KR20230021595A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20230021595A
KR20230021595A KR1020220095172A KR20220095172A KR20230021595A KR 20230021595 A KR20230021595 A KR 20230021595A KR 1020220095172 A KR1020220095172 A KR 1020220095172A KR 20220095172 A KR20220095172 A KR 20220095172A KR 20230021595 A KR20230021595 A KR 20230021595A
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KR
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unit
substrate
grinding
processing apparatus
protective tape
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KR1020220095172A
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토모후미 코기
유키 야스다
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 스루풋의 저하나 장치의 비대화를 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
(해결 수단) 기판 처리 장치는, 표면에 보호 테이프가 부착된 기판의 타방의 면을 연삭하는 연삭 유닛과, 연삭 유닛에 의해 연삭된 기판의 이면에 테이프를 통해 프레임을 부착하는 프레임 마운트 유닛과, 연삭 후의 기판의 이면 측을 유지하여, 연삭 유닛으로부터 프레임 마운트 유닛으로 반송하는 마운트측 반송 유닛을 포함하는 반송 유닛과, 각 구성 요소를 제어하는 제어 유닛을 구비하고, 기판이 연삭 유닛으로부터 프레임 마운트 유닛으로 반송되는 반송 경로에 있어서, 마운트측 반송 유닛에 유지된 상태의 기판의 표면측에 부착된 보호 테이프 전체면에 대하여 균등하게 자외선이 조사되도록 배치된 UVLED 광원(35)을 포함하는 자외선 조사 유닛(30)을 갖는다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS OF PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼로부터 칩을 제조하는 프로세스에 있어서, 웨이퍼의 표면측에 디바이스를 보호하는 보호 테이프를 부착한 상태에서 웨이퍼의 이면측을 연삭하는 연삭 장치와, 연삭 후의 웨이퍼의 이면측에 다이싱 테이프를 통해 프레임을 부착함과 함께 웨이퍼의 표면측에 부착된 보호 테이프를 박리하는 마운터라고 칭해지는 장치가 인라인화된 처리 장치가 이용되는 경우가 있다.　
이러한 처리 장치에 있어서, 마운터로 보호 테이프를 박리하기 위해서는 테이프의 점착성을 저하시켜 둘 필요가 있다. 이 때문에, 마운터에 반송되기 전에 보호 테이프에 대하여 자외선을 조사하는 기구가 설치되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
또한, 직선형으로 배치된 수은 램프와 웨이퍼를 상대적으로 이동시킴으로써 보호 테이프 전체면에 자외선을 조사하는 장치도 사용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2002-343756호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2009-283662호
그러나, 특허문헌 1에 기재된 바와 같이 보호 테이프 전체면에 자외선이 조사되는 방식에서는, 웨이퍼를 자외선 조사부에 재치하고, 주위에 광이 누설되지 않도록 커버를 폐쇄하는 등의 동작이 필요해지기 때문에, 조사 시간이 증대되어 스루풋이 저하된다고 하는 과제가 있었다.
또한, 특허문헌 2에 기재된 직선형으로 배치된 수은 램프와 웨이퍼를 상대적으로 이동시킴으로써 보호 테이프 전체면에 자외선을 조사하는 방식에서는, 상대 이동을 위한 스페이스가 필요해져, 장치의 비대화를 초래한다는 과제가 있다.
본 발명은, 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 스루풋의 저하나 장치의 비대화를 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판 처리 장치에 있어서, 일방의 면에 보호 테이프가 부착된 기판의 타방의 면을 연삭하는 연삭 유닛과, 상기 연삭 유닛에 의해 연삭된 기판의 상기 타방의 면에 테이프를 통해 프레임을 부착하는 프레임 마운트 유닛과, 연삭 후의 기판의 상기 타방의 면측을 유지하고, 상기 연삭 유닛으로부터 상기 프레임 마운트 유닛으로 반송하는 반송 암을 포함하는 반송 유닛과, 각 구성 요소를 제어하는 제어 유닛을 구비하고, 상기 기판이 상기 연삭 유닛으로부터 상기 프레임 마운트 유닛으로 반송되는 반송 경로에 있어서, 상기 반송 암에 유지된 상태의 기판의 일방의 면측에 부착된 상기 보호 테이프 전체면에 대해 균등하게 자외선이 조사되도록 배치된 UVLED 광원을 포함하는 자외선 조사 유닛을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 처리 장치에 있어서, 상기 자외선 조사 유닛은, 적어도 2종류의 파장의 자외선을 조사하는 것이 가능해도 좋다.
