KR100815005B1 - 절삭 블레이드 - Google Patents

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KR100815005B1
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Abstract

환상(環狀)의 절삭날 부분이 연마 입자를 도금으로 고정시킨 전기주조연마입자층에 의해 구성된 절삭 블레이드이고, 환상의 절삭날 부분은 중앙전기주조연마입자층과 그 중앙전기주조연마입자층의 양측에 형성된 외측전기주조연마입자층으로 이루어져 있다. 중앙전기주조연마입자층은 집중도가 낮은 연마입자층으로 형성되고, 외측전기주조연마입자층은 중앙전기연마입자층보다 집중도가 높은 연마입자층으로 형성되어 있다.
절삭 블레이드, 전기주조연마입자층, 중앙전기주조연마입자층, 외측전기주조연마입자층, 환상의 절삭날 부분

Description

절삭 블레이드{Cutting Blade}
도 1은 본 발명에 의한 반도체 플레이트(plate)의 분할 방법을 실시하기 위한 절삭 장치로서의 다이싱(dicing) 장치의 사시도.
도2는 본 발명에 따라 구성된 절삭 블레이드의 한 실시 형태를 나타내는 단면도.
도3은 도2에 도시된 절삭 블레이드를 제작하는 과정에 있어서 환상 형체의 단면도.
도4는 도2에 도시된 절삭 블레이드에 의해 반도체 플레이트를 절삭하고 있는 상태를 나타내는 설명도.
도5는 본 발명에 따라 구성된 절삭 블레이드의 다른 실시 형태를 나타내는 단면도.
도6은 본 발명이 대상으로 하는 피가공물인 반도체 플레이트의 평면도.
도7은 도6에 도시된 반도체 플레이트을 분할한 반도체 패키지(package)의 사시도.
도8은 종래의 절삭 블레이드에 의해 반도체 플레이트를 절삭하고 있는 상태를 도시한 설명도.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
2 : 장치 하우징
3 : 척 테이블
31 : 흡착 척 지지대
32 : 흡착 척
4 : 스핀들 유닛
41 : 스핀들 하우징
42 : 회전 스핀들
43, 43a : 절삭 블레이드
431, 431a : 중앙전기주조연마입자층
432, 432a : 외측전기주조연마입자층
5 : 촬상 기구
6 : 표시수단
7 : 카세트
71 : 카세트 테이블
8 : 지지 프레임
9 : 테이프
10 : 반도체 플레이트
11 : 피가공물 설치 영역
12 : 피가공물 반출수단
13 : 피가공물 반송수단
14 : 세정수단
15 : 세정 반송수단
본 발명은, 반도체 플레이트 특히, 복수개의 반도체 칩을 매트릭스 형태로 배열 설치하고 인접하는 반도체 칩의 전극에 의해 접속함과 동시에 매트릭스 형태로 배열 설치된 다수개의 반도체 칩을 수지 주형(resin-molding)된 반도체 플레이트를 상기 전극의 중간 부분을 통해서 형성된 절단 라인을 따라 절삭하기에 적당한 절삭 블레이드에 관한 것이다.
반도체장치 제조공정에 있어서는, 대략 원판 형태인 반도체 웨이퍼(wafer)의 표면에 격자 형태로 배열된 다수의 영역에 IC, LSI 등의 회로를 형성해 그 회로가 형성된 각 영역을 소정의 "스트리트(street)"라 불리는 절단 라인을 따라 다이싱하는 것에 의한 각각의 반도체 칩을 제조하고 있다. 이렇게 해서, 분할된 반도체 칩은 패키징(packaging)되어 휴대 전화나 개인용 컴퓨터등의 전기 기기에 넓게 이용되고 있다.
