JP2002331464A - 切削ブレード - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23D61/00—Tools for sawing machines or sawing devices; Clamping devices for these tools
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- B24D18/0018—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for by electrolytic deposition
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-
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- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
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- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体プレートを切断ラインに沿って切削す
る際に、バリの発生を防止することができるとともに、
容易に製造することができる切削ブレードを提供する。 【解決手段】 環状の切れ刃部が砥粒をメッキで固定し
た電鋳砥粒層によって構成された切削ブレード４３であ
って、環状の切れ刃部は中央電鋳砥粒層４３１と該中央
電鋳砥粒層の両側に形成された外側電鋳砥粒層４３２と
からなっている。中央電鋳砥粒層は集中度の低い砥粒層
で形成され、外側電鋳砥粒層は中央電鋳砥粒層より集中
度の高い砥粒層で形成されている。
る際に、バリの発生を防止することができるとともに、
容易に製造することができる切削ブレードを提供する。 【解決手段】 環状の切れ刃部が砥粒をメッキで固定し
た電鋳砥粒層によって構成された切削ブレード４３であ
って、環状の切れ刃部は中央電鋳砥粒層４３１と該中央
電鋳砥粒層の両側に形成された外側電鋳砥粒層４３２と
からなっている。中央電鋳砥粒層は集中度の低い砥粒層
で形成され、外側電鋳砥粒層は中央電鋳砥粒層より集中
度の高い砥粒層で形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体プレート、
特に、複数個の半導体チップをマトリックス状に配設
し、隣接する半導体チップを複数の電極によって接続す
るとともに、マトリックス状に配設した複数個の半導体
チップを樹脂モールディングした半導体プレートを、上
記電極の中間部を通して形成された切断ラインに沿って
切削するのに適した切削ブレードに関する。
特に、複数個の半導体チップをマトリックス状に配設
し、隣接する半導体チップを複数の電極によって接続す
るとともに、マトリックス状に配設した複数個の半導体
チップを樹脂モールディングした半導体プレートを、上
記電極の中間部を通して形成された切断ラインに沿って
切削するのに適した切削ブレードに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造工程においては、略
円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列さ
れた多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成し、該回
路が形成された各領域を所定のストリートといわれる切
断ラインに沿ってダイシングすることにより個々の半導
体チップを製造している。このようにして分割された半
導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコ
ン等の電気機器に広く利用されている。携帯電話やパソ
コン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められてお
り、半導体チップのパッケージもチップサイズパッケー
ジ（ＣＳＰ）と称する小型化できるパッケージ技術が開
発されている。チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）技術
の一つとして、Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄ
Ｐａｃｋａｇｅ（ＱＦＮ）と称するパッケージ技術が
実用化されている。このＱＦＮと称するパッケージ技術
について、図６および図７を参照して説明する。ＱＦＮ
と称するパッケージ技術は、複数個の半導体チップ１０
１（図７参照）をマトリックス状に配設し、図６に示す
ように隣接する半導体チップを複数の電極１０２によっ
て接続するとともに、マトリックス状に配設した複数個
の半導体チップを樹脂モールディング１０３して半導体
プレート１０を形成する。この半導体プレート１０を隣
接する半導体チップを接続する電極１０２の中間部を通
して形成されたストリートといわれる切断ライン１０４
に沿って切断することにより、図７に示すように個々に
パッケージされた半導体チップ（半導体パッケージ）１
００に分割される。なお、上記電極１０２および切断ラ
イン１０４は銅板等の金属板によって形成されている。
上記半導体プレート１０の切断は、一般にダイシング装
置とよばれる精密切削装置によって施される。このダイ
シング装置は、環状の砥粒層を備えた切削ブレードを備
え、この切削ブレードを回転させつつ半導体プレート１
０に形成された切断ライン１０４に沿って相対移動する
ことにより、半導体プレート１０を切断ライン１０４に
沿って切削し、図７に示すように個々の半導体パッケー
ジ１００に分割する。
円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列さ
れた多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成し、該回
