JP2019102757A - Qfnパッケージ基板の切削方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】バリの発生を抑制しながらも切削加工に係るコストの高騰を抑制することができるQFNパッケージ基板の切削方法を提供すること。【解決手段】QFNパッケージ基板の切削方法は、複数の領域を区画する分割予定ラインを有し銅を含む金属からなる金属プレートとデバイスチップを封止する樹脂層とを備えるQFNパッケージ基板の切削方法である。QFNパッケージ基板の切削方法は、環状の切り刃51が砥粒をニッケルメッキで固定した電鋳砥石である切削ブレード50を毎分1100m以上でかつ毎分2400m以下の周速となる回転数で回転させ、30mm/秒以上でかつ100mm/秒以下の加工送り速度で、切削ブレード50に切削液を供給しながら、分割予定ラインに沿ってQFNパッケージ基板を金属プレート側から切削して分割する。【選択図】図7
Description
本発明は、QFNパッケージ基板の切削方法に関する。
電子機器に利用されるデバイスチップは、金属フレームに搭載されて樹脂で封止された後、個々のパッケージチップに分割されて装置に搭載される。パッケージチップは、小チップ化に伴い、QFN(Quad Flat Non-leaded Package)パッケージ基板から分割されるタイプの物が広く生産されている(例えば、特許文献1参照)。QFNパッケージ基板を分割する際、砥粒がボンドで固定された切削ブレードで切削する事が多い。QFNパッケージは、切削ブレードにより切削されるラインに、銅合金で構成される金属フレーム(銅)と樹脂とが位置している。
このために、QFNパッケージ基板を分割する従来の加工方法は、金属フレームの切削によって切削ブレードの砥粒が目詰まりし、分割後のパッケージチップの側面に露出させる複数の微細な電極にバリが発生して、電極同士を繋げてしまったり(短絡)、電極から伸びるバリにより、パッケージチップをマザー基板に設置する際にうまく載置出来ない、という課題が発生しやすい。このため、従来の切削方法は、ボンドとしてレジンボンドを備えて、消耗しやすく目詰まりがしにくい切削ブレードを主に用いていた(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、特許文献2に示された切削方法は、レジンボンドを備える切削ブレードの消耗量が多いために、コストが高騰するという課題と、レジンボンドの砥粒の保持力が弱いために比較的大きな砥粒を用いる必要が生じ、砥粒の大きさにあわせて、発生したバリが大きくなりやすいという課題が残されていた。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、バリの発生を抑制しながらも切削加工に係るコストの高騰を抑制することができるQFNパッケージ基板の切削方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のQFNパッケージ基板の切削方法は、複数の領域を区画する分割予定ラインを有し銅を含む金属からなる金属プレートとデバイスチップを封止する樹脂層とを備えるQFNパッケージ基板の切削方法であって、環状の切り刃が砥粒をニッケルメッキで固定した電鋳砥石である切削ブレードを毎分1100m以上でかつ毎分2400m以下の周速となる回転数で回転させ、30mm/秒以上でかつ100mm/秒以下の加工送り速度で、該切削ブレードに切削液を供給しながら、該分割予定ラインに沿って該QFNパッケージ基板を該金属プレート側から切削して分割することを特徴とする。
前記QFNパッケージ基板の切削方法において、該切削ブレードは、外周に複数のスリットを備えても良い。
前記QFNパッケージ基板の切削方法において、該切り刃は、該砥粒を該ニッケルメッキで固定した中央層と、該中央層を挟む両外側の該砥粒を該ニッケルメッキで固定した外側層で構成され、該中央層より該外側層の方が該砥粒の密度が高くても良い。
本願発明のQFNパッケージ基板の切削方法は、バリの発生を抑制しながらも切削加工に係るコストの高騰を抑制することができるという効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法の加工対象のQFNパッケージ基板の平面図である。図2は、図1に示されたQFNパッケージ基板の背面図である。図3は、図1に示されたQFNパッケージ基板の側面図である。図4は、図1に示されたQFNパッケージ基板の金属プレート等を示す平面図である。図5は、図1に示されたQFNパッケージ基板を分割して得られるパッケージチップを示す斜視図である。
本発明の実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法の加工対象のQFNパッケージ基板の平面図である。図2は、図1に示されたQFNパッケージ基板の背面図である。図3は、図1に示されたQFNパッケージ基板の側面図である。図4は、図1に示されたQFNパッケージ基板の金属プレート等を示す平面図である。図5は、図1に示されたQFNパッケージ基板を分割して得られるパッケージチップを示す斜視図である。
