CN105720008A - 晶片的加工方法 - Google Patents

晶片的加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105720008A
CN105720008A CN201510957302.2A CN201510957302A CN105720008A CN 105720008 A CN105720008 A CN 105720008A CN 201510957302 A CN201510957302 A CN 201510957302A CN 105720008 A CN105720008 A CN 105720008A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
preset lines
grinding
tack coat
segmentation preset
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510957302.2A
Other languages
English (en)
Inventor
中村胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN105720008A publication Critical patent/CN105720008A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

晶片的加工方法。沿着分割预定线将晶片分割为各个器件芯片的晶片的加工方法包括：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的内部并沿着分割预定线照射，在晶片的内部沿着分割预定线而形成改质层；以及背面磨削工序，对晶片的背面供给磨削水并进行磨削以使其形成为规定的厚度，并以改质层作为断裂起点而沿着分割预定线将晶片分割为各个器件芯片，在实施背面磨削工序前，实施如下工序：保护带贴附工序，在晶片的正面上贴附通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带；以及粘结层硬化工序，对贴附于晶片的正面上的保护带照射紫外线以使粘结层硬化。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及沿着分割预定线切割晶片的晶片的加工方法，该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线，并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域上形成有器件。
背景技术
在半导体器件制造过程中，在呈大致圆板形状的半导体晶片的正面由呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域，并在该划分出的区域上形成IC、LSI等的器件。通过沿着分割预定线切断如上形成的半导体晶片，从而分割形成有器件的区域并制造出各个器件芯片。
上述沿着半导体晶片的分割预定线而进行的切断通常是通过被称作切割锯的切削装置进行的。该切削装置具有保持半导体晶片和光器件晶片等的被加工物的卡盘台、用于切削被保持于该卡盘台上的被加工物的切削单元、以及使卡盘台和切削单元相对移动的切削进给单元。切削单元包括主轴组件，该主轴组件具有主轴以及对安装于该主轴上的切削刀具和对主轴进行旋转驱动的电动机。切削刀具由圆盘状的基台和安装于该基台的侧面外周部上的环状的切割刃构成，切割刃通过电铸例如将粒径3μm左右的金刚石磨粒固定于基台上且形成为厚度20μm左右。
然而，由于切削刀具具有20μm左右的厚度，因此作为划分器件的分割预定线而言其宽度需要为50μm左右，使得分割预定线在晶片的面积上所占的面积比率较大，存在生产效率较差的问题。
另一方面，作为近些年来的分割半导体晶片等的晶片的方法，已有一种被称作内部加工的激光加工方法得以实用，使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，将聚光点定位于待分割区域的内部并照射脉冲激光光线。该使用被称作内部加工的激光加工方法的分割方法是一种如下的技术，将聚光点对准内部并从晶片的一个表面侧照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线而连续形成改质层，沿着通过形成该改质层而强度降低后的分割预定线赋予外力，从而断开晶片进行分割。(例如，参照专利文献1)
如上所述，作为沿着在沿分割预定线而形成有改质层的晶片上的分割预定线赋予外力，将晶片分割为各个器件芯片的方法，在下述专利文献2中公开了如下技术，在安装于环状框架的切割带上贴附沿着分割预定线而形成有改质层的晶片，并通过扩张切割带而对晶片赋予牵拉力，沿着形成有改质层而强度降低后的分割预定线将晶片分割为各个器件芯片。
