CN108878356A - 片材粘贴方法 - Google Patents

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Abstract

提供片材粘贴方法，能够抑制器件之间的间隔的不均匀，并且能够抑制器件的生产率的降低。该片材粘贴方法包含如下的步骤：片材粘贴步骤，将片材粘贴在板状物上，并且将粘贴有板状物的片材安装在具有开口的环状框架上，从而形成由环状框架、收纳在环状框架的开口内的板状物以及粘贴在板状物上的片材构成的板状物单元；以及张力缓和步骤，在实施了片材粘贴步骤之后，对在片材粘贴步骤中产生于片材的张力进行缓和。

Description

片材粘贴方法
技术领域
本发明涉及在板状物上粘贴片材的片材粘贴方法。
背景技术
对于粘贴在片材上且形成有分割起点的作为板状物的晶片(例如，参照专利文献1)，利用扩展装置对片材进行扩展而分割成各个器件。另外，在利用DBG(Dicing BeforeGrinding，先切割再研磨)加工分割成器件的晶片上粘贴DAF(Die Attach Film，芯片贴装膜)，所谓DBG加工是在利用切削加工进行了半切割之后对背面进行磨削加工。上述的粘贴在晶片上的DAF利用扩展装置进行分割(例如，参照专利文献2)、或者利用激光光线的照射进行断开(例如，参照专利文献3)。另外，在将上述的片材粘贴在晶片上时，产生与粘贴装置(例如，参照专利文献4)的带粘贴辊的滚动方向平行的张力。
专利文献1：日本特许第3408805号公报
专利文献2：日本特开2007-027562号公报
专利文献3：日本特开2005-116739号公报
专利文献4：日本特开2015-082642号公报
当在上述的片材中产生张力时，在张力的方向上施加收缩的力，因此在该张力的方向上不容易进行扩展。因此，对于产生了张力的片材而言，即使在所有方向上一致地进行扩展，根据方向，实际扩展的量(伸长的量)会产生差异。当片材根据方向而在扩展的量上产生差异时，产生下述问题：根据方向而无法形成充分的器件间隔以及无法将晶片分割成各个器件等。
另外，当在DBG加工后的晶片上粘贴有DAF的情况下，在DAF上产生与粘贴装置的带粘贴辊的滚动方向平行的张力，因此由于张力，产生较大的所谓芯片偏移，各个分割而得的器件的配置出现偏差。当晶片产生较大的芯片偏移时，存在下述问题：在照射激光光线将DAF断开时，追随加工线而照射激光光线花费时间，生产率下降。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供片材粘贴方法，能够抑制器件之间的间隔的不均匀，并且能够抑制芯片偏移。
根据本发明，提供片材粘贴方法，将片材粘贴在板状物上，其中，该片材粘贴方法具有如下的步骤：片材粘贴步骤，将片材粘贴在板状物上，并且将粘贴有板状物的该片材安装在具有开口的环状框架上，从而形成由该环状框架、收纳在该环状框架的该开口内的板状物以及粘贴在板状物上的该片材构成的板状物单元；以及张力缓和步骤，在实施了该片材粘贴步骤之后，对在该片材粘贴步骤中产生于该片材的张力进行缓和。
优选在该张力缓和步骤中，通过在实施该片材粘贴步骤之后设置一定的时间间隔，从而利用该板状物单元的经时变化使产生于该片材的张力得到缓和。
优选该张力缓和步骤是通过对在该板状物单元的板状物的外周缘与该环状框架的内周缘之间露出的该片材进行加热而实施的。
或者，该张力缓和步骤是通过对该板状物单元整体进行加热而实施的。
优选该片材由基底片材和配设在该基底片材上的芯片贴装片材构成。
本申请发明的片材粘贴方法起到下述效果：能够抑制器件之间的间隔的不均匀，并且能够抑制芯片偏移。
附图说明
图1是示出包含第1实施方式的片材粘贴方法在内的加工方法的加工对象的板状物的一例的立体图。
图2是示出包含第1实施方式的片材粘贴方法在内的加工方法的流程的流程图。
图3是示出图2所示的加工方法的片材粘贴步骤的侧剖视图。
图4是图2所示的加工方法的片材粘贴步骤后的板状物等的立体图。
图5是示出图2所示的加工方法的张力缓和步骤的侧剖视图。
图6是示出在图2所示的加工方法的张力缓和步骤中片材被加热的部分的俯视图。
图7是示出图2所示的加工方法的改质层形成步骤的侧剖视图。
图8是示出在图2所示的加工方法的扩展步骤中使用的扩展装置的结构例的立体图。
图9是在图2所示的加工方法的扩展步骤中将板状物保持于扩展装置的状态的侧剖视图。
图10是示出在图2所示的加工方法的扩展步骤中对粘贴在板状物上的片材进行了扩展的状态的侧剖视图。
图11是示出作为第2实施方式的片材粘贴方法的加工方法的流程的流程图。
图12是示出作为第3实施方式的片材粘贴方法的加工方法的流程的流程图。
图13是示出图12所示的加工方法的正面保护带粘贴步骤的立体图。
图14是示出图12所示的加工方法的改质层形成步骤的侧剖视图。
图15是示出作为第4实施方式的片材粘贴方法的加工方法的流程的流程图。