実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、図1、図2及び図3に示すQFNパッケージ基板1の切削方法である。実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法の加工対象であるQFNパッケージ基板1は、図1、図2及び図3に示すように、銅を含む金属(即ち、銅合金)からなる金属プレート2と、樹脂層3とを備える。
金属プレート2は、平面形状が矩形の平板状に形成され、デバイス領域21と、デバイス領域21を囲繞する非デバイス領域22とが設けられている。実施形態1において、デバイス領域21は、三つ設けられているが、デバイス領域21の数は、三つに限定されない。デバイス領域21は、図1及び図4に示すように、複数の領域23を区画する分割予定ライン24を有している。領域23は、図1及び図4に示すデバイスチップ4を搭載している。分割予定ライン24は、図4に示すように、デバイスチップ4側に突出し、かつ領域23に搭載されたデバイスチップ4とワイヤ48により接続された電極部25が設けられている。電極部25は、金属から構成され、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法により長手方向の中央が切断される金属部材であり、図4に示すように、連結部26により互いに連結されているとともに、連結部26により非デバイス領域22に連結されている。
樹脂層3は、熱可塑性樹脂により構成され、金属プレート2の領域23の表面に搭載したデバイスチップ4及びワイヤ48を封止している。樹脂層3は、金属プレート2のデバイスチップ4を搭載した表面側では、図2及び図3に示すように、デバイスチップ4を含むデバイス領域21全体を封止(被覆)している。また、樹脂層3は、金属プレート2の表面の裏側の裏面側では、図1に示すように、デバイスチップ4を搭載した領域23と、電極部25とを露出させた状態で分割予定ライン24内を封止している。
QFNパッケージ基板1は、図4に一点鎖線で示すように、各デバイス領域21の分割予定ライン24の幅方向の中央部が切断されて、電極部25が二分割されるとともに、連結部26が除去されて、図5に示すパッケージチップ5に分割される。図5に示すパッケージチップ5は、デバイスチップ4を搭載した領域23を中央に配置し、外縁部に電極部25が二分割されて形成された電極6を配置している。パッケージチップ5は、樹脂層3の切断面である側面31に電極6を露出させている。このように、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法の加工対象であるQFNパッケージ基板1は、切削ブレード50で切削される分割予定ライン24に金属からなる電極部25が配置され、かつ分割予定ライン24の表面に電極部25が露出したパッケージ基板である。
次に、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法を説明する。図6は、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法を一部断面で示す側面図である。図7は、実施形態1に係るQFNパッケージの切削方法で用いられる切削ブレードの側面図である。
実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、図1に示すQFNパッケージ基板1の分割予定ライン24を切削して、QFNパッケージ基板1を図5に示す個々のパッケージチップ5に分割する方法である。QFNパッケージ基板の切削方法は、QFNパッケージ基板1の樹脂層3にダイシングテープ41を貼着し、ダイシングテープ41の外縁を環状フレーム42に貼着して、QFNパッケージ基板1を金属プレート2が露出した状態で環状フレーム42の開口にダイシングテープ41で支持する。
QFNパッケージ基板の切削方法は、図6に示すように、ダイシングテープ41を介してQFNパッケージ基板1を切削装置40のチャックテーブル43の保持面44上に吸引保持する。QFNパッケージ基板の切削方法は、切削装置40のスピンドル45で切削ブレード50を回転させて、切削水ノズル46から切削液47を切削ブレード50及びQFNパッケージ基板1に供給しながら分割予定ライン24に沿って切削ブレード50とQFNパッケージ基板1とを相対的に移動させて、切削ブレード50を各分割予定ライン24に切り込ませる。QFNパッケージ基板の切削方法は、QFNパッケージ基板1を金属プレート2側から切削して、個々のパッケージチップ5に分割する。
QFNパッケージ基板の切削方法で用いられる切削ブレード50は、図7に示すように、極薄のリング形状に形成された切削砥石であり、切削液47が供給されながらスピンドル45により回転されることで、チャックテーブル43に保持されたQFNパッケージ基板1を切削加工するものである。図7に示す切削ブレード50は、環状の切り刃51で構成された所謂ハブレスブレードである。