此外，在下述专利文献3中公开了如下技术，在沿着分割预定线而连续形成有改质层的晶片的正面上贴附保护带，将保护带侧保持于卡盘台上，此后对晶片的背面供给磨削水并进行磨削以使其形成为规定的厚度，并且将晶片分割为各个器件芯片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-160493号公报
专利文献2：日本特开2005-223282号公报
专利文献3：日本特开2013-165229号公报
然而，如果在沿着分割预定线而连续形成有改质层的晶片的正面上贴附保护带，将保护带侧保持于卡盘台上而对晶片的背面供给磨削水并进行磨削使其形成为规定的厚度，并将晶片分割为各个器件芯片，则分割后的器件芯片会彼此接触而在器件芯片的侧表面上产生细微的缺损，存在降低器件芯片的品质的问题。
发明内容
本发明就是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题在于，提供一种晶片的加工方法，在沿着分割预定线形成有改质层的晶片的正面上贴附保护带，将保护带侧保持于卡盘台上而对晶片的背面供给磨削水并进行磨削以使其形成为规定的厚度，并将晶片分割为各个器件芯片时，能够在晶片的外周不产生缺损的情况下实施该方法。
为了解决上述主要技术课题，本发明提供一种晶片的加工方法，沿着分割预定线将晶片分割为各个器件芯片，该晶片在正面呈格子状地形成有多条分割预定线，并且，该晶片在正面具有：器件区域，其是在由该多条分割预定线划分出的多个区域上分别形成了器件的区域；以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该加工方法的特征在于，包括：保护带贴附工序，将通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带贴附于晶片的正面上；粘结层硬化工序，对贴附于晶片的正面上的保护带照射紫外线，使该粘结层硬化；改质层形成工序，将聚光点定位于晶片的内部，沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，从而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；以及背面磨削工序，在实施了该粘结层硬化工序和该改质层形成工序后，对晶片的背面供给磨削水并磨削晶片，使晶片变薄到规定的厚度，并且以该改质层作为断裂起点，沿着该分割预定线将晶片分割为各个器件芯片。
优选在该粘结层硬化工序中，仅对与晶片的器件区域对应的区域上的该保护带照射紫外线，从而使与器件区域对应的区域上的该保护带的粘结层硬化。
发明的效果
根据本发明的晶片的加工方法，在实施背面磨削工序前，实施如下工序：保护带贴附工序，在晶片的正面上贴附通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带；以及粘结层硬化工序，对贴附于晶片的正面上的保护带照射紫外线以使粘结层硬化，因此在背面磨削工序中晶片被分割为各个器件芯片的情况下，也能够通过硬化后的粘结层进行保持，避免被分割后的器件芯片彼此间的接触，不会在器件芯片的侧表面上产生缺损。
此外，在本发明的晶片的加工方法中，在上述粘结层硬化工序中，仅对贴附于晶片的正面的保护带上的与晶片的器件区域对应的区域照射紫外线而使与器件区域对应的区域的粘结层硬化，不使与外周剩余区域对应的区域的粘结层硬化，因此贴附于晶片的正面的保护带上的与晶片的外周剩余区域对应的区域的粘结层得以维持粘结力而紧密贴合于晶片的正面上，因此不会在晶片的外周产生缺损，并且不会污染晶片的正面。
附图说明
图1是半导体晶片的立体图。
图2是表示保护带贴附工序的说明图。
图3是表示粘结层硬化工序的说明图。
图4是用于实施改质层形成工序的激光加工装置的要部立体图。
图5是表示改质层形成工序的说明图。
图6是表示背面磨削工序的说明图。
标号说明
2：半导体晶片，21：分割预定线，22：器件，25：改质层，3：保护带，4：掩模，5：紫外线照射器，6：激光加工装置，61：激光加工装置的卡盘台，62：激光光线照射单元，622：聚光器，7：磨削装置，71：磨削装置的卡盘台，72：磨削单元，734：磨削轮。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的晶片的加工方法的优选实施方式。
图1示出根据本发明而被加工的半导体晶片2的立体图。半导体晶片2由厚度为例如500μm的硅晶片构成，其正面2a上呈格子状形成有多条分割预定线21，并且在由该多条分割预定线21而划分出的多个区域上形成有IC、LSI等的器件22。如上构成的半导体晶片2包括形成有器件22的器件区域23以及围绕该器件区域23的外周剩余区域24。以下，说明将该半导体晶片2沿着分割预定线21分割为各个器件芯片的晶片的加工方法。