图16是示出图15所示的加工方法的DBG加工步骤的形成分割槽的步骤的立体图。
图17是示出图15所示的加工方法的DBG加工步骤的粘贴保护部件的步骤的立体图。
图18是示出图15所示的加工方法的DBG加工步骤的对板状物的背面进行磨削的步骤的立体图。
图19是示出图15所示的加工方法的片材粘贴步骤的侧剖视图。
图20是示出图15所示的加工方法的DAF切割步骤的侧剖视图。
图21是示出第1实施方式至第4实施方式的第1变形例的片材粘贴方法的张力缓和步骤的侧剖视图。
图22是示出第1实施方式至第4实施方式的第2变形例的片材粘贴方法的张力缓和步骤的侧剖视图。
图23是示出在第1实施方式至第4实施方式的第3变形例的片材粘贴方法的张力缓和步骤中片材被加热的部分的俯视图。
图24是示出确认了第1实施方式的效果时的测量位置的板状物单元的俯视图。
标号说明
100：片材；101：开口；102：环状框架；105：基底片材；106：区域；110：芯片贴装片材；200：板状物；300：板状物单元；401：张力；ST1、ST1-4：片材粘贴步骤；ST2：张力缓和步骤。
具体实施方式
参照附图，对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的结构要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[第1实施方式]
根据附图，对本发明的第1实施方式的片材粘贴方法进行说明。图1是示出作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法的加工对象的板状物的一例的立体图。
第1实施方式的片材粘贴方法是图1所示的板状物200的加工方法。在第1实施方式中，板状物200是以硅、蓝宝石或砷化镓等为基板的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图1所示，板状物200具有在由交叉的多条间隔道201划分的各区域分别形成有器件202的正面203。另外，板状物200设置有表示晶体取向的凹口204。另外，在本发明中，板状物200也可以设置有表示晶体取向的定向平面。另外，在本发明中，板状物200不限于半导体晶片或光器件晶片等实施各种加工的被加工物，例如只要是玻璃板或陶瓷板等板状物，则可以为任何板状物。
图2是示出作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法的流程的流程图。图3是示出图2所示的加工方法的片材粘贴步骤的侧剖视图。图4是图2所示的加工方法的片材粘贴步骤后的板状物等的立体图。图5是示出图2所示的加工方法的张力缓和步骤的侧剖视图。图6是示出在图2所示的加工方法的张力缓和步骤中片材被加热的部分的俯视图。图7是示出图2所示的加工方法的改质层形成步骤的侧剖视图。图8是示出在图2所示的加工方法的扩展步骤中使用的扩展装置的结构例的立体图。图9是在图2所示的加工方法的扩展步骤中将板状物保持于扩展装置的状态的侧剖视图。图10是示出在图2所示的加工方法的扩展步骤中对粘贴在板状物上的片材进行了扩展的状态的侧剖视图。
作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法是在图1所示的板状物200上粘贴图3所示的片材100的方法。另外，在第1实施方式中，加工方法也是沿着间隔道201将板状物200切断而分割成各个器件202的方法。如图2所示，加工方法具有片材粘贴步骤ST1、张力缓和步骤ST2、改质层形成步骤ST3以及扩展步骤ST4。
片材粘贴步骤ST1是在板状物200上粘贴片材100并且将粘贴有板状物200的片材100安装在具有开口101的环状框架102上而形成图4所示的板状物单元300的步骤。如图4所示，板状物单元300具有环状框架102、片材100以及板状物200。
环状框架102形成为在内侧具有开口101的环状。关于片材100，外周部粘贴在环状框架102上，中央部粘贴在板状物200的正面203的背面侧的背面205上。如图3所示，片材100由基底片材105构成，该基底片材105包含：基材层103，其由合成树脂构成；以及糊料层104，其配设在基材层103上且粘贴在板状物200的背面205上。在第1实施方式中，基材层103由PO(Polyolefin，聚烯烃)或PVC(Polyvinyl Chloride，聚氯乙烯)构成，但构成基材层103的合成树脂不限于这些。板状物200通过将片材100的中央部粘贴在背面205上从而被收纳在环状框架102的开口101内。
在片材粘贴步骤ST1中，图3所示的粘贴装置10的操作者将板状物200的正面203载置于粘贴装置10的多孔状的吸引保持部11上，将环状框架102载置于未图示的框架保持部上。在片材粘贴步骤ST1中，操作者使粘贴装置10进行动作，粘贴装置10经由开闭阀13将由真空泵等构成的吸引源12的吸引力作用于吸引保持部11，从而将板状物200吸引保持于吸引保持部11上。
