CN108122837A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的加工方法，在组合了激光加工方法和磨削方法合而成的晶片的加工方法中，按照使芯片角在磨削时不产生亏缺的方式分割晶片。一种晶片(W)的加工方法，该晶片(W)具有正面(Wa)，在该正面上的由多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件(D)，该晶片(W)的加工方法包含如下的步骤：在晶片正面(Wa)上粘贴正面保护带(T)；在实施了正面保护带粘贴步骤之后对正面保护带(T)和晶片(W)进行加热；在实施了加热步骤之后，沿着间隔道向晶片背面(Wb)照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束而在晶片(W)的内部形成改质层；以及在实施了改质层形成步骤之后，对晶片背面(Wb)进行磨削而将晶片(W)薄化至规定的厚度并且以改质层为起点将晶片(W)分割成各个芯片(C)的磨削步骤。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及形成有器件的晶片的加工方法。
背景技术
由被称为间隔道的分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的半导体晶片等被加工物沿着间隔道被分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被应用于各种电子设备等。
作为将晶片分割成各个器件芯片的方法，例如，具有使用能够对晶片照射激光束的激光加工装置和能够通过磨削磨具对晶片进行磨削的磨削装置来实施的所谓的被称为SDBG(Stealth Dicing Before Grinding：磨削前隐形切割)的加工方法(例如，参照专利文献1)。该加工方法是使激光加工和磨削组合而成的技术，首先，沿着间隔道照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片内部的规定的深度的位置形成改质层。之后，对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化至完工厚度，并且以改质层为分割起点通过磨削压力使裂缝在晶片的正面侧延伸，从而能够将晶片分割成各个器件芯片。
专利文献1：国际公开第03/077295号公报
但是，在上述专利文献1所记载的加工方法中，由于通过分割而形成的多个芯片会互相接近，在沿各芯片的对角线方向相邻的各芯片的角部(角)之间没有间隔，所以存在如下问题：所形成的芯片彼此在磨削中发生接触，特别是芯片的角部彼此摩擦而容易在角部产生亏缺。并且，当芯片的角部出现亏缺时，存在以该亏缺为起点产生的裂纹在器件正面上延伸而器件发生破损的问题。
因此，在由激光加工和磨削组合而成的晶片的加工方法中，存在对晶片进行分割以使各个芯片的角在磨削加工时不产生亏缺的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶片的加工方法，按照使各个芯片的角在磨削加工时不产生亏缺的方式分割晶片。
根据本发明，提供晶片的加工方法，该晶片具有正面，在该正面上的由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：正面保护带粘贴步骤，在晶片的该正面上粘贴正面保护带；加热步骤，在实施了该正面保护带粘贴步骤之后，对该正面保护带和晶片进行加热；改质层形成步骤，在实施了该加热步骤之后，沿着该间隔道向晶片的背面照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至规定的厚度，并且以该改质层为起点将晶片分割成各个芯片。