상기 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어 유닛은, 보호 테이프의 종류와, 그 보호 테이프의 경화에 적합한 자외선 파장을 기억하는 기억부를 갖고, 기판에 부착된 보호 테이프의 종류에 따라 그 보호 테이프에 조사하는 자외선의 파장을 변경 가능해도 좋다.
본 발명은, 스루풋의 저하나 장치의 비대화를 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.
도 1은, 실시형태 1에 관련된 기판 처리 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는, 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 가공 대상의 기판의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 3은, 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 자외선 조사 유닛의 구성을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 4는, 도 3에 도시된 자외선 조사 유닛의 자외선 조사부를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 5는, 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 제어 유닛의 기억부가 기억한 데이터를 나타내는 도면이다.
도 6은, 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 마운트측 반송 유닛이 기판을 자외선 조사 유닛의 상방에 위치시킨 상태를 도시하는 사시도이다.
도 7은, 도 6에 도시된 마운트측 반송 유닛 및 자외선 조사 유닛을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 8은, 도 6에 도시된 기판 처리 장치의 자외선 조사 유닛의 셔터가 개구를 개방한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 9는, 도 8에 도시된 마운트측 반송 유닛 및 자외선 조사 유닛을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 10은, 도 8에 도시된 기판 처리 장치의 마운트측 반송 유닛이 기판을 강하한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 11은, 도 10에 도시된 마운트측 반송 유닛 및 자외선 조사 유닛을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 12는, 실시형태 1의 변형예에 따른 기판 처리 장치의 자외선 조사 유닛의 자외선 조사부를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 대하여, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 다양한 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
(실시형태 １)
본 발명의 실시형태 1에 관련된 기판 처리 장치를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은, 실시형태 1에 관련된 기판 처리 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 평면도이다. 실시형태 1에 관련된 도 1에 나타내는 기판 처리 장치(1)는, 도 2에 나타내는 기판(200)을 연삭하는 장치이다.
(기판)
우선, 기판(200)을 설명한다. 도 2는, 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 가공 대상의 기판의 일례를 도시하는 사시도이다. 기판 처리 장치(1)의 가공 대상인 기판(200)은, 실리콘, 사파이어, 또는 갈륨비소 등을 기재(201)로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼 등의 웨이퍼이다. 또한, 실시형태 1에서는, 기판(200)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 표면(202)의 격자형의 분할 예정 라인(203)에 의해 구획된 각 영역에 디바이스(204)가 형성되어 있다.
디바이스(204)는, 예를 들면, IC(Integrated Circuit), 또는 LSI(Large Scale Integration) 등의 집적 회로, CCD(Charge Coupled Device), 또는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 등의 이미지 센서이다.
실시형태 1에 따른 기판(200)은, 일방의 면인 표면(202)에 기판(200)과 동일 직경의 보호 테이프(210)가 부착되고, 표면(202) 이면 측의 타방의 면인 이면(206)이 연삭된다. 보호 테이프(210)는, 합성 수지로 구성되고 비점착성의 기재층과, 합성 수지로 구성되고 또한 기재층에 적층되어 있음과 함께 점착성의 풀층을 구비한다. 보호 테이프(210)의 풀층은, 자외선이 조사되면, 경화되어 점착력이 저하된다. 보호 테이프(210)는, 풀층이 조사되어 경화되는 자외선의 파장이 상이한 복수의 종류가 존재한다. 즉, 보호 테이프(210)는, 종류가 상이하면, 풀층이 조사되어 경화되는 자외선의 파장이 상이한 경우가 있다.
(기판 처리 장치)
다음으로, 기판 처리 장치를 설명한다. 기판 처리 장치(1)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 연삭 유닛(2)과, 프레임 마운트 유닛(20)과, 반송 유닛(41)과, 제어 유닛(100)을 구비한다.
연삭 유닛(2)은, 표면(202)에 보호 테이프(210)가 부착된 기판(200)에 이면(206)을 거친 연삭, 마무리 연삭, 연마하는 가공 장치이다. 연삭 유닛(2)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 유닛 본체(3)와, 거친 연삭 유닛(4)과, 마무리 연삭 유닛(5)과, 연마 유닛(6)과, 축심 둘레로 회전 가능하게 유닛 본체(3)에 지지된 턴 테이블과, 턴 테이블(7) 상에 설치된 예컨대 4개의 척 테이블(8)과, 한 쌍의 카세트(9)와, 위치 맞춤 유닛(10)과, 도시하지 않은 유닛내 반입출 유닛과, 세정 유닛(11)을 주로 구비하고 있다.