在片材粘贴步骤ST1中，粘贴装置10对送出装置进行驱动，在糊料层104与板状物200的背面205和环状框架102对置的状态下将片材100送出至板状物200和环状框架102上。在片材粘贴步骤ST1中，如图3所示，粘贴装置10一边使带粘贴辊14沿着图中的左右方向的箭头(以下记为移动方向)400移动一边利用带粘贴辊14将片材100向环状框架102和板状物200的背面205按压而将片材100粘贴在环状框架102和板状物200的背面205上。另外，在第1实施方式中，带粘贴辊14的长度方向相对于带粘贴辊14的移动方向400垂直。如图3所示，带粘贴辊14的移动方向400为直线。
在片材粘贴步骤ST1中，粘贴装置10使用未图示的带切割器，将粘贴在环状框架102和板状物200的背面205的片材100切断成与环状框架102对应的圆形。片材粘贴步骤ST1这样形成板状物单元300。片材100被沿着直线的移动方向400移动的带粘贴辊14向环状框架102和板状物200按压而粘贴，因此在进行粘贴时，产生沿着移动方向400从板状物200朝向环状框架102的方向的张力即张力401(图3和图5等中箭头所示)。即，片材100在进行粘贴时会在被拉伸的状态下进行粘贴。因此，板状物单元300上作用有与被粘贴在片材100上时所产生的张力401相反的方向(即，从环状框架102朝向板状物200的方向)的应力。板状物单元300在相对于张力401的方向收缩的方向上作用有应力，因此片材100不容易被扩展，从而在扩展步骤ST4中器件202的间隔不容易扩展。在片材粘贴步骤ST1中，粘贴装置10将片材100切断之后，停止吸引保持部11对板状物200的吸引保持，操作者将板状物单元300从粘贴装置10取下，进入到张力缓和步骤ST2。
张力缓和步骤ST2是在实施了片材粘贴步骤ST1之后对在片材粘贴步骤ST1中产生于片材100的张力401进行缓和的步骤。如图5所示，张力缓和步骤ST2中，操作者使板状物单元300与圆环状的加热单元20对置。加热单元20形成为与图6中以平行斜线表示的片材100的环状框架102的内周与板状物200的外周之间的区域106相同的形状。区域106是片材100在板状物单元300的板状物200的外周缘与环状框架102的内周缘之间露出的一部分。在第1实施方式中，加热单元20是吹出温度高于常温的暖风的暖风加热器，但不限于暖风加热器，也可以是红外线加热器或灯等。另外，在第1实施方式中，加热单元20构成图8所示的扩展装置40，但在本发明中不限于此。
在张力缓和步骤ST2中，将环状框架102夹入图8所示的扩展装置40的夹持部41而进行固定，在使图6中以平行斜线表示的区域106与加热单元20对置后，如图5所示，从加热单元20向片材100的区域106吹送暖风21。张力缓和步骤ST2如下实施：按照预先规定的时间(例如30秒)对片材100的区域106加热，直至达到50℃以上且90℃以下。当片材100的区域106被加热时，产生于内部的张力401变弱。另外，在第1实施方式中，在张力缓和步骤ST2中，加热单元20从板状物200的正面203侧对片材100进行加热，但在本发明中，也可以从板状物200的背面205侧对片材100进行加热。
另外，规定的时间和片材100的区域106的温度期望是能够使片材100充分地软化、促进张力401的缓和的时间和温度(缓和温度)，期望是当在扩展步骤ST4中对片材100进行扩展时，相互相邻的器件202之间的间隔在与张力401平行的方向上和在与张力401垂直的方向上的差变得极小的时间和温度。另外，规定的时间和片材100的区域106的温度只要是能够将相互相邻的器件202彼此分割且器件202之间的间隔成为能够利用未图示的拾取装置从片材100拾取分割后的器件202(能够取下)的间隔的时间和温度即可。在张力缓和步骤ST2中，当片材100的区域106的加热结束时，进入到改质层形成步骤ST3。
如图7所示，改质层形成步骤ST3是沿着板状物200的间隔道201照射对于板状物200具有透过性的波长的激光光线30而在板状物200的内部形成沿着间隔道201的作为断裂起点的改质层206的步骤。另外，改质层206是指密度、折射率、机械强度或其他物理特性与周围的特性不同的状态的区域，可以例示熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率改变区域和这些区域混在的区域等。
