，在被加工物W的内部沿着分割预定线52形成有作为分割起点的改性层54(参照图1)。

如图3所示，在保持步骤后实施芯片间隔扩张步骤。在芯片间隔扩张步骤中，通过使框架保持单元12从初始位置沿铅直方向下降规定距离(例如，15mm)，使保持台11相对于框架保持单元12向上凸起。其结果为，贴附着被加工物W的粘接带T沿放射方向扩张，且借助粘接带T向被加工物W的改性层54施加外力。以强度已经降低的改性层54(参照图2)为分割起点将被加工物W分割成各个芯片C。粘接带T被拉伸至相邻的芯片C完全分开，并在多个芯片C之间形成间隔。

此时，由于在保持台11的外周边缘，粘接带T与多个辊部25转动接触，因此，抑制了粘接带T在扩张时的摩擦等。需要说明的是，在芯片间隔扩张步骤中，虽然是通过使框架保持单元12相对于保持台11下降来扩张粘接带T，但是不限定于该结构。只要通过使保持台11与框架保持单元12沿铅直方向相对移动来扩张粘接带T即可。例如，也可以使保持台11相对于框架保持单元12上升来扩张粘接带T，还可以使保持台11上升且使框架保持单元12下降来扩张粘接带T。

如图4所示，在芯片间隔扩张步骤后实施吸引保持步骤。在吸引保持步骤中，打开开闭阀14来连通吸引源13与多孔板23，在保持台11上多孔板23中产生吸引力。此时，由于粘接带T已经被拉伸，因此，通过在保持台11上隔着粘接带T吸引保持被加工物W，来维持相邻的芯片C之间的间隔。这样，在芯片间隔扩张时，为了不阻碍粘接带T的扩张而没有在保持台11上吸引保持粘接带T，而是在芯片间隔扩张后，在保持台11上吸引保持粘接带T以维持芯片间隔。

如图5所示，在吸引保持步骤后实施芯片间隔固定步骤。需要说明的是，在本实施方式中，分3个阶段来使芯片间隔扩张步骤中下降的框架保持单元12上升，来实施芯片间隔固定步骤。如图5A所示，在芯片间隔固定步骤的第1阶段中，框架保持单元12从下降位置稍微(例如，3mm)上升，保持台11的向上凸起被解除了1个阶段的量。由于在保持台11上吸引保持着粘接带T，因此，即使被加工物W周围的粘接带T的张力缓和，保持台11上的粘接带T也不会产生松弛。

因保持台11的向上凸起的解除，在粘接带T的位于环状框架F与被加工物W之间的环状区域的整周产生少许的松弛S。此时，将多个加热单元41接近环状框架F与被加工物W之间的环状区域，通过来自多个加热单元41的远红外线的照射而对粘接带T的松弛S进行加热。并且，多个加热单元41绕铅直轴旋转，粘接带T的松弛S沿整周被热收缩(heat shrink)。这样，去除了在芯片间隔固定步骤的第1阶段中产生的松弛S。

接着，如图5B所示，在芯片间隔固定步骤的第2阶段中，框架保持单元12进一步(例如，4(mm))上升，保持台11的向上凸起进一步被解除了1个阶段的量。因保持台11的向上凸起的进一步解除，在粘接带T的位于被加工物W与环状框架F之间的环状区域的整周产生新的松弛S。此时，多个加热单元41也伴随着框架保持单元12的上升而上升，通过来自多个加热单元41的远红外线的照射，整周地去除粘接带T的松弛S。这样，去除了芯片间隔固定步骤的第2阶段中产生的松弛S。

接着，如图5C所示，在芯片间隔固定步骤的第3阶段中，框架保持单元12上升到初始位置，保持台11的向上凸起进一步被解除了1个阶段的量。因保持台11的向上凸起的进一步解除，在粘接带T的位于被加工物W与环状框架F之间的环状区域的整周产生新的松弛S。此时，多个加热单元41也伴随着框架保持单元12的上升而上升，通过来自多个加热单元41的远红外线的照射，整周地去除粘接带T的松弛S。这样，去除了芯片间隔固定步骤的第3阶段中产生的松弛S。

这样，分多次而阶段性地解除保持台11相对于框架保持单元12的规定距离的向上凸起，且在各阶段中对被加工物W与环状框架F的内周之间被拉伸的粘接带T进行加热，阶段性地多次收缩粘接带T。由此，粘接带T的松弛不会过度变大，通过加热单元41的加热来逐渐地去除粘接带T的松弛。在芯片间隔固定步骤中，只有被加工物W的周围的粘接带T被热收缩，因此，即使解除保持台11的吸引保持，也是以维持相邻的芯片C的间隔的状态来进行固定。