优选所述间隔道包含沿第一方向延伸的第一间隔道和沿与该第一方向交叉的第二方向延伸的第二间隔道，在所述改质层形成步骤中，分别形成沿着该第一间隔道的第一改质层和沿着该第二间隔道的第二改质层，并且，相邻的芯片的该第一改质层形成为在该第二方向上互相错开。
在本发明的晶片的加工方法中，通过在实施了正面保护带粘贴步骤之后实施对正面保护带和晶片进行加热的加热步骤，正面保护带成为通过因加热导致的粘接层的软化而提高了与晶片正面的密接性的状态。因此，在磨削步骤中芯片整体不容易发生移动，在磨削步骤中各芯片的角彼此不容易发生摩擦，因此能够使芯片的角不产生亏缺。
并且，在本发明的晶片的加工方法中，当在改质层形成步骤中形成第一改质层时，按照每个具有器件的相邻的芯片在第二方向上错开地形成非连续的第一改质层。因此，能够在沿对角线方向相邻的各芯片的角部分形成间隔，抑制在磨削步骤中各芯片的角彼此发生摩擦，能够使芯片的角不产生亏缺。
附图说明
图1是示出在晶片的正面上粘贴保护带的状态的立体图。
图2是示出通过热板对正面保护带和晶片进行加热的状态的剖视图。
图3是示出使用激光加工装置沿着第二间隔道对晶片照射激光束而在晶片的内部形成第二改质层的状态的剖视图。
图4是对在晶片的内部沿着第二间隔道形成有呈直线状连续延伸的第二改质层的状态从晶片的上方进行观察的情况的说明图。
图5是对在晶片的内部沿着第一间隔道形成有非连续地延伸的第一改质层的状态从晶片的上方进行观察的情况的说明图。
图6是对相对于先形成的第一改质层在第二方向上错开而沿着第一间隔道形成非连续地延伸的第一改质层的状态从晶片的上方进行观察的情况的说明图。
图7是示出对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至规定的厚度并且以第一改质层和第二改质层为起点将晶片分割成各个芯片的状态的剖视图。
标号说明
W：晶片；Wa：晶片的正面；Wb：晶片的背面；S1：第一间隔道；S2：第二间隔道；D：器件；M11、M12：第一改质层；M2：第二改质层；T：正面保护带；Ta：正面保护带的粘贴面；5：热板；1：激光加工装置；10：卡盘工作台；10a：卡盘工作台的保持面；11：激光束照射单元；110：激光振荡器；111：聚光器；111a：聚光透镜；119：接通/断开切换单元；12：加工进给单元；14：对准单元；140：红外线照相机；2：磨削装置；20：保持工作台；20a：保持工作台的保持面；23：Y轴方向进给单元；21：磨削单元；210：旋转轴；212：电动机；213：安装座；214：磨削磨轮；214a：磨轮基台；214b：磨削磨具。
具体实施方式
以下，对实施本发明的晶片的加工方法将图1所示的晶片W分割成各个器件芯片的情况的各步骤进行说明。
(1)正面保护带粘贴步骤
作为被加工物的图1所示的晶片W例如是具有圆盘状的外形的半导体晶片，在晶片W的正面Wa上排列有多条第一间隔道S1和多条第二间隔道S2，其中，该第一间隔道S1沿第一方向(在图1中为X轴方向)延伸，该第二间隔道S2沿与第一方向在水平面上垂直的第二方向(在图1中为Y轴方向)延伸。一条第一间隔道S1和与其相邻的另一条第一间隔道S1之间的距离(各第一间隔道S1的中心线之间的距离)呈等间隔，并且，一条第二间隔道S2和与其相邻的另一条第二间隔道S2之间的距离(各第二间隔道S1的中心线之间的距离)也呈等间隔。在由第一间隔道S1和第二间隔道S2划分出的矩形的各区域内分别形成有IC等器件D。