首先，实施保护带贴附工序，在半导体晶片2的正面2a上贴附通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带。即，如图2的(a)和(b)所示，半导体晶片2的正面2a上贴附通过照射紫外线而使得粘结层30硬化的保护带3。另外，作为保护带3，在本实施方式中涂布厚度5μm左右的对由厚度为100μm的聚氯乙烯(PVC)构成的膜状基材的正面上照射紫外线而硬化的粘结层30。
实施了上述保护带贴附工序后，实施粘结层硬化工序，对贴附于半导体晶片2的正面2a上的保护带3照射紫外线以使粘结层硬化。参照图3的(a)至(c)说明该粘结层硬化工序。在图3的(a)至(c)所示的粘结层硬化工序的实施方式中，使用图3的(a)所示的环状的掩模4。该掩模4形成为外径大于半导体晶片2的外径，并且在中央部形成有大小与半导体晶片2的器件区域23(参照图1)对应的圆形开口41。将如上形成的掩模4如图3的(b)所示而放置于在半导体晶片2的正面2a上贴附的保护带3的正面上。此时，将形成于掩模4上的圆形开口41定位于保护带3上的与半导体晶片2的器件区域23对应的区域31上。因此，保护带3上的与半导体晶片2的外周剩余区域24对应的区域32成为被掩模4的外周部覆盖住的状态。另外，保护带3上的与半导体晶片2的外周剩余区域24对应的区域32的宽度L(参照图3的(c))根据晶片的种类不同而不同，此处被设定为2mm～3mm。这样，如果将形成于掩模4上的圆形开口41定位并放置于保护带3上的与半导体晶片2的器件区域23对应的区域31内，则如图3的(b)所示，点亮紫外线照射器5，通过形成于掩模4上的圆形开口41而对保护带3上的与半导体晶片2的器件区域23对应的区域31照射紫外线。其结果，如图3的(c)所示，使得保护带3上的与半导体晶片2的器件区域23对应的区域31上的粘结层301被硬化。另一方面，保护带3上的与半导体晶片2的外周剩余区域24对应的区域32不会被照射紫外线，因此保护带3上的与半导体晶片2的外周剩余区域24对应的区域32上的粘结层302不会硬化而得以维持粘结力。
另外，上述保护带贴附工序优选在后述的改质层形成工序之前实施，然而也可以在实施后述的背面磨削工序之前实施。此外，上述粘结层硬化工序既可以在后述的改质层形成工序之前实施，也可以在实施后述的背面磨削工序之前实施。而且，在粘结层硬化工序中，可以对保护带3的整个面照射紫外线以使全部粘结层302硬化。
接着，实施改质层形成工序，将聚光点定位于晶片内部并沿着分割预定线21照射对于半导体晶片2具有透过性的波长的激光光线，从而半导体晶片2的内部沿着分割预定线21形成改质层。该改质层形成工序使用图4所示的激光加工装置6实施。图4所示的激光加工装置6具有：保持被加工物的卡盘台61；对被保持于该卡盘台61上的被加工物照射激光光线的激光光线照射单元62；以及对被保持于卡盘台61上的被加工物进行摄像的摄像单元63。卡盘台61构成为吸附保持被加工物，并且通过未图示的移动机构而在图4中箭头X所示的加工进给方向和箭头Y所示的分度进给方向上移动。
上述激光光线照射单元62从在实质上水平配置的圆筒形状的壳体621的前端上安装的聚光器622照射脉冲激光光线。此外，在构成上述激光光线照射单元62的壳体621的前端部上安装的摄像单元63在本实施方式中除了包括通过可见光线进行摄像的CCD等的通常的摄像元件之外，还通过对被加工物照射红外线的红外线照明单元、捕捉通过该红外线照明单元而照射的红外线的光学系统、以及输出与被该光学系统捕捉的红外线对应的电气信号的红外线摄像元件等构成，该摄像单元63将摄像得到的图像信号发送给未图示的控制单元。
参照图4和图5说明使用上述激光加工装置6而实施的改质层形成工序。在该改质层形成工序中，首先在上述图4所示的激光加工装置6的卡盘台61上放置被实施了上述保护带贴附工序后的半导体晶片2的保护带3侧。然后，通过未图示的吸引单元而在卡盘台61上隔着保护带3吸附保持半导体晶片2(晶片保持工序)。因此，被保持于卡盘台61上的半导体晶片2的背面2b成为上侧。这样，吸附保持着半导体晶片2的卡盘台61通过未图示的加工进给单元而被定位于摄像单元63的正下方。
在卡盘台61被定位于摄像单元63的正下方时，执行通过摄像单元63和未图示的控制单元检测半导体晶片2上的待激光加工的加工区域的校准作业。即，摄像单元63和未图示的控制单元执行用于对在半导体晶片2的第1方向上形成的分割预定线21与沿着分割预定线21照射激光光线的激光光线照射单元62的聚光器622之间的位置对准的图形匹配等的图像处理，完成激光光线照射位置的校准。此外，对于在形成于半导体晶片2上的与上述第1方向的正交的方向上延伸的分割预定线21，也同样地完成激光光线照射位置的校准。此时，半导体晶片2的形成有分割预定线21的正面2a位于下侧，然而由于摄像单元63如上所述具有摄像单元，该摄像单元通过红外线照明单元、捕捉红外线的光学系统和输出与红外线对应的电气信号的红外线摄像元件等构成，因此能够透过背面2b对分割预定线21进行摄像。
