KR20180124734A - 시트 점착 방법 - Google Patents

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Abstract

[과제] 디바이스 사이의 간격 불균일을 억제할 수 있는 시트 점착 방법을 제공하는 것, 또는 디바이스의 생산성 저하를 억제할 수 있는 시트 점착 방법을 제공하는 것.
[해결수단] 시트 점착 방법으로서, 판형상물에 시트를 점착하고 개구를 가진 환형 프레임에 판형상물이 점착된 시트를 장착하여, 환형 프레임과, 환형 프레임의 개구 내에 수용된 판형상물과, 판형상물에 점착된 시트로 이루어지는 판형상물 유닛을 형성하는 시트 점착 단계와, 시트 점착 단계를 실시한 후, 시트 점착 단계에서 시트에 생성된 텐션을 완화하는 텐션 완화 단계를 포함한다.

Description

시트 점착 방법{SHEET ADHESION METHOD}
본 발명은 판형상물에 시트를 점착하는 시트 점착 방법에 관한 것이다.
시트에 점착되며 또한 분할 기점이 형성된 판형상물인 웨이퍼(예컨대 특허문헌 1 참조)는, 익스팬드(expand) 장치로 시트가 익스팬드되어 개개의 디바이스로 분할된다. 또한, 절삭 가공에 의해 하프 컷트된 후에 이면이 연삭 가공되는 소위 DBG(Dicing Before Grinding) 가공에 의해 디바이스로 분할된 웨이퍼에는 DAF(Die Attach Film)이 점착된다. 상술한 웨이퍼에 점착된 DAF은, 익스팬드 장치에 의해 분할되거나(예컨대 특허문헌 2 참조), 레이저 빔의 조사에 의해 분단되거나 한다(예컨대 특허문헌 3 참조). 또한, 상술한 시트는, 웨이퍼에 점착될 때에, 점착 장치(예컨대 특허문헌 4 참조)의 테이프 점착 롤러의 회전 방향과 평행한 텐션이 생성된다.
특허문헌 1: 일본 특허 제3408805호 공보 특허문헌 2: 일본 특허공개 2007-027562호 공보 특허문헌 3: 일본 특허공개 2005-116739호 공보 특허문헌 4: 일본 특허공개 2015-082642호 공보
상술한 시트는, 텐션이 생성되어 있으면, 텐션의 방향으로 수축하는 힘이 가해지기 때문에, 이 텐션 방향에서는 익스팬드되기 어렵게 된다. 이 때문에, 텐션이 생성된 시트는, 전체 방향으로 한결같이 익스팬드되더라도 방향에 따라서 실제로 익스팬드되는 양(신장하는 양)에 차가 생겨 버린다. 시트는, 방향에 따라서 익스팬드되는 양에 차가 생기면, 방향에 따라서는 충분한 디바이스 간격을 형성할 수 없거나, 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할할 수 없거나 하는 등의 문제가 생긴다.
또한, DBG 가공 후의 웨이퍼에 DAF을 점착한 경우는, DAF에 점착 장치의 테이프 점착 롤러의 회전 방향과 평행한 텐션이 생성되기 때문에, 텐션에 의해서 개개로 분할된 디바이스의 배치가 틀어지는 소위 다이 시프트가 크게 발생한다. 웨이퍼는, 다이 시프트가 크게 발생하면, DAF이 분단될 때의 레이저 빔 조사 시에 가공 라인을 따라가며 레이저 빔을 조사하는 데 시간이 걸려 생산성이 저하한다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 디바이스 사이 간격의 불균일을 억제할 수 있는 시트 점착 방법을 제공하는 것, 또는 다이 시프트를 억제할 수 있는 시트 점착 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 판형상물에 시트를 점착하는 시트 점착 방법으로서, 판형상물에 시트를 점착하고 개구를 가진 환형 프레임에 판형상물이 점착된 상기 시트를 장착하여, 상기 환형 프레임과, 이 환형 프레임의 상기 개구 내에 수용된 판형상물과, 판형상물에 점착된 상기 시트로 이루어지는 판형상물 유닛을 형성하는 시트 점착 단계와, 이 시트 점착 단계를 실시한 후, 이 시트 점착 단계에서 상기 시트에 생성된 텐션을 완화하는 텐션 완화 단계를 구비한 시트 점착 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 텐션 완화 단계에서는, 상기 시트 점착 단계를 실시하고 나서 일정한 시간 간격을 둠으로써 상기 판형상물 유닛의 시간 경과적 변화에 의해서 상기 시트에 생성된 텐션이 완화된다.
바람직하게는, 상기 텐션 완화 단계는, 상기 판형상물 유닛의 판형상물의 외주연과 상기 환형 프레임의 내주연의 사이에 노출된 상기 시트를 가열함으로써 실시된다.
혹은, 상기 텐션 완화 단계는 상기 판형상물 유닛 전체를 가열함으로써 실시된다.
바람직하게는, 상기 시트는 베이스 시트와 이 베이스 시트 상에 배치된 다이 부착 시트로 구성되다.
본원발명의 시트 점착 방법은, 디바이스 사이 간격의 불균일을 억제할 수 있거나 또는 다이 시프트를 억제할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법을 포함하는 가공 방법의 가공 대상인 판형상물의 일례를 도시하는 사시도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법을 포함하는 가공 방법의 흐름을 도시하는 흐름도이다.
도 3은 도 2에 도시된 가공 방법의 시트 점착 단계를 도시하는 측단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 가공 방법의 시트 점착 단계 후의 판형상물 등의 사시도이다.
도 5는 도 2에 도시된 가공 방법의 텐션 완화 단계를 도시하는 측단면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 가공 방법의 텐션 완화 단계에 있어서 시트가 가열되는 부분을 도시하는 평면도이다.
도 7은 도 2에 도시된 가공 방법의 개질층 형성 단계를 도시하는 측단면도이다.
도 8은 도 2에 도시된 가공 방법의 익스팬드 단계에서 이용되는 익스팬드 장치의 구성예를 도시하는 사시도이다.
도 9는 도 2에 도시된 가공 방법의 익스팬드 단계에 있어서 판형상물을 익스팬드 장치에 유지한 상태의 측단면도이다.
도 10은 도 2에 도시된 가공 방법의 익스팬드 단계에 있어서 판형상물에 점착된 시트를 익스팬드한 상태를 도시하는 측단면도이다.
도 11은 제2 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 흐름을 도시하는 흐름도이다.
도 12는 제3 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 흐름을 도시하는 흐름도이다.
도 13은 도 12에 도시된 가공 방법의 표면 보호 테이프 점착 단계를 도시하는 사시도이다.
도 14는 도 12에 도시된 가공 방법의 개질층 형성 단계를 도시하는 측단면도이다.
도 15는 제4 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 흐름을 도시하는 흐름도이다.