また、切削ブレード50は、環状の切り刃51が砥粒をニッケルメッキで固定した所謂電鋳砥石である。即ち、切削ブレード50の砥粒を固定したボンドは、電鋳ボンドである。実施形態1において、切削ブレード50を構成する砥粒の平均粒子径は、精密研磨用微粉の粒度分布(実施形態1では、沈殿試験法による)の累積高さ50%点の粒子径(所謂、ds−50値)が、番手♯360以上でかつ♯800以下であることが望ましい。実施形態1において、切削ブレード50の砥粒の集中度は、60であることが望ましい。なお、集中度とは、切削ブレード50の切り刃51に含まれる砥粒の割合を示す値であり、例えば、集中度100が切削ブレード50の切り刃51の体積の25%を砥粒が示している状態を表す値である。また、実施形態1において、切削ブレード50の外径は、58mmであり、切削ブレード50は、切り刃51にスリットが形成されていなく、かつ砥粒の集中度が一様な一層構造のものである。
また、実施形態1において、QFNパッケージ基板の切削方法は、切削ブレード50を切り刃51の刃先52の周速が毎分1100m以上でかつ毎分2400m以下の周速となる回転数で回転させて、30mm/秒以上でかつ100mm/秒以下の加工送り速度でチャックテーブル43と切削ブレード50とを相対的に移動させながらQFNパッケージ基板1を切削する。実施形態1では、QFNパッケージ基板の切削方法は、切削ブレード50の外径が58mmであるので、切削ブレード50を6315rpm以上かつ13178rpm以下の回転数で回転する。即ち、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、ボンドがレジンである切削ブレードでQFNパッケージ基板1を切削する従来の切削方法よりも切削ブレード50の回転数を少なく、かつ刃先52の周速を遅くする。
以上説明したように、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、切削ブレード50を切り刃51の刃先52の周速を毎分1100m以上でかつ毎分2400m以下の周速となる回転数で回転させて、ボンドがレジンである切削ブレードでQFNパッケージ基板1を切削する従来の切削方法よりも切削ブレード50の回転数を少なく、かつ刃先52の周速を遅くしている。このために、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、砥粒をニッケルメッキで固定した電鋳砥石で構成された切削ブレード50でQFNパッケージ基板1の分割予定ライン24を切削しても、切削ブレード50とQFNパッケージ基板1との間の摩擦熱を減少でき、金属プレート2の切り粉を適切に排出できるため、切削ブレード50の目詰まりを抑制できる。その結果、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、電極部25を切断して構成する電極6のバリの発生を抑制することができる。
また、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、砥粒をニッケルメッキで固定した電鋳砥石で構成された切削ブレード50でQFNパッケージ基板1の分割予定ライン24を切削しても、電極部25を切断して構成する電極6のバリの発生を抑制できるので、QFNパッケージ基板1を切削する際に、ボンドがレジンである切削ブレードよりも摩耗しにくい電鋳砥石で構成された切削ブレード50を用いた切削を可能とすることができる。このために、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、1枚の切削ブレード50で従来の切削方法よりも多くの分割予定ライン24を切削することができ、切削ブレード50の長寿命化を可能とすることができる。その結果、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、バリの発生を抑制しながらもQFNパッケージ基板1の切削加工に係るコストの高騰を抑制することができる。
また、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、一般に、ダイシングテープ41を介すことなくQFNパッケージ基板1を直接保持する治具テーブルよりも固定する力が強いダイシングテープ41を介してQFNパッケージ基板1をチャックテーブル43で吸引保持する。このために、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、切り刃51にスリットが形成されていなく、かつ砥粒の集中度が一様な一層構造のものである切削ブレード50を用いても、バリを抑制しながらもQFNパッケージ基板1を切削することが可能である。
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法を図面に基づいて説明する。図8は、実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法を一部断面で示す側面図である。図9は、実施形態2に係るQFNパッケージの切削方法で用いられる切削装置の治具テーブル等を示す斜視図である。図10は、実施形態2に係るQFNパッケージの切削方法で用いられる切削ブレードの側面図である。なお、図8から図10は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法を図面に基づいて説明する。図8は、実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法を一部断面で示す側面図である。図9は、実施形態2に係るQFNパッケージの切削方法で用いられる切削装置の治具テーブル等を示す斜視図である。