需要说明的是，在本实施方式的芯片间隔固定步骤中，虽然构成为分3个阶段使粘接带T热收缩，但是，不限定于该结构。为了使芯片间隔固定步骤近似于连续的动作，也可以细化芯片间隔固定步骤的动作。即，也可以在框架保持单元12从加工位置返回到初始位置的期间，增加保持台11的向上凸起的解除动作和加热单元41对粘接带T的加热动作的动作次数(阶段数)而进行细化，大致连续地去除粘接带T的松弛。

如上所述，关于本实施方式的芯片间隔维持方法，通过使保持被加工物W的保持台11相对于保持环状框架F的框架保持单元12向上凸起，来拉伸粘接带T而在芯片C之间形成间隔。并且，在被加工物W的芯片C之间维持着间隔的状态下，阶段性地解除保持台11的向上凸起，并且在松弛S变大前通过加热逐渐收缩粘接带T的松弛S。由此，即使充分地收缩粘接带T的松弛S，由于是在被加工物W的芯片C之间维持着间隔的状态下进行固定，因此不会产生相邻的芯片C彼此接触而缺损或破损的情况。

需要说明的是，本发明不限定于上述实施方式，可以进行各种变更并实施。在上述实施方式中，关于在附图中图示的尺寸或形状等，不限定于此，可以在发挥本发明的效果的范围内进行适当变更。此外，只要在不脱离本发明的目的范围内可以进行适当变更来实施。

例如，在本实施方式的芯片间隔扩张步骤中，构成为通过粘接带T的扩张来将被加工物W分割成多个芯片C，并在多个芯片C之间形成有间隔，但是不限定于该结构。例如，可以在已经分割了被加工物W的情况下，在芯片间隔扩张步骤中，通过粘接带T的扩张而在多个芯片C之间形成间隔。

此外，在本实施方式中，加热单元41构成为，通过向粘接带T照射远红外线而使其热收缩，但是不限定于该结构。加热单元41只要能够使粘接带T热收缩，可以以任意的方式构成。此外，在本实施方式中，加热单元41构成为追随着框架保持单元12的升降动作，但是不限定于该结构。加热单元41也可以构成为，在被固定于保持台11的上方规定高度的位置的状态下对粘接带T进行加热。

此外，在本实施方式中，框架保持单元12构成为，借助载置台31与盖板32而夹住环状框架F，但是不限定于该结构。只要框架保持单元12能够保持环状框架F即可，例如，框架保持单元12也可以构成为，在载置台31的四周设置利用气动致动器等进行驱动的夹持部，来保持环状框架F的四周。

产业上的可利用性

如上所述，本发明具有能够在短时间内可靠地去除扩张的粘接带的松弛这样的效果，特别对于以扩张的状态来维持小芯片、大口径的被加工物的多个芯片间隔的芯片间隔维持方法是有用的。

Claims (2)

1.一种芯片间隔维持方法，维持使多个芯片的间隔扩张后的状态，所述多个芯片构成贴附于粘接带且安装于环状框架的被加工物，

所述芯片间隔维持方法包括如下步骤：

保持步骤，隔着该粘接带将被加工物载置在能够吸引保持被加工物的保持台上，并且利用框架保持单元保持该环状框架；

芯片间隔扩张步骤，在实施了该保持步骤后，使该保持台与该框架保持单元沿铅直方向相对移动规定距离，使得该保持台相对于该框架保持单元向上凸起，来拉伸该粘接带，由此在该多个芯片之间形成间隔；

吸引保持步骤，在实施了该芯片间隔扩张步骤后，在该保持台上隔着该粘接带吸引保持被加工物，由此维持相邻的该芯片间的间隔；以及

芯片间隔固定步骤，在开始了该吸引保持步骤后，使该保持台与该框架保持单元沿铅直方向相对移动，多次地阶段性地解除该保持台相对于该框架保持单元的该规定距离的向上凸起，按照各阶段对被加工物与该环状框架的内周之间的被拉伸的该粘接带进行加热，使得该粘接带阶段性地多次收缩，使相邻的该芯片间的间隔固定。

2.根据权利要求1所述的芯片间隔维持方法，其中，

针对设定有交叉的多个分割预定线的被加工物，沿着该分割预定线形成分割起点，

在该芯片间隔扩张步骤中，将被加工物分割成多个芯片，并且在芯片之间形成间隔。