晶片W在从现在起要实施加工时成为在正面Wa上粘贴有图1所示的正面保护带T从而正面Wa得到保护的状态。正面保护带T例如是具有与晶片W的外径大致相同的外径的圆盘状的膜，具有由聚烯烃构成的基材层和由粘接糊构成的粘接层。通过在使晶片W的中心与正面保护带T的中心大致一致的状态下，在晶片W的正面Wa上粘贴正面保护带T的粘接层的粘贴面Ta，成为晶片W的正面Wa成为被正面保护带T保护的状态。
(2)加热步骤
在实施了正面保护带粘贴步骤之后，实施对正面保护带T和晶片W进行加热的加热步骤。例如在图2所示的被加热到规定的温度的热板5上进行对正面保护带T和晶片W的加热。热板5的温度根据正面保护带T的粘接层和基材层的种类、带厚度等被适当设定在大约50℃～大约90℃的范围内，在如本实施方式那样、正面保护带T具有由聚烯烃构成的基材层的情况下，热板5的温度例如被设定为大约70℃。即，热板5的温度被设定为不会产生因热量导致的正面保护带T熔融以及因正面保护带T的热收缩导致的外径变化的程度的温度。
在图示的例中，使背面Wb侧为下侧而将晶片W载置在热板5上而对正面保护带T和晶片W进行加热，但并不限定于此，也可以使正面保护带T侧为下侧而将晶片W载置在热板5上而对正面保护带T和晶片W进行加热，从而使正面保护带T更快速地被加热。
例如，在同时进行正面保护带粘贴步骤和加热步骤的情况下，一边对正面保护带T进行加热一边向晶片W粘贴，在正面保护带T朝向径向外侧延伸的状态下向晶片W粘贴。因此，在粘贴于晶片W上的正面保护带T中残存有要收缩的应力。因此，产生了如下的问题等：当在晶片W上粘贴了正面保护带T之后经过规定的时间正面保护带T冷却时，正面保护带T的要恢复到自然长度的收缩力在晶片W的正面Wa上作为机械外力而传播，变成对晶片W的正面Wa施加了无用的张力的状态。但是，如本发明的晶片W的加工方法那样，通过在实施了正面保护带粘贴步骤之后实施对正面保护带T和晶片W进行加热的加热步骤，能够防止产生上述那样的问题。
通过将晶片W在热板5上载置大约5分钟而完成正面保护带T和晶片W的加热。正面保护带T通过加热而变成如下状态：正面保护带T的粘接层软化而提高了与晶片W的正面Wa的密接性。另外，优选正面保护带T和晶片W的加热时间大约为5分钟～10分钟左右。并且，晶片W的加热并不限于使用热板5以接触式进行的方式，例如也可以利用能够放射出红外线的红外线灯或加热炉等以非接触的方式对正面保护带T和晶片W进行加热。
(3)改质层形成步骤
在完成了加热步骤之后，实施改质层形成步骤，照射对于晶片W具有透过性的波长的激光束而在晶片W的内部形成改质层。在改质层形成步骤中使用的图3所示的激光加工装置1例如至少具有：卡盘工作台10，其对晶片W进行吸引保持；以及激光束照射单元11，其对保持在卡盘工作台10上的晶片W照射激光束。卡盘工作台10例如其外形为圆形，将晶片W吸引保持在由多孔部件等构成的保持面10a上。卡盘工作台10能够绕铅直方向(Z轴方向)的轴心进行旋转，并且能够通过加工进给单元12在X轴方向上往复移动。
激光束照射单元11例如具有能够振荡出对于晶片W具有透过性的规定的波长的激光束的激光振荡器110(例如，YAG激光器或YVO4激光器)，该激光振荡器110经由光纤等传送光学系统与聚光器111连接。并且，激光束照射单元11能够通过使从激光振荡器110振荡出的激光束入射到聚光器111的内部的聚光透镜111a而使激光束会聚在晶片W的内部。激光加工装置1具有接通/断开切换单元119，该接通/断开切换单元119进行激光振荡器110的启动和停止(即，激光振荡器110所进行的激光束照射的接通和断开)的切换。