如上所述，如果检测在被保持于卡盘台61上的半导体晶片2上形成的分割预定线21，并进行了激光光线照射位置的校准，则图5的(a)所示将卡盘台61移动至照射激光光线的激光光线照射单元62的聚光器622所处的激光光线照射区域内，并将规定的分割预定线21的一端(图5的(a)中的左端)定位于激光光线照射单元62的聚光器622的正下方。接着，将从聚光器622照射的脉冲激光光线的聚光点P定位于半导体晶片2的厚度方向中间部。而且，从聚光器622照射对于硅晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线并使卡盘台61在图5的(a)中箭头X1所示的方向上以规定的进给速度移动。而且，如图5的(b)所示，在激光光线照射单元62的聚光器622的照射位置到达了分割预定线21的另一端的位置后，停止脉冲激光光线的照射并停止卡盘台61的移动。其结果，在半导体晶片2的内部沿着分割预定线21而形成有改质层25。
另外，例如如下设定上述改质层形成工序中的加工条件。
在如上所述沿着规定的分割预定线21实施了上述改质层形成工序后，使卡盘台61在箭头Y所示的方向上按照形成于半导体晶片2上的分割预定线21的间隔而进行分度进给(分度进给工序)，完成上述改质层形成工序。这样，在沿着形成于第1方向上的所有分割预定线21都实施了上述改质层形成工序后，使卡盘台61转动90度，沿着在与形成于上述第1方向上的分割预定线21正交对方向上延伸的分割预定线21执行上述改质层形成工序。
在实施了上述改质层形成工序后，实施背面磨削工序，对半导体晶片2的背面供给磨削水并进行磨削使其形成为规定的厚度，并且将半导体晶片2以改质层25作为断裂起点而沿着分割预定线21分割为各个器件。该背面磨削工序使用图6的(a)所示的磨削装置7实施。图6的(a)所示的磨削装置7具有：保持被加工物的卡盘台71；以及磨削被保持于该卡盘台71上的被加工物的磨削单元72。卡盘台71构成为在上表面上吸附保持被加工物，且通过未图示的旋转驱动机构而在图6的(a)中箭头A所示的方向上旋转。磨削单元72具有：轴外壳731；以能够旋转的方式支撑于该轴外壳731上且通过未图示的旋转驱动机构而进行旋转的轴732；安装于该轴732的下端的安装器733；以及安装于该安装器733的下表面的磨削轮734。该磨削轮734由圆环状的基台735以及呈环状安装于该基台735的下表面上的多个磨削砂轮736构成，基台735通过紧固螺栓737而被安装于安装器733的下表面。另外，在构成上述磨削装置7的轴732上设置有沿着轴心而形成的磨削水供给通路，从而通过该磨削水供给通路将磨削水供给至磨削砂轮736的磨削区域。
在使用上述磨削装置7实施上述背面磨削工序时，如图6的(a)所示在卡盘台71的上表面(保持面)上放置被贴附于半导体晶片2的正面上的保护带3侧。并且，通过未图示的吸引单元而在卡盘台71上隔着保护带3吸附保持半导体晶片2(晶片保持工序)。因此，被保持于卡盘台71上的半导体晶片2的背面2b成为上侧。这样，如果在卡盘台71上隔着保护带3吸附保持了半导体晶片2，则使卡盘台71在图6的(a)中箭头A所示的方向上例如以300rpm进行旋转，同时使磨削单元72的磨削轮734在图6的(a)中箭头B所示的方向上例如以6000rpm进行旋转，并如图6的(b)所示使磨削砂轮736接触作为被加工面的半导体晶片2的背面2b，使磨削轮734如箭头C所示例如以1μm/秒的磨削进给速度在下方(垂直于卡盘台71的保持面的方向)按照规定量进行磨削进给。在如上实施背面磨削工序时，对磨削砂轮736的磨削区域供给磨削水。其结果，半导体晶片2的背面2b被磨削而使得半导体晶片2形成为规定的厚度(例如100μm)，并且沿着形成有改质层25而使得强度降低的分割预定线21被分割为各个器件芯片。另外，被各个分割开的多个器件芯片的各自的正面上贴附有保护带3，因此不会散开而能够维持半导体晶片2的形态。
在上述背面磨削工序中，贴附于半导体晶片2的正面2a的保护带3上的与半导体晶片2的器件区域23对应的区域31上的粘结层301被硬化，因此在磨削过程中半导体晶片2被分割为各个器件芯片的情况下，可避免被硬化的粘结层301保持且被分割后的器件芯片彼此间的接触，不会在器件芯片的侧表面上产生缺损。此外，在上述实施方式中，贴附于半导体晶片2的正面2a的保护带3上的与半导体晶片2的外周剩余区域24对应的区域32上的粘结层302未硬化而得以维持粘结力地紧密贴合于半导体晶片2的正面2a上，因此不会在半导体晶片2的外周产生缺损，并且不会污染半导体晶片2的正面2a。

Claims (2)

1.一种晶片的加工方法，沿着分割预定线将晶片分割为各个器件芯片，该晶片在正面呈格子状地形成有多条分割预定线，并且，该晶片在正面具有：器件区域，其是在由该多条分割预定线划分出的多个区域上分别形成了器件的区域；以及围绕该器件区域的外周剩余区域，
