JP4796240B2 - 半導体ウエーハの研削方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエーハの研削方法、更に詳しくは半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着し、該半導体ウエーハを該保護テープ側を下にして該チャックテーブル上に保持し、該チャックテーブル上に保持された該半導体ウエーハの裏面を研削する半導体ウエーハの研削方法及び研削方法に用いる紫外線照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成し、該回路が形成された各領域を所定のストリート（切断ライン）に沿ってダイシングすることにより個々の半導体素子を製造している。半導体素子の放熱性を良好にするためには、半導体素子の厚さをできるだけ薄く形成することが望ましい。また、半導体素子を多数用いる携帯電話、スマートカード、パソコン等の小型化を可能にするためにも、半導体素子の厚さをできるだけ薄く形成することが望ましい。そのため、半導体ウエーハを個々の半導体素子に分割する前に、その裏面を研削して所定の厚さに加工している。また、個々の半導体チップに分割される半導体素子の厚さをより薄く加工できる技術として、半導体ウエーハの裏面を研削する前に半導体ウエーハの表面に所定深さの切削溝を形成し、その後、切削溝が表出するまで半導体ウエーハの裏面を研削することにより個々の半導体素子に分割する所謂先ダイシングと称する加工方法も開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記研削に際しては、回路面を保護するために半導体ウエーハの表面には粘着テープからなる保護テープが貼着され、この保護テープ側を下にして半導体ウエーハを研削装置のチャックテーブル上に保持する。しかるに、半導体ウエーハの表面にバンプ（半田ボール）等の１０μｍ以上の凹凸がある場合には、研削によって研削面にディンプル（窪み）が生じたり、半導体ウエーハ自体が割れるという問題がある。このような問題を解消するために、半導体ウエーハの表面に１０μｍ以上のの凹凸がある場合には、紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有する保護テープを使用し、凹凸を粘着層が包み込むような状態で保護テープに紫外線を照射して硬化させ、凹凸の影響を無くして研削を遂行する研削方法が行われている。しかしながら、この研削方法においては、保護テープの粘着層は紫外線照射で硬化することにより粘着力が低下し、半導体ウエーハが保護テープから剥がれ易くなって研削中に半導体ウエーハが飛散することがあるという新たな問題が発生している。
【０００４】
また、上述した所謂先ダイシングと称する加工方法においては、半導体ウエーハの表面に形成されたストリート（切断ライン）に沿って予め所定深さの切削溝を形成しておき、その表面に紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有する保護テープを貼着し、上記凹凸を粘着層が包み込むような状態で保護テープに紫外線を照射して硬化させた後に、研削を遂行している。しかしながら、この所謂先ダイシング加工方法においても、保護テープの粘着層は紫外線照射で硬化することにより粘着力が低下するため、特に半導体ウエーハの外周部に存在する端材チップが飛散して半導体ウエーハの内部に取り込まれ、研削砥石との間に挟まって半導体素子を破損することがあるという新たな問題が発生している。
【０００５】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、表面に保護テープを貼着した半導体ウエーハの裏面を研削する際に、保護テープから半導体ウエーハや半導体ウエーハの外周部に存在する端材チップが剥離し飛散することを防止できる半導体ウエーハの研削方法及び研削方法に用いる紫外線照射装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、表面に１０μｍ以上の凹凸がある半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着し、該半導体ウエーハを該保護テープ側を下にして該チャックテーブル上に保持し、該チャックテーブル上に保持された該半導体ウエーハの裏面を研削する半導体ウエーハの研削方法であって、
紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有する保護テープを該半導体ウエーハの全表面に貼着する保護テープ貼着工程と、
該半導体ウエーハに貼着された該保護テープの外周領域を残して該保護テープの中央領域に紫外線を照射する紫外線照射工程と、
該半導体ウエーハを紫外線照射された該保護テープ側を下にして該チャックテーブル上に保持し、該半導体ウエーハの表面を研削する研削工程と、を含み、
該紫外線照射工程では、該半導体ウエーハの外径より僅かに小さい相似形の開口部を備えている遮光板に半導体ウエーハを載置し、該遮光板に備えた位置合わせ部材に、該半導体ウエーハの結晶方位を示す切欠部と係合させて、半導体ウエーハを位置合わせすることができることを特徴とする半導体ウエーハの研削方法が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による半導体ウエーハの研削方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
図１には本発明による半導体ウエーハの研削方法を実施するための研削装置１の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置１は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジング２の図１において右上端には、静止支持板４が立設されている。この静止支持板４の内側面には、上下方向に延びる２対の案内レール６、６および８、８が設けられている。一方の案内レール６、６には荒研削手段としての荒研削ユニット１０が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール８、８には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット１２が上下方向に移動可能に装着されている。
【００１１】
荒研削ユニット１０は、ユニットハウジング１０１と、該ユニットハウジング１０１の下端に回転自在に装着された研削ホイール１０２と、該ユニットハウジング１０１の上端に装着され研削ホイール１０２を矢印で示す方向に回転せしめられる回転駆動機構１０３と、ユニットハウジング１０１を装着した移動基台１０４とを具備している。移動基台１０４には被案内レール１０５、１０５が設けられており、この被案内レール１０５、１０５を上記静止支持板４に設けられた案内レール６、６に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニット１０が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における荒研削ユニット１０は、上記移動基台１０４を案内レール６、６に沿って移動させ研削ホイール１０２の切り込み深さを調整する送り機構１１を具備している。送り機構１１は、上記静止支持板４に案内レール６、６と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド１１１と、該雄ねじロッド１１１を回転駆動するためのパルスモータ１１２と、上記移動基台１０４に装着され雄ねじロッド１１１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ１１２によって雄ねじロッド１１１を正転および逆転駆動することにより、荒研削ユニット１０を上下方向に移動せしめる。