도 16은 도 15에 도시된 가공 방법의 DBG 가공 단계의 분할 홈을 형성하는 단계를 도시하는 사시도이다.
도 17은 도 15에 도시된 가공 방법의 DBG 가공 단계의 보호 부재를 점착하는 단계를 도시하는 사시도이다.
도 18은 도 15에 도시된 가공 방법의 DBG 가공 단계의 판형상물의 이면을 연삭하는 단계를 도시하는 사시도이다.
도 19는 도 15에 도시된 가공 방법의 시트 점착 단계를 도시하는 측단면도이다.
도 20은 도 15에 도시된 가공 방법의 DAF 컷트 단계를 도시하는 측단면도이다.
도 21은 제1 실시형태부터 제4 실시형태의 제1 변형예에 따른 시트 점착 방법의 텐션 완화 단계를 도시하는 측단면도이다.
도 22는 제1 실시형태부터 제4 실시형태의 제2 변형예에 따른 시트 점착 방법의 텐션 완화 단계를 도시하는 측단면도이다.
도 23은 제1 실시형태부터 제4 실시형태의 제3 변형예에 따른 시트 점착 방법의 텐션 완화 단계에 있어서 시트가 가열되는 부분을 도시하는 평면도이다.
도 24는 제1 실시형태의 효과를 확인했을 때의 측정 위치를 나타내는 판형상물 유닛의 평면도이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 관해서 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합할 수 있다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 다양한 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
〔제1 실시형태〕
본 발명의 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 가공 대상인 판형상물의 일례를 도시하는 사시도이다.
제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법은 도 1에 도시하는 판형상물(200)의 가공 방법이다. 제1 실시형태에서는, 판형상물(200)은 실리콘, 사파이어 또는 갈륨비소 등을 기판으로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼이다. 판형상물(200)은, 도 1에 도시한 것과 같이, 교차하는 복수의 스트리트(201)로 구획된 각 영역에 각각 디바이스(202)가 형성된 표면(203)을 갖는다. 또한, 판형상물(200)은 결정 방위를 나타내는 노치(204)가 마련되어 있다. 또한, 본 발명에서는, 판형상물(200)은 결정 방위를 나타내는 오리엔테이션 플랫이 마련되어 있어도 좋다. 또한, 본 발명에서는, 판형상물(200)은, 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼 등의 각종 가공이 실시되는 피가공물에 한하지 않고, 예컨대 유리판이나 세라믹판 등의 판 형상인 것이라면 어떠한 것이라도 좋다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 흐름을 도시하는 흐름도이다. 도 3은 도 2에 도시된 가공 방법의 시트 점착 단계를 도시하는 측단면도이다. 도 4는 도 2에 도시된 가공 방법의 시트 점착 단계 후의 판형상물 등의 사시도이다. 도 5는 도 2에 도시된 가공 방법의 텐션 완화 단계를 도시하는 측단면도이다. 도 6은 도 2에 도시된 가공 방법의 텐션 완화 단계에 있어서 시트가 가열되는 부분을 도시하는 평면도이다. 도 7은 도 2에 도시된 가공 방법의 개질층 형성 단계를 도시하는 측단면도이다. 도 8은 도 2에 도시된 가공 방법의 익스팬드 단계에서 이용되는 익스팬드 장치의 구성예를 도시하는 사시도이다. 도 9는 도 2에 도시된 가공 방법의 익스팬드 단계에 있어서 판형상물을 익스팬드 장치에 유지한 상태의 측단면도이다. 도 10은 도 2에 도시된 가공 방법의 익스팬드 단계에 있어서 판형상물에 점착된 시트를 익스팬드한 상태를 도시하는 측단면이다.
제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 도 1에 도시하는 판형상물(200)에 도 3에 도시하는 시트(100)를 점착하는 방법이다. 또한, 제1 실시형태에 있어서, 가공 방법은 판형상물(200)을 스트리트(201)에 따라서 절단하여 개개의 디바이스(202)로 분할하는 방법이기도 한다. 가공 방법은, 도 2에 도시한 것과 같이, 시트 점착 단계(ST1)와 텐션 완화 단계(ST2)와 개질층 형성 단계(ST3)와 익스팬드 단계(ST4)를 구비한다.
시트 점착 단계(ST1)는, 판형상물(200)에 시트(100)를 점착하고, 개구(101)를 가진 환형 프레임(102)에 판형상물(200)이 점착된 시트(100)를 장착하여, 도 4에 도시하는 판형상물 유닛(300)을 형성하는 단계이다. 판형상물 유닛(300)은, 도 4에 도시한 것과 같이, 환형 프레임(102)과 시트(100)와 판형상물(200)을 구비한다.
환형 프레임(102)은 내측에 개구(101)를 갖는 링 형상으로 형성되어 있다. 시트(100)는, 외주부가 환형 프레임(102)에 점착되고, 중앙부가 판형상물(200)의 표면(203)의 안쪽의 이면(205)에 점착되어 있다. 시트(100)는, 도 3에 도시한 것과 같이, 합성 수지에 의해 구성된 기재층(103)과 기재층(103) 상에 배치되어 판형상물(200)의 이면(205)에 점착하는 풀층(104)으로 이루어지는 베이스 시트(105)로 이루어진다. 제1 실시형태에 있어서 기재층(103)은 PO(Polyolefin) 또는 PVC(Polyvinyl Chloride)에 의해 구성되지만, 기재층(103)을 구성하는 합성 수지는 이들에 한정되지 않는다. 판형상물(200)은 이면(205)에 시트(100)의 중앙부가 점착되어 있음으로써 환형 프레임(102)의 개구(101) 내에 수용되어 있다.
시트 점착 단계(ST1)에서는, 도 3에 도시하는 점착 장치(10)의 오퍼레이터가, 점착 장치(10)의 다공성형(porous)의 흡인 유지부(11) 상에 판형상물(200)의 표면(203)을 배치하고, 도시하지 않는 프레임 유지부 상에 환형 프레임(102)을 배치한다. 시트 점착 단계(ST1)에서는, 오퍼레이터가 점착 장치(10)를 작동시켜, 점착 장치(10)가 진공 펌프 등에 의해 구성된 흡인원(12)의 흡인력을 개폐 밸브(13)를 통해 흡인 유지부(11)에 작용시켜, 판형상물(200)을 흡인 유지부(11) 상에 흡인 유지한다.