该加工方法的特征在于，包括：
保护带贴附工序，将通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带贴附于晶片的正面上；
粘结层硬化工序，对贴附于晶片的正面上的保护带照射紫外线，使该粘结层硬化；
改质层形成工序，将聚光点定位于晶片的内部，沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，从而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；以及
背面磨削工序，在实施了该粘结层硬化工序和该改质层形成工序后，对晶片的背面供给磨削水并磨削晶片，使晶片变薄到规定的厚度，并且以该改质层为断裂起点，沿着该分割预定线将晶片分割为各个器件芯片。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该粘结层硬化工序中，仅对与晶片的器件区域对应的区域上的该保护带照射紫外线，从而使该保护带的与器件区域对应的区域上的粘结层硬化。
CN201510957302.2A 2014-12-19 2015-12-18 晶片的加工方法 Pending CN105720008A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-257621 2014-12-19
JP2014257621A JP2016119370A (ja) 2014-12-19 2014-12-19 ウエーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105720008A true CN105720008A (zh) 2016-06-29

Family

ID=56130296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510957302.2A Pending CN105720008A (zh) 2014-12-19 2015-12-18 晶片的加工方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9490155B2 (zh)
JP (1) JP2016119370A (zh)
KR (1) KR20160075326A (zh)
CN (1) CN105720008A (zh)
SG (1) SG10201509978VA (zh)
TW (1) TWI662611B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110211926A (zh) * 2018-02-28 2019-09-06 株式会社迪思科 被加工物的加工方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11668864B2 (en) 2016-12-22 2023-06-06 Analog Devices, Inc. Thin optical filter arrays
KR102434021B1 (ko) * 2017-11-13 2022-08-24 삼성전자주식회사 캐리어 기판의 디본딩 방법, 이를 수행하기 위한 장치 및 이를 포함하는 반도체 칩의 싱귤레이팅 방법
JP7083572B2 (ja) * 2018-04-09 2022-06-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7157861B1 (ja) 2021-10-15 2022-10-20 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102097310A (zh) * 2009-11-18 2011-06-15 株式会社迪思科 光器件晶片的加工方法
JP2012074659A (ja) * 2010-09-30 2012-04-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4796240B2 (ja) * 2001-05-09 2011-10-19 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの研削方法
JP2004160493A (ja) 2002-11-13 2004-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
JP4494728B2 (ja) * 2003-05-26 2010-06-30 株式会社ディスコ 非金属基板の分割方法