【００１２】
上記仕上げ研削ユニット１２も荒研削ユニット１０と同様に構成されており、ユニットハウジング１２１と、該ユニットハウジング１２１の下端に回転自在に装着された研削ホイール１２２と、該ユニットハウジング１２１の上端に装着され研削ホイール１２２を矢印で示す方向に回転せしめられる回転駆動機構１２３と、ユニットハウジング１２１を装着した移動基台１２４とを具備している。移動基台１２４には被案内レール１２５、１２５が設けられており、この被案内レール１２５、１２５を上記静止支持板４に設けられた案内レール８、８に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット１２が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における仕上げ研削ユニット１２は、上記移動基台１２４を案内レール８、８に沿って移動させ研削ホイール１２３の切り込み深さを調整する送り機構１３を具備している。この送り機構１３は、上記送り手段１１と実質的に同じ構成である。即ち、送り機構１３は、上記静止支持板４に案内レール６、６と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド１３１と、該雄ねじロッド１３１を回転駆動するためのパルスモータ１３２と、上記移動基台１２４に装着され雄ねじロッド１３１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ１３２によって雄ねじロッド１３１を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット１２を上下方向に移動せしめる。
【００１３】
図示の実施形態における研削装置１は、上記静止支持板４の前側において装置ハウジング２の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル１５を具備している。このターンテーブル１５は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印１５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル１５には、図示の実施形態の場合それぞれ１２０度の位相角をもって３個のチャックテーブル２０が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル２０は、上方が開放された円形状の凹部を備えた円盤状の基台２１と、該基台２１に形成された凹部に嵌合されるポーラスセラミック盤によって形成された吸着保持チャック２２とからなっており、図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転せしめられるように構成されている。なお、チャックテーブル２０は図示しない吸引手段に接続されている。以上のように構成されたターンテーブル１５に配設された３個のチャックテーブル２０は、ターンテーブル１５が適宜回転することにより被加工物搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめられる。
【００１４】
図示の研削装置１における被加工物搬入・搬出域Ａに対して一方側には、研削加工前の被加工物である半導体ウエーハをストックする研削前ウエーハ用カセット３１が配設されている。この研削前ウエーハ用カセット３１には、表面にテープＴが貼着された半導体ウエーハＷが収納される。ここで、半導体ウエーハＷに貼着される保護テープＴについて説明する。図２に示すように保護テープＴは、紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有するテープを半導体ウエーハＷと同一の形状に切断して形成される。なお、紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有するテープは、例えばリンテック株式会社製のＥ−８２６０／１０３Ｃ１５０を使用することができる。この保護テープＴは、粘着層が形成された面を半導体ウエーハＷの回路が形成されている表面全面に貼着する。このようにして、表面に保護テープＴが貼着された半導体ウエーハＷは、上記研削前ウエーハ用カセット３１に収納される。
上記研削前ウエーハ用カセット３１と被加工物搬入・搬出域Ａとの間には、紫外線照射装置３２が配設されている。この紫外線照射装置３２については、後で詳細に説明する。
【００１５】
図１に基づいて説明を続けると、研削装置１における上記被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側には、研削加工後の該半導体ウエーハを洗浄するスピンナーテーブル３３０を有する洗浄手段３３が配設されている。また、研削装置１における被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側には、洗浄手段３３によって洗浄された研削加工後の被加工物である半導体ウエーハＷをストックする研削後ウエーハ用カセット３４が配設されている。更に、図示の実施形態における研削装置１は、研削前ウエーハ用カセット３１内に収納された被加工物である半導体ウエーハＷを上記紫外線照射装置３２の遮光板３２３上に搬出するとともに洗浄手段３３で洗浄された半導体ウエーハＷを研削後ウエーハ用カセット３４に搬送する被加工物搬送手段３５を備えている。また、図示の実施形態における研削装置は、上記紫外線照射装置３２の遮光板３２３上に載置され後述するように保護テープＴに紫外線が照射された半導体ウエーハＷを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０上に搬送する被加工物搬入手段３６と、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハＷを洗浄手段３３に搬送する被加工物搬出手段３７を具備している。
【００１６】
次に、上記紫外線照射装置３２について、図３および図４を参照して説明する。
紫外線照射装置３２は、上方が開口した略直方体状のランプハウジング３２１と、該ランプハウジング３２１内に配設された複数本の紫外線照射ランプ３２２と、ランプハウジング３２１の開口を覆う遮光板３２３とによって構成されている。遮光板３２３は、矩形状の板材からなり、その中央部に半導体ウエーハＷの外径より僅かに小さい相似形の開口３２４を備えている。即ち、開口３２４は、円形部３２５と上記半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部であるオリフラＷ１に対応する直線部３２６とからなっている。なお、開口３２４は、その外周が半導体ウエーハＷの外周より０．５〜５．０ｍｍ程度内側に位置する相似形に形成されている。遮光板３２３の上面には、半導体ウエーハＷの結晶方位を示すオリフラＷ１と係合する位置合わせ部材３２７が突出して設けられている。この位置合わせ部材３２７の開口３２４側に面する係合面は、上記オリフラＷ１と対応する開口３２４の外周より０．５〜５．０ｍｍ程度外側に位置して平面状に形成されている。また、遮光板３２３の上面には、開口３２４の円形部３２５の外周より外側に位置する２個の位置決め部材３２８、３２８が突出して配設されている。このように構成された紫外線照射装置３２は、遮光板３２３の上面に半導体ウエーハＷを保護テープＴ側を下にして載置し支持する。このとき、半導体ウエーハＷを上記位置合わせ部３２７および２個の位置決め部材３２８、３２８に沿って位置付けることにより、半導体ウエーハＷはその外周部領域が０．５〜５．０ｍｍの幅をもって遮光板３２３における上記開口３２４の外側に載置される。