路が形成された各領域を所定のストリートといわれる切
断ラインに沿ってダイシングすることにより個々の半導
体チップを製造している。このようにして分割された半
導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコ
ン等の電気機器に広く利用されている。携帯電話やパソ
コン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められてお
り、半導体チップのパッケージもチップサイズパッケー
ジ（ＣＳＰ）と称する小型化できるパッケージ技術が開
発されている。チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）技術
の一つとして、Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄ
Ｐａｃｋａｇｅ（ＱＦＮ）と称するパッケージ技術が
実用化されている。このＱＦＮと称するパッケージ技術
について、図６および図７を参照して説明する。ＱＦＮ
と称するパッケージ技術は、複数個の半導体チップ１０
１（図７参照）をマトリックス状に配設し、図６に示す
ように隣接する半導体チップを複数の電極１０２によっ
て接続するとともに、マトリックス状に配設した複数個
の半導体チップを樹脂モールディング１０３して半導体
プレート１０を形成する。この半導体プレート１０を隣
接する半導体チップを接続する電極１０２の中間部を通
して形成されたストリートといわれる切断ライン１０４
に沿って切断することにより、図７に示すように個々に
パッケージされた半導体チップ（半導体パッケージ）１
００に分割される。なお、上記電極１０２および切断ラ
イン１０４は銅板等の金属板によって形成されている。
上記半導体プレート１０の切断は、一般にダイシング装
置とよばれる精密切削装置によって施される。このダイ
シング装置は、環状の砥粒層を備えた切削ブレードを備
え、この切削ブレードを回転させつつ半導体プレート１
０に形成された切断ライン１０４に沿って相対移動する
ことにより、半導体プレート１０を切断ライン１０４に
沿って切削し、図７に示すように個々の半導体パッケー
ジ１００に分割する。
【０００３】しかるに、上記半導体プレート１０の状態
において隣接する半導体チップ１０１を接続している電
極１０２は銅板等の金属板からなっており、この電極１
０２の中間部をストリート１０４に沿って図８に示すよ
うに切削ブレード２０によって切削するとバリ１１０が
発生し、このバリ１１０が図７に示すように個々の半導
体パッケージ１０の電極１０２間を短絡させるという問
題がある。このバリ１１０の発生は、切削ブレード２０
の外周面が凸状円弧面に形成されているため、銅のよう
に軟らかく粘りのある材料からなる電極１０２を切削す
る際に発生すバリが、切削ブレード２０の両側に押し出
されるためであることが判った。
において隣接する半導体チップ１０１を接続している電
極１０２は銅板等の金属板からなっており、この電極１
０２の中間部をストリート１０４に沿って図８に示すよ
うに切削ブレード２０によって切削するとバリ１１０が
発生し、このバリ１１０が図７に示すように個々の半導
体パッケージ１０の電極１０２間を短絡させるという問
題がある。このバリ１１０の発生は、切削ブレード２０
の外周面が凸状円弧面に形成されているため、銅のよう
に軟らかく粘りのある材料からなる電極１０２を切削す
る際に発生すバリが、切削ブレード２０の両側に押し出
されるためであることが判った。
【０００４】そこで、本出願人は、上記半導体プレート
を切断ラインに沿って切削ブレードによって切削する際
に、バリの発生を防止することができる切削ブレードと
して、環状の中央砥粒層と該中央砥粒層の両側にそれぞ
れ設けられた外側砥粒層とからなり、中央砥粒層が外側
砥粒層より小径に形成し外周に環状凹部を形成した切削
ブレードを特願２０００−３０７５４として提案した。
を切断ラインに沿って切削ブレードによって切削する際
に、バリの発生を防止することができる切削ブレードと
して、環状の中央砥粒層と該中央砥粒層の両側にそれぞ
れ設けられた外側砥粒層とからなり、中央砥粒層が外側
砥粒層より小径に形成し外周に環状凹部を形成した切削
ブレードを特願２０００−３０７５４として提案した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した切削ブレード
を用いることによってバリを発生させることなく半導体
プレートを切断することはできるが、切削ブレードを製
造する面で必ずしも満足し得るものではなく、更なる改
良が望まれる。
を用いることによってバリを発生させることなく半導体
プレートを切断することはできるが、切削ブレードを製
造する面で必ずしも満足し得るものではなく、更なる改
良が望まれる。
【０００６】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、上記半導体プレートを切
断ラインに沿って切削する際に、バリの発生を防止する
ことができるとともに、容易に製造することができる切
削ブレードを提供することにある。
あり、その主たる技術課題は、上記半導体プレートを切
断ラインに沿って切削する際に、バリの発生を防止する
ことができるとともに、容易に製造することができる切
削ブレードを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、環状の切れ刃部が砥粒を
メッキで固定した電鋳砥粒層によって構成された切削ブ
レードであって、該環状の切れ刃部は、中央電鋳砥粒層
と該中央電鋳砥粒層の両側に形成された外側電鋳砥粒層
とからなり、該中央電鋳砥粒層は集中度の低い砥粒層で
形成され、該外側電鋳砥粒層は該中央電鋳砥粒層より集
中度の高い砥粒層で形成されている、ことを特徴とする
切削ブレードが提供される。
決するため、本発明によれば、環状の切れ刃部が砥粒を
メッキで固定した電鋳砥粒層によって構成された切削ブ
レードであって、該環状の切れ刃部は、中央電鋳砥粒層