図10は、実施形態2に係るQFNパッケージの切削方法で用いられる切削ブレードの側面図である。なお、図8から図10は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、図8に示すように、QFNパッケージ基板1の樹脂層3を切削装置40−2の治具テーブル60の保持面61上に直接吸引保持する。なお、実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法において用いられる切削装置の治具テーブル60は、図9に示すように、テーブル本体62の上面に保持部63を設けている。保持部63は、QFNパッケージ基板1の樹脂層3が載置される保持面61を備える。保持面61は、QFNパッケージ基板1のデバイスチップ4と1対1で対応して設けられた吸引孔64と、分割予定ライン24と1体1で対応して設けられかつ切削ブレード50が侵入可能な逃げ溝65とを設けている。治具テーブル60は、各吸引孔64上に対応するデバイスチップ4が位置し、各逃げ溝65上に対応する分割予定ライン24が位置した状態で保持面61上にQFNパッケージ基板1の樹脂層3が載置される。治具テーブル60は、吸引源66により吸引孔64内が吸引されることで、保持面61上にQFNパッケージ基板1の樹脂層3を直接吸引保持する。
実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、切削装置40−2のスピンドル45で切削ブレード50−2を回転させて、切削水ノズル46から切削液47を切削ブレード50−2及びQFNパッケージ基板1に供給しながら分割予定ライン24に沿って切削ブレード50とQFNパッケージ基板1とを相対的に移動させて、切削ブレード50−2を逃げ溝65に侵入するまで各分割予定ライン24に切り込ませる。実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、QFNパッケージ基板1を金属プレート2側から切削して、個々のパッケージチップ5に分割する。
実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法で用いられる切削ブレード50−2は、図10に示すように、外周に複数のスリット53を備えること以外、実施形態1に置いて用いられる切削ブレード50と構成が同じである。スリット53は、切削ブレード50−2の周方向に等間隔に配置され、かつ切削ブレード50−2を貫通している。各スリット53は、切削ブレード50−2の切り刃51の刃先52から切削ブレード50−2の内周方向に径方向に沿って直線状に形成されている。また、実施形態2において、スリット53は、48個形成されているが、本発明では、スリット53の数は、これに限定されない。
また、実施形態2において、QFNパッケージ基板の切削方法は、切削ブレード50−2の切り刃51の刃先52の周速、即ち、切削ブレード50−2の回転数が実施形態1と同じであり、加工送り速度が実施形態1と同じである。
実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、実施形態1と同様に、ボンドがレジンである切削ブレードでQFNパッケージ基板1を切削する従来の切削方法よりも切削ブレード50の回転数を少なく、かつ刃先52の周速を遅くしている。このために、実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、実施形態1と同様に、砥粒をニッケルメッキで固定した電鋳砥石で構成された切削ブレード50−2でQFNパッケージ基板1の分割予定ライン24を切削しても、電極部25を切断して構成する電極6のバリの発生を抑制することができる。
また、実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、実施形態1と同様に、ボンドがレジンである切削ブレードでQFNパッケージ基板1を切削する従来の切削方法よりも切削ブレード50の回転数を少なく、かつ刃先52の周速を遅くしているので、ボンドがレジンである切削ブレードよりも摩耗しにくい電鋳砥石で構成された切削ブレード50−2を用いた切削を可能とすることができる。その結果、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、実施形態1と同様に、バリの発生を抑制しながらもQFNパッケージ基板1の切削加工に係るコストの高騰を抑制することができる。
また、実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、切削ブレード50−2にスリット53を設けているので、実施形態1で用いられたダイシングテープ41を介して吸引保持するチャックテーブル43よりもQFNパッケージ基板1を固定する力が弱い治具テーブル60を用いても、切削液47を加工点に供給する能力を高めるスリット53の冷却効果により切削ブレード50−2とQFNパッケージ基板1との間の加工で発生する熱を減少でき、スリット53を介して金属プレート2の切り粉を適切に排出できるため、切削ブレード50−2の目詰まりを抑制できる。その結果、実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、電極部25を切断して構成する電極6のバリの発生を抑制することができる。また、実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、熱の発生が防げるので、小さい砥粒を選択可能となり、更にバリのサイズを小さくすることが出来る。