在改质层形成步骤ST3中，如图7所示，操作者等将板状物200的正面203载置于对板状物200照射激光光线30的激光加工装置31的卡盘工作台32的多孔状的保持面33上。在第1实施方式中，在改质层形成步骤ST3中，为了防止板状物200的正面203直接与卡盘工作台32的保持面33接触而发生损伤，操作者等可以使树脂制的多孔片材夹设在卡盘工作台32的多孔状的保持面33与板状物200之间。另外，图7省略了树脂制的多孔片材。接着，激光加工装置31利用经由未图示的真空吸引路径而与卡盘工作台32连接的真空吸引源对保持面33进行吸引，利用卡盘工作台32的保持面33对板状物200进行吸引保持。另外，激光加工装置31利用未图示的空气致动器对设置在卡盘工作台32的周围且在比保持面33低的位置的夹持部34进行驱动，利用夹持部34夹入环状框架102而进行固定。
并且，在改质层形成步骤ST3中，激光加工装置31根据未图示的拍摄单元所获得的图像，执行板状物200的对准。然后，在改质层形成步骤ST3中，激光加工装置31一边使卡盘工作台32和激光光线照射单元35相对地移动，一边如图7所示那样将聚光点对准在板状物200的内部而从背面205侧沿着间隔道201照射对于板状物200具有透过性的波长的激光光线30。由此，激光加工装置31在板状物200的内部形成沿着间隔道201的改质层206。在改质层形成步骤ST3中，当沿着所有的间隔道201在板状物200的内部形成改质层206时，进入到扩展步骤ST4。
扩展步骤ST4是在实施了改质层形成步骤ST3之后对板状物200施加外力而沿着改质层206将板状物200分割成各个器件202的步骤。在第1实施方式中，扩展步骤ST4在面方向上对片材100进行扩展而施加外力。具体而言，操作者将板状物单元300搬送至图8所示的扩展装置40，如图9所示那样将环状框架102夹入扩展装置40的夹持部41而进行固定。此时，如图10所示，预先使扩展装置40的圆筒状的扩展鼓42与片材100的区域106抵接。扩展鼓42具有比环状框架102的内径小且比板状物200的外径大的内径和外径。
在扩展步骤ST4中，如图10所示，扩展装置40使夹持部41下降。于是，片材100与扩展鼓42抵接，因此片材100在面方向上被扩展。在扩展步骤ST4中，片材100扩展的结果是，在片材100上呈放射状地作用拉伸力。这样，当在粘贴在板状物200的背面205的片材100上呈放射状地作用拉伸力时，由于板状物200沿着间隔道201形成了改质层206，因此以沿着间隔道201所形成的改质层206为起点将板状物200分割成各个器件202，并且对器件202之间进行扩展，在器件202之间形成间隔。各个分割而得的器件202通过拾取装置从片材100取下。
这样，作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法的加工对象的板状物200是在改质层形成步骤ST3中形成作为分割起点的改质层206并且在扩展步骤ST4中以改质层206为起点分割成各个器件202的半导体晶片或光器件晶片。
如以上所说明的那样，在作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法中，在实施了片材粘贴步骤ST1之后，实施对产生于片材100的张力401进行缓和的张力缓和步骤ST2，因此能够对与作用于片材100的张力401相反的方向的应力进行缓和。其结果是，作为片材粘贴方法的加工方法能够抑制片材100不容易被扩展的情况，能够抑制在扩展步骤ST4中的片材100的伸长量的不均匀。由此，作为片材粘贴方法的加工方法能够抑制分割成器件202后的器件202之间的间隔的不均匀。
另外，在作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法中，在实施了片材粘贴步骤ST1之后，最大程度地对片材100作用张力401的部位是片材100的在图6中以平行斜线表示的区域106。在作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法中，在张力缓和步骤ST2中对片材100的区域106进行加热，因此能够沿着整个圆周对片材100的张力401进行缓和。另外，作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法若在张力缓和步骤ST2中仅对至少片材100的区域106进行加热，则能够抑制在扩展步骤ST4之后器件202间隔的不均匀。
[第2实施方式]
根据附图，对本发明的第2实施方式的片材粘贴方法进行说明。图11是示出作为第2实施方式的片材粘贴方法的加工方法的流程的流程图。图11中，在与第1实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
作为第2实施方式的片材粘贴方法的加工方法实施张力缓和步骤ST2和改质层形成步骤ST3的顺序与第1实施方式不同，除此以外，与作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法相同。即，如图11所示，作为第2实施方式的片材粘贴方法的加工方法依次实施片材粘贴步骤ST1、改质层形成步骤ST3、张力缓和步骤ST2以及扩展步骤ST4。