【００１７】
次に、上記紫外線照射装置３２を構成する遮光板の他の実施形態について、図５を参照して説明する。
図５に示す実施形態における遮光板３２３ａは、半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がノッチＷ２の場合に適用するものである。遮光板３２３ａも上記遮光板３２３と同様に、矩形状の板材からなり、その中央部に半導体ウエーハＷの外径より僅かに小さい相似形の開口３２４ａを備えている。即ち、開口３２４ａは、円形部３２５ａと上記半導体ウエーハＷの結晶方位を示すをノッチＷ２に対応する三角形状の突出部３２６ａとからなっている。なお、開口３２４ａは、その外周が半導体ウエーハＷの外周より０．５〜５．０ｍｍ程度内側に位置する相似形に形成されている。遮光板３２３ａの上記三角形状の突出部３２６ａの上面には、半導体ウエーハＷの結晶方位を示すノッチＷ２と係合する三角形状の位置合わせ部材３２７ａが突出して設けられている。三角形状の位置合わせ部材３２７ａは、上記三角形状の突出部３２６ａの周縁より０．５〜５．０ｍｍ程度外側に位置して設けられている。また、遮光板３２３ａの上面には、開口３２４ａの円形部３２５ａの外周より外側に位置する２個の位置決め部材３２８ａ、３２８ａが突出して配設されている。このように構成された紫外線照射装置３２は、遮光板３２３ａの上面に半導体ウエーハＷを保護テープＴ側を下にして載置し支持する。このとき、半導体ウエーハＷを上記位置合わせ部材３２７ａおよび２個の位置決め部材３２８ａ、３２８ａに沿って位置付け、位置合わせ部材３２７ａとノッチＷ２を係合することにより、半導体ウエーハＷはその外周部領域が０．５〜５．０ｍｍの幅をもって遮光板３２３ａにおける上記開口３２４ａの外側に載置される。
【００１８】
次に、上記紫外線照射装置３２を構成する遮光板の更に他の実施形態について、図６および図７を参照して説明する。なお、図６および図７に示す遮光板３２３ｂにおいては、上記図５に示す遮光板３２３ａにおける同一部には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
図６および図７に示す実施形態における遮光板３２３ｂは、半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がオリフラＷ１とノッチＷ２の双方に適用可能としたものである。即ち、遮光板３２３ｂは、上記図５に示す半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がノッチＷ２の場合に適用する遮光板３２３ａに、半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がオリフラＷ１の場合に適用するように切り換える切り換え板４０を装着したものである。切り換え板４０は、遮光板３２３ａの上記三角形状の位置合わせ部材３２７ａが設けられている側の一方の縁片にヒンジ４１、４１をによって折り畳み可能に装着されている。切り換え板４０には、図７に示すように折り畳んだ状態で上記三角形状の位置合わせ部材３２７ａを嵌合する三角形状の逃げ穴４０１が形成されている。なお、逃げ穴４０１は、三角形状に限定されるものではなく、位置合わせ部材３２７ａが嵌合できる大きさであればよい。また、切り換え板４０には、遮光板３２３ａとの合わせ面に図７に示すように折り畳んだ状態で半導体ウエーハＷの結晶方位を示すオリフラＷ１と係合する位置合わせ部材４２が突出して設けられている。この位置合わせ部材４２は、オリフラＷ１と係合する係合面４２１が切り換え板４０の他方の縁片より僅かに突出した位置に位置付けられている。
以上のように構成された遮光板３２３ｂは、半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がノッチＷ２である場合には図６で示すように切り換え板４０を開いた状態で使用し、半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がオリフラＷ１である場合には図７に示すように切り換え板４０を折り畳んだ状態で使用する。
【００１９】
図示の実施形態における研削装置１は以上のように構成されており、以下その研削加工の作業手順について図１および図２を参照して説明する。
まず、上述したように半導体ウエーハＷの回路が形成されている表面の全面に、紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有する保護テープＴを貼着する（保護テープ貼着工程）。この表面に保護テープＴが貼着された半導体ウエーハＷは、上記研削前ウエーハ用カセット３１に収納される。研削前ウエーハ用カセット３１に収容された研削加工前の被加工物である表面に保護テープＴが貼着された半導体ウエーハＷは、被加工物搬送手段３６の上下動作および進退動作により搬送され、紫外線照射装置３２の遮光板３２３上に上述したように保護テープＴ側を下にして載置される。このとき、半導体ウエーハＷを上記位置合わせ部材３２５および２個の位置決め部材３２６、３２６に沿って位置付けることにより、半導体ウエーハＷはその外周部が０．５〜５．０ｍｍの幅をもって遮光板３２３における上記開口３２４の外側に載置される。このようにして、紫外線照射装置３２の遮光板３２３上に半導体ウエーハＷが保護テープＴ側を下にして載置されたら、紫外線照射ランプ３２２が点灯される。紫外線照射ランプ３２２の点灯により、半導体ウエーハＷに貼着された保護テープＴは、遮光板３２３上に載置された外周部領域を残して紫外線が照射される（紫外線照射工程）。この結果、保護テープＴは、外周部領域以外の中央部領域の粘着層が半導体ウエーハＷの表面に存在する凹凸を包み込むような状態で硬化するが、外周部領域の粘着層は粘着力が維持されている。
【００２０】
上記のようにして半導体ウエーハＷの表面に貼着された保護テープＴの中央部領域が紫外線照射されたら、半導体ウエーハＷは被加工物搬入手段３６の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０上に載置される。チャックテーブル２０上に研削前の半導体ウエーハＷが載置されたならば、図示しない吸引手段を作動することにより、研削前の半導体ウエーハＷを吸着保持チャック２２上に吸引保持することができる。そして、ターンテーブル１５を図示しない回転駆動機構によって矢印１５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、研削前の半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０を荒研削加工域Ｂに位置付ける。
【００２１】