〔変形例〕
本発明の実施形態1及び実施形態2の変形例に係るQFNパッケージ基板の切削方法を図面に基づいて説明する。図11は、実施形態1及び実施形態2の変形例に係るQFNパッケージの切削方法で用いられる切削ブレードの刃先を含む断面図である。なお、図11は、実施形態1及び実施形態2と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態1及び実施形態2の変形例に係るQFNパッケージ基板の切削方法を図面に基づいて説明する。図11は、実施形態1及び実施形態2の変形例に係るQFNパッケージの切削方法で用いられる切削ブレードの刃先を含む断面図である。なお、図11は、実施形態1及び実施形態2と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
変形例に係るQFNパッケージ基板1は、図11に示すように、切り刃51が中央層54と中央層54を挟む両外側の二つの外側層55とで構成された三層構造の切削ブレード50−3を用いること以外、実施形態1及び実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法と同じである。図11に示す切削ブレード50−3は、中央層54と二つの外側層55とで構成されて、三層層構造であること以外、実施形態1又は実施形態2で用いられる切削ブレード50,50−1と構成が同じである。即ち、図11に示す切削ブレード50−3は、スリット53が設けられていなくても良く、スリット53が設けられても良い。
図11に示す切削ブレード50−3は、中央層54と外側層55との双方が砥粒をニッケルメッキで固定した所謂電鋳砥石である。切削ブレード50−3は、中央層54の砥粒の集中度より外側層55の砥粒の集中度が高く、中央層54より外側層55の方が砥粒の密度が高くなっている。なお、変形例では、例えば、中央層54の砥粒の集中度が30の場合、外側層55の砥粒の集中度が60であり、中央層54の砥粒の集中度が60の場合、外側層55の砥粒の集中度が120である。
また、変形例において、QFNパッケージ基板の切削方法は、切削ブレード50−3の切り刃51の刃先の周速、即ち、切削ブレード50−3の回転数が実施形態1と同じであり、加工送り速度が実施形態1と同じである。
変形例に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、実施形態1及び実施形態2と同様に、ボンドがレジンである切削ブレードでQFNパッケージ基板1を切削する従来の切削方法よりも切削ブレード50−3の回転数を少なく、かつ刃先52の周速を遅くしている。変形例に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、実施形態1及び実施形態2と同様に、バリの発生を抑制しながらもQFNパッケージ基板1の切削加工に係るコストの高騰を抑制することができる。
また、変形例に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、切削ブレード50−3が三層構造で構成され、外側層55の砥粒の密度が中央層54の砥粒の密度よりも高いので、切削によってQFNパッケージ基板1と接触する外側層55の摩耗を抑制することができ、切削ブレード50−3の断面形状の変化を抑制することができる。その結果、変形例に係るQFNパッケージ基板の切削方法は、1枚の切削ブレード50−3で従来の切削方法よりも多くの分割予定ライン24を切削することができ、切削ブレード50−3の長寿命化を可能とすることができるので、QFNパッケージ基板1の切削加工に係るコストの高騰を抑制することができる。
次に、本発明の発明者は、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法の効果を確認した。結果を以下の表1及び表2に示す。確認にあたっては、QFNパッケージ基板1を個々のパッケージチップ5に分割した時の電極6に発生するバリの大きさを測定した。図12は、本発明の効果を確認した際に個々に分割されたパッケージチップの側面図である。
表1及び表2は、バリの判定において、図12に示すバリの厚み方向の寸法101、バリの幅方向の寸法102、及び電極6間の距離103のうち全てが、前述したボンドがレジンである切削ブレードでQFNパッケージ基板1を切削する従来の切削方法よりも少ないものを良好として評価し、丸で示す。表1及び表2は、バリの判定において、バリの厚み方向の寸法101、バリの幅方向の寸法102、及び電極6間の距離103の誤差のうち全てが従来の切削方法よりも大きいものを不良として評価し、ばつで示す。表1及び表2は、バリの判定において、バリの厚み方向の寸法101、バリの幅方向の寸法102、及び電極6間の距離103の誤差のうち少なくとも一つが従来の切削方法並みのものを三角で示す。