作为第2实施方式的片材粘贴方法的加工方法，在实施了片材粘贴步骤ST1之后实施对产生于片材100的张力401进行缓和的张力缓和步骤ST2，因此与第1实施方式同样地，能够抑制分割成器件202后的器件202之间的间隔的不均匀。
[第3实施方式]
根据附图，对本发明的第3实施方式的片材粘贴方法进行说明。图12是示出作为第3实施方式的片材粘贴方法的加工方法的流程的流程图。图13是示出图12所示的加工方法的正面保护带粘贴步骤的立体图。图14是示出图12所示的加工方法的改质层形成步骤的侧剖视图。图12至图14中，在与第1实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
如图12所示，作为第3实施方式的片材粘贴方法的加工方法依次实施正面保护带粘贴步骤ST5、改质层形成步骤ST3-3、片材粘贴步骤ST1、张力缓和步骤ST2以及扩展步骤ST4。
正面保护带粘贴步骤ST5是如图13所示那样在板状物200的正面203上粘贴正面保护带210的步骤。在第3实施方式中，正面保护带210形成为与板状物200相同的形状。
改质层形成步骤ST3-3与第1实施方式同样地，是沿着板状物200的间隔道201照射对于板状物200具有透过性的波长的激光光线30而在板状物200的内部形成沿着间隔道201的作为断裂起点的改质层206的步骤。
在改质层形成步骤ST3-3中，如图14所示，操作者等隔着正面保护带210将板状物200的正面203载置于激光加工装置31的卡盘工作台32的多孔状的保持面33上，激光加工装置31利用卡盘工作台32的保持面33对板状物200进行吸引保持。然后，在改质层形成步骤ST3-3中，与第1实施方式同样地，在激光加工装置31执行了对准之后，一边使卡盘工作台32和激光光线照射单元35沿着间隔道201相对地移动一边将聚光点对准在板状物200的内部而照射对于板状物200具有透过性的波长的激光光线30，在板状物200的内部形成沿着间隔道201的改质层206。
然后，在实施了片材粘贴步骤ST1之后，将正面保护带210剥离，接着依次实施张力缓和步骤ST2和扩展步骤ST4。片材粘贴步骤ST1、张力缓和步骤ST2以及扩展步骤ST4与作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法同样地实施。
在作为第3实施方式的片材粘贴方法的加工方法中，在实施了片材粘贴步骤ST1之后实施对产生于片材100的张力401进行缓和的张力缓和步骤ST2，因此与第1实施方式同样地，能够抑制分割成器件202后的器件202之间的间隔的不均匀。
[第4实施方式]
根据附图，对本发明的第4实施方式的片材粘贴方法进行说明。图15是示出作为第4实施方式的片材粘贴方法的加工方法的流程的流程图。图16是示出图15所示的加工方法的DBG加工步骤的形成分割槽的工序的立体图。图17是示出图15所示的加工方法的DBG加工步骤的粘贴保护部件的工序的立体图。图18是示出图15所示的加工方法的DBG加工步骤的磨削板状物的背面的工序的立体图。图19是示出图15所示的加工方法的片材粘贴步骤的侧剖视图。图20是示出图15所示的加工方法的DAF切割步骤的侧剖视图。图15至图20中，在与第1实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
如图15所示，作为第4实施方式的片材粘贴方法的加工方法依次实施DBG加工步骤ST6、片材粘贴步骤ST1-4、张力缓和步骤ST2以及DAF切割步骤ST7。
DBG加工步骤ST6是对板状物200实施DBG(Dicing Before Grinding：先切割再研磨)加工而将板状物200分割成各个器件202的步骤。在DBG加工步骤ST6中，首先实施如下的工序，沿着形成于板状物200的正面203的间隔道201形成规定的深度(相当于各器件202的完工厚度的深度)的分割槽211。在形成分割槽211的工序中，如图16所示，切削装置50将板状物200的背面205吸引保持于未图示的卡盘工作台上，一边使切削刀具51旋转一边对卡盘工作台进行切削进给，由此沿着间隔道201形成分割槽211。
对于DBG加工步骤ST6，当对所有的间隔道201形成分割槽211时，实施粘贴保护部件212的工序。在粘贴保护部件212的工序中，如图17所示，在沿着板状物200的间隔道201形成有分割槽211的正面203上粘贴磨削用的保护部件212。另外，在第4实施方式中，保护部件212是厚度为150μm的聚烯烃片材，但不限于此。
DBG加工步骤ST6中，当在板状物200的正面203上粘贴保护部件212时，实施对板状物200的背面205进行磨削的工序。在对板状物200的背面205进行磨削的工序中，如图18所示，磨削装置60隔着保护部件212将板状物200的正面203吸引保持于卡盘工作台61上，一边使卡盘工作台61绕轴心旋转一边使磨削单元62的磨削磨具63绕轴心旋转，使其与板状物200的背面205接触而进行磨削。在对板状物200的背面205进行磨削的工序中，如图18所示，磨削装置60进行磨削直至分割槽211在背面205露出为止。这样，磨削至分割槽211在背面205露出，从而板状物200被分割成各个器件202。