在激光束照射单元11的附近配设有对准单元14，该对准单元14对图1所示的晶片W的第一间隔道S1和第二间隔道S2进行检测。对准单元14具有红外线照相机140，该红外线照相机140由照射红外线的未图示的红外线照射单元、捕捉红外线的光学系统和输出与红外线对应的电信号的拍摄元件(红外线CCD)等构成，该对准单元14能够根据红外线照相机140所取得的图像，通过图案匹配等图像处理对晶片W的正面Wa的第一间隔道S1和第二间隔道S2进行检测。激光束照射单元11与对准单元14构成为一体，两者连动地在Y轴方向和Z轴方向上移动。卡盘工作台10、激光束照射单元11、加工进给单元12和对准单元14与未图示的控制单元连接，该控制单元由CPU和存储器等存储元件构成，对激光加工装置1整体进行控制，该控制单元根据操作人员向控制单元输入的加工条件等对上述的各结构的动作进行控制。
在本实施方式中，例如，首先，使用图3所示的激光加工装置1沿着图1所示的第二间隔道S2照射激光束而在晶片W的内部形成第二改质层，接着，沿着第一间隔道S1照射激光束而形成第一改质层。第二改质层在第二间隔道S2的中央连续地呈直线状形成，第一改质层在从第一间隔道S1的中央向两侧错开的位置交替地非连续地形成。为了进行该加工，在形成第二改质层和第一改质层之前，对激光加工装置1所具有的未图示的控制单元设定加工条件。作为预先设定的加工条件，有晶片W的加工进给速度、第一间隔道S1和第二间隔道S2的加工开始位置、第一距离L1和第二距离L2的值等。晶片W的加工进给速度通过操作人员从激光加工装置1所具有的未图示的输入单元输入。通过对准单元14来检测第一间隔道S1和第二间隔道S2的加工开始位置。由于第一距离L1和第二距离L2的值是已知的，所以通过操作人员从激光加工装置1所具有的未图示的输入单元将该值输入。并且，为了使形成于第一间隔道S1的第一改质层非连续，确定通过接通/断开切换单元119进行切换的接通时间和断开时间并设定在控制单元中。该接通时间和断开时间是根据第二距离L2的值和晶片W的加工进给速度的值等通过利用未图示的控制单元进行运算处理而计算的。接通时间和断开时间是相等的，各自的时间是卡盘工作台10在X轴方向上按照第二距离L2进行移动所花费的时间，被设定为使接通和断开交替重复。
首先，进行对位以使图3所示的激光加工装置1的卡盘工作台10的保持面10a与晶片W的被正面保护带T保护的正面Wa侧对置，将背面Wb侧作为上侧而将晶片W载置在卡盘工作台10上。然后，使与卡盘工作台10连接的未图示的吸引源进行动作而将晶片W吸引保持在卡盘工作台10上。
接着，使保持着晶片W的卡盘工作台10绕Z轴方向的轴心进行旋转而对其方向进行调整，以使晶片W的第一间隔道S1相对于X轴方向平行。然后，通过加工进给单元12在﹣X方向(往方向)上对保持在卡盘工作台10上的晶片W进行进给，并且通过对准单元14来检测第一间隔道S1。这里，形成有第一间隔道S1的晶片W的正面Wa位于下侧，不与对准单元14直接对置，但能够通过红外线照相机140从晶片W的背面Wb侧透过而对第一间隔道S1进行拍摄。根据通过红外线照相机140拍摄到的第一间隔道S1的图像，对准单元14执行图案匹配等图像处理，对最先要照射激光束的第一间隔道S1的位置(例如图2中的最靠﹣Y侧的第一间隔道S1)进行检测。然后，将所检测到的第一间隔道S1的Y坐标的值存储在控制单元中。
接着，使保持着晶片W的卡盘工作台10绕Z轴方向的轴心进行旋转以使晶片W的第二间隔道S2相对于X轴方向平行。然后，通过对准单元14对第二间隔道S2进行检测。例如，对图1中的最靠﹣X侧的第二间隔道S2进行检测。
随着对第二间隔道S2进行检测，对激光束照射单元11在Y轴方向上进行驱动，对被照射激光束的第二间隔道S2和聚光器111在Y轴方向上进行对位。例如，进行该对位以使第二间隔道S2的中心线位于聚光器111所具有的聚光透镜111a的正下方。