表1の比較例1、比較例2及び比較例3は、ボンドがレジン、砥粒の番手が♯240、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が60μmの切削ブレードを用いた。比較例1は、切削ブレードの回転数を従来の切削方法並みの20000rpm、切削ブレードの切り刃の刃先の周速を3600m/minとした。比較例2は、切削ブレードの回転数を10000rpm、切削ブレードの切り刃の刃先の周速を1800m/minとした。比較例3は、切削ブレードの回転数を3000rpm、切削ブレードの切り刃の刃先の周速を500m/minとした。
表1の比較例4、比較例5及び比較例6は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯320、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が46μmの切削ブレードを用いた。比較例4は、切削ブレードの回転数を従来の切削方法並みの20000rpm、切削ブレードの切り刃の刃先の周速を3600m/minとした。比較例5は、切削ブレードの回転数を15000rpm、切削ブレードの切り刃の刃先の周速を2700m/minとした。比較例6は、切削ブレードの回転数を10000rpm、切削ブレードの切り刃の刃先の周速を1800m/minとした。
表1の本発明品1は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯360、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が40μmの切削ブレード50を用い、切削ブレード50の回転数を13000rpm、切削ブレード50の切り刃51の刃先52の周速を2400.0m/minとした。
表2の本発明品2は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯360、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が40μmの切削ブレード50を用い、本発明品3は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯400、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が34μmの切削ブレード50を用い、本発明品4は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯600、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が24μmの切削ブレード50を用い、本発明品5は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯800、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が18μmの切削ブレード50を用い、本発明品6は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯400、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が34μmの切削ブレード50を用いた。
本発明品2、本発明品3、本発明品4及び本発明品5は、切削ブレード50の回転数を10000rpm、切削ブレード50の切り刃51の刃先52の周速を1800m/minとし、本発明品6は、切削ブレード50の回転数を6000rpm、切削ブレード50の切り刃51の刃先52の周速を1100m/minとした。
表2の比較例7は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯1000、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が15.5μmの切削ブレードを用い、切削ブレードの回転数を6000rpm、切削ブレードの切り刃の刃先の周速を1100m/minとした。表2の比較例8は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯400、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が34μmの切削ブレードを用い、切削ブレードの回転数を4000rpm、切削ブレードの切り刃の刃先の周速を700m/minとした。また、比較例1〜8、本発明品1〜6は、加工送り速度を30mm/秒以上でかつ100mm/秒以下の速度で適宜変更した。
表1及び表2によれば、バリの判定において、比較例1、比較例6及び比較例7が三角であり、比較例2、比較例3、比較例4、比較例5及び比較例8がばつであった。このような比較例1から比較例7に対して、本発明品1、本発明品2、本発明品3、本発明品4、本発明品5及び本発明品6が丸であった。よって、表1及び表2によれば、電鋳砥石である切削ブレード50を切り刃51の刃先52の周速が毎分1100m以上でかつ毎分2400m以下となる回転数で回転することにより、電鋳砥石である切削ブレード50を用いて、従来の切削方法よりもバリを抑制しながらもQFNパッケージ基板1を個々のパッケージチップ5に分割できることが明らかとなった。また、表1及び表2によれば、電鋳砥石である切削ブレード50の砥粒の番手を♯360以上でかつ♯800以下、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)を40μm以下でかつ18μm以上とすることにより、電鋳砥石である切削ブレード50を用いて、従来の切削方法よりもバリを抑制しながらもQFNパッケージ基板1を個々のパッケージチップ5に分割できることが明らかとなった。