휴대 전화나 개인용 컴퓨터등의 전기 기기는 보다 경량화, 소형화가 요구되고 있어 반도체 칩의 패키지도 칩 사이즈 패키지(CSP)라 칭하는 소형화할 수 있는 패키지 기술이 개발되고 있다. 칩 사이즈 패키지(CSP) 기술의 하나로써 쿼드 플렛 논-리드 패키지(Quad Flat Non-lead Package; QFN)라 칭하는 패키지 기술이 실용화 되고 있다. 이 QFN이라 칭하는 패키지 기술에 대해서 도6 및 도7을 참조해서 설명한다.
QFN이라 칭하는 패키지 기술은 복수개의 반도체 칩(101)(도7 참조)을 매트릭스 형태로 배열 설치하고, 도6에 도시된 바와 같이 인접하는 반도체 칩을 복수의 전극(102)에 의해 접속함과 동시에, 매트릭스 형태로 배열 설치된 복수개의 반도체 칩을 수지(103)에 의해 주형(molding)해서 반도체 플레이트(10)를 형성한다. 이 반도체 플레이트(10)를 인접하는 반도체 칩을 접속하는 전극(102)의 중간 부분을 통해서 형성된 '스트리트'라 불리는 절단 라인(104)을 따라 절단하는 것에 의해, 도7에 도시된 바와 같이 각각에 패키지된 반도체 칩(반도체 패키지)(100)으로 분할된다. 또, 상기 전극(102) 및 절단 라인(104)은 동판등의 금속판에 의해 형성되고 있다.
상기 반도체 플레이트(10)의 절단은 일반적으로 다이싱 장치라 불리는 정밀 절삭 장치에 의해 이루어진다. 이 다이싱 장치는 환상의 연마입자층(abrasive grain layer)을 구비한 절삭 블레이드를 갖추고, 이 절삭 블레이드를 계속 회전시켜 반도체 플레이트(10)에 형성된 절단 라인(104)를 따라 상대 이동한 것에 의해 반도체 플레이트(10)를 절단 라인(104)을 따라 절삭하며, 도7에 도시된 바와 같이 각각의 반도체 패키지(100)로 분할된다.
그렇지만, 상기 반도체 플레이트(10)의 상태에 있어서 인접하는 반도체 칩(101)을 접속하고 있는 전극(102)은 동판등의 금속판으로 되어있어 이 전극(102)의 중간 부분을 스트리트(104)를 따라 도8에 도시된 바와 같이 절삭 블레이드(20) 에 의해 절삭되면 버르(burr)(110)가 발생해, 이 버르(110)가 도7에 도시된 바와 같이 각각의 반도체 패키지(10)의 전극(102)사이를 단락시키는 문제가 있다. 이 버르(110)의 발생은 절삭 블레이드(20)의 외주면(外周面)이 凸형태의 원호면(convex arc surface)에 형성되어 있기 때문에 동(銅)과 같이 부드러운 점성이 있는 재료로 이루어진 전극(102)을 절삭할 즈음에, 절삭 블레이드(20)의 양측으로 밀어내기 때문이라는 것이 판명되었다.
그런 이유로, 본 출원인은 상기 반도체 플레이트를 절단 라인을 따라 절삭 블레이드에 의해 절삭할 즈음에, 버르의 발생을 방지할 수 있는 절삭 블레이드로 환상의 중앙연마입자층와 그 중앙연마입자층의 양측에 각각 설치된 외측연마입자층으로 이루어져 중앙연마입자층이 외측연마입자층보다 더 작은 직경으로 형성되어 외주(外周)에 환상의 凹부를 형성한 절삭 블레이드를 특허출원 2000-307541로 제안했었다.
위에 기술한 절삭 블레이드를 이용하는 것에 의해 버르를 발생시키지 않고 반도체 플레이트를 절단할 수가 있는데, 절삭 블레이드를 제조하는 면에서 반드시 만족할 수 만은 없어서 다른 개량이 요구된다.