在作为第4实施方式的片材粘贴方法的加工方法中，片材粘贴步骤ST1-4是粘贴片材100的步骤，该片材100由基底片材105和配设在基底片材105的糊料层104上的芯片贴装片材110构成。芯片贴装片材110是用于安装或层叠器件202的特殊粘接膜。芯片贴装片材110配设在基底片材105上的与板状物200对应的位置。在片材粘贴步骤ST1-4中，隔着保护部件212将板状物200吸引保持于与第1实施方式同样的粘贴装置10的吸引保持部11，如图19所示将片材100的芯片贴装片材110粘贴在已被分割成器件202的板状物200上，将片材100的基底片材105的糊料层104粘贴在环状框架102上。在片材粘贴步骤ST1-4中，之后将保护部件212剥离。在第4实施方式中，片材粘贴步骤ST1-4后的板状物单元300会产生被称为芯片偏移的如下现象：由于产生于片材100的张力401，各个分割而得的器件202的配置会略微偏移。
张力缓和步骤ST2与作为第1实施方式的片材粘贴方法的加工方法同样地实施。关于张力缓和步骤ST2后的板状物单元300，与第1实施方式同样地，产生于片材100的张力401与张力缓和步骤ST2前相比得到缓和，因此器件202的配置的偏移(即芯片偏移)与刚进行了片材粘贴步骤ST1-4后相比得到缩小(抑制)。
DAF切割步骤ST7是沿着分割槽211对板状物单元300照射基底片材105不吸收但芯片贴装片材110吸收的波长的图20所示的激光光线70而将芯片贴装片材110分割的步骤。在DAF切割步骤ST7中，首先操作者等将保护部件212从板状物200的正面203剥离，如图20所示那样将板状物200的背面205载置于对板状物200照射激光光线70的激光加工装置71的卡盘工作台72的多孔状的保持面73上。接着，激光加工装置71利用经由未图示的真空吸引路径而与卡盘工作台72连接的真空吸引源对保持面73进行吸引，利用卡盘工作台72的保持面73对板状物200进行吸引保持。另外，激光加工装置71利用未图示的空气致动器对设置在卡盘工作台72的周围且在比保持面73低的位置的夹持部74进行驱动，利用夹持部74夹入环状框架102而进行固定。
然后，激光加工装置71根据未图示的拍摄单元所获得的图像，执行板状物200的对准。然后，激光加工装置71一边使卡盘工作台72和激光光线照射单元75相对地移动一边如图20所示那样通过分割槽211对芯片贴装片材110照射激光光线70。由此，沿着分割槽211对芯片贴装片材110进行分割。当芯片贴装片材110沿着所有的分割槽211被分割时，芯片贴装片材110与各个分割得到的器件202一起被拾取装置从基底片材105取下。
这样，关于作为第4实施方式的片材粘贴方法的加工方法的加工对象的板状物200，其是在DBG加工步骤ST6中被分割成各个器件202之后在DAF切割步骤ST7中沿着分割槽211对芯片贴装片材110进行分割而得的半导体晶片或光器件晶片。但是，在本发明中，板状物200也可以是在DBG加工步骤ST6中被分割成各个器件202之后代替DAF切割步骤ST7而实施第1实施方式等的扩展步骤ST4并在扩展步骤ST4中沿着分割槽211对芯片贴装片材110进行分割而得的半导体晶片或光器件晶片。另外，在本发明中，板状物200也可以是在DBG加工步骤ST6中被分割成各个器件202之后在片材粘贴步骤ST1-4中与第1实施方式同样地粘贴不具有芯片贴装片材110的仅由基底片材105构成的片材100并且代替DAF切割步骤ST7而实施第1实施方式等的扩展步骤ST4对器件202之间的间隔进行扩展而得的半导体晶片或光器件晶片。
如以上所说明的那样，在作为第4实施方式的片材粘贴方法的加工方法中，在实施了片材粘贴步骤ST1-4之后实施对产生于片材100的张力401进行缓和的张力缓和步骤ST2，因此与张力缓和步骤ST2前相比，能够抑制张力缓和步骤ST2后的芯片偏移。当芯片偏移较大时，由于要追随芯片偏移而进行加工，因此难以提高加工速度。由此，在作为片材粘贴方法的加工方法中，能够抑制DAF切割步骤ST7的加工时间，能够抑制器件202的生产率降低。
另外，作为第4实施方式的片材粘贴方法的加工方法，片材100由基底片材105和芯片贴装片材110构成，因此在分割后的器件202上粘贴有芯片贴装片材110，因此能够快速地安装器件202。
[第1变形例]
根据附图，对本发明的第1实施方式至第4实施方式的第1变形例的片材粘贴方法进行说明。图21是示出第1实施方式至第4实施方式的第1变形例的片材粘贴方法的张力缓和步骤的侧剖视图。图21中，在与第1实施方式至第4实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