研削前の半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられると図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転せしめられ、一方、荒研削ユニット１０の研削ホイール１０２が矢印で示す方向に回転せしめられつつ送り機構１１によって所定量下降することにより、チャックテーブル２０上の研削前半導体ウエーハＷに荒研削加工が施される（研削工程）。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられた次のチャックテーブル２０上には、上述したように半導体ウエーハＷの表面に貼着された保護テープＴの中央部領域が紫外線照射されている研削前の半導体ウエーハＷが載置される。次に、ターンテーブル１５を矢印１５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、荒研削加工した半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０を仕上げ研削加工域Ｃに位置付ける。なお、このとき被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削前の半導体ウエーハＷが載置された次のチャックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられ、次の次のチャックテーブル２０が被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられる。
【００２２】
このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル２０上に載置された荒研削加工前の半導体ウエーハＷには荒研削ユニット１０によって荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル２０上に載置され荒研削加工された半導体ウエーハＷには仕上げ研削ユニット１２によって仕上げ研削加工が施される（研削工程）。
上述した荒研削加工および仕上げ研削加工において研削される半導体ウエーハＷは、表面に貼着された保護テープＴの中央部領域の粘着層が半導体ウエーハＷの表面に存在する凹凸を包み込むような状態で硬化されているので、凹凸の影響を無くして研削される。また、上記保護テープＴの外周部領域の粘着層は硬化されずに粘着力が維持されているので、半導体ウエーハの研削時に保護テープから半導体ウエーハや半導体ウエーハの外周部に存在する端材チップが剥離し飛散することを防止できる。
【００２３】
上述したように仕上げ研削ユニット１２によって半導体ウエーハＷに仕上げ研削加工が実施されたならば、ターンテーブル１５を矢印１５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、仕上げ研削加工した研削後の半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０を被加工物搬入・搬出域Ａに位置付ける。なお、荒研削加工域Ｂにおいて荒研削加工された半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削前の半導体ウエーハＷが載置されたチャックテーブル２０は荒研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられる。
【００２４】
なお、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャックテーブル２０は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハＷの吸着保持を解除する。そして、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０上の仕上げ研削加工された半導体ウエーハＷは、被加工物搬出手段３７によって洗浄手段３３に搬送される。洗浄手段３３に搬送された半導体ウエーハＷは、ここで洗浄された後、被加工物搬送手段３５よって研削後ウエーハ用カセット３４の所定位置に収納される。
【００２５】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではない。例えば、実施形態においては、紫外線照射装置３２を研削装置１に配設した例を示したが、紫外線照射装置３２は研削装置１に組み込むことなく独立して設け、半導体ウエーハＷを研削前ウエーハ用カセット３１に収容する前に、半導体ウエーハＷに貼着された保護テープＴの外周部領域を残して中央部領域に紫外線を照射するようにしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】
本発明に係る半導体ウエーハの研削方法及び研削方法に用いる紫外線照射装置は以上のように構成されているで、次の作用効果を奏する。
【００２７】
即ち、本発明によれば、半導体ウエーハの表面に貼着された保護テープの中央部領域の粘着層が半導体ウエーハの表面に存在する凹凸を包み込むような状態で硬化されているので、凹凸の影響を無くして半導体ウエーハの裏面を研削することができる。また、上記保護テープの外周部領域の粘着層は硬化されずに粘着力が維持されているので、半導体ウエーハの研削時に保護テープから半導体ウエーハや半導体ウエーハの外周部に存在する端材チップが剥離し飛散することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体ウエーハの研削方法を実施するための研削装置の斜視図。
【図２】本発明による研削方によって研削される半導体ウエーハおよび該半導体ウエーハの表面に貼着する保護テープを示す斜視図。
【図３】本発明による紫外線照射装置の分解斜視図。
【図４】本発明による紫外線照射装置の一実施形態および該紫外線照射装置によって紫外線照射される保護テープを貼着した半導体ウエーハの斜視図。
【図５】本発明による紫外線照射装置の他の実施形態および該紫外線照射装置によって紫外線照射される保護テープを貼着した半導体ウエーハの斜視図。
【図６】本発明による紫外線照射装置の更に他の実施形態および該紫外線照射装置によって紫外線照射される保護テープを貼着した半導体ウエーハの斜視図。
【図７】図６に示す紫外線照射装置の他の使用形態を示す斜視図。
【符号の説明】
１：研削装置
２：装置ハウジング
４：静止支持板４
６：案内レール
８：案内レール
１０：荒研削ユニット
１０１：ユニットハウジング
１０２：研削ホイール
１０３：回転駆動機構
１０４：移動基台
１０５：被案内レール
１１：送り機構
１１１：雄ねじロッド
１１２：パルスモータ
１２：仕上げ研削ユニット
１２１：ユニットハウジング
１２２：研削ホイール
１２３：回転駆動機構
１２４：移動基台
１２５：被案内レール
１３：送り機構
１３１：雄ねじロッド
１３２：パルスモータ
１５：ターンテーブル
２０：チャックテーブル
２１：チャックテーブルの基台
２２：チャックテーブルの吸着保持チャック
３１：研削前ウエーハ用カセット
３２：紫外線照射装置
３２１：ランプハウジング
３２２：紫外線照射ランプ
３２３：遮光板
３２４、３２４ａ：開口
３２７、３２７ａ：位置合わせ部材
３２８、３２８ａ：位置決め部材
３３：洗浄手段
３３０：スピンナーテーブル
３４：研削後ウエーハ用カセット
３５：被加工物搬送手段
７６：被加工物搬入手段
３７：被加工物搬出手段
４０：切り換え板
４１：ヒンジ
４２：位置合わせ部材