と該中央電鋳砥粒層の両側に形成された外側電鋳砥粒層
とからなり、該中央電鋳砥粒層は集中度の低い砥粒層で
形成され、該外側電鋳砥粒層は該中央電鋳砥粒層より集
中度の高い砥粒層で形成されている、ことを特徴とする
切削ブレードが提供される。
【０００８】上記中央電鋳砥粒層は集中度が０〜１００
の砥粒層で形成され、該外側電鋳砥粒層は集中度が２０
０〜３００の砥粒層で形成されていることが望ましい。
また、上記砥粒の粒径は、上記環状の切れ刃部の厚さに
対して１／１０〜１／３に設定されている。環状の切れ
刃部の厚さは２００〜３００μｍに設定されており、該
砥粒の粒径は２０〜６０μｍに設定されていることが望
ましい。更に、上記砥粒は、ダイヤモンド砥粒であるこ
とが望ましい。
の砥粒層で形成され、該外側電鋳砥粒層は集中度が２０
０〜３００の砥粒層で形成されていることが望ましい。
また、上記砥粒の粒径は、上記環状の切れ刃部の厚さに
対して１／１０〜１／３に設定されている。環状の切れ
刃部の厚さは２００〜３００μｍに設定されており、該
砥粒の粒径は２０〜６０μｍに設定されていることが望
ましい。更に、上記砥粒は、ダイヤモンド砥粒であるこ
とが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による切削ブレード
の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に
説明する。
の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に
説明する。
【００１０】図１には、本発明による半導体プレートの
分割方法を実施するための切削装置としてのダイシング
装置の斜視図が示されている。図示の実施形態における
ダイシング装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具
備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を
保持するチャックテーブル３が切削送り方向である矢印
Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテ
ーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャッ
ク支持台３１上に装着された吸着チャック３２を具備し
ており、該吸着チャック３２の表面である載置面上に被
加工物である上記図７に示す半導体プレート１０を図示
しない吸引手段によって保持するようになっている。ま
た、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によっ
て回動可能に構成されている。
分割方法を実施するための切削装置としてのダイシング
装置の斜視図が示されている。図示の実施形態における
ダイシング装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具
備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を
保持するチャックテーブル３が切削送り方向である矢印
Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテ
ーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャッ
ク支持台３１上に装着された吸着チャック３２を具備し
ており、該吸着チャック３２の表面である載置面上に被
加工物である上記図７に示す半導体プレート１０を図示
しない吸引手段によって保持するようになっている。ま
た、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によっ
て回動可能に構成されている。
【００１１】図示の実施形態におけるダイシング装置
は、切削手段としてのスピンドルユニット４を具備して
いる。スピンドルユニット４は、図示しない移動基台に
装着され割り出し方向である矢印Ｙで示す方向および切
り込み方向である矢印Ｚで示す方向に移動調整されるス
ピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４
１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によっ
て回転駆動される回転スピンドル４２と、該回転スピン
ドル４２に装着された切削ブレード４３とを具備してい
る。なお、切削ブレード４３については、後で詳細に説
明する。
は、切削手段としてのスピンドルユニット４を具備して
いる。スピンドルユニット４は、図示しない移動基台に
装着され割り出し方向である矢印Ｙで示す方向および切
り込み方向である矢印Ｚで示す方向に移動調整されるス
ピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４
１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によっ
て回転駆動される回転スピンドル４２と、該回転スピン
ドル４２に装着された切削ブレード４３とを具備してい
る。なお、切削ブレード４３については、後で詳細に説
明する。
【００１２】図示の実施形態におけるダイシング装置
は、上記チャックテーブル３を構成する吸着チャック３
２の表面に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切
削ブレード４３によって切削すべき領域を検出したり、
切削溝の状態を確認したりするための撮像機構５を具備
している。この撮像機構５は顕微鏡やＣＣＤカメラ等の
光学手段からなっている。また、ダイシング装置は、撮
像機構２０によって撮像された画像を表示する表示手段
６を具備している。
は、上記チャックテーブル３を構成する吸着チャック３
２の表面に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切
削ブレード４３によって切削すべき領域を検出したり、