接着，在利用聚光器111将对于晶片W具有透过性的激光束的聚光点定位在与第二间隔道S2对应的晶片W的内部的规定的高度位置的状态下，一边沿着第二间隔道S2照射从激光振荡器110振荡并由聚光透镜111a会聚的激光束，一边对晶片W在﹣X方向上按照规定的加工进给速度进行加工进给，如图3所示在晶片W的内部形成第二改质层M2。第二改质层M2在晶片W的厚度方向(Z轴方向)上的形成位置例如是与距离晶片W的正面Wa相当于器件芯片的完工厚度的上方的位置相比靠上方的位置。并且，第二改质层M2形成为与晶片W的沿第二方向(图1中的Y轴方向)延伸的第二间隔道S2的中心线重叠。
在晶片W的内部沿着第二间隔道S2的中心线连续形成第二改质层M2，例如，当晶片W在﹣X方向上行进到激光束对一条第二间隔道S2照射完毕的X轴方向的规定的位置时，如在图4中虚线所示的那样，在晶片W的内部沿着第二间隔道S2从第二间隔道S2的一端到另一端按照横穿各第一间隔道S1的方式形成呈直线状连续延伸的第二改质层M2。
接着，停止激光束的照射并且暂时停止对晶片W的﹣X方向(往方向)上的加工进给，使激光束照射单元11在+Y方向上移动而对与已照射了激光束的第二间隔道S2相邻而尚未照射激光束的第二间隔道S2和聚光器111在Y轴方向上进行对位。接着，加工进给单元12对晶片W在+X方向(返方向)上进行加工进给，与往方向上的激光束的照射同样地对第二间隔道S2照射激光束。通过依次进行同样的激光束的照射，沿着在X轴方向上延伸的全部的第二间隔道S2从晶片W的背面Wb侧照射激光束，在晶片W内部形成作为分割起点的第二改质层M2。
接着，沿着第一间隔道S1照射对于晶片W具有透过性的波长的激光束而在晶片W的内部形成在第一方向上延伸的第一改质层。
首先，使保持着晶片W的卡盘工作台10绕Z轴方向的轴心进行旋转，以使图3所示的晶片W的第一间隔道S1相对于X轴方向平行。然后，通过加工进给单元12在﹣X方向(往方向)上对保持在卡盘工作台10上的晶片W进行进给。
接着，使聚光器111的Y轴方向的位置与最先要照射激光束的图5所示的第一间隔道S11对齐。例如进行该对位以使聚光器111所具有的聚光透镜111a的正下方位置从第一间隔道S11的中心线按照规定的距离在﹣Y方向上错开。
接着，在利用聚光器111将对于晶片W具有透过性的激光束的聚光点定位在与第一间隔道S11对应的晶片W的内部的规定的高度位置的状态下，一边沿着第一间隔道S11照射从激光振荡器110振荡并由聚光透镜111a会聚的激光束，一边对晶片W在﹣X方向上按照规定的加工进给速度进行加工进给，在晶片W的内部形成在图5中以点划线示出的第一改质层M11。第一改质层M11的形成位置例如是在晶片W的厚度方向(Z轴方向)上与距离晶片W的正面Wa相当于器件芯片的完工厚度的上方的位置相比靠下方的位置，并且，是在晶片W的第二方向上从第一间隔道S11的中心线按照规定的距离向﹣Y方向侧错开的位置。
例如，当按照一条第二间隔道S2的中心线和与其相邻的另一条第二间隔道S2的中心线之间的距离对晶片W进行加工进给，第一改质层M11以呈直线状延伸的方式从图5所示的第二改质层M21形成到在第一方向上按照规定的距离隔开形成的图5所示的第二改质层M22时，在经过了由控制单元确定的激光振荡器110的接通时间之后，接通/断开切换单元119将激光束的照射切换为断开。那样的话，虽然维持着在﹣X方向上按照规定的加工进给速度对晶片W进行加工进给的状态，但由于激光束的照射停止，所以在第一间隔道S11中的从第二改质层M22到第二改质层M23之间，不对晶片W的内部照射激光束而不会形成第一改质层。