在作为第1变形例的片材粘贴方法的加工方法中，在张力缓和步骤ST2中，如图21所示，按照规定的时间(例如1分钟)将板状物单元300收纳在内部被加热至高于常温的温度(例如60℃)的恒温槽80内，对板状物单元300整体进行加热，对产生于片材100的张力401进行缓和。这样，在第1变形例中，张力缓和步骤ST2通过对板状物单元300整体进行加热而实施。在第1变形例中，恒温槽80为工业用烘箱，但不限于此。另外，规定的时间和恒温槽80的温度是将片材100加热到50℃至90℃的时间和温度，是使产生于片材100的张力401变弱的时间和温度(缓和温度)。期望规定的时间和恒温槽80的温度是当在扩展步骤ST4中对片材100进行扩展时，相互相邻的器件202之间的间隔在与张力401平行的方向上和在与张力401垂直的方向上的差变得极小的时间和温度，或者是能够抑制第4实施方式的加工方法的片材粘贴步骤ST1-4后的芯片偏移的时间和温度。另外，规定的时间和片材100的区域106的温度只要是能够将相互相邻的器件202彼此分割且器件202之间的间隔成为能够利用未图示的拾取装置从片材100拾取分割后的器件202(能够取下)的间隔的时间和温度、或者是能够抑制第4实施方式的加工方法的DAF切割步骤ST7的对准所需时间的时间和温度即可。
如以上所说明的那样，作为第1变形例的片材粘贴方法的加工方法在实施了片材粘贴步骤ST1之后实施对产生于片材100的张力401进行缓和的张力缓和步骤ST2，因此起到下述效果：能够抑制分割成器件202后的器件202之间的间隔的不均匀或者能够抑制器件202的生产率下降。
另外，在作为第1变形例的片材粘贴方法的加工方法中，在张力缓和步骤ST2中对板状物单元300整体进行加热，因此能够可靠地对产生于片材100的张力401进行缓和。
[第2变形例]
根据附图，对本发明的第1实施方式至第4实施方式的第2变形例的片材粘贴方法进行说明。图22是示出第1实施方式至第4实施方式的第2变形例的片材粘贴方法的张力缓和步骤的侧剖视图。图22中，在与第1实施方式至第4实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
在作为第2变形例的片材粘贴方法的加工方法中，在张力缓和步骤ST2中，如图22所示在实施片材粘贴步骤ST1之后，设置一定的时间间隔。在作为第2变形例的片材粘贴方法的加工方法中，在张力缓和步骤ST2中，在实施片材粘贴步骤ST1之后，设置一定的时间间隔，从而随着板状物单元300的经时变化，产生于片材100的张力401得到缓和。另外，一定的时间例如期望是24小时以上且72小时以下，期望是使产生于片材100的张力401变弱的时间，是当在扩展步骤ST4中对片材100进行扩展时，相互相邻的器件202之间的间隔在与张力401平行的方向上和在与张力401垂直的方向上的差变得极小的时间，或者是能够抑制第4实施方式的加工方法的片材粘贴步骤ST1-4后的芯片偏移的时间。另外，当一定的时间小于24小时时，难以使张力401缓和，当一定的时间超过72小时时，片材100粘固于板状物200，之后不容易剥离。
另外，一定的时间只要是能够将相互相邻的器件202彼此分割且器件202之间的间隔成为能够利用未图示的拾取装置从片材100拾取分割后的器件202(能够取下)的间隔的时间、或者是能够抑制第4实施方式的加工方法的DAF切割步骤ST7的对准所需时间的时间即可。
如以上所说明的那样，在作为第2变形例的片材粘贴方法的加工方法中，在实施了片材粘贴步骤ST1之后实施对产生于片材100的张力401进行缓和的张力缓和步骤ST2，因此起到下述效果：能够抑制分割成器件202后的器件202之间的间隔的不均匀或者能够抑制器件202的生产率下降。
另外，在作为第2变形例的片材粘贴方法的加工方法中，在张力缓和步骤ST2中，在实施片材粘贴步骤ST1之后，设置一定的时间间隔，从而随着板状物单元300的经时变化，能够可靠地对产生于片材100的张力401进行缓和。
[第3变形例]
根据附图，对本发明的第1实施方式至第4实施方式的第3变形例的片材粘贴方法进行说明。图23是示出在第1实施方式至第4实施方式的第3变形例的片材粘贴方法的张力缓和步骤中片材被加热的部分的俯视图。图23中，在与第1实施方式至第4实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
在作为第3变形例的片材粘贴方法的加工方法中，在张力缓和步骤ST2中，如图23所示加热单元20对片材100的区域106中的图23中以平行斜线表示的张力401的方向的两端部107、108进行加热，对两端部107、108的张力401进行缓和。