切削溝の状態を確認したりするための撮像機構５を具備
している。この撮像機構５は顕微鏡やＣＣＤカメラ等の
光学手段からなっている。また、ダイシング装置は、撮
像機構２０によって撮像された画像を表示する表示手段
６を具備している。
【００１３】図示の実施形態におけるダイシング装置
は、被加工物をストックするカセット７を具備してい
る。なお、被加工物は図示の実施形態においては、上記
図６に示す半導体プレート１０が用いられる。半導体プ
レート１０は、支持フレーム８にテープ９によって支持
されており、支持フレーム９に支持された状態で上記カ
セット７に収容される。なお、カセット７は、図示しな
い昇降手段によって上下に移動可能に配設されたカセッ
トテーブル７１上に載置される。
は、被加工物をストックするカセット７を具備してい
る。なお、被加工物は図示の実施形態においては、上記
図６に示す半導体プレート１０が用いられる。半導体プ
レート１０は、支持フレーム８にテープ９によって支持
されており、支持フレーム９に支持された状態で上記カ
セット７に収容される。なお、カセット７は、図示しな
い昇降手段によって上下に移動可能に配設されたカセッ
トテーブル７１上に載置される。
【００１４】図示の実施形態におけるダイシング装置
は、カセット７に収容された被加工物としての支持フレ
ーム８にテープ９を介して支持された状態の半導体プレ
ート１０を被加工物載置領域１１に搬出する被加工物搬
出手段１２と、該被加工物搬出手段１２によって搬出さ
れた半導体プレート１０を上記チャックテーブル３上に
搬送する被加工物搬送手段１３と、チャックテーブル３
で切削加工された半導体プレート１０を洗浄する洗浄手
段１４と、チャックテーブル３で切削加工された半導体
プレート１０を洗浄手段１４へ搬送する洗浄搬送手段１
５を具備している。
は、カセット７に収容された被加工物としての支持フレ
ーム８にテープ９を介して支持された状態の半導体プレ
ート１０を被加工物載置領域１１に搬出する被加工物搬
出手段１２と、該被加工物搬出手段１２によって搬出さ
れた半導体プレート１０を上記チャックテーブル３上に
搬送する被加工物搬送手段１３と、チャックテーブル３
で切削加工された半導体プレート１０を洗浄する洗浄手
段１４と、チャックテーブル３で切削加工された半導体
プレート１０を洗浄手段１４へ搬送する洗浄搬送手段１
５を具備している。
【００１５】次に、上述したダイシング装置の加工処理
動作について簡単に説明する。カセット７の所定位置に
収容された支持フレーム８にテープ９を介して支持され
た状態の半導体プレート１０（以下、支持フレーム８に
テープ９によって支持された状態の半導体プレート１０
を単に半導体プレート１０という）は、図示しない昇降
手段によってカセットテーブル７１が上下動することに
より搬出位置に位置付けられる。次に、被加工物搬出手
段１２が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体
プレート１０を被加工物載置領域１１に搬出する。被加
工物載置領域１１に搬出された半導体プレート１０は、
被加工物搬送手段１３の旋回動作によって上記チャック
テーブル３を構成する吸着チャック３２の載置面に搬送
され、該吸着チャック３２に吸引保持される。このよう
にして半導体プレート１０を吸引保持したチャックテー
ブル３は、撮像機構５の直下まで移動せしめられる。チ
ャックテーブル３が撮像機構５の直下に位置付けられる
と、撮像機構５によって半導体プレート１０に形成され
ている切断ライン１０４（図６参照）が検出され、スピ
ンドルユニット４の割り出し方向である矢印Ｙ方向に移
動調節して精密位置合わせ作業が行われる。
動作について簡単に説明する。カセット７の所定位置に
収容された支持フレーム８にテープ９を介して支持され
た状態の半導体プレート１０（以下、支持フレーム８に
テープ９によって支持された状態の半導体プレート１０
を単に半導体プレート１０という）は、図示しない昇降
手段によってカセットテーブル７１が上下動することに
より搬出位置に位置付けられる。次に、被加工物搬出手
段１２が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体
プレート１０を被加工物載置領域１１に搬出する。被加
工物載置領域１１に搬出された半導体プレート１０は、
被加工物搬送手段１３の旋回動作によって上記チャック
テーブル３を構成する吸着チャック３２の載置面に搬送
され、該吸着チャック３２に吸引保持される。このよう
にして半導体プレート１０を吸引保持したチャックテー
ブル３は、撮像機構５の直下まで移動せしめられる。チ
ャックテーブル３が撮像機構５の直下に位置付けられる
と、撮像機構５によって半導体プレート１０に形成され
ている切断ライン１０４（図６参照）が検出され、スピ
ンドルユニット４の割り出し方向である矢印Ｙ方向に移
動調節して精密位置合わせ作業が行われる。
【００１６】その後、切削ブレード４３を所定の方向に
回転させつつ、半導体プレート１０を吸引保持したチャ
ックテーブル３を切削送り方向である矢印Ｘで示す方向
（切削ブレード４３の回転軸と直交する方向）に例えば
３０ｍｍ／秒の切削送り速度で移動することにより、チ
ャックテーブル３に保持された半導体プレート１０は切
削ブレード４３により所定の切断ライン（ストリート）
に沿って切断される。即ち、切削ブレード４３は割り出
し方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向であ
る矢印Ｚで示す方向に移動調整されて位置決めされたス
ピンドルユニット４に装着され、回転駆動されているの
で、チャックテーブル３を切削ブレード４３の下側に沿
って切削送り方向に移動することにより、チャックテー
ブル３に保持された半導体プレート１０は切削ブレード
４３により所定の切断ライン１０４に沿って切削され
る。切断ライン１０４に沿って切断すると、半導体プレ
ート１０は個々にパッケージされた半導体チップ（半導
体パッケージ）１００に分割される。分割された半導体
パッケージ１００は、テープ９の作用によってバラバラ