当通过在﹣X方向上以规定的加工进给速度按照一条第二间隔道S2的中心线和与其相邻的另一条第二间隔道S2的中心线之间的距离对晶片W进一步进行加工进给而经过规定的断开时间时，接通/断开切换单元119将激光束的照射切换为接通。因此，通过在﹣X方向上按照规定的加工进给速度对晶片W进行加工进给，对晶片W的内部照射激光束，沿着从第二改质层M23到在第一方向上隔开规定的距离形成的图5所示的第二改质层M24之间的第一间隔道S11，在晶片W的内部形成由点划线示出的第一改质层M11。
如上述那样，在晶片W的内部沿着第一间隔道S11以按照规定的间隔在第一方向上隔开的方式非连续地形成第一改质层M11，使晶片W在﹣X方向上行进到激光束对一条第一间隔道S11照射完毕的X轴方向的规定的位置。接着，停止激光束的照射并且暂时停止晶片W的﹣X方向(往方向)上的加工进给，使图3所示的激光束照射单元11在+Y方向上移动而对与照射了激光束的第一间隔道S11相邻的尚未被照射激光束的图5所示的第一间隔道S12和聚光器111在Y轴方向上进行对位。接着，加工进给单元12在+X方向(返方向)上对晶片W进行加工进给，与往方向上的激光束的照射同样地对第一间隔道S12照射激光束。通过依次进行同样的激光束的照射，沿着在X轴方向上延伸的全部的第一间隔道S1从晶片W的背面Wb侧照射激光束，在晶片W内部沿着各第一间隔道S1非连续地形成作为分割起点的第一改质层M11。
接着，沿着第一间隔道S1照射对于晶片W具有透过性的波长的激光束而在晶片W的内部形成与第一改质层M11在第二方向上互相错开并在第一方向上延伸的第一改质层。首先，通过图2所示的加工进给单元12在﹣X方向(往方向)上对保持在卡盘工作台10上的晶片W进行进给。
然后，对照射激光束的聚光器111和第一间隔道S11在Y轴方向上进行对位。例如进行该对位以使聚光器111所具有的聚光透镜111a的正下方位置从第一间隔道S11的中心线按照规定的距离在+Y方向上错开。接着，利用聚光器111将规定的波长的激光束的聚光点定位在与第一间隔道S11对应的晶片W的内部的规定的高度位置。并且，在﹣X方向上按照规定的加工进给速度对晶片W进行加工进给。
例如，通过利用接通/断开切换单元119使激光束的照射为断开，即使在﹣X方向上按照规定的加工进给速度对晶片W进行加工进给，但在图6所示的第一间隔道S11中的从第二改质层M21到第二改质层M22之间，不对晶片W的内部照射激光束，不会形成与第一改质层M11在第二方向上互相错开并在第一方向上延伸的第一改质层。
当通过在﹣X方向上以规定的加工进给速度按照一条第二间隔道S2的中心线和与其相邻的另一条第二间隔道S2的中心线之间的距离对晶片W进一步进行加工进给而经过规定的断开时间时，接通/断开切换单元119将激光束的照射切换为接通。因此，通过按照﹣X方向上的规定的加工进给速度对晶片W进一步进行加工进给，对晶片W的内部照射激光束，沿着图6所示的从第二改质层M22到第二改质层M23之间的第一间隔道S11在晶片W的内部形成以双点划线示出的第一改质层M12。第一改质层M12的形成位置例如是在晶片W的厚度方向(Z轴方向)上与距离晶片W的正面Wa相当于器件芯片的完工厚度的上方的位置相比靠上方的位置，并且，是在晶片W的第二方向上从第一间隔道S11的中心线按照规定的距离向+Y方向侧错开的位置。因此，第一改质层M12形成为相对于第一改质层M11在第二方向上错开。
例如，按照一条第二间隔道S2的中心线和与其相邻的另一条第二间隔道S2的中心线之间的距离对晶片W进行加工进给，当从图6所示的第二改质层M22到第二改质层M23以呈直线状延伸的方式形成第一改质层M12时，接通/断开切换单元119将激光束的照射切换为断开。虽然维持着在﹣X方向上按照规定的加工进给速度对晶片W进一步进行加工进给的状态，但在从第二改质层M23到第二改质层M24之间，不对晶片W的内部照射激光束，不会形成与第一改质层M11在第二方向上互相错开并在第一方向上延伸的第一改质层。