본 발명의 목적은 상기 반도체 플레이트를 절삭 라인을 따라 절삭할 즈음에, 버르의 발생을 방지할 수 있음과 동시에 용이하게 제조할 수 있는 절삭 블레이드를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의하면 환상의 절삭날 부분이 연마 입자를 도금으로 고정시킨 전기주조연마입자층에 의해 구성된 절삭 블레이드로서
그 환상의 절삭날 부분은 중앙전기주조연마입자층과 그 전기주조연마입자층의 양측에 형성된 외측전기주조연마입자층으로 이루어지고 그 중앙전기주조연마입자층은 집중도가 낮은 연마입자층으로 형성되며 그 외측전기주조연마입자층은 그 중앙전기주조연마입자층보다 집중도가 높은 연마입자층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 절삭 블레이드가 제공된다.
상기 중앙전기주조연마입자층은 집중도가 0 ~ 100의 연마입자층으로 형성되고, 그 외측전기주조연마입자층은 집중도가 200 ~ 300의 연마입자층으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 연마 입자의 입자 직경은 상기 환상의 절삭날 부분의 두께에 비해 1/10 ~ 1/3로 설정되어 있다. 환상의 절삭날 부분의 두께는 200 ~ 300㎛로 설정되어 있고, 그 연마 입자의 입자 직경은 20 ~ 60㎛로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 게다가, 상기 연마 입자는 다이아몬드 연마 입자인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명에 의한 절삭 블레이드의 아주 적합한 실시 형태에 대해 첨부도면을 참조해서 상세하게 설명한다.
도1에는 본 발명에 의한 반도체 플레이트의 분할 방법을 실시하기 위한 절삭 장치로서의 다이싱 장치의 사시도가 도시되어 있다.
도시된 실시 형태의 다이싱 장치는 대략 직방체 모양의 장치 하우징(housing)(2)을 구비하고 있다. 이 장치 하우징(2)내에는, 피가공물을 유지 하는 척 테이블(chuck table)(3)이 절삭이송방향인 화살표 X로 표시된 방향으로 이동가능하게 배열 설치되고 있다. 척 테이블(3)은 흡착 척 지지대(31)와 그 흡착 척 지지대(31) 위에 장착된 흡착 척(32)를 구비하고 있고, 그 흡착 척(32)의 표면인 설치면 위에 피가공물인 상기 도7에 도시한 반도체 플레이트(10)를 도시하지 않는 흡인 수단에 의해 유지하도록 되어 있다. 또한, 척 테이블(3)은 도시되지 않은 회전 기구에 의해 회전 가능하게 구성되어 있다.
도시한 실시 형태의 다이싱 장치는 절삭 수단으로서 스핀들 유닛(spindle unit)(4)을 구비하고 있다. 스핀들 유닛(4)은 도시되지 않은 이동기대(movable base)에 장착되어 분할 방향인 화살표 Y로 표시된 방향 및 절단 방향인 화살표 Z로 표시된 방향으로 이동 조정되는 스핀들 하우징(41)과 그 스핀들 하우징(41)에 회전 가능하게 지지되며 도시되지 않은 회전구동기구에 의해 회전구동되는 회전 스핀들(42)과 그 회전 스핀들(42)에 장착된 절삭 블레이드(43)를 구비하고 있다. 절삭 블레이드(43)에 대해서는 후에 상세하게 설명한다.
도시된 실시 형태의 다이싱 장치는 상기 척 테이블(3)을 구성하는 흡착 척(32)의 표면에 유지된 피가공물의 표면을 촬상하고, 상기 절삭 블레이드(43)에 의해 절삭해야 하는 영역을 검출하거나, 절삭구(切削溝)의 상태를 확인하기 위한 촬상 기구(5)를 구비하고 있다. 이 촬상 기구(5)는 현미경이나 CCD 카메라등의 광학 수단으로 되어 있다. 또한, 다이싱 장치는 촬상 기구(5)에 의해 촬상된 화상을 표시하는 표시수단(6)을 구비하고 있다.