にはならず、フレーム８に支持された半導体プレート１
０の状態が維持されている。このようにして半導体プレ
ート１０の切断が終了した後、半導体プレート１０を保
持したチャックテーブル３は、最初に半導体プレート１
０を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体プレート
１０の吸引保持を解除する。次に、半導体プレート１０
は、洗浄搬送手段１５によって洗浄手段１４に搬送さ
れ、ここで洗浄される。このようにして洗浄された半導
体プレート１０は、被加工物搬送手段１３によって被加
工物載置領域１１に搬出される。そして、半導体プレー
ト１０は、被加工物搬出手段１２によってカセット７の
所定位置に収納される。
回転させつつ、半導体プレート１０を吸引保持したチャ
ックテーブル３を切削送り方向である矢印Ｘで示す方向
（切削ブレード４３の回転軸と直交する方向）に例えば
３０ｍｍ／秒の切削送り速度で移動することにより、チ
ャックテーブル３に保持された半導体プレート１０は切
削ブレード４３により所定の切断ライン（ストリート）
に沿って切断される。即ち、切削ブレード４３は割り出
し方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向であ
る矢印Ｚで示す方向に移動調整されて位置決めされたス
ピンドルユニット４に装着され、回転駆動されているの
で、チャックテーブル３を切削ブレード４３の下側に沿
って切削送り方向に移動することにより、チャックテー
ブル３に保持された半導体プレート１０は切削ブレード
４３により所定の切断ライン１０４に沿って切削され
る。切断ライン１０４に沿って切断すると、半導体プレ
ート１０は個々にパッケージされた半導体チップ（半導
体パッケージ）１００に分割される。分割された半導体
パッケージ１００は、テープ９の作用によってバラバラ
にはならず、フレーム８に支持された半導体プレート１
０の状態が維持されている。このようにして半導体プレ
ート１０の切断が終了した後、半導体プレート１０を保
持したチャックテーブル３は、最初に半導体プレート１
０を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体プレート
１０の吸引保持を解除する。次に、半導体プレート１０
は、洗浄搬送手段１５によって洗浄手段１４に搬送さ
れ、ここで洗浄される。このようにして洗浄された半導
体プレート１０は、被加工物搬送手段１３によって被加
工物載置領域１１に搬出される。そして、半導体プレー
ト１０は、被加工物搬出手段１２によってカセット７の
所定位置に収納される。
【００１７】次に、本発明に従って構成された切削ブレ
ード４３の一実施形態について図２および図３を参照し
て説明する。図２および図３に示す実施形態における切
削ブレード４３はワッシャータイプブレードであり、環
状の切れ刃部４３０が砥粒をメッキで固定した３層の電
鋳砥粒層によって構成されており、中心部には上記回転
スピンドル４２に装着するための取付け穴４３３が形成
されている。環状の切れ刃部４３０は、中央電鋳砥粒層
４３１と該中央電鋳砥粒層４３１の両側にそれぞれ形成
された外側電鋳砥粒層４３２、４３２とからなってい
る。中央電鋳砥粒層４３１は集中度の低い砥粒層で形成
され、外側電鋳砥粒層４３２、４３２は中央電鋳砥粒層
４３１より集中度の高い砥粒層で形成されている。中央
電鋳砥粒層４３１の砥粒の集中度は０〜１００が望まし
く、外側電鋳砥粒層４３２、４３２の砥粒の集中度は２
００〜３００が望ましい。なお、砥粒の集中度は０〜４
００に規定されており、集中度０は砥粒が０％、集中度
２００は砥粒が５０％、集中度４００は砥粒が１００％
である。また、砥粒の粒径は環状の切れ刃部４３０の厚
さに対して１／１０〜１／３に設定することが望まし
く、環状の切れ刃部４３０の厚さを２００〜３００μｍ
に設定し、砥粒の粒径を２０〜６０μｍに設定すること
が望ましい。なお、砥粒は、ダイヤモンド砥粒を用いる
ことが望ましい。
ード４３の一実施形態について図２および図３を参照し
て説明する。図２および図３に示す実施形態における切
削ブレード４３はワッシャータイプブレードであり、環
状の切れ刃部４３０が砥粒をメッキで固定した３層の電
鋳砥粒層によって構成されており、中心部には上記回転
スピンドル４２に装着するための取付け穴４３３が形成
されている。環状の切れ刃部４３０は、中央電鋳砥粒層
４３１と該中央電鋳砥粒層４３１の両側にそれぞれ形成
された外側電鋳砥粒層４３２、４３２とからなってい
る。中央電鋳砥粒層４３１は集中度の低い砥粒層で形成
され、外側電鋳砥粒層４３２、４３２は中央電鋳砥粒層
４３１より集中度の高い砥粒層で形成されている。中央
電鋳砥粒層４３１の砥粒の集中度は０〜１００が望まし
く、外側電鋳砥粒層４３２、４３２の砥粒の集中度は２
００〜３００が望ましい。なお、砥粒の集中度は０〜４
００に規定されており、集中度０は砥粒が０％、集中度
２００は砥粒が５０％、集中度４００は砥粒が１００％
である。また、砥粒の粒径は環状の切れ刃部４３０の厚
さに対して１／１０〜１／３に設定することが望まし
く、環状の切れ刃部４３０の厚さを２００〜３００μｍ
に設定し、砥粒の粒径を２０〜６０μｍに設定すること
が望ましい。なお、砥粒は、ダイヤモンド砥粒を用いる
ことが望ましい。
【００１８】上記のように構成された切削ブレード４３
の環状の切れ刃部４３０の製造方法の一例について説明
する。先ず、中央電鋳砥粒層４３１を周知の電鋳法によ
って製作する。即ち、メッキ槽に収容された硫酸ニッケ
ル液に集中度が０〜１００になるように粒径が２０〜６
０μｍのダイヤモンド砥粒を混入せしめ、この硫酸ニッ
ケル液にダイヤモンド砥粒が混入したメッキ液中でアル
ミニウムからなる環状基板の片面にニッケルメッキする
ことにより、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定
した複合メッキ層（ダイヤモンド砥粒の集中度が０〜１
００）を形成する。なお、この複合メッキ層からなる中