시트 점착 단계(ST1)에서는, 점착 장치(10)가, 송출 장치를 구동하여, 풀층(104)이 판형상물(200)의 이면(205) 및 환형 프레임(102)에 대향하는 상태에서, 시트(100)를 판형상물(200) 및 환형 프레임(102) 상에 송출한다. 시트 점착 단계(ST1)에서는, 점착 장치(10)가, 도 3에 도시한 것과 같이, 테이프 점착 롤러(14)를 도면 중의 좌우 방향인 화살표(이하, 이동 방향이라고 기재한다)(400)를 따라서 이동시키면서 테이프 점착 롤러(14)로 시트(100)를 환형 프레임(102) 및 판형상물(200)의 이면(205)에 꽉 눌러, 시트(100)를 환형 프레임(102) 및 판형상물(200)의 이면(205)에 점착한다. 또한, 제1 실시형태에 있어서, 테이프 점착 롤러(14)의 길이 방향은 테이프 점착 롤러(14)의 이동 방향(400)에 대하여 직교하고 있다. 테이프 점착 롤러(14)의 이동 방향(400)은 도 3에 도시한 것과 같이 직선이다.
시트 점착 단계(ST1)에서는, 점착 장치(10)가, 도시하지 않는 테이프 컷터를 이용하여, 환형 프레임(102) 및 판형상물(200)의 이면(205)에 점착된 시트(100)를 환형 프레임(102)에 대응한 원형으로 절단한다. 시트 점착 단계(ST1)는 이렇게 해서 판형상물 유닛(300)을 형성한다. 시트(100)는, 직선인 이동 방향(400)을 따라서 이동되는 테이프 점착 롤러(14)에 의해 환형 프레임(102) 및 판형상물(200)에 꽉 눌리어 점착되기 때문에, 점착될 때에, 이동 방향(400)을 따라서 판형상물(200)로부터 환형 프레임(102)으로 향하는 방향의 장력인 텐션(401)(도 3 및 도 5 등에 화살표로 나타낸다)이 생성된다. 즉, 시트(100)는, 점착될 때에, 잡아당겨진 상태에서 붙여져 버린다. 이 때문에, 판형상물 유닛(300)은, 시트(100)에 점착될 때에 생성되는 텐션(401)과 반대 방향(즉, 환형 프레임(102)으로부터 판형상물(200)로 향하는 방향)의 응력이 걸린다. 판형상물 유닛(300)은, 텐션(401)의 방향에 대하여 수축하는 방향으로 응력이 걸리기 때문에, 시트(100)가 확장되기 어렵게 되어, 익스팬드 단계(ST4)에 있어서 디바이스(202) 간격이 넓어지기 어렵게 된다. 시트 점착 단계(ST1)에서는, 점착 장치(10)가 시트(100)를 절단한 후에는, 흡인 유지부(11)의 판형상물(200)의 흡인 유지를 정지하고, 오퍼레이터가 판형상물 유닛(300)을 점착 장치(10)로부터 떼어내어, 텐션 완화 단계(ST2)로 진행한다.
텐션 완화 단계(ST2)는, 시트 점착 단계(ST1)를 실시한 후, 시트 점착 단계(ST1)에서 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 완화하는 단계이다. 텐션 완화 단계(ST2)는, 도 5에 도시한 것과 같이, 오퍼레이터가 판형상물 유닛(300)을 원환형의 가열 유닛(20)과 대향시킨다. 가열 유닛(20)은, 도 6에 평행사선으로 나타내는 시트(100)의 환형 프레임(102)의 내주와 판형상물(200)의 외주 사이의 영역(106)과 같은 형상으로 형성되어 있다. 영역(106)은, 판형상물 유닛(300)의 판형상물(200)의 외주연와 환형 프레임(102)의 내주연의 사이에 노출된 시트(100)의 일부분이다. 제1 실시형태에 있어서, 가열 유닛(20)은 상온보다도 고온의 온풍을 분출하는 온풍 히터이지만, 온풍 히터에 한정되지 않고서, 적외선 히터 또는 램프 등이라도 좋다. 또한, 제1 실시형태에 있어서, 가열 유닛(20)은 도 8에 도시하는 익스팬드 장치(40)를 구성하고 있지만, 본 발명에서는 이것에 한정되지 않는다.
텐션 완화 단계(ST2)에서는, 환형 프레임(102)을 도 8에 도시하는 익스팬드 장치(40)의 클램프부(41)에 끼워 고정하여, 도 6에 평행쇄선으로 나타내는 영역(106)과 가열 유닛(20)을 대향시킨 후, 도 5에 도시한 것과 같이, 가열 유닛(20)으로부터 온풍(21)을 시트(100)의 영역(106)에 분무한다. 텐션 완화 단계(ST2)는, 시트(100)의 영역(106)을 50℃ 이상이면서 90℃ 이하가 될 때까지 미리 정해진 소정 시간(예컨대 30초) 가열함으로써 실시된다. 시트(100)의 영역(106)은 가열되면 내부에 생성된 텐션(401)이 약해진다. 또한, 제1 실시형태에 있어서, 텐션 완화 단계(ST2)에서는, 가열 유닛(20)이 판형상물(200)의 표면(203) 측에서 시트(100)를 가열하지만, 본 발명에서는 판형상물(200)의 이면(205) 측에서 시트(100)를 가열하여도 좋다.
또한, 소정 시간 및 시트(100)의 영역(106)의 온도는, 충분히 시트(100)를 연화시킬 수 있어, 텐션(401)의 완화를 촉진하는 시간 및 온도(완화하는 온도)인 것이 바람직하고, 익스팬드 단계(ST4)에 있어서, 시트(100)를 확장했을 때에, 상호 인접하는 디바이스(202) 사이 간격의 텐션(401)과 평행한 방향과 텐션(401)에 직교하는 방향의 차가 최대한 작아지는 시간 및 온도인 것이 바람직하다. 또한, 소정 시간 및 시트(100)의 영역(106)의 온도는, 상호 인접하는 디바이스(202)끼리를 분할할 수 있으며, 또한 디바이스(202) 사이의 간격이 도시하지 않는 픽업 장치에 의해 분할 후의 디바이스(202)를 시트(100)로부터 픽업할 수 있는(떼어낼 수 있는) 간격이 되는 시간 및 온도면 된다. 텐션 완화 단계(ST2)에서는, 시트(100)의 영역(106)의 가열이 종료되면 개질층 형성 단계(ST3)로 진행한다.
개질층 형성 단계(ST3)는, 도 7에 도시한 것과 같이, 판형상물(200)의 스트리트(201)를 따라서, 판형상물(200)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔(30)을 조사하여, 판형상물(200)의 내부에 스트리트(201)를 따른 파단 기점이 되는 개질층(206)을 형성하는 단계이다. 여기서, 개질층(206)이란, 밀도, 굴절율, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위의 그것과는 다른 상태로 된 영역을 의미하며, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절율 변화 영역 및 이들 영역이 혼재된 영역 등을 예시할 수 있다.