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエーハの研削方法、更に詳しくは半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着し、該半導体ウエーハを該保護テープ側を下にして該チャックテーブル上に保持し、該チャックテーブル上に保持された該半導体ウエーハの裏面を研削する半導体ウエーハの研削方法及び研削方法に用いる紫外線照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成し、該回路が形成された各領域を所定のストリート（切断ライン）に沿ってダイシングすることにより個々の半導体素子を製造している。半導体素子の放熱性を良好にするためには、半導体素子の厚さをできるだけ薄く形成することが望ましい。また、半導体素子を多数用いる携帯電話、スマートカード、パソコン等の小型化を可能にするためにも、半導体素子の厚さをできるだけ薄く形成することが望ましい。そのため、半導体ウエーハを個々の半導体素子に分割する前に、その裏面を研削して所定の厚さに加工している。また、個々の半導体チップに分割される半導体素子の厚さをより薄く加工できる技術として、半導体ウエーハの裏面を研削する前に半導体ウエーハの表面に所定深さの切削溝を形成し、その後、切削溝が表出するまで半導体ウエーハの裏面を研削することにより個々の半導体素子に分割する所謂先ダイシングと称する加工方法も開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記研削に際しては、回路面を保護するために半導体ウエーハの表面には粘着テープからなる保護テープが貼着され、この保護テープ側を下にして半導体ウエーハを研削装置のチャックテーブル上に保持する。しかるに、半導体ウエーハの表面にバンプ（半田ボール）等の１０μｍ以上の凹凸がある場合には、研削によって研削面にディンプル（窪み）が生じたり、半導体ウエーハ自体が割れるという問題がある。このような問題を解消するために、半導体ウエーハの表面に１０μｍ以上のの凹凸がある場合には、紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有する保護テープを使用し、凹凸を粘着層が包み込むような状態で保護テープに紫外線を照射して硬化させ、凹凸の影響を無くして研削を遂行する研削方法が行われている。しかしながら、この研削方法においては、保護テープの粘着層は紫外線照射で硬化することにより粘着力が低下し、半導体ウエーハが保護テープから剥がれ易くなって研削中に半導体ウエーハが飛散することがあるという新たな問題が発生している。
【０００４】
また、上述した所謂先ダイシングと称する加工方法においては、半導体ウエーハの表面に形成されたストリート（切断ライン）に沿って予め所定深さの切削溝を形成しておき、その表面に紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有する保護テープを貼着し、上記凹凸を粘着層が包み込むような状態で保護テープに紫外線を照射して硬化させた後に、研削を遂行している。しかしながら、この所謂先ダイシング加工方法においても、保護テープの粘着層は紫外線照射で硬化することにより粘着力が低下するため、特に半導体ウエーハの外周部に存在する端材チップが飛散して半導体ウエーハの内部に取り込まれ、研削砥石との間に挟まって半導体素子を破損することがあるという新たな問題が発生している。
【０００５】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、表面に保護テープを貼着した半導体ウエーハの裏面を研削する際に、保護テープから半導体ウエーハや半導体ウエーハの外周部に存在する端材チップが剥離し飛散することを防止できる半導体ウエーハの研削方法及び研削方法に用いる紫外線照射装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、表面に１０μｍ以上の凹凸がある半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着し、該半導体ウエーハを該保護テープ側を下にして該チャックテーブル上に保持し、該チャックテーブル上に保持された該半導体ウエーハの裏面を研削する半導体ウエーハの研削方法であって、
紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有する保護テープを該半導体ウエーハの全表面に貼着する保護テープ貼着工程と、
該半導体ウエーハに貼着された該保護テープの外周領域を残して該保護テープの中央領域に紫外線を照射する紫外線照射工程と、
該半導体ウエーハを紫外線照射された該保護テープ側を下にして該チャックテーブル上に保持し、該半導体ウエーハの表面を研削する研削工程と、を含み、
該紫外線照射工程では、該半導体ウエーハの外径より僅かに小さい相似形の開口部を備えている遮光板に半導体ウエーハを載置し、該遮光板に備えた位置合わせ部材に、該半導体ウエーハの結晶方位を示す切欠部と係合させて、半導体ウエーハを位置合わせすることができることを特徴とする半導体ウエーハの研削方法が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による半導体ウエーハの研削方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
図１には本発明による半導体ウエーハの研削方法を実施するための研削装置１の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置１は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジング２の図１において右上端には、静止支持板４が立設されている。この静止支持板４の内側面には、上下方向に延びる２対の案内レール６、６および８、８が設けられている。一方の案内レール６、６には荒研削手段としての荒研削ユニット１０が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール８、８には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット１２が上下方向に移動可能に装着されている。
【００１１】
荒研削ユニット１０は、ユニットハウジング１０１と、該ユニットハウジング１０１の下端に回転自在に装着された研削ホイール１０２と、該ユニットハウジング１０１の上端に装着され研削ホイール１０２を矢印で示す方向に回転せしめられる回転駆動機構１０３と、ユニットハウジング１０１を装着した移動基台１０４とを具備している。移動基台１０４には被案内レール１０５、１０５が設けられており、この被案内レール１０５、１０５を上記静止支持板４に設けられた案内レール６、６に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニット１０が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における荒研削ユニット１０は、上記移動基台１０４を案内レール６、６に沿って移動させ研削ホイール１０２の切り込み深さを調整する送り機構１１を具備している。送り機構１１は、上記静止支持板４に案内レール６、６と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド１１１と、該雄ねじロッド１１１を回転駆動するためのパルスモータ１１２と、上記移動基台１０４に装着され雄ねじロッド１１１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ１１２によって雄ねじロッド１１１を正転および逆転駆動することにより、荒研削ユニット１０を上下方向に移動せしめる。
【００１２】