央電鋳砥粒層４３１は、厚さが７０μｍ程度に形成され
る。そして、環状基板の片面に形成された複合メッキ層
を環状基板から剥離するか、環状基板を水酸化ナトリウ
ム等のエッチング溶液で溶解除去して中央電鋳砥粒層４
３１を形成する。
の環状の切れ刃部４３０の製造方法の一例について説明
する。先ず、中央電鋳砥粒層４３１を周知の電鋳法によ
って製作する。即ち、メッキ槽に収容された硫酸ニッケ
ル液に集中度が０〜１００になるように粒径が２０〜６
０μｍのダイヤモンド砥粒を混入せしめ、この硫酸ニッ
ケル液にダイヤモンド砥粒が混入したメッキ液中でアル
ミニウムからなる環状基板の片面にニッケルメッキする
ことにより、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定
した複合メッキ層（ダイヤモンド砥粒の集中度が０〜１
００）を形成する。なお、この複合メッキ層からなる中
央電鋳砥粒層４３１は、厚さが７０μｍ程度に形成され
る。そして、環状基板の片面に形成された複合メッキ層
を環状基板から剥離するか、環状基板を水酸化ナトリウ
ム等のエッチング溶液で溶解除去して中央電鋳砥粒層４
３１を形成する。
【００１９】次に、中央電鋳砥粒層４３１の両面に、電
鋳法によって外側電鋳砥粒層４３２、４３２を形成す
る。即ち、メッキ槽に収容された硫酸ニッケル液に集中
度が２００〜３００になるように粒径が２０〜６０μｍ
のダイヤモンド砥粒を混入したメッキ液中で上記中央電
鋳砥粒層４３１の両面にニッケルメッキすることによ
り、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定した複合
メッキ層（ダイヤモンド砥粒の集中度が２００〜３０
０）からなる外側電鋳砥粒層４３２、４３２を形成す
る。なお、この複合メッキ層からなる外側電鋳砥粒層４
３２、４３２は、厚さが１００μｍ程度に形成される。
鋳法によって外側電鋳砥粒層４３２、４３２を形成す
る。即ち、メッキ槽に収容された硫酸ニッケル液に集中
度が２００〜３００になるように粒径が２０〜６０μｍ
のダイヤモンド砥粒を混入したメッキ液中で上記中央電
鋳砥粒層４３１の両面にニッケルメッキすることによ
り、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定した複合
メッキ層（ダイヤモンド砥粒の集中度が２００〜３０
０）からなる外側電鋳砥粒層４３２、４３２を形成す
る。なお、この複合メッキ層からなる外側電鋳砥粒層４
３２、４３２は、厚さが１００μｍ程度に形成される。
【００２０】以上のようにして、図３に示すように中央
電鋳砥粒層４３１と該中央電鋳砥粒層４３１の両側にそ
れぞれ形成された外側電鋳砥粒層４３２、４３２とから
なる切れ刃部４３０を有する切削ブレード４３が構成さ
れたならば、その外周を適宜のドレスボードでドレッシ
ングすると、中央電鋳砥粒層４３１は外側電鋳砥粒層４
３２、４３２より集中度が低い砥粒層によって形成され
ているので、図２に示すように多量に磨耗し、環状の切
れ刃部４３０の外周には幅方向中央部に環状凹部４３４
が形成される。
電鋳砥粒層４３１と該中央電鋳砥粒層４３１の両側にそ
れぞれ形成された外側電鋳砥粒層４３２、４３２とから
なる切れ刃部４３０を有する切削ブレード４３が構成さ
れたならば、その外周を適宜のドレスボードでドレッシ
ングすると、中央電鋳砥粒層４３１は外側電鋳砥粒層４
３２、４３２より集中度が低い砥粒層によって形成され
ているので、図２に示すように多量に磨耗し、環状の切
れ刃部４３０の外周には幅方向中央部に環状凹部４３４
が形成される。
【００２１】図４には、上記のようにして構成された切
削ブレード４３を用い、上記図６に示す半導体プレート
１０を電極１０２の中間部を通して形成された切断ライ
ン１０４に沿って切削した状態が示されている。即ち、
切削ブレード４３を回転させつつ半導体プレート１０を
半導体プレート１０に形成された切断ライン１０４に沿
って相対移動すると、図４に示すように、切削ブレード
４３を構成する切れ刃部４３０の外周には幅方向中央部
に環状凹部４３４が形成されているので、切削の際に生
ずる切り粉は環状凹部４３４側に取り込まれ、切削ブレ
ード４３の回転に伴って排除されるので、上記図７およ
び図８に示すようなバリ１１０が発生しない。また、上
述した切削ブレード４３を構成する環状の切れ刃部４３
０は、周知の電鋳法によって形成することができるの
で、その製造が容易である。
削ブレード４３を用い、上記図６に示す半導体プレート
１０を電極１０２の中間部を通して形成された切断ライ
ン１０４に沿って切削した状態が示されている。即ち、
切削ブレード４３を回転させつつ半導体プレート１０を
半導体プレート１０に形成された切断ライン１０４に沿
って相対移動すると、図４に示すように、切削ブレード
４３を構成する切れ刃部４３０の外周には幅方向中央部
に環状凹部４３４が形成されているので、切削の際に生
ずる切り粉は環状凹部４３４側に取り込まれ、切削ブレ
ード４３の回転に伴って排除されるので、上記図７およ
び図８に示すようなバリ１１０が発生しない。また、上
述した切削ブレード４３を構成する環状の切れ刃部４３
０は、周知の電鋳法によって形成することができるの
で、その製造が容易である。
【００２２】次に、本発明に従って構成された切削ブレ
ードの他の実施形態について図５を参照して説明する。
図５に示す実施形態における切削ブレード４３ａはハブ
タイプブレードであり、上記回転スピンドル４２に装着
するためのハブ４５５ａと、該ハブ４５５ａの片面外周
部に装着された環状の切れ刃部４３０ａとから構成され
ている。切れ刃部４３０ａは、上述した切削ブレード４
３の切れ刃部４３０と同様に砥粒をメッキで固定した３
層の電鋳砥粒層によって構成されている。即ち、環状の
切れ刃部４３０ａは、中央電鋳砥粒層４３１ａと該中央
電鋳砥粒層４３１ａの両側にそれぞれ形成された外側電
鋳砥粒層４３２ａ、４３２ａとからなっている。中央電
鋳砥粒層４３１ａは集中度の低い砥粒層（例えば、砥粒
の集中度が０〜１００）で形成され、外側電鋳砥粒層４