개질층 형성 단계(ST3)에서는, 오퍼레이터 등이, 판형상물(200)에 레이저 빔(30)을 조사하는 레이저 가공 장치(31)의 척 테이블(32)의 다공성형의 유지면(33) 상에, 도 7에 도시한 것과 같이, 판형상물(200)의 표면(203)을 배치한다. 제1 실시형태에 있어서, 개질층 형성 단계(ST3)에서는, 판형상물(200)의 표면(203)이 직접 척 테이블(32)의 유지면(33)과 접촉하여 손상되는 일을 막기 위해서, 오퍼레이터 등이 척 테이블(32)의 다공성형의 유지면(33)과 판형상물(200)의 사이에 수지제의 다공성 시트를 개재시키더라도 좋다. 또한, 도 7은 수지제의 다공성 시트를 생략하고 있다. 이어서, 레이저 가공 장치(31)가, 도시하지 않는 진공 흡인 경로를 통해 척 테이블(32)에 접속된 진공 흡인원에 의해 유지면(33)을 흡인하여, 판형상물(200)을 척 테이블(32)의 유지면(33)으로 흡인 유지한다. 또한, 레이저 가공 장치(31)가, 척 테이블(32)의 주위이면서 또한 유지면(33)보다도 낮은 위치에 마련된 클램프부(34)를 도시하지 않는 에어 액츄에이터에 의해 구동하여, 클램프부(34)로 환형 프레임(102)을 끼워 고정한다.
그리고, 개질층 형성 단계(ST3)에서는, 레이저 가공 장치(31)가, 도시하지 않는 촬상 유닛이 취득한 화상에 기초하여, 판형상물(200)의 얼라인먼트를 수행한다. 그 후, 개질층 형성 단계(ST3)에서는, 레이저 가공 장치(31)가, 척 테이블(32)과 레이저 빔 조사 유닛(35)을 상대적으로 이동시키면서, 도 7에 도시한 것과 같이, 판형상물(200)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔(30)을 판형상물(200)의 내부에 집광점을 맞춰 이면(205) 측에서부터 스트리트(201)을 따라서 조사한다. 이에 따라, 레이저 가공 장치(31)가 스트리트(201)를 따른 개질층(206)을 판형상물(200)의 내부에 형성한다. 개질층 형성 단계(ST3)에서는, 모든 스트리트(201)를 따라서 판형상물(200)의 내부에 개질층(206)을 형성하면 익스팬드 단계(ST4)로 진행한다.
익스팬드 단계(ST4)는, 개질층 형성 단계(ST3)를 실시한 후, 판형상물(200)에 외력을 부여하여, 판형상물(200)을 개질층(206)을 따라서 개개의 디바이스(202)로 분할하는 단계이다. 제1 실시형태에 있어서, 익스팬드 단계(ST4)는 시트(100)를 면 방향으로 확장하여 외력을 부여한다. 구체적으로는, 오퍼레이터가 판형상물 유닛(300)을 도 8에 도시하는 익스팬드 장치(40)에 반송하여, 도 9에 도시한 것과 같이, 환형 프레임(102)을 익스팬드 장치(40)의 클램프부(41)에 끼워 고정한다. 이 때, 도 10에 도시한 것과 같이, 익스팬드 장치(40)의 원통형의 확장 드럼(42)을 시트(100)의 영역(106)에 맞닿게 해 놓는다. 확장 드럼(42)은, 환형 프레임(102)의 내경보다 작고 판형상물(200)의 외경보다 큰 내경 및 외경을 갖고 있다.
익스팬드 단계(ST4)에서는, 도 10에 도시한 것과 같이, 익스팬드 장치(40)가 클램프부(41)를 하강시킨다. 그러면, 시트(100)가 확장 드럼(42)에 맞닿고 있기 때문에 시트(100)가 면 방향으로 확장된다. 익스팬드 단계(ST4)에서는, 시트(100)의 확장 결과, 시트(100)에는 방사상으로 인장력이 작용한다. 이와 같이 판형상물(200)의 이면(205)에 점착된 시트(100)에 방사상으로 인장력이 작용하면, 판형상물(200)은 스트리트(201)를 따라서 개질층(206)이 형성되어 있기 때문에, 스트리트(201)를 따라서 형성된 개질층(206)을 기점으로 하여 판형상물(200)이 개개의 디바이스(202)로 분할됨과 더불어, 디바이스(202) 사이가 넓어져 디바이스(202) 사이에 간격이 형성된다. 개개로 분할된 디바이스(202)는 픽업 장치에 의해 시트(100)로부터 떼어내진다.
이와 같이, 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 가공 대상인 판형상물(200)은, 개질층 형성 단계(ST3)에 있어서 분할 기점인 개질층(206)이 형성되고, 익스팬드 단계(ST4)에 있어서 개질층(206)을 기점으로 개개의 디바이스(202)로 분할되는 반도체 웨이퍼 또는 광 디바이스 웨이퍼이다.
이상 설명한 것과 같이, 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 시트 점착 단계(ST1)를 실시한 후에 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 완화하는 텐션 완화 단계(ST2)를 실시하기 때문에, 시트(100)에 걸리는 텐션(401)과 반대 방향의 응력을 완화할 수 있다. 그 결과, 시트 점착 방법인 가공 방법은, 시트(100)가 확장되기 어렵게 되는 것을 억제할 수 있어, 익스팬드 단계(ST4)에 있어서의 시트(100)이 신장량의 불균일을 억제할 수 있다. 따라서, 시트 점착 방법인 가공 방법은, 디바이스(202)로 분할 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일을 억제할 수 있다.
또한, 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 시트 점착 단계(ST1)를 실시한 후에 시트(100)에 텐션(401)이 가장 걸리는 부위가 시트(100)의 도 6 중에 평행사선으로 나타내는 영역(106)이다. 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 텐션 완화 단계(ST2)에 있어서 시트(100)의 영역(106)을 가열하기 때문에, 시트(100)의 텐션(401)을 전체 둘레에 걸쳐 완화할 수 있다. 또한, 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 텐션 완화 단계(ST2)에 있어서, 적어도 시트(100)의 영역(106)만을 가열하면, 익스팬드 단계(ST4) 후에 디바이스(202) 간격의 불균일을 억제할 수 있다.
〔제2 실시형태〕
본 발명의 제2 실시형태에 따른 시트 점착 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 11은 제2 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 흐름을 도시하는 흐름도이다. 도 11은 제1 실시형태와 동일한 부분에 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
제2 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 텐션 완화 단계(ST2)와 개질층 형성 단계(ST3)를 실시하는 순서가 제1 실시형태와 다른 것 외에 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법과 동일하다. 즉, 제2 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 도 11에 도시한 것과 같이, 시트 점착 단계(ST1)와 개질층 형성 단계(ST3)와 텐션 완화 단계(ST2)와 익스팬드 단계(ST4)를 순차 실시한다.