次に、本発明の発明者は、実施形態1及び変形例に係るQFNパッケージ基板の切削方法の効果を確認した。結果を以下の表3に示す。確認にあたっては、チャックテーブル43にダイシングテープ41を介して吸引保持したQFNパッケージ基板1を所定枚数切削した後の切り刃51の刃先52の断面形状の変化を確認した。
表3は、切り刃51の刃先52の断面形状の変化において、ボンドがレジンである切削ブレードでQFNパッケージ基板1を切削する従来の切削方法よりも厚みの変化が少ないものを良好として評価し、丸で示す。表3は、切り刃51の刃先52の断面形状の変化において、厚みの変化が従来の切削方法よりも大きいものを不良として評価し、ばつで示す。
表3の比較例9は、一層構造でかつボンドがレジン、砥粒の番手が♯400、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が34μmであるとともに、砥石の集中度が30の切削ブレードを用いた。表3の本発明品7、本発明品8及び本発明品9は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯400、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が34μmである切削ブレード50,50−3を用いた。本発明品7は、一層構造でかつ砥粒の集中度が60の切削ブレード50を用い、本発明品8は、変形例のように三層構造でかつ中央層54の砥粒の集中度が30でかつ外側層55の砥粒の集中度が60の切削ブレード50−3を用い、本発明品9は、変形例のように三層構造でかつ中央層54の砥粒の集中度が60でかつ外側層55の砥粒の集中度が120の切削ブレード50−3を用いた。なお、比較例9、本発明品7〜9は、切削ブレード50の回転数を10000rpm、切削ブレード50の切り刃51の刃先52の周速を1800m/minとし、加工送り速度を30mm/秒以上でかつ100mm/秒以下の速度で適宜変更した。
表3によれば、切り刃51の刃先52の断面形状の変化において、比較例9がばつであった。このような比較例9に対して、本発明品7、本発明品8及び本発明品9が丸であった。よって、表3によれば、一層構造であっても、電鋳砥石である切削ブレード50を用いることにより、切削ブレード50の摩耗を抑制して、切削加工のコストの高騰を抑制できることが明らかとなった。また、表3によれば、中央層54よりも外側層55の方が砥粒の密度が高い三層構造の切削ブレード50−3を用いることにより、切削ブレード50−3の摩耗を抑制して、切削加工のコストの高騰を抑制できることが明らかとなった。
次に、本発明の発明者は、実施形態1及び実施形態2に係るQFNパッケージ基板の切削方法の効果を確認した。結果を以下の表4に示す。確認にあたっては、QFNパッケージ基板1を個々のパッケージチップ5に分割した時の電極6に発生するバリの大きさを測定した。表4は、バリの判定を表1及び表2と同様に示す。
表4の比較例10は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯400、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が34μmであるとともに、スリットが設けられていない切削ブレードを用い、切削ブレードの回転数を10000rpm、切削ブレードの切り刃の刃先の周速を1800m/minとし、実施形態2に示す治具テーブル60に保持したQFNパッケージ基板1を切削した。
表4の本発明品10、本発明品11及び本発明品12は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯400、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が34μmである切削ブレード50,50−2を用い、切削ブレード50,50−2の回転数を10000rpm、切削ブレード50,50−2の切り刃51の刃先52の周速を1800m/minとした。本発明品10は、切削ブレード50にスリット53を設けることなく、実施形態1に示すダイシングテープ41を介してチャックテーブル43に保持したQFNパッケージ基板1を切削した。本発明品11は、切削ブレード50−2にスリット53を48個設け、実施形態1に示すダイシングテープ41を介してチャックテーブル43に保持したQFNパッケージ基板1を切削した。本発明品12は、切削ブレード50−2にスリット53を48個設け、実施形態2に示す治具テーブル60に保持したQFNパッケージ基板1を切削した。また、比較例10、本発明品10〜12は、加工送り速度を30mm/秒以上でかつ100mm/秒以下の速度で適宜変更した。