如以上所说明的那样，在作为第3变形例的片材粘贴方法的加工方法中，在实施了片材粘贴步骤ST1之后实施对产生于片材100的张力401进行缓和的张力缓和步骤ST2，因此起到下述效果：能够抑制分割成器件202后的器件202之间的间隔的不均匀或者能够抑制器件202的生产率降低。
另外，在作为第3变形例的片材粘贴方法的加工方法中，在张力缓和步骤ST2中对片材100的区域106的两端部107、108进行加热，对这两端部107、108的张力401进行缓和，因此起到下述效果：能够抑制分割成器件202后的器件202之间的间隔的不均匀或者能够抑制器件202的生产率降低。
接着，本发明的发明人对上述的第1实施方式的效果进行了确认。将结果示于下述表1。另外，图24是示出确认了第1实施方式的效果时的测量位置的板状物单元的俯视图。
【表1】
测量位置 I II III IV V
比较例1 37.5％ 50.0％ 50.0％ 30.0％ 25.0％
本发明产品1 63.3％ 80.0％ 42.9％ 60.0％ 60.0％
比较例2 71.4％ 83.3％ 50.0％ 42.9％ 40.0％
本发明产品2 85.7％ 75.0％ 66.7％ 83.3％ 66.7％
表1示出对比较例1、比较例2、本发明产品1和本发明产品2的扩展步骤ST4后的器件202之间的间隔的不均匀进行了测量的结果。比较例1和本发明产品1使用相同的片材100。比较例2和本发明产品2使用相同且与比较例1和本发明产品1不同的片材100。即，比较例1和本发明产品1的片材100是基材层103和糊料层104为相同种类、相同厚度的相同片材。比较例2和本发明产品2的片材100是基材层103和糊料层104为相同种类、相同厚度的相同片材。
比较例1和比较例2实施以往的加工方法，未对板状物单元300实施第1实施方式的加工方法中的张力缓和步骤ST2。本发明产品1和本发明产品2对板状物单元300实施第1实施方式的加工方法，本发明产品1将板状物单元300在第1变形例的内部加热至60℃的图21所示的恒温槽80中收纳1分钟而实施张力缓和步骤ST2。本发明产品2从加热单元20对板状物单元300的片材100的区域106吹送30秒钟220℃的暖风21，将区域106从常温加热至90℃而实施张力缓和步骤ST2。
另外，表1示出图24的测量位置I、测量位置II、测量位置III、测量位置IV和测量位置V各自的扩展步骤ST4后的图24的α方向上的器件202之间的间隔与β方向上的器件202之间的间隔的比例。表1中，作为比例，以百分比示出α方向上的器件202之间的间隔与β方向上的器件202之间的间隔中的间隔小的一方相对于间隔大的一方的比例。另外，测量位置I是凹口204的附近，测量位置II是测量位置I的夹着板状物200的中心的相反侧的位置，测量位置III是包含板状物200的中心在内的中央。测量位置IV是板状物200的外周缘的图24中的左侧的位置，测量位置V是测量位置IV的夹着板状物200的中心的相反侧的图24中的右侧的位置。
根据表1可知，与比较例1相比，本发明产品1在测量位置I、II、III、IV、V中的大部分位置中，表1中的数值提高，能够抑制分割成器件202后的器件202之间的间隔的不均匀。根据表1可知，与比较例2相比，本发明产品2在测量位置I、II、III、IV、V中的大部分位置中，表1中的数值提高，能够抑制分割成器件202后的器件202之间的间隔的不均匀。由此，根据表1可知，第1实施方式的加工方法通过在实施了片材粘贴步骤ST1之后实施对产生于片材100的张力401进行缓和的张力缓和步骤ST2，能够抑制分割成器件202后的器件202之间的间隔的不均匀。
另外，本发明并不限于上述实施方式和变形例。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。

Claims (5)

1.一种片材粘贴方法，将片材粘贴在板状物上，其中，该片材粘贴方法具有如下的步骤：
片材粘贴步骤，将片材粘贴在板状物上，并且将粘贴有板状物的该片材安装在具有开口的环状框架上，从而形成由该环状框架、收纳在该环状框架的该开口内的板状物以及粘贴在板状物上的该片材构成的板状物单元；以及
张力缓和步骤，在实施了该片材粘贴步骤之后，对在该片材粘贴步骤中产生于该片材的张力进行缓和。
2.根据权利要求1所述的片材粘贴方法，其中，
在该张力缓和步骤中，通过在实施该片材粘贴步骤之后设置一定的时间间隔，从而利用该板状物单元的经时变化使产生于该片材的张力得到缓和。
3.根据权利要求1所述的片材粘贴方法，其中，
该张力缓和步骤是通过对在该板状物单元的板状物的外周缘与该环状框架的内周缘之间露出的该片材进行加热而实施的。
4.根据权利要求1所述的片材粘贴方法，其中，
该张力缓和步骤是通过对该板状物单元整体进行加热而实施的。
5.根据权利要求1所述的片材粘贴方法，其中，
该片材由基底片材和配设在该基底片材上的芯片贴装片材构成。
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