上記仕上げ研削ユニット１２も荒研削ユニット１０と同様に構成されており、ユニットハウジング１２１と、該ユニットハウジング１２１の下端に回転自在に装着された研削ホイール１２２と、該ユニットハウジング１２１の上端に装着され研削ホイール１２２を矢印で示す方向に回転せしめられる回転駆動機構１２３と、ユニットハウジング１２１を装着した移動基台１２４とを具備している。移動基台１２４には被案内レール１２５、１２５が設けられており、この被案内レール１２５、１２５を上記静止支持板４に設けられた案内レール８、８に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット１２が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における仕上げ研削ユニット１２は、上記移動基台１２４を案内レール８、８に沿って移動させ研削ホイール１２３の切り込み深さを調整する送り機構１３を具備している。この送り機構１３は、上記送り手段１１と実質的に同じ構成である。即ち、送り機構１３は、上記静止支持板４に案内レール６、６と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド１３１と、該雄ねじロッド１３１を回転駆動するためのパルスモータ１３２と、上記移動基台１２４に装着され雄ねじロッド１３１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ１３２によって雄ねじロッド１３１を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット１２を上下方向に移動せしめる。
【００１３】
図示の実施形態における研削装置１は、上記静止支持板４の前側において装置ハウジング２の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル１５を具備している。このターンテーブル１５は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印１５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル１５には、図示の実施形態の場合それぞれ１２０度の位相角をもって３個のチャックテーブル２０が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル２０は、上方が開放された円形状の凹部を備えた円盤状の基台２１と、該基台２１に形成された凹部に嵌合されるポーラスセラミック盤によって形成された吸着保持チャック２２とからなっており、図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転せしめられるように構成されている。なお、チャックテーブル２０は図示しない吸引手段に接続されている。以上のように構成されたターンテーブル１５に配設された３個のチャックテーブル２０は、ターンテーブル１５が適宜回転することにより被加工物搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめられる。
【００１４】
図示の研削装置１における被加工物搬入・搬出域Ａに対して一方側には、研削加工前の被加工物である半導体ウエーハをストックする研削前ウエーハ用カセット３１が配設されている。この研削前ウエーハ用カセット３１には、表面にテープＴが貼着された半導体ウエーハＷが収納される。ここで、半導体ウエーハＷに貼着される保護テープＴについて説明する。図２に示すように保護テープＴは、紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有するテープを半導体ウエーハＷと同一の形状に切断して形成される。なお、紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有するテープは、例えばリンテック株式会社製のＥ−８２６０／１０３Ｃ１５０を使用することができる。この保護テープＴは、粘着層が形成された面を半導体ウエーハＷの回路が形成されている表面全面に貼着する。このようにして、表面に保護テープＴが貼着された半導体ウエーハＷは、上記研削前ウエーハ用カセット３１に収納される。
上記研削前ウエーハ用カセット３１と被加工物搬入・搬出域Ａとの間には、紫外線照射装置３２が配設されている。この紫外線照射装置３２については、後で詳細に説明する。
【００１５】
図１に基づいて説明を続けると、研削装置１における上記被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側には、研削加工後の該半導体ウエーハを洗浄するスピンナーテーブル３３０を有する洗浄手段３３が配設されている。また、研削装置１における被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側には、洗浄手段３３によって洗浄された研削加工後の被加工物である半導体ウエーハＷをストックする研削後ウエーハ用カセット３４が配設されている。更に、図示の実施形態における研削装置１は、研削前ウエーハ用カセット３１内に収納された被加工物である半導体ウエーハＷを上記紫外線照射装置３２の遮光板３２３上に搬出するとともに洗浄手段３３で洗浄された半導体ウエーハＷを研削後ウエーハ用カセット３４に搬送する被加工物搬送手段３５を備えている。また、図示の実施形態における研削装置は、上記紫外線照射装置３２の遮光板３２３上に載置され後述するように保護テープＴに紫外線が照射された半導体ウエーハＷを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０上に搬送する被加工物搬入手段３６と、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハＷを洗浄手段３３に搬送する被加工物搬出手段３７を具備している。
【００１６】
次に、上記紫外線照射装置３２について、図３および図４を参照して説明する。
紫外線照射装置３２は、上方が開口した略直方体状のランプハウジング３２１と、該ランプハウジング３２１内に配設された複数本の紫外線照射ランプ３２２と、ランプハウジング３２１の開口を覆う遮光板３２３とによって構成されている。遮光板３２３は、矩形状の板材からなり、その中央部に半導体ウエーハＷの外径より僅かに小さい相似形の開口３２４を備えている。即ち、開口３２４は、円形部３２５と上記半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部であるオリフラＷ１に対応する直線部３２６とからなっている。なお、開口３２４は、その外周が半導体ウエーハＷの外周より０．５〜５．０ｍｍ程度内側に位置する相似形に形成されている。遮光板３２３の上面には、半導体ウエーハＷの結晶方位を示すオリフラＷ１と係合する位置合わせ部材３２７が突出して設けられている。この位置合わせ部材３２７の開口３２４側に面する係合面は、上記オリフラＷ１と対応する開口３２４の外周より０．５〜５．０ｍｍ程度外側に位置して平面状に形成されている。また、遮光板３２３の上面には、開口３２４の円形部３２５の外周より外側に位置する２個の位置決め部材３２８、３２８が突出して配設されている。このように構成された紫外線照射装置３２は、遮光板３２３の上面に半導体ウエーハＷを保護テープＴ側を下にして載置し支持する。このとき、半導体ウエーハＷを上記位置合わせ部３２７および２個の位置決め部材３２８、３２８に沿って位置付けることにより、半導体ウエーハＷはその外周部領域が０．５〜５．０ｍｍの幅をもって遮光板３２３における上記開口３２４の外側に載置される。
【００１７】
次に、上記紫外線照射装置３２を構成する遮光板の他の実施形態について、図５を参照して説明する。