제2 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 시트 점착 단계(ST1)를 실시한 후에 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 완화하는 텐션 완화 단계(ST2)를 실시하기 때문에, 제1 실시형태와 마찬가지로, 디바이스(202)로 분할 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일을 억제할 수 있다.
〔제3 실시형태〕
본 발명의 제3 실시형태에 따른 시트 점착 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 12는 제3 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 흐름을 도시하는 흐름도이다. 도 13은 도 12에 도시된 가공 방법의 표면 보호 테이프 점착 단계를 도시하는 사시도이다. 도 14는 도 12에 도시된 가공 방법의 개질층 형성 단계를 도시하는 측단면도이다. 도 12부터 도 14는 제1 실시형태와 동일한 부분에 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
제3 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 도 12에 도시한 것과 같이, 표면 보호 테이프 점착 단계(ST5)와 개질층 형성 단계(ST3-3)와 시트 점착 단계(ST1)와 텐션 완화 단계(ST2)와 익스팬드 단계(ST4)를 순차 실시한다.
표면 보호 테이프 점착 단계(ST5)는, 도 13에 도시한 것과 같이, 판형상물(200)의 표면(203)에 표면 보호 테이프(210)를 점착하는 단계이다. 제3 실시형태에 있어서, 표면 보호 테이프(210)는 판형상물(200)과 같은 형상으로 형성되어 있다.
개질층 형성 단계(ST3-3)는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 판형상물(200)의 스트리트(201)를 따라서, 판형상물(200)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔(30)을 조사하여, 판형상물(200)의 내부에 스트리트(201)에 따른 파단 기점이 되는 개질층(206)을 형성하는 단계이다.
개질층 형성 단계(ST3-3)에서는, 오퍼레이터 등이, 도 14에 도시한 것과 같이, 레이저 가공 장치(31)의 척 테이블(32)의 다공성형의 유지면(33)에 표면 보호 테이프(210)를 통해 판형상물(200)의 표면(203)을 배치하고, 레이저 가공 장치(31)가 판형상물(200)을 척 테이블(32)의 유지면(33)으로 흡인 유지한다. 그리고, 개질층 형성 단계(ST3-3)에서는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 레이저 가공 장치(31)가 얼라인먼트를 수행한 후, 척 테이블(32)과 레이저 빔 조사 유닛(35)을 스트리트(201)를 따라서 상대적으로 이동시키면서, 판형상물(200)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔(30)을 판형상물(200)의 내부에 집광점을 맞춰 조사하여, 스트리트(201)를 따른 개질층(206)을 판형상물(200)의 내부에 형성한다.
그 후, 시트 점착 단계(ST1)를 실시한 후, 표면 보호 테이프(210)를 벗겨내고, 이어서 텐션 완화 단계(ST2)와 익스팬드 단계(ST4)를 순차 실시한다. 시트 점착 단계(ST1)와 텐션 완화 단계(ST2)와 익스팬드 단계(ST4)는, 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법과 같은 식으로 실시한다.
제3 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 시트 점착 단계(ST1)를 실시한 후에 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 완화하는 텐션 완화 단계(ST2)를 실시하기 때문에, 제1 실시형태와 마찬가지로, 디바이스(202)로 분할 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일을 억제할 수 있다.
〔제4 실시형태〕
본 발명의 제4 실시형태에 따른 시트 점착 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 15는 제4 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 흐름을 도시하는 흐름도이다. 도 16은 도 15에 도시된 가공 방법의 DBG 가공 단계의 분할 홈을 형성하는 공정을 도시하는 사시도이다. 도 17은 도 15에 도시된 가공 방법의 DBG 가공 단계의 보호 부재를 점착하는 공정을 도시하는 사시도이다. 도 18은 도 15에 도시된 가공 방법의 DBG 가공 단계의 판형상물의 이면을 연삭하는 공정을 도시하는 사시도이다. 도 19는 도 15에 도시된 가공 방법의 시트 점착 단계를 도시하는 측단면도이다. 도 20은 도 15에 도시된 가공 방법의 DAF 컷트 단계를 도시하는 측단면도이다. 도 15부터 도 20은 제1 실시형태와 동일한 부분에 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
제4 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 도 15에 도시한 것과 같이, DBG 가공 단계(ST6)와 시트 점착 단계(ST1-4)와 텐션 완화 단계(ST2)와 DAF 컷트 단계(ST7)를 순차 실시한다.
DBG 가공 단계(ST6)는 판형상물(200)에 DBG(Dicing Before Grinding) 가공을 실시하여 판형상물(200)을 개개의 디바이스(202)로 분할하는 단계이다. DBG 가공 단계(ST6)에서는, 우선 판형상물(200)의 표면(203)에 형성된 스트리트(201)를 따라서 소정 깊이(각 디바이스(202)의 마무리 두께에 상당하는 깊이)의 분할 홈(211)을 형성하는 공정을 실시한다. 분할 홈(211)을 형성하는 공정에서는, 도 16에 도시한 것과 같이, 절삭 장치(50)가 도시하지 않는 척 테이블에 판형상물(200)의 이면(205)을 흡인 유지하여, 절삭 블레이드(51)를 회전하면서 척 테이블을 절삭 이송함으로써, 스트리트(201)를 따라서 분할 홈(211)을 형성한다.
DBG 가공 단계(ST6)는, 모든 스트리트(201)에 분할 홈(211)을 형성하면 보호 부재(212)를 점착하는 공정을 실시한다. 보호 부재(212)를 점착하는 공정에서는, 도 17에 도시한 것과 같이, 판형상물(200)의 스트리트(201)에 분할 홈(211)이 형성된 표면(203)에 연삭용의 보호 부재(212)를 점착한다. 또한, 제1 실시형태에 있어서, 보호 부재(212)는 두께가 150 ㎛인 폴리올레핀시트이지만, 이것에 한정되지 않는다.
DBG 가공 단계(ST6)는, 판형상물(200)의 표면(203)에 보호 부재(212)를 점착하면 판형상물(200)의 이면(205)을 연삭하는 공정을 실시한다. 판형상물(200)의 이면(205)을 연삭하는 공정에서는, 도 18에 도시한 것과 같이, 연삭 장치(60)가 척 테이블(61)에 보호 부재(212)를 통해 판형상물(200)의 표면(203)을 흡인 유지하여, 척 테이블(61)을 축심 둘레로 회전시키면서 연삭 유닛(62)의 연삭 지석(63)을 축심 둘레로 회전시켜 판형상물(200)의 이면(205)에 접촉시켜 연삭한다. 판형상물(200)의 이면(205)을 연삭하는 공정에서는, 연삭 장치(60)는, 도 18에 도시한 것과 같이, 분할 홈(211)이 이면(205)에 표출될 때까지 연삭한다. 이와 같이 분할 홈(211)이 이면(205)에 표출될 때까지 연삭함으로써, 판형상물(200)은 개개의 디바이스(202)로 분할된다.