如上述那样，在晶片W的内部沿着第一间隔道S11以按照规定的间隔在第一方向上隔开的方式非连续地形成第一改质层M12，使晶片W在﹣X方向上行进到激光束对一条第一间隔道S11照射完毕的X轴方向的规定的位置。接着，停止激光束的照射并且暂时停止晶片W的﹣X方向(往方向)上的加工进给，使激光束照射单元11在+Y方向上移动而对与照射了激光束的第一间隔道S11相邻的尚未照射激光束的第一间隔道S12和聚光器111在Y轴方向上进行对位。接着，加工进给单元12在+X方向(返方向)上对晶片W进行加工进给，与往方向上的激光束的照射同样地对第一间隔道S12照射激光束。通过依次进行同样的激光束的照射，沿着在X轴方向上延伸的全部的第一间隔道S1从晶片W的背面Wb侧照射激光束，沿着各第一间隔道S1在晶片W的内部以非连续的方式形成与第一改质层M11在第二方向上互相错开并在第一方向上延伸的第一改质层M12。第一改质层M12形成在当形成第一改质层M11时使激光断开的X坐标位置。因此，在各个第一间隔道S11、S12、…上沿第一方向交替地形成第一改质层M11和第二改质层M12，使第一改质层M11和第二改质层M12形成为在相邻的芯片之间在第二方向上互相错开。
(4)磨削步骤
在完成了改质层形成步骤之后，实施磨削步骤，对晶片W的背面Wb进行磨削而使晶片W薄化至规定的厚度，并且以图6所示的第一改质层M11和第一改质层M12以及第二改质层M2为起点，将晶片W分割成图6所示的各个芯片C。
图7所示的磨削装置2例如至少具有：保持工作台20，其对晶片W进行吸引保持；以及磨削单元21，其对保持在保持工作台20上的晶片W进行磨削加工。保持工作台20例如其外形为圆形，将晶片W吸引保持在由多孔部件等构成的保持面20a上。保持工作台20能够绕铅直方向的轴心进行旋转，并且能够通过Y轴方向进给单元23在Y轴方向上往复移动。
磨削单元21能够通过磨削进给单元22进行上下移动，该磨削进给单元22在相对于保持工作台20离开或接近的Z轴方向上对磨削单元21进行磨削进给。磨削进给单元22例如是通过电动机等进行动作的滚珠丝杠机构。磨削单元21具有：旋转轴210，其轴向为铅直方向(Z轴方向)；电动机212，其对旋转轴210进行旋转驱动；圆环状的安装座213，其与旋转轴210的下端连接；以及磨削磨轮214，其以能够装拆的方式与安装座213的下表面连接。
磨削磨轮214具有：磨轮基台214a；以及大致长方体形状的多个磨削磨具214b，它们呈环状配设在磨轮基台214a的底面上。磨削磨具214b例如是利用树脂结合剂或金属结合剂等将金刚石磨粒等粘固而成形的。另外，磨削磨具214b的形状也可以一体地形成为环状。
例如，在旋转轴210的内部，沿旋转轴210的轴向(Z轴方向)贯通形成有与磨削水提供源连通的作为磨削水的通道的未图示的流路，流路在安装座213中通过并在磨轮基台214a的底面以能够朝向磨削磨具214b喷出磨削水的方式开口。
在磨削步骤中，首先，以背面Wb侧朝上的状态将晶片W载置在保持面20a上，使保持工作台20的中心与晶片W的中心大致一致。然后，通过将由未图示的吸引源产生的吸引力传递到保持面20a而将晶片W吸引保持在保持工作台20上。
接着，使保持着晶片W的保持工作台20在+Y方向上移动到磨削单元21的下方，对磨削单元21所具有的磨削磨轮214和晶片W进行对位。例如如图7所示按照如下方式进行对位：使磨削磨轮214的旋转中心相对于保持工作台20的旋转中心在+Y方向上按照规定的距离错开，使磨削磨具214b的旋转轨迹通过保持工作台20的旋转中心。