図５に示す実施形態における遮光板３２３ａは、半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がノッチＷ２の場合に適用するものである。遮光板３２３ａも上記遮光板３２３と同様に、矩形状の板材からなり、その中央部に半導体ウエーハＷの外径より僅かに小さい相似形の開口３２４ａを備えている。即ち、開口３２４ａは、円形部３２５ａと上記半導体ウエーハＷの結晶方位を示すをノッチＷ２に対応する三角形状の突出部３２６ａとからなっている。なお、開口３２４ａは、その外周が半導体ウエーハＷの外周より０．５〜５．０ｍｍ程度内側に位置する相似形に形成されている。遮光板３２３ａの上記三角形状の突出部３２６ａの上面には、半導体ウエーハＷの結晶方位を示すノッチＷ２と係合する三角形状の位置合わせ部材３２７ａが突出して設けられている。三角形状の位置合わせ部材３２７ａは、上記三角形状の突出部３２６ａの周縁より０．５〜５．０ｍｍ程度外側に位置して設けられている。また、遮光板３２３ａの上面には、開口３２４ａの円形部３２５ａの外周より外側に位置する２個の位置決め部材３２８ａ、３２８ａが突出して配設されている。このように構成された紫外線照射装置３２は、遮光板３２３ａの上面に半導体ウエーハＷを保護テープＴ側を下にして載置し支持する。このとき、半導体ウエーハＷを上記位置合わせ部材３２７ａおよび２個の位置決め部材３２８ａ、３２８ａに沿って位置付け、位置合わせ部材３２７ａとノッチＷ２を係合することにより、半導体ウエーハＷはその外周部領域が０．５〜５．０ｍｍの幅をもって遮光板３２３ａにおける上記開口３２４ａの外側に載置される。
【００１８】
次に、上記紫外線照射装置３２を構成する遮光板の更に他の実施形態について、図６および図７を参照して説明する。なお、図６および図７に示す遮光板３２３ｂにおいては、上記図５に示す遮光板３２３ａにおける同一部には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
図６および図７に示す実施形態における遮光板３２３ｂは、半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がオリフラＷ１とノッチＷ２の双方に適用可能としたものである。即ち、遮光板３２３ｂは、上記図５に示す半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がノッチＷ２の場合に適用する遮光板３２３ａに、半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がオリフラＷ１の場合に適用するように切り換える切り換え板４０を装着したものである。切り換え板４０は、遮光板３２３ａの上記三角形状の位置合わせ部材３２７ａが設けられている側の一方の縁片にヒンジ４１、４１をによって折り畳み可能に装着されている。切り換え板４０には、図７に示すように折り畳んだ状態で上記三角形状の位置合わせ部材３２７ａを嵌合する三角形状の逃げ穴４０１が形成されている。なお、逃げ穴４０１は、三角形状に限定されるものではなく、位置合わせ部材３２７ａが嵌合できる大きさであればよい。また、切り換え板４０には、遮光板３２３ａとの合わせ面に図７に示すように折り畳んだ状態で半導体ウエーハＷの結晶方位を示すオリフラＷ１と係合する位置合わせ部材４２が突出して設けられている。この位置合わせ部材４２は、オリフラＷ１と係合する係合面４２１が切り換え板４０の他方の縁片より僅かに突出した位置に位置付けられている。
以上のように構成された遮光板３２３ｂは、半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がノッチＷ２である場合には図６で示すように切り換え板４０を開いた状態で使用し、半導体ウエーハＷの結晶方位を示す切欠部がオリフラＷ１である場合には図７に示すように切り換え板４０を折り畳んだ状態で使用する。
【００１９】
図示の実施形態における研削装置１は以上のように構成されており、以下その研削加工の作業手順について図１および図２を参照して説明する。
まず、上述したように半導体ウエーハＷの回路が形成されている表面の全面に、紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有する保護テープＴを貼着する（保護テープ貼着工程）。この表面に保護テープＴが貼着された半導体ウエーハＷは、上記研削前ウエーハ用カセット３１に収納される。研削前ウエーハ用カセット３１に収容された研削加工前の被加工物である表面に保護テープＴが貼着された半導体ウエーハＷは、被加工物搬送手段３６の上下動作および進退動作により搬送され、紫外線照射装置３２の遮光板３２３上に上述したように保護テープＴ側を下にして載置される。このとき、半導体ウエーハＷを上記位置合わせ部材３２５および２個の位置決め部材３２６、３２６に沿って位置付けることにより、半導体ウエーハＷはその外周部が０．５〜５．０ｍｍの幅をもって遮光板３２３における上記開口３２４の外側に載置される。このようにして、紫外線照射装置３２の遮光板３２３上に半導体ウエーハＷが保護テープＴ側を下にして載置されたら、紫外線照射ランプ３２２が点灯される。紫外線照射ランプ３２２の点灯により、半導体ウエーハＷに貼着された保護テープＴは、遮光板３２３上に載置された外周部領域を残して紫外線が照射される（紫外線照射工程）。この結果、保護テープＴは、外周部領域以外の中央部領域の粘着層が半導体ウエーハＷの表面に存在する凹凸を包み込むような状態で硬化するが、外周部領域の粘着層は粘着力が維持されている。
【００２０】
上記のようにして半導体ウエーハＷの表面に貼着された保護テープＴの中央部領域が紫外線照射されたら、半導体ウエーハＷは被加工物搬入手段３６の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０上に載置される。チャックテーブル２０上に研削前の半導体ウエーハＷが載置されたならば、図示しない吸引手段を作動することにより、研削前の半導体ウエーハＷを吸着保持チャック２２上に吸引保持することができる。そして、ターンテーブル１５を図示しない回転駆動機構によって矢印１５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、研削前の半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０を荒研削加工域Ｂに位置付ける。
【００２１】
研削前の半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられると図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転せしめられ、一方、荒研削ユニット１０の研削ホイール１０２が矢印で示す方向に回転せしめられつつ送り機構１１によって所定量下降することにより、チャックテーブル２０上の研削前半導体ウエーハＷに荒研削加工が施される（研削工程）。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられた次のチャックテーブル２０上には、上述したように半導体ウエーハＷの表面に貼着された保護テープＴの中央部領域が紫外線照射されている研削前の半導体ウエーハＷが載置される。次に、ターンテーブル１５を矢印１５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、荒研削加工した半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０を仕上げ研削加工域Ｃに位置付ける。なお、このとき被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削前の半導体ウエーハＷが載置された次のチャックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられ、次の次のチャックテーブル２０が被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられる。