제4 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 시트 점착 단계(ST1-4)는, 베이스 시트(105)와, 베이스 시트(105)의 풀층(104) 상에 배치된 다이 부착 시트(110)로 이루어지는 시트(100)를 점착하는 단계이다. 다이 부착 시트(110)는 디바이스(202)를 실장 또는 적층하는 데 이용하는 특수 점착 필름이다. 다이 부착 시트(110)는 베이스 시트(105) 상의 판형상물(200)에 대응하는 위치에 배치되어 있다. 시트 점착 단계(ST1-4)에서는, 보호 부재(212)를 통해 판형상물(200)을 제1 실시형태와 같은 점착 장치(10)의 흡인 유지부(11)에 흡인 유지하여, 도 19에 도시한 것과 같이, 시트(100)의 다이 부착 시트(110)를 디바이스(202)로 분할된 판형상물(200)에 점착하고, 시트(100)의 베이스 시트(105)의 풀층(104)을 환형 프레임(102)에 점착한다. 시트 점착 단계(ST1-4)에서는, 그 후, 보호 부재(212)를 벗겨낸다. 제4 실시형태에 있어서, 시트 점착 단계(ST1-4) 후의 판형상물 유닛(300)은, 시트(100)에 생성된 텐션(401)에 의해서 개개로 분할된 디바이스(202)의 배치가 약간 틀어지는 다이 시프트라고 불리는 현상이 발생해 버린다.
텐션 완화 단계(ST2)는 제1 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법과 같은 식으로 실시한다. 텐션 완화 단계(ST2) 후의 판형상물 유닛(300)은, 제1 실시형태와 마찬가지로, 시트(100)에 생성된 텐션(401)이 텐션 완화 단계(ST2) 전보다도 완화되고 있기 때문에, 디바이스(202)의 배치 어긋남(즉 다이 시프트)이 시트 점착 단계(ST1-4) 직후보다도 축소(억제)되고 있다.
DAF 컷트 단계(ST7)는, 베이스 시트(105)가 흡수하지 않지만 다이 부착 시트(110)가 흡수하는 파장의 도 20에 도시하는 레이저 빔(70)을 분할 홈(211)을 따라서 판형상물 유닛(300)에 조사하여, 다이 부착 시트(110)를 분할하는 단계이다. DAF 컷트 단계(ST7)에서는, 우선 오퍼레이터 등이 판형상물(200)의 표면(203)으로부터 보호 부재(212)를 벗겨내어, 판형상물(200)에 레이저 빔(70)을 조사하는 레이저 가공 장치(71)의 척 테이블(72)의 다공성형의 유지면(73) 상에, 도 20에 도시한 것과 같이, 판형상물(200)의 이면(205)을 배치한다. 이어서, 레이저 가공 장치(71)가, 도시하지 않는 진공 흡인 경로를 통해 척 테이블(72)에 접속된 진공 흡인원에 의해 유지면(73)을 흡인하여, 판형상물(200)을 척 테이블(72)의 유지면(73)으로 흡인 유지한다. 또한, 레이저 가공 장치(71)가, 척 테이블(72)의 주위이며 또한 유지면(73)보다도 낮은 위치에 마련된 클램프부(74)를 도시하지 않는 에어액츄에이터에 의해 구동하여, 클램프부(74)로 환형 프레임(102)을 끼워 고정한다.
그리고, 레이저 가공 장치(71)는, 도시하지 않는 촬상 유닛이 취득한 화상에 기초하여 판형상물(200)의 얼라인먼트를 수행한다. 그 후, 레이저 가공 장치(71)는, 척 테이블(72)과 레이저 빔 조사 유닛(75)을 상대적으로 이동시키면서, 도 20에 도시한 것과 같이, 레이저 빔(70)을 분할 홈(211)을 통해서 다이 부착 시트(110)에 조사한다. 이에 따라, 다이 부착 시트(110)가 분할 홈(211)을 따라서 분할된다. 모든 분할 홈(211)을 따라서 다이 부착 시트(110)가 분할되면, 다이 부착 시트(110)는 개개로 분할된 디바이스(202)와 함께 픽업 장치에 의해 베이스 시트(105)로부터 떼내어진다.
이와 같이, 제4 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법의 가공 대상인 판형상물(200)은, DBG 가공 단계(ST6)에 있어서 개개의 디바이스(202)로 분할된 후에 DAF 컷트 단계(ST7)에 있어서 다이 부착 시트(110)가 분할 홈(211)을 따라서 분할되는 반도체 웨이퍼 또는 광 디바이스 웨이퍼이다. 그러나, 본 발명에서는, 판형상물(200)은, DBG 가공 단계(ST6)에 있어서 개개의 디바이스(202)로 분할된 후, DAF 컷트 단계(ST7) 대신에 제1 실시형태 등의 익스팬드 단계(ST4)가 실시되어, 익스팬드 단계(ST4)에 있어서 다이 부착 시트(110)가 분할 홈(211)을 따라서 분할되는 반도체 웨이퍼 또는 광 디바이스 웨이퍼라도 좋다. 또한, 본 발명에서는, 판형상물(200)은, DBG 가공 단계(ST6)에 있어서 개개의 디바이스(202)로 분할된 후, 시트 점착 단계(ST1-4)에 있어서 제1 실시형태와 마찬가지로 다이 부착 시트(110)를 갖추지 않는 베이스 시트(105)만으로 구성되는 시트(100)가 점착되고, DAF 컷트 단계(ST7) 대신에 제1 실시형태 등의 익스팬드 단계(ST4)가 실시되어, 디바이스(202) 사이의 간격이 넓어지는 반도체 웨이퍼 또는 광 디바이스 웨이퍼라도 좋다.
이상 설명한 것과 같이, 제4 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 시트 점착 단계(ST1-4)를 실시한 후에 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 완화하는 텐션 완화 단계(ST2)를 실시하기 때문에, 텐션 완화 단계(ST2) 전보다도 텐션 완화 단계(ST2) 후의 다이 시프트를 억제할 수 있다. 다이 시프트가 크면, 다이 시프트에 추종하게 하여 가공하기 때문에 가공 속도를 올리기가 어려워진다. 따라서, 시트 점착 방법인 가공 방법은, DAF 컷트 단계(ST7)의 가공 시간을 억제할 수 있고, 디바이스(202)의 생산성이 저하하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제4 실시형태에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 시트(100)가 베이스 시트(105)와 다이 부착 시트(110)로 이루어지기 때문에, 분할 후의 디바이스(202)에 다이 부착 시트(110)가 점착되어 있으므로, 디바이스(202)를 신속하게 실장할 수 있다.