도시된 실시 형태의 다이싱 장치는 피가공물을 저장하는 카세트(7)를 구비하 고 있다. 또, 피가공물은 도시된 실시 형태에 있어서는 상기 도6에 도시된 반도체 플레이트(10)가 이용된다. 반도체 플레이트(10)는 지지 프레임(8)에 테이프(9)에 의해 지지되어 있고, 지지 프레임(8)에 지지된 상태로 상기 카세트(7)에 수용된다. 또한, 카세트(7)는 도시되지 않은 승강 수단에 의해 상하로 이동가능하게 배열 설치된 카세트 테이블(71) 위에 설치된다.
도시된 실시 형태의 다이싱 장치는 카세트(7)에 수용된 피가공물로서의 지지 프레임(8)에 테이프(9)를 통해서 지지된 상태의 반도체 플레이트(10)를 피가공물 설치 영역(workpiece placing area)(11)에 반출하는 피가공물 반출수단(12)과 그 피가공물 반출수단(12)에 의해 반출된 반도체 플레이트(10)를 상기 척 테이블(3) 위에 반송하는 피가공물 반송수단(13)과 척 테이블(3)에서 절삭 가공된 반도체 플레이트(10)를 세정하는 세정수단(14)과 척 테이블(3)에서 절삭 가공된 반도체 플레이트(10)를 세정수단(14)으로 반송하는 세정 반송수단(15)을 구비하고 있다.
다음으로, 위에 기술한 다이싱 장치의 가공처리동작에 대해서 간단하게 설명한다.
카세트(7)의 소정 위치에 수용된 지지 프레임(8)에 테이프(9)를 통하여 지지된 상태의 반도체 플레이트(10)(이하, 지지 프레임(8)에 테이프(9)에 의해 지지된 상태의 반도체 플레이트(10)를 단순히 반도체 플레이트(10)라 한다)는 도시되지 않은 승강 수단에 의해 카세트 테이블(71)이 상하로 움직이는 것에 의해 반출 위치에 위치된다. 다음에, 피가공물 반출수단(12)이 앞뒤로 작동하고 반출 위치에 위치된 반도체 플레이트(10)를 피가공물 설치 영역(11)에 반출한다. 피가공물 설치 영역(11)에 반출된 반도체 플레이트(10)는 피가공물 반송수단(13)의 선회전 동작에 의해 상기 척 테이블(3)을 구성하는 흡착 척(32)의 설치면에 반송되고, 그 흡착 척(32)에 흡인되어 유지된다. 이렇게 해서 반도체 플레이트(10)를 흡인 유지한 척 테이블(3)은 촬상 기구(5)의 바로 아래까지 이동되게 된다. 척 테이블(3)이 촬상 기구(5)의 바로 아래에 위치되면 촬상 기구(5)에 의해 반도체 플레이트(10)에 형성되어 있는 절단 라인(104)(도6 참조)이 검출되고, 스핀들 유닛(4)의 분할 방향인 화살표 Y방향으로 이동 조절되고 정밀 위치 결정 작업이 실행된다.