３２ａ、４３２ａは中央電鋳砥粒層４３１ａより集中度
の高い砥粒層（例えば、砥粒の集中度が２００〜３０
０）で形成されている。
ードの他の実施形態について図５を参照して説明する。
図５に示す実施形態における切削ブレード４３ａはハブ
タイプブレードであり、上記回転スピンドル４２に装着
するためのハブ４５５ａと、該ハブ４５５ａの片面外周
部に装着された環状の切れ刃部４３０ａとから構成され
ている。切れ刃部４３０ａは、上述した切削ブレード４
３の切れ刃部４３０と同様に砥粒をメッキで固定した３
層の電鋳砥粒層によって構成されている。即ち、環状の
切れ刃部４３０ａは、中央電鋳砥粒層４３１ａと該中央
電鋳砥粒層４３１ａの両側にそれぞれ形成された外側電
鋳砥粒層４３２ａ、４３２ａとからなっている。中央電
鋳砥粒層４３１ａは集中度の低い砥粒層（例えば、砥粒
の集中度が０〜１００）で形成され、外側電鋳砥粒層４
３２ａ、４３２ａは中央電鋳砥粒層４３１ａより集中度
の高い砥粒層（例えば、砥粒の集中度が２００〜３０
０）で形成されている。
【００２３】上記のように構成されたハブタイプの切削
ブレード４３ａの製造方法の一例について説明する。先
ず、ハブ４５５ａの片面に一方の外側電鋳砥粒層４３２
ａを周知の電鋳法によって形成する。即ち、アルミニウ
ムからなる環状ハブ４５５ａを片面の外周部を残してマ
スキングし、この片面の外周部を残してマスキングした
環状ハブ４５５ａを、硫酸ニッケル液に集中度が２００
〜３００になるように粒径が２０〜６０μｍのダイヤモ
ンド砥粒を混入せしめたメッキ液中でニッケルメッキす
る。この結果、ハブ４５５ａの片面外周部には、ダイヤ
モンド砥粒をニッケルメッキで固定した環状の複合メッ
キ層（ダイヤモンド砥粒の集中度が２００〜３００）が
形成される。なお、この複合メッキ層からなる外側電鋳
砥粒層４３２ａは、厚さが１００μｍ程度に形成され
る。
ブレード４３ａの製造方法の一例について説明する。先
ず、ハブ４５５ａの片面に一方の外側電鋳砥粒層４３２
ａを周知の電鋳法によって形成する。即ち、アルミニウ
ムからなる環状ハブ４５５ａを片面の外周部を残してマ
スキングし、この片面の外周部を残してマスキングした
環状ハブ４５５ａを、硫酸ニッケル液に集中度が２００
〜３００になるように粒径が２０〜６０μｍのダイヤモ
ンド砥粒を混入せしめたメッキ液中でニッケルメッキす
る。この結果、ハブ４５５ａの片面外周部には、ダイヤ
モンド砥粒をニッケルメッキで固定した環状の複合メッ
キ層（ダイヤモンド砥粒の集中度が２００〜３００）が
形成される。なお、この複合メッキ層からなる外側電鋳
砥粒層４３２ａは、厚さが１００μｍ程度に形成され
る。
【００２４】次に、ハブ４５５ａの片面外周部に形成さ
れた一方の外側電鋳砥粒層４３２ａの表面に中央電鋳砥
粒層４３１ａを電鋳法によって形成する。即ち、片面外
周部に外側電鋳砥粒層４３２ａが形成されたハブ４５５
ａを、硫酸ニッケル液に集中度が０〜１００になるよう
に粒径が２０〜６０μｍのダイヤモンド砥粒を混入せし
めたメッキ液中でニッケルメッキする。この結果、ハブ
４５５ａの片面外周部に形成された外側電鋳砥粒層４３
２ａの表面には、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで
固定した環状の複合メッキ層（ダイヤモンド砥粒の集中
度が０〜１００）が形成される。なお、この複合メッキ
層からなる中央電鋳砥粒層４３１ａは、厚さが７０μｍ
程度に形成される。
れた一方の外側電鋳砥粒層４３２ａの表面に中央電鋳砥
粒層４３１ａを電鋳法によって形成する。即ち、片面外
周部に外側電鋳砥粒層４３２ａが形成されたハブ４５５
ａを、硫酸ニッケル液に集中度が０〜１００になるよう
に粒径が２０〜６０μｍのダイヤモンド砥粒を混入せし
めたメッキ液中でニッケルメッキする。この結果、ハブ
４５５ａの片面外周部に形成された外側電鋳砥粒層４３
２ａの表面には、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで
固定した環状の複合メッキ層（ダイヤモンド砥粒の集中
度が０〜１００）が形成される。なお、この複合メッキ
層からなる中央電鋳砥粒層４３１ａは、厚さが７０μｍ
程度に形成される。
【００２５】次に、上記一方の外側電鋳砥粒層４３２ａ
の表面に形成された中央電鋳砥粒層４３１ａの表面に他
方の外側電鋳砥粒層４３２ａを電鋳法によって形成す
る。即ち、片面外周部に一方の外側電鋳砥粒層４３２ａ
および中央電鋳砥粒層４３１ａが形成されたハブ４５５
ａを、硫酸ニッケル液に集中度が２００〜３００になる
ように粒径が２０〜６０μｍのダイヤモンド砥粒を混入
せしめたメッキ液中でニッケルメッキする。この結果、
上記中央電鋳砥粒層４３１ａの表面には、ダイヤモンド
砥粒をニッケルメッキで固定した環状の複合メッキ層
（ダイヤモンド砥粒の集中度が２００〜３００）が形成
される。なお、この複合メッキ層からなる他方の外側電
鋳砥粒層４３２ａは、厚さが１００μｍ程度に形成され
る。
の表面に形成された中央電鋳砥粒層４３１ａの表面に他
方の外側電鋳砥粒層４３２ａを電鋳法によって形成す
る。即ち、片面外周部に一方の外側電鋳砥粒層４３２ａ
および中央電鋳砥粒層４３１ａが形成されたハブ４５５
ａを、硫酸ニッケル液に集中度が２００〜３００になる
ように粒径が２０〜６０μｍのダイヤモンド砥粒を混入
せしめたメッキ液中でニッケルメッキする。この結果、
上記中央電鋳砥粒層４３１ａの表面には、ダイヤモンド
砥粒をニッケルメッキで固定した環状の複合メッキ層
（ダイヤモンド砥粒の集中度が２００〜３００）が形成
される。なお、この複合メッキ層からなる他方の外側電
鋳砥粒層４３２ａは、厚さが１００μｍ程度に形成され
る。
【００２６】以上のようにして、ハブ４５５ａの片面外
周部に一方の外側電鋳砥粒層４３２ａと中央電鋳砥粒層
４３１ａおよび他方の外側電鋳砥粒層４３２ａが形成さ
れたら、ハブ４５５ａの外周先端部を水酸化ナトリウム
等のエッチング溶液で溶解除去することにより、ハブ４
５５ａの外周部に３層の電鋳砥粒層からなる環状の切れ
刃部４３０ａが形成される。そして、ハブ４５５ａの外