【００２２】
このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル２０上に載置された荒研削加工前の半導体ウエーハＷには荒研削ユニット１０によって荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル２０上に載置され荒研削加工された半導体ウエーハＷには仕上げ研削ユニット１２によって仕上げ研削加工が施される（研削工程）。
上述した荒研削加工および仕上げ研削加工において研削される半導体ウエーハＷは、表面に貼着された保護テープＴの中央部領域の粘着層が半導体ウエーハＷの表面に存在する凹凸を包み込むような状態で硬化されているので、凹凸の影響を無くして研削される。また、上記保護テープＴの外周部領域の粘着層は硬化されずに粘着力が維持されているので、半導体ウエーハの研削時に保護テープから半導体ウエーハや半導体ウエーハの外周部に存在する端材チップが剥離し飛散することを防止できる。
【００２３】
上述したように仕上げ研削ユニット１２によって半導体ウエーハＷに仕上げ研削加工が実施されたならば、ターンテーブル１５を矢印１５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、仕上げ研削加工した研削後の半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０を被加工物搬入・搬出域Ａに位置付ける。なお、荒研削加工域Ｂにおいて荒研削加工された半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削前の半導体ウエーハＷが載置されたチャックテーブル２０は荒研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられる。
【００２４】
なお、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャックテーブル２０は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハＷの吸着保持を解除する。そして、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０上の仕上げ研削加工された半導体ウエーハＷは、被加工物搬出手段３７によって洗浄手段３３に搬送される。洗浄手段３３に搬送された半導体ウエーハＷは、ここで洗浄された後、被加工物搬送手段３５よって研削後ウエーハ用カセット３４の所定位置に収納される。
【００２５】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではない。例えば、実施形態においては、紫外線照射装置３２を研削装置１に配設した例を示したが、紫外線照射装置３２は研削装置１に組み込むことなく独立して設け、半導体ウエーハＷを研削前ウエーハ用カセット３１に収容する前に、半導体ウエーハＷに貼着された保護テープＴの外周部領域を残して中央部領域に紫外線を照射するようにしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】
本発明に係る半導体ウエーハの研削方法及び研削方法に用いる紫外線照射装置は以上のように構成されているで、次の作用効果を奏する。
【００２７】
即ち、本発明によれば、半導体ウエーハの表面に貼着された保護テープの中央部領域の粘着層が半導体ウエーハの表面に存在する凹凸を包み込むような状態で硬化されているので、凹凸の影響を無くして半導体ウエーハの裏面を研削することができる。また、上記保護テープの外周部領域の粘着層は硬化されずに粘着力が維持されているので、半導体ウエーハの研削時に保護テープから半導体ウエーハや半導体ウエーハの外周部に存在する端材チップが剥離し飛散することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体ウエーハの研削方法を実施するための研削装置の斜視図。
【図２】本発明による研削方によって研削される半導体ウエーハおよび該半導体ウエーハの表面に貼着する保護テープを示す斜視図。
【図３】本発明による紫外線照射装置の分解斜視図。
【図４】本発明による紫外線照射装置の一実施形態および該紫外線照射装置によって紫外線照射される保護テープを貼着した半導体ウエーハの斜視図。
【図５】本発明による紫外線照射装置の他の実施形態および該紫外線照射装置によって紫外線照射される保護テープを貼着した半導体ウエーハの斜視図。
【図６】本発明による紫外線照射装置の更に他の実施形態および該紫外線照射装置によって紫外線照射される保護テープを貼着した半導体ウエーハの斜視図。
【図７】図６に示す紫外線照射装置の他の使用形態を示す斜視図。
【符号の説明】
１：研削装置
２：装置ハウジング
４：静止支持板４
６：案内レール
８：案内レール
１０：荒研削ユニット
１０１：ユニットハウジング
１０２：研削ホイール
１０３：回転駆動機構
１０４：移動基台
１０５：被案内レール
１１：送り機構
１１１：雄ねじロッド
１１２：パルスモータ
１２：仕上げ研削ユニット
１２１：ユニットハウジング
１２２：研削ホイール
１２３：回転駆動機構
１２４：移動基台
１２５：被案内レール
１３：送り機構
１３１：雄ねじロッド
１３２：パルスモータ
１５：ターンテーブル
２０：チャックテーブル
２１：チャックテーブルの基台
２２：チャックテーブルの吸着保持チャック
３１：研削前ウエーハ用カセット
３２：紫外線照射装置
３２１：ランプハウジング
３２２：紫外線照射ランプ
３２３：遮光板
３２４、３２４ａ：開口
３２７、３２７ａ：位置合わせ部材
３２８、３２８ａ：位置決め部材
３３：洗浄手段
３３０：スピンナーテーブル
３４：研削後ウエーハ用カセット
３５：被加工物搬送手段
７６：被加工物搬入手段
３７：被加工物搬出手段
４０：切り換え板
４１：ヒンジ
４２：位置合わせ部材
Claims (1)
- 表面に１０μｍ以上の凹凸がある半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着し、該半導体ウエーハを該保護テープ側を下にして該チャックテーブル上に保持し、該チャックテーブル上に保持された該半導体ウエーハの裏面を研削する半導体ウエーハの研削方法であって、
紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有する保護テープを該半導体ウエーハの全表面に貼着する保護テープ貼着工程と、
該半導体ウエーハに貼着された該保護テープの外周領域を残して該保護テープの中央領域に紫外線を照射する紫外線照射工程と、
該半導体ウエーハを紫外線照射された該保護テープ側を下にして該チャックテーブル上に保持し、該半導体ウエーハの表面を研削する研削工程と、を含み、
該紫外線照射工程では、該半導体ウエーハの外径より僅かに小さい相似形の開口部を備えている遮光板に半導体ウエーハを載置し、該遮光板に備えた位置合わせ部材に、該半導体ウエーハの結晶方位を示す切欠部と係合させて、半導体ウエーハを位置合わせするようにした、ことを特徴とする半導体ウエーハの研削方法。
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