그 후, 절삭 블레이드(43)를 소정의 방향으로 계속 회전시켜 반도체 플레이트(10)를 흡인 유지한 척 테이블(3)을 절삭이송방향인 화살표 X로 나타낸 방향(절삭 블레이드(43)의 회전축와 직교하는 방향)에 예를 들어 30mm/초의 절삭이송속도로 이동하는 것에 의해 척 테이블(3)에 유지된 반도체 플레이트(10)는 절삭 블레이드(43)에 의한 소정의 절삭 라인(스트리트)를 따라 절단된다. 즉, 절삭 블레이드(43)는 분할 방향인 화살표 Y로 나타낸 방향 및 절단 방향인 화살표 Z로 나타낸 방향으로 이동 조정되어 위치 결정된 스핀들 유닛(4)에 장착되고, 회전구동되고 있으므로, 척 테이블(3)을 절삭 블레이드(43)의 하측을 따라 절삭이송방향으로 이동하는 것에 의해 척 테이블(3)에 유지된 반도체 플레이트(10)는 각각에 패키지된 반도체 칩(반도체 패키지)(100)으로 분할된다. 분할된 반도체 패키지(100)는 테이프(9)의 작용에 의해 분리되지 않고 프레임(8)에 지지된 반도체 플레이트(10)의 상태가 유지되고 있다. 이렇게 해서 반도체 플레이트(10)의 절단이 종료된 후 반도체 플레이트(10)를 유지한 척 테이블(3)은 최초에 반도체 플레이트(10)를 흡인 유지한 위치로 되돌려 여기에서 반도체 플레이트(10)의 흡인 유지를 해제한다. 다음에, 반도체 플레이트(10)는 세정 반송수단(15)에 의해 세정 수단(14)으로 반송되고 여기에서 세정된다. 이렇게 해서 세정된 반도체 플레이트(10)는 피가공물 반송수단(13)에 의해 피가공물 설치 영역(11)으로 반출된다. 그리고, 반도체 플레이트(10)는 피가공물 반출수단(12)에 의해 카세트(7)의 소정 위치에 수납된다.
다음으로, 본 발명에 따라 구성된 절삭 블레이드(43)의 한 실시형태에 대해서 도2 및 도3을 참조해서 설명한다.
도2 및 도3에 도시된 실시형태의 절삭 블레이드(43)는 와셔 타입 블레이드(washer type blade)이고 환상의 절삭날 부분(430)이 연마 입자를 도금으로 고정시킨 3층의 전기주조연마입자층에 의해 구성되어 있고 중심부에는 상기 회전 스핀들(42)에 장착되기 위한 부착공(433)이 형성되어 있다. 환상의 절삭날 부분은 중앙전기주조연마입자층(431)과 그 중앙전기주조연마입자층(431)의 양측에 각각 형성된 외측 전기주조연마입자층(432, 432)으로 되어 있다. 중앙 전기주조연마입자층(431)은 집중도가 낮은 연마입자층으로 형성되고 외측전기주조연마입자층(432, 432)은 중앙전기주조연마입자층(431)보다 집중도가 높은 연마입자층으로 형성되어 있다. 중앙전기주조연마입자층(431)의 연마 입자의 집중도는 0에서 100이 바람직하고 외측전기주조연마입자층(432, 432)의 연마 입자의 집중도는 200 ~ 300이 바람직하다. 또, 연마 입자의 집중도는 0 ~ 400으로 규정되고 집중도 0은 연마 입자가 0%, 집중도 200은 연마 입자가 50%, 집중도 400은 연마 입자가 100%이다. 또한, 연마 입자의 입자 직경은 환상의 절삭날 부분(430)의 두께에 대해 1/10 ~ 1/3으로 설 정하는 것이 바람직하고 환상의 절삭날 부분(430)의 두께는 200 ~ 300㎛로 설정하고 연마 입자의 입자 직경을 20 ~ 60㎛로 설정하는 것이 바람직하다. 또, 연마 입자는 다이아몬드 연마 입자를 이용하는 것이 바람직하다.
상기처럼 구성된 절삭 블레이드(43)에서 환상의 절삭날 부분(430)의 제조방법을 나타내는 한 예에 대해서 설명한다.
먼저, 중앙전기주조연마입자층(431)을 널리 알려진 전기 주조법에 의해 제작한다. 즉, 도금통에 수용된 황산니켈액에 집중도가 0 ~ 100이 되도록 입자 직경이 20 ~ 60㎛인 다이아몬드 연마 입자를 혼입시키고, 이 황산니켈액에 다이아몬드 연마 입자가 혼입된 도금액 중에서 알루미늄으로 이루어진 환상 기판의 한 면에 니켈 도금하는 것에 의해, 다이아몬드 연마 입자를 니켈 도금으로 고정시킨 복합 도금층(다이아몬드 연마 입자의 집중도가 0 ~ 100)을 형성한다. 또, 이 복합 도금층으로 이루어진 중앙전기주조연마입자층(431)은 두께가 70㎛정도로 형성된다. 그리고, 환상 기판의 한 면에 형성된 복합 도금층을 환상 기판에서 박리(剝離)하든가, 환상 기판을 수산화나트륨등의 에칭 용액으로 용해 제거해서 중앙전기주조연마입자층(431)을 형성한다.