〔제1 변형예〕
본 발명의 제1 실시형태부터 제4 실시형태의 제1 변형예에 따른 시트 점착 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 21은 제1 실시형태부터 제4 실시형태의 제1 변형예에 따른 시트 점착 방법의 텐션 완화 단계를 도시하는 측단면도이다. 도 21은 제1 실시형태부터 제4 실시형태와 동일한 부분에 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
제1 변형예에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 텐션 완화 단계(ST2)에 있어서, 도 21에 도시한 것과 같이, 판형상물 유닛(300)을 내부가 상온보다도 고온(예컨대 60℃)으로 가열되는 항온조(80) 내에 소정 시간(예컨대 1분) 수용하여, 판형상물 유닛(300) 전체를 가열하여, 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 완화한다. 이렇게 해서, 제1 변형예에서는, 텐션 완화 단계(ST2)는 판형상물 유닛(300) 전체를 가열함으로써 실시된다. 제1 변형예에 있어서, 항온조(80)는 공업용 오븐이지만 이것에 한정되지 않는다. 또한, 소정 시간 및 항온조(80)의 온도는, 시트(100)가 50℃부터 90℃가 되도록 가열되는 시간 및 온도이며, 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 약하게 하는 시간 및 온도(완화하는 온도)이다. 소정 시간 및 항온조(80)의 온도는, 익스팬드 단계(ST4)에 있어서, 시트(100)를 확장했을 때에, 상호 인접하는 디바이스(202) 사이 간격의 텐션(401)과 평행한 방향과 텐션(401)에 직교하는 방향의 차가 최대한 작아지는 시간 및 온도 또는 제4 실시형태에 따른 가공 방법의 시트 점착 단계(ST1-4) 후의 다이 시프트를 억제할 수 있는 시간 및 온도인 것이 바람직하다. 또한, 소정 시간 및 시트(100)의 영역(106)의 온도는, 상호 인접하는 디바이스(202)끼리를 분할할 수 있으며, 또한 디바이스(202) 사이의 간격이 도시하지 않는 픽업 장치에 의해 분할 후의 디바이스(202)를 시트(100)로부터 픽업할 수 있는(떼어낼 수 있는) 간격으로 되는 시간 및 온도 또는 제4 실시형태에 따른 가공 방법의 DAF 컷트 단계(ST7)의 얼라인먼트의 소요 시간을 억제할 수 있는 시간 및 온도면 된다.
이상 설명한 것과 같이, 제1 변형예에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 시트 점착 단계(ST1)를 실시한 후에 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 완화하는 텐션 완화 단계(ST2)를 실시하기 때문에, 디바이스(202)로 분할 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일을 억제할 수 있거나 또는 디바이스(202)의 생산성이 저하하는 것을 억제할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
또한, 제1 변형예에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 텐션 완화 단계(ST2)에 있어서 판형상물 유닛(300) 전체를 가열하기 때문에, 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 확실하게 완화할 수 있다.
〔제2 변형예〕
본 발명의 제1 실시형태부터 제4 실시형태의 제2 변형예에 따른 시트 점착 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 22는 제1 실시형태부터 제4 실시형태의 제2 변형예에 따른 시트 점착 방법의 텐션 완화 단계를 도시하는 측단면도이다. 도 22는 제1 실시형태부터 제4 실시형태와 동일한 부분에 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
제2 변형예에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 텐션 완화 단계(ST2)에서는, 도 22에 도시한 것과 같이, 시트 점착 단계(ST1)를 실시하고 나서 일정한 시간간격을 두는 것이다. 제2 변형예에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 텐션 완화 단계(ST2)에서는, 시트 점착 단계(ST1)를 실시하고 나서 일정한 시간 간격을 둠으로써, 판형상물 유닛(300)의 시간 경과적 변화에 따라서 시트(100)에 생성된 텐션(401)이 완화된다. 또한, 일정한 시간은, 예컨대 24시간 이상이면서 72시간 이하인 것이 바람직하고, 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 약하게 하는 시간이며, 익스팬드 단계(ST4)에 있어서, 시트(100)를 확장했을 때에, 상호 인접하는 디바이스(202)사이 간격의 텐션(401)과 평행한 방향과 텐션(401)에 직교하는 방향의 차가 최대한 작아지는 시간 또는 제4 실시형태에 따른 가공 방법의 시트 점착 단계(ST1-4) 후의 다이 시프트를 억제할 수 있는 시간인 것이 바람직하다. 또한, 일정한 시간이 24시간 미만이면 텐션(401)을 완화시키기 어렵고, 일정한 시간이 72 시간을 넘으면 시트(100)가 판형상물(200)에 고착되어 후에 벗겨지기 어렵게 된다.
또한, 일정한 시간은, 상호 인접하는 디바이스(202)끼리를 분할할 수 있으며, 또한 디바이스(202) 사이의 간격이 도시하지 않는 픽업 장치에 의해 분할 후의 디바이스(202)를 시트(100)로부터 픽업할 수 있는(떼어낼 수 있는) 간격으로 되는 시간 또는 제4 실시형태에 따른 가공 방법의 DAF 컷트 단계(ST7)의 얼라인먼트의 소요 시간을 억제할 수 있는 시간이면 된다.
이상 설명한 것과 같이, 제2 변형예에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 시트 점착 단계(ST1)를 실시한 후에 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 완화하는 텐션 완화 단계(ST2)를 실시하기 때문에, 디바이스(202)로 분할 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일을 억제할 수 있거나 또는 디바이스(202)의 생산성이 저하하는 것을 억제할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
또한, 제2 변형예에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 텐션 완화 단계(ST2)에서는, 시트 점착 단계(ST1)를 실시하고 나서 일정한 시간 간격을 두기 때문에, 판형상물 유닛(300)의 시간 경과적 변화에 따라서 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 확실하게 완화할 수 있다.
〔제3 변형예〕
본 발명의 제1 실시형태부터 제4 실시형태의 제3 변형예에 따른 시트 점착 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 23은 제1 실시형태부터 제4 실시형태의 제3 변형예에 따른 시트 점착 방법의 텐션 완화 단계에 있어서 시트가 가열되는 부분을 도시하는 평면도이다. 도 23은 제1 실시형태부터 제4 실시형태와 동일한 부분에 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
제3 변형예에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 텐션 완화 단계(ST2)에서는, 도 23에 도시한 것과 같이, 가열 유닛(20)이 시트(100)의 영역(106) 중의 도 23 중 평행사선으로 나타내는 텐션(401) 방향의 양 단부(107, 108)를 가열하여, 양 단부(107, 108)의 텐션(401)을 완화한다.