JP2005223282A (ja) 2004-02-09 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2009123835A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
US9064686B2 (en) * 2010-04-15 2015-06-23 Suss Microtec Lithography, Gmbh Method and apparatus for temporary bonding of ultra thin wafers
KR101751046B1 (ko) * 2011-02-01 2017-06-26 삼성전자 주식회사 웨이퍼 다이싱 프레스 및 그의 반도체 웨이퍼 다이싱 시스템
JP5988601B2 (ja) 2012-02-13 2016-09-07 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの分割方法
JP2014017462A (ja) * 2012-03-02 2014-01-30 Fujifilm Corp 半導体装置の製造方法
JP6026222B2 (ja) * 2012-10-23 2016-11-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102097310A (zh) * 2009-11-18 2011-06-15 株式会社迪思科 光器件晶片的加工方法
JP2012074659A (ja) * 2010-09-30 2012-04-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110211926A (zh) * 2018-02-28 2019-09-06 株式会社迪思科 被加工物的加工方法
CN110211926B (zh) * 2018-02-28 2024-02-09 株式会社迪思科 被加工物的加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016119370A (ja) 2016-06-30
SG10201509978VA (en) 2016-07-28
US20160181141A1 (en) 2016-06-23
TWI662611B (zh) 2019-06-11
US9490155B2 (en) 2016-11-08
TW201624557A (zh) 2016-07-01
KR20160075326A (ko) 2016-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105720008A (zh) 晶片的加工方法
TWI638396B (zh) Wafer processing method
US9685377B2 (en) Wafer processing method
TWI574314B (zh) Wafer processing method
JP4599631B2 (ja) 板状部材の分割方法及び分割装置
KR102198123B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
CN105304561A (zh) 晶片的加工方法
CN106997867A (zh) 晶片的加工方法
CN102097372B (zh) 晶片的加工方法
TW201528362A (zh) 裝置晶圓之加工方法
CN105261560A (zh) 晶片的加工方法
CN105448827A (zh) 晶片的加工方法
JP2007134390A (ja) ウエーハの加工方法
KR20180119481A (ko) SiC 웨이퍼의 생성 방법
CN106129003A (zh) 晶片的加工方法
TW201701345A (zh) 晶圓的加工方法
TWI692017B (zh) 單晶基板之加工方法
TW201909262A (zh) 晶圓加工方法
JP2013165229A (ja) 光デバイスウェーハの分割方法
TWI789422B (zh) 晶圓之加工方法
JP6158551B2 (ja) ウェーハの分割方法
TW201515078A (zh) 晶圓之加工方法
KR20190028302A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
TW201501940A (zh) 樹脂片貼著方法
TW201513198A (zh) 裝置晶圓之加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160629

RJ01 Rejection of invention patent application after publication