다음으로, 중앙전기주조연마입자층(431)의 양면에 전기 주조법에 의해 외측전기주조연마입자층(432, 432)을 형성한다. 즉, 도금통에 수용된 황산니켈액에 집중도가 200 ~ 300이 되도록 입자 직경이 20 ~ 60㎛인 다이아몬드 연마 입자를 혼입한 도금액 중에서 상기 중앙전기주조연마입자층(431)의 양면에 니켈 도금하는 것에 의해 다이아몬드 연마 입자를 니켈 도금으로 고정한 복합 도금층(다이아몬드 연마 입자의 집중도가 200에서 300)으로 이루어진 외측전기주조연마입자층(432, 432)을 형성한다. 또한, 이 복합 도금층으로 이루어진 외측전기주조연마입자층(432, 432)은 두께가 100㎛정도로 형성된다.
이상과 같이, 도3에 도시된 바와 같이 중앙전기주조연마입자층(431)과 그 중앙전기주조연마입자층(431)의 양측에 각각 형성된 외측전기주조연마입자층(432, 432)으로 이루어진 절삭날 부분(430)을 구비하는 절삭 블레이드(43)가 구성됐다면, 그 외주를 적절한 드레스 보드(dress board)로 드레싱하면 중앙전기주조연마입자층(431)은 외측전기주조연마입자층(432, 432)보다 집중도가 낮은 연마입자층에 의해 형성되어 있으므로 도2에 도시된 바와 같이 다량으로 마모되고, 환상의 절삭날 부분(430)의 외주에는 폭방향 중앙부에 환상 凹부(434)가 형성된다.
도4에는, 상기와 같이 구성된 절삭 블레이드(43)를 이용해 상기 도6에 도시된 반도체 플레이트(10)를 전극(102)의 중간부를 통해서 형성된 절단 라인(104)을 따라 절삭한 상태가 도시되어 있다. 즉, 절삭 블레이드(43)를 계속 회전시켜 반도체 플레이트(10)를 반도체 플레이트(10)에 형성된 절단 라인(104)을 따라 상대 이동시키면, 도4에 도시된 바와 같이 절삭 블레이드(43)를 구성하는 절삭날 부분(430)의 외주에는 폭방향 중앙부에 환상 凹부(434)가 형성되어 있으므로 절삭하는 사이에 생기는 절삭가루는 환상 凹부(434)측에 거둬들여지고 절삭 블레이드(43)의 회전에 수반되어 배제되므로 상기 도7 및 도8에 도시된 것 같은 버르(110)가 발생하지 않는다. 또한, 위에 기술한 절삭 블레이드(43)를 구성하는 환 상의 절삭날 부분(430)은 널리 알려진 전기 주조법에 의해 형성될 수가 있으므로 그 제조가 용이하다.
다음으로, 본 발명에 따라 구성된 절삭 블레이드의 다른 실시형태에 대해서 도5를 참조해 설명한다.