周部に３層の電鋳砥粒層からなる環状の切れ刃部４３０
ａを装着したハブタイプの切削ブレード４３ａの外周
を、適宜のドレスボードでドレッシングすると、上記切
削ブレード４３と同様に中央電着砥粒層４３１ａは外側
電着砥粒層４３２ａ、４３２ａより集中度が低い砥粒層
によって形成されているので、多量に磨耗し、環状の切
れ刃部４３０ａの外周には幅方向中央部に環状凹部４３
４ａが形成される。従って、この切削ブレード４３ａに
よって切削することにより、上記切削ブレード４３と同
様の作用効果が得られる。
周部に一方の外側電鋳砥粒層４３２ａと中央電鋳砥粒層
４３１ａおよび他方の外側電鋳砥粒層４３２ａが形成さ
れたら、ハブ４５５ａの外周先端部を水酸化ナトリウム
等のエッチング溶液で溶解除去することにより、ハブ４
５５ａの外周部に３層の電鋳砥粒層からなる環状の切れ
刃部４３０ａが形成される。そして、ハブ４５５ａの外
周部に３層の電鋳砥粒層からなる環状の切れ刃部４３０
ａを装着したハブタイプの切削ブレード４３ａの外周
を、適宜のドレスボードでドレッシングすると、上記切
削ブレード４３と同様に中央電着砥粒層４３１ａは外側
電着砥粒層４３２ａ、４３２ａより集中度が低い砥粒層
によって形成されているので、多量に磨耗し、環状の切
れ刃部４３０ａの外周には幅方向中央部に環状凹部４３
４ａが形成される。従って、この切削ブレード４３ａに
よって切削することにより、上記切削ブレード４３と同
様の作用効果が得られる。
【００２７】
【発明の効果】本発明による切削ブレードは以上のよう
に構成されているので、次の作用効果を奏する。
に構成されているので、次の作用効果を奏する。
【００２８】即ち、本発明によれば、切削ブレードを構
成する環状の切れ刃部が中央電鋳砥粒層と該中央電鋳砥
粒層の両側にそれぞれ形成された外側電鋳砥粒層とから
なり、該中央電鋳砥粒層が集中度の低い砥粒層で形成さ
れ、該外側電鋳砥粒層が該中央電鋳層より集中度の高い
砥粒層で形成されているので、ドレッシング或いは使用
により中央電鋳砥粒層が多量に磨耗して、環状の切れ刃
部の外周には幅方向中央部に環状凹部が形成される。こ
のように環状の切れ刃部の外周の幅方向中央部に環状凹
部が形成された切削ブレードによって切削すると、切削
の際に生ずる切り粉は環状凹部側に取り込まれ、切削ブ
レードの回転に伴って排除されるので、バリの発生が防
止される。また、本発明による切削ブレード４３を構成
する環状の切れ刃部は、周知の電鋳法によって形成する
ことができるので、その製造が容易である。
成する環状の切れ刃部が中央電鋳砥粒層と該中央電鋳砥
粒層の両側にそれぞれ形成された外側電鋳砥粒層とから
なり、該中央電鋳砥粒層が集中度の低い砥粒層で形成さ
れ、該外側電鋳砥粒層が該中央電鋳層より集中度の高い
砥粒層で形成されているので、ドレッシング或いは使用
により中央電鋳砥粒層が多量に磨耗して、環状の切れ刃
部の外周には幅方向中央部に環状凹部が形成される。こ
のように環状の切れ刃部の外周の幅方向中央部に環状凹
部が形成された切削ブレードによって切削すると、切削
の際に生ずる切り粉は環状凹部側に取り込まれ、切削ブ
レードの回転に伴って排除されるので、バリの発生が防
止される。また、本発明による切削ブレード４３を構成
する環状の切れ刃部は、周知の電鋳法によって形成する
ことができるので、その製造が容易である。
【図１】本発明による半導体プレートの分割方法を実施
するための切削装置としてのダイシング装置の斜視図。
するための切削装置としてのダイシング装置の斜視図。
【図２】本発明に従って構成された切削ブレードの一実
施形態を示す断面図。
施形態を示す断面図。
【図３】図２に示す切削ブレードを製作する過程におけ
る環状体の断面図。
る環状体の断面図。
【図４】図２に示す切削ブレードによって半導体プレー
トを切削している状態を示す説明図。
トを切削している状態を示す説明図。
【図５】本発明に従って構成された切削ブレードの他の
実施形態を示す断面図。
実施形態を示す断面図。
【図６】本発明が対象とする被加工物である半導体プレ
ートの平面図。
ートの平面図。
【図７】図６に示す半導体プレートを分割した半導体パ
ッケージの斜視図。
ッケージの斜視図。
【図８】従来の切削ブレードによって半導体プレートを
切削している状態を示す説明図。
切削している状態を示す説明図。
２：装置ハウジング ３：チャックテーブル ３１：吸着チャック支持台 ３２：吸着チャック ４：スピンドルユニット ４１：スピンドルハウジング ４２：回転スピンドル ４３、４３ａ：切削ブレード ４３１、４３１ａ：中央電鋳砥粒層 ４３２、４３２ａ：外側電鋳砥粒層 ５：撮像機構 ６：表示手段 ７：カセット ７１：カセットテーブル ８：支持フレーム ９：テープ １０：半導体ウエーハ １１：被加工物載置領域 １２：被加工物搬出手段 １３：被加工物搬送手段 １４：洗浄手段 １５：洗浄搬送手段
Claims (5)
- 【請求項１】 環状の切れ刃部が砥粒をメッキで固定し
た電鋳砥粒層によって構成された切削ブレードであっ
て、 該環状の切れ刃部は、中央電鋳砥粒層と該中央電鋳砥粒
層の両側にそれぞれ形成された外側電鋳砥粒層とからな
り、 該中央電鋳砥粒層は集中度の低い砥粒層で形成され、該
外側電鋳砥粒層は該中央電鋳層より集中度の高い砥粒層
で形成されている、 ことを特徴とする切削ブレード。 - 【請求項２】 該中央電鋳砥粒層は集中度が０〜１００
の砥粒層で形成され、該外側電鋳砥粒層は集中度が２０
０〜３００の砥粒層で形成されている、請求項１記載の
切削ブレード。 - 【請求項３】 該砥粒の粒径は、該環状の切れ刃部の厚
さに対して１／１０〜１／３に設定されている、請求項
１記載の切削ブレード。 - 【請求項４】 該環状の切れ刃部の厚さは２００〜３０
０μｍに設定されており、該砥粒の粒径は２０〜６０μ
ｍに設定されている、請求項３記載の切削ブレード。 - 【請求項５】 該砥粒は、ダイヤモンド砥粒である、請
求項１記載の切削ブレード。
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