在对磨削单元21所具有的磨削磨轮214和晶片W进行了对位之后，对旋转轴210在从+Z方向侧看绕逆时针旋转的方向上进行旋转驱动，磨削磨轮214也随之进行旋转。并且，通过磨削进给单元22对磨削单元21在﹣Z方向上进行进给，使旋转的磨削磨轮214的磨削磨具214b与晶片W的背面Wb抵接从而进行磨削加工。由于在磨削中使保持工作台20在从+Z方向侧看绕逆时针旋转的方向上进行旋转，保持在保持面20a上的晶片W也随之进行旋转，所以磨削磨具214b对晶片W的背面Wb的整个面进行磨削加工。并且，在磨削加工中，通过旋转轴210中的流路对磨削磨具214b与晶片W的接触部位提供磨削水，对磨削磨具214b与晶片W的背面Wb的接触部位进行冷却/清洗。
当继续进行磨削时，沿着图6所示的第一改质层M11和第一改质层M12以及第二改质层M2作用磨削压力从而使裂缝沿着晶片W的正面Wa延伸，晶片W被分割成图6所示的具有器件D的矩形的各个芯片C。然后，在分割后继续进行磨削，当晶片W形成为完工厚度时，磨削进给单元22使磨削单元21在+Z方向上上升，磨削结束。
在本发明的晶片的加工方法中，在实施了正面保护带粘贴步骤之后，通过实施对正面保护带T和晶片W进行加热的加热步骤，正面保护带T成为通过因加热导致的粘接层的软化而提高了与晶片W的正面Wa的密接性的状态。因此，在磨削步骤中芯片C整体不容易发生移动，在磨削步骤中的晶片W的分割时和分割后，各芯片C的角Cd彼此不容易发生摩擦，因此能够使芯片C的角Cd不产生亏缺。
并且，在本发明的晶片的加工方法中，当在改质层形成步骤中形成第一改质层时，按照每个具有器件D的相邻的芯片C在第二方向上错开地形成非连续的第一改质层M11和第一改质层M12。因此，能够在沿对角线方向相邻的各芯片C的角Cd部分形成间隔，抑制在磨削步骤中的晶片W的分割时和分割后各芯片C的角Cd彼此发生摩擦，能够使芯片C的角Cd不产生亏缺。
另外，本发明的晶片的加工方法并不限定于上述实施方式，并且，在附图中图示的激光加工装置1和磨削装置2的结构等也并不限定于此，能够在可以发挥本发明的效果的范围内进行适当变更。
例如，在改质层形成步骤中，也可以先沿着第一间隔道S1对晶片W照射激光束而在晶片W的内部形成第一改质层M11和第一改质层M12，之后，沿着第二间隔道S2对晶片W照射激光束而在晶片W的内部形成第二改质层M2。

Claims (2)

1.一种晶片的加工方法，该晶片具有正面，在该正面上的由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：
正面保护带粘贴步骤，在晶片的该正面上粘贴正面保护带；
加热步骤，在实施了该正面保护带粘贴步骤之后，对该正面保护带和晶片进行加热；
改质层形成步骤，在实施了该加热步骤之后，沿着该间隔道向晶片的背面照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及
磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至规定的厚度，并且以该改质层为起点将晶片分割成各个芯片。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
所述间隔道包含沿第一方向延伸的第一间隔道和沿与该第一方向交叉的第二方向延伸的第二间隔道，
在所述改质层形成步骤中，分别形成沿着该第一间隔道的第一改质层和沿着该第二间隔道的第二改质层，并且，相邻的芯片的该第一改质层形成为在该第二方向上互相错开。
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