도5에 도시된 실시형태의 절삭 블레이드(43a)는 허브형 블레이드이고 상기 회전 스핀들(42)에 장착하기 위한 허브(455a)와 그 허브(455a)의 한 면 외주부에 장착된 환상의 절삭날 부분(430a)으로 구성되어 있다. 절삭날 부분(430a)은 위에 기술한 절삭 블레이드(43)의 절삭날 부분(430)과 같은 모양으로 연마 입자를 도금으로 고정시킨 3층의 전기주조연마입자층에 의해 구성되어있다. 즉, 환상의 절삭날 부분(430a)은 중앙전기주조연마입자층(431a)과 그 중앙전기주조연마입자층(431a)의 양쪽에 각각 형성된 외측전기주조연마입자층(432a, 432a)으로 이루어져 있다. 중앙전기주조연마입자층(431a)은 집중도가 낮은 연마입자층(예를 들면, 연마 입자의 집중도가 0 ~ 100)으로 형성되고, 외측전기주조연마입자층(432a, 432a)은 중앙전기주조연마입자층(431a)보다 집중도가 높은 연마입자층(예를 들면, 연마 입자의 집중도가 200에서 300)으로 형성되어 있다.
상기와 같이 구성된 허브형의 절삭 블레이드(43a)의 제조방법의 한 예에 대해 설명한다.
먼저, 허브(455a)의 한 면에 한 쪽의 외주 전기주조연마입자층(432a)을 널리 알려진 전기 주조법에 의해 형성한다. 즉, 알루미늄으로 이루어진 환상 허브(455a)를 한 면의 외주부를 남기고 마스킹(masking)해 이 한 면의 외주부를 남기고 마스 킹한 환상 허브(455a)를 유산 니켈액에 집중도가 200에서 300이 되도록 입자 직경이 20에서 60㎛인 다이아몬드 연마 입자를 혼입시킨 도금액 중에서 니켈 도금한다. 이 결과, 허브(455a)의 한 면 외주부에는 다이아몬드 연마 입자를 니켈 도금으로 고정시킨 환상의 복합 도금층(다이아몬드 연마 입자의 집중도가 200에서 300)이 형성된다. 이 복합 도금층으로 이루어진 외측전기주조연마입자층(432a)은 두께가 100㎛정도로 형성된다.
다음에, 허브(455a)의 한 면 외주부에 형성된 한 쪽의 외측전기주조연마입자층(432a)의 표면에 중앙전기주조연마입자층(431a)을 전기 주조법에 의해 형성한다. 즉, 한 면 외주부에 외측전기주조연마입자층(432a)이 형성된 허브(455a)를 유산 니켈액에 집중도가 0 ~ 100이 되도록 입자 직경이 20 ~ 60㎛인 다이아몬드 연마 입자를 혼입시킨 도금액 중에서 니켈 도금한다. 이 결과, 허브(455a)의 한 면 외주부에 형성된 외측전기주조연마입자층(432a)의 표면에는 다이아몬드 연마 입자를 니켈 도금으로 고정시킨 환상의 복합 도금층(다이아몬드 연마 입자의 집중도가 0 ~ 100)이 형성된다. 이 복합 도금층으로 이루어진 중앙전기주조연마입자층(431a)은 두께가 70㎛정도로 형성된다.
다음에, 상기 한 쪽의 외측전기주조연마입자층(432a)의 표면에 형성된 중앙전기주조연마입자층(431a)의 표면에 다른 쪽의 외측전기주조연마입자층(432a) 및 중앙전기주조연마입자층(431a)이 형성된 허브(455a)를 황산니켈액에 집중도가 200 ~ 300이 되도록 입자 직경이 20 ~ 60㎛인 다이아몬드 연마 입자를 혼입시킨 도금액 중에서 니켈 도금한다. 이 결과, 상기 중앙전기주조연마입자층(431a)의 표면에는 다이아몬드 연마 입자를 니켈 도금으로 고정한 환상의 복합 도금층(다이아몬드 연마 입자의 집중도가 200 ~ 300)이 형성된다. 또한, 이 복합 도금층으로 이루어진 다른 쪽의 외측전기주조연마입자층(432a)은 두께가 100㎛정도로 형성된다.