表4によれば、バリの判定において、比較例10がばつであったのに対し、本発明品10、本発明品11及び本発明品12が丸であった。よって、表4によれば、ダイシングテープ41を介してQFNパッケージ基板1をチャックテーブル43に保持することにより、電鋳砥石である切削ブレード50,50−2を用いて、従来の切削方法よりもバリを抑制しながらもQFNパッケージ基板1を個々のパッケージチップ5に分割できることが明らかとなった。また、表4によれば、切削ブレード50−2にスリット53を設けることにより、治具テーブル60に保持したQFNパッケージ基板1を電鋳砥石である切削ブレード50−2を用いて切削しても、従来の切削方法よりもバリを抑制しながらもQFNパッケージ基板1を個々のパッケージチップ5に分割できることが明らかとなった。
次に、本発明の発明者は、実施形態1に係るQFNパッケージ基板の切削方法の効果を確認した。結果を以下の表5に示す。確認にあたっては、QFNパッケージ基板1を個々のパッケージチップ5に分割した時の電極6に発生するバリの大きさを測定した。表5は、バリの判定を表1及び表2と同様に示す。
表5の比較例11、本発明品13、本発明品14及び比較例12は、ボンドが電鋳、砥粒の番手が♯400、及び砥粒の平均粒子径(前述のds−50値)が34μmである切削ブレード50を用い、切削ブレード50の回転数を10000rpm、切削ブレード50の切り刃51の刃先52の周速を1800m/minとした。比較例11は、加工送り速度を10mm/secとし、本発明品13は、加工送り速度を30mm/secとし、本発明品14は、加工送り速度を100mm/secとし、比較例12は、加工送り速度を120mm/secとした。
なお、前述した表1、表2、表3、表4及び表5等の実験で示された周速は、下二けた目を四捨五入した数値で示している。
表5によれば、バリの判定において、比較例11が三角であり比較例12がばつであったのに対し、本発明品13及び本発明品14が丸であった。よって、表5によれば、電鋳砥石である切削ブレード50を用いて切削しても、加工送り速度を30mm/sec以上でかつ100mm/sec以下とすることにより、従来の切削方法よりもバリを抑制しながらもQFNパッケージ基板1を個々のパッケージチップ5に分割できることが明らかとなった。
なお、本発明は、上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1 QFNパッケージ基板
2 金属プレート
3 樹脂層
4 デバイスチップ
23 領域
24 分割予定ライン
47 切削液
50,50−2,50−3 切削ブレード
51 切り刃
53 スリット
54 中央層
55 外側層
2 金属プレート
3 樹脂層
4 デバイスチップ
23 領域
24 分割予定ライン
47 切削液
50,50−2,50−3 切削ブレード
51 切り刃
53 スリット
54 中央層
55 外側層
Claims (3)
- 複数の領域を区画する分割予定ラインを有し銅を含む金属からなる金属プレートとデバイスチップを封止する樹脂層とを備えるQFNパッケージ基板の切削方法であって、
環状の切り刃が砥粒をニッケルメッキで固定した電鋳砥石である切削ブレードを毎分1100m以上でかつ毎分2400m以下の周速となる回転数で回転させ、30mm/秒以上でかつ100mm/秒以下の加工送り速度で、該切削ブレードに切削液を供給しながら、該分割予定ラインに沿って該QFNパッケージ基板を該金属プレート側から切削して分割するQFNパッケージ基板の切削方法。 - 該切削ブレードは、外周に複数のスリットを備える請求項1に記載のQFNパッケージ基板の切削方法。
- 該切り刃は、該砥粒を該ニッケルメッキで固定した中央層と、該中央層を挟む両外側の該砥粒を該ニッケルメッキで固定した外側層で構成され、該中央層より該外側層の方が該砥粒の密度が高い請求項1または請求項2に記載のQFNパッケージ基板の切削方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2017235428A JP2019102757A (ja) | 2017-12-07 | 2017-12-07 | Qfnパッケージ基板の切削方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023047720A1 (ja) | 2021-09-27 | 2023-03-30 | Towa株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002331464A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削ブレード |
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-
2017
- 2017-12-07 JP JP2017235428A patent/JP2019102757A/ja active Pending
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KR20240043156A (ko) | 2021-09-27 | 2024-04-02 | 토와 가부시기가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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