이상 설명한 것과 같이, 제3 변형예에 따른 시트 점착 방법인 가공 방법은, 시트 점착 단계(ST1)를 실시한 후에 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 완화하는 텐션 완화 단계(ST2)를 실시하기 때문에, 디바이스(202)로 분할 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일을 억제할 수 있거나 또는 디바이스(202)의 생산성이 저하하는 것을 억제할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
또한, 제3 변형예의 시트 점착 방법인 가공 방법은, 텐션 완화 단계(ST2)에 있어서, 시트(100)의 영역(106)의 양 단부(107, 108)를 가열하여, 이들 양 단부(107, 108)의 텐션(401)을 완화하기 때문에, 디바이스(202)로 분할 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일을 억제할 수 있거나 또는 디바이스(202)의 생산성이 저하하는 것을 억제할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
이어서, 본 발명의 발명자는 상술한 제1 실시형태의 효과를 확인했다. 결과를 이하의 표 1에 나타낸다. 또한, 도 24는 제1 실시형태의 효과를 확인했을 때의 측정 위치를 나타내는 판형상물 유닛의 평면도이다.

측정위치
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
Ⅳ
Ⅴ

비교예1
37.5%
50.0%
50.0%
30.0%
25.0%

본발명품1
63.3%
80.0%
42.9%
60.0%
60.0%

비교예2
71.4%
83.3%
50.0%
42.9%
40.0%

본발명품2
85.7%
75.0%
66.7%
83.3%
66.7%
표 1은 비교예 1, 비교예 2, 본 발명품 1 및 본 발명품 2의 익스팬드 단계(ST4) 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일을 측정한 결과를 나타낸다. 비교예 1 및 본 발명품 1은 동일한 시트(100)를 이용했다. 비교예 2 및 본 발명품 2는 동일하며 또한 비교예 1 및 본 발명품 1과 다른 시트(100)를 이용했다. 즉, 비교예1 및 본 발명품 1의 시트(100)는, 기재층(103)과 풀층(104)이 같은 종류, 같은 두께의 동일한 시트이다. 비교예 2 및 본 발명품 2의 시트(100)는, 기재층(103)과 풀층(104)이 같은 종류, 같은 두께의 동일한 시트이다.
비교예 1 및 비교예 2는, 판형상물 유닛(300)에 대하여 제1 실시형태에 따른 가공 방법 중의 텐션 완화 단계(ST2)를 실시하지 않는 종래의 가공 방법을 실시했다. 본 발명품 1 및 본 발명품 2는, 판형상물 유닛(300)에 대하여 제1 실시형태에 따른 가공 방법을 실시하고, 본 발명품 1은, 판형상물 유닛(300)을 제1 변형예의 내부가 60℃로 가열된 도 21에 도시하는 항온조(80)에 1분간 수용하여, 텐션 완화 단계(ST2)를 실시했다. 본 발명 품2는, 판형상물 유닛(300)의 시트(100)의 영역(106)에 가열 유닛(20)으로부터 220℃의 온풍(21)을 30초간 분무하여, 영역(106)을 상온에서 90℃까지 가열하여, 텐션 완화 단계(ST2)를 실시했다.
또한, 표 1은 도 24의 측정 위치 I, 측정 위치 II, 측정 위치 III, 측정 위치 IV 및 측정 위치 V 각각의 익스팬드 단계(ST4) 후의 도 24의 α 방향의 디바이스(202) 사이의 간격과 β 방향의 디바이스(202) 사이의 간격의 비율을 나타내고 있다. 표 1은 비율로서 α 방향의 디바이스(202) 사이의 간격과 β 방향의 디바이스(202) 사이 간격 중 간격이 큰 쪽에 대한 간격이 작은 쪽의 비율을 퍼센트로 나타내고 있다. 또한, 측정 위치 I는 노치(204)의 근방이고, 측정 위치 II는 측정 위치 I의 판형상물(200)의 중심을 사이에 둔 반대쪽의 위치이고, 측정 위치 III는 판형상물(200)의 중심을 포함한 중앙이다. 측정 위치 IV는 판형상물(200)의 외주연의 도 24 중 좌측의 위치이고, 측정 위치 V는 측정 위치 IV의 판형상물(200)의 중심을 사이에 둔 반대쪽의 도 24 중 우측의 위치이다.
표 1에 따르면, 비교예 1보다도 본 발명품 1이 측정 위치 I, II, III, IV, V 중 대부분에 있어서, 표 1 중의 수치가 향상되고, 디바이스(202)로 분할 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일이 억제되고 있음이 분명하게 되었다. 표 1에 따르면, 비교예 2보다도 본 발명품 2가 측정 위치 I, II, III, IV, V 중 대부분에 있어서, 표 1 중의 수치가 향상되고, 디바이스(202)로 분할 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일이 억제되고 있음이 분명하게 되었다. 따라서, 표 1에 따르면, 제1 실시형태에 따른 가공 방법은, 시트 점착 단계(ST1)를 실시한 후에 시트(100)에 생성된 텐션(401)을 완화하는 텐션 완화 단계(ST2)를 실시함으로써, 디바이스(202)로 분할 후의 디바이스(202) 사이 간격의 불균일을 억제할 수 있음이 분명하게 되었다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태 및 변형예에 한정되는 것이 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.
100: 시트, 101: 개구, 102: 환형 프레임, 105: 베이스 시트, 106: 영역, 110: 다이 부착 시트, 200: 판형상물, 300: 판형상물 유닛, 401: 텐션, ST1, ST1-4: 시트 점착 단계, ST2: 텐션 완화 단계

Claims (5)

  1. 판형상물에 시트를 점착하는 시트 점착 방법으로서,
    판형상물에 시트를 점착하고 개구를 가진 환형 프레임에 판형상물이 점착된 상기 시트를 장착하여, 상기 환형 프레임과, 상기 환형 프레임의 상기 개구 내에 수용된 판형상물과, 판형상물에 점착된 상기 시트로 이루어지는 판형상물 유닛을 형성하는 시트 점착 단계와,
    상기 시트 점착 단계를 실시한 후, 상기 시트 점착 단계에서 상기 시트에 생성된 텐션을 완화하는 텐션 완화 단계
    를 포함하는, 시트 점착 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 텐션 완화 단계에서는, 상기 시트 점착 단계를 실시하고 나서 일정한 시간 간격을 둠으로써 상기 판형상물 유닛의 시간 경과적 변화에 따라서 상기 시트에 생성된 텐션이 완화되는 것인, 시트 점착 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 텐션 완화 단계는, 상기 판형상물 유닛의 판형상물의 외주연과 상기 환형 프레임의 내주연 사이에 노출된 상기 시트를 가열함으로써 실시되는 것인, 시트 점착 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 텐션 완화 단계는 상기 판형상물 유닛 전체를 가열함으로써 실시되는 것인, 시트 점착 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 시트는 베이스 시트와 상기 베이스 시트 상에 배치된 다이 부착 시트로 이루어는 것인, 시트 점착 방법.
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