이상과 같이, 허브(455a)의 한 면 외주부에 한 쪽 외측전기주조연마입자층(432a)과 중앙전기주조연마입자층(431a) 및 다른 쪽의 외측전기주조연마입자층(432a)이 형성됐다면, 허브(455a)의 외주 선단부를 수산화나트륨등의 에칭용액으로 용해 제거하는 것에 의해 허브(455a)의 외주부에 3층의 전기주조연마입자층으로 이루어진 환상의 절삭날 부분(430a)이 형성된다.
그리고, 허브(455a)의 외주부에 3층의 전기주조연마입자층으로 이루어진 환상의 절삭날 부분(430a)을 장착시킨 허브형의 절삭 블레이드(43a)의 외주를, 적절한 드레스 보드로 드레싱하면 상기 절삭 블레이드(43)와 마찬가지로 중앙전기주조연마입자층(431a)은 외측전기주조연마입자층(432a, 432a)보다 집중도가 낮은 연마입자층에 의해 형성되어 있으므로 다량으로 마모되고 환상의 절삭날 부분(430a)의 외주에는 폭방향 중앙부에 환상 凹부(434a)가 형성된다. 따라서, 이 절삭 블레이드(43a)에 의해 절삭되는 것에 따라 상기 절삭 블레이드(43)와 마찬가지의 작용효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 의한 절삭 블레이드는 이상과 같이 구성되어 있으므로 다음의 작용 효과를 이룬다.
즉, 본 발명에 의하면 절삭 블레이드를 구성하는 환상의 절삭날 부분이 중앙 전기주조연마입자층과 그 중앙전기주조연마입자층의 양측에 각각 형성된 외측전기주조연마입자층으로 이루어지고, 그 중앙전기주조연마입자층이 집중도가 낮은 연마입자층으로 형성되며 그 외측전기주조연마입자층이 그 중앙전기주조연마입자층보다 집중도가 높은 연마입자층으로 형성되어 있으므로 드레싱 혹은 사용에 의해 중앙전기주조연마입자층이 다량으로 마모되어 환상의 절삭날 부분의 외주에는 폭방향 중앙부에 환상 凹부가 형성된다. 이 같이 환상의 절삭날 부분의 외주 폭방향 중앙부에 환상 凹부가 형성된 절삭 블레이드에 의해 절삭되면 절삭하는 사이에 생기는 절삭가루는 환상 凹부측에 거둬들여지고 절삭 블레이드의 회전에 수반되어 배제되므로 버르의 발생이 방지된다. 또한, 본 발명에 의한 절삭 블레이드(43)를 구성하는 환상의 절삭날 부분은 널리 알려진 전기 주조법에 의해 형성될 수가 있으므로 그 제조가 용이하다.

Claims (5)

  1. 환상의 절삭날 부분이 연마 입자를 도금으로 고정시킨 전기주조연마입자층에 의해 구성된 절삭 블레이드에 있어서,
    그 환상의 절삭날 부분은 중앙전기주조연마입자층과 그 중앙전기주조연마입자층의 양측에 각각 형성된 외측전기주조연마입자층으로 이루어지고,
    그 중앙전기주조연마입자층은 집중도가 낮은 연마입자층으로 형성되며, 그 외측전기주조연마입자층은 그 중앙전기주조연마입자층보다 집중도가 높은 연마입자층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 절삭 블레이드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 중앙전기주조연마입자층은 집중도가 0 ~ 100의 연마입자층으로 형성되고, 그 외측전기주조연마입자층은 집중도가 200 ~ 300의 연마입자층으로 형성되어 있는 절삭 블레이드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    그 연마 입자의 입자 직경은 그 환상의 절삭날 부분의 두께에 대해 1/10 ~ 1/3로 설정되어 있는 절삭 블레이드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    그 환상의 절삭날 부분의 두께는 200 ~ 300㎛로 설정되어 있고, 그 연마 입자의 입자 직경은 20 ~ 60㎛로 설정되어 있는 절삭 블레이드.
  5. 제 1항에 있어서,
    그 연마 입자는 다이아몬드 연마 입자인 절삭 블레이드.
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