거친 연삭 유닛(4)은, 스핀들의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 연삭 휠을 회전시키면서 거친 연삭 위치(302)의 척 테이블(8)에 유지된 기판(200)의 이면(206)에 연직 방향과 평행한 Z축 방향을 따라 가압함으로써, 기판(200)의 이면(206)을 거친 연삭하기 위한 것이다. 마찬가지로, 마무리 연삭 유닛(5)은, 스핀들의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 연삭 휠을 회전시키면서 마무리 연삭 위치(303)에 위치하는 척 테이블(8)에 유지된 거친 연삭이 완료된 기판(200)의 이면(206)에 Z축 방향을 따라 가압함으로써, 기판(200)의 이면(206)을 마무리 연삭하기 위한 것이다.
연마 유닛(6)은, 스핀들의 하단에 장착된 연마 패드를 갖는 연마 공구를 회전시키면서 연마 위치(304)의 척 테이블(8)에 유지된 기판(200)의 이면(206)에 연직 방향과 평행한 Z축 방향을 따라 가압함으로써, 기판(200)의 이면(206)을 연마하기 위한 것이다. 또한, 실시형태 1에 있어서, 거친 연삭 유닛(4) 및 마무리 연삭 유닛(5)의 연삭 휠의 회전 중심인 축심, 및 연마 유닛(6)의 연마 공구의 회전 중심인 축심과, 척 테이블(8)의 회전 중심인 축심은, 서로 거의 평행함과 함께, 수평 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다.
또한, 실시형태 1에서는, 연마 유닛(6)은, 연마액 등의 가공액을 공급하지 않고, 기판(200)의 이면(206)에 건식 연마, 소위 드라이 폴리시를 실시한다.
턴 테이블(7)은, 유닛 본체(3)의 상면에 설치된 원반형의 테이블이며, 수평면 내에서 회전 가능하게 설치되고, 소정의 타이밍에서 회전 구동된다. 이 턴 테이블(7) 상에는, 예컨대 4개의 척 테이블(8)이, 예컨대 90도의 위상각으로 등간격으로 배치되어 있다. 이들 4개의 척 테이블(8)은, 유지면에 진공 척을 구비한 척 테이블 구조의 것이며, 유지면에 보호 테이프(210)를 통해 표면(202)측이 재치된 기판(200)을 진공 흡착하여 유지한다. 이들 척 테이블(8)은, 연삭 시 및 연마 시에는, 연직 방향과 평행한 축을 회전축으로 하여, 회전 구동 기구에 의해 수평면 내에서 회전 구동된다. 이와 같은 척 테이블(8)은, 턴 테이블(7)의 회전에 의해, 반입 반출 위치(301), 거친 연삭 위치(302), 마무리 연삭 위치(303), 연마 위치(304), 반입 반출 위치(301)로 순차 이동된다.
카세트(9)는, 복수의 슬롯을 갖는 기판(200)을 수용하기 위한 수용기이다. 카세트(9)는, 연삭 연마 전의 표면(202)에 보호 테이프(210)가 부착된 기판(200)을 수용한다. 또한, 위치 맞춤 유닛(10)은, 카세트(9)로부터 취출된 기판(200)이 임시 배치되어, 그 중심 위치 맞춤을 행하기 위한 테이블이다.
유닛내 반입출 유닛은, 흡착 패드를 가지며, 위치 맞춤 유닛(10)으로 위치 맞춤된 연삭 연마 전의 기판(200)을 흡착 유지하여 반입 반출 위치(301)에 위치하는 척 테이블(8) 상에 반입한다. 유닛내 반입출 유닛은, 반입 반출 위치(301)에 위치하는 척 테이블(8) 상에 유지된 연삭 연마 후의 기판(200)을 흡착 유지하여 세정 유닛(11)에 반출한다.
세정 유닛(11)은, 연삭 연마 후의 기판(200)을 세정하여, 연삭 및 연마된 가공면에 부착되어 있는 연삭 부스러기 및 연마 부스러기 등의 컨태미네이션을 제거한다.
프레임 마운트 유닛(20)은, 연삭 유닛(2)에 의해 연삭 연마된 기판(200)의 이면(206)에 테이프(211)를 통해 내경이 기판(200)의 외경보다 큰 환형의 프레임(212)을 부착하는 가공 장치이다. 프레임 마운트 유닛(20)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 유닛 본체(21)와, 자외선 조사 유닛(30)과, 마운트 유닛(22)과, 박리 유닛(23)과, 세정 유닛(24)과, 도시하지 않은 유닛내 반송 유닛과, 카세트(25)를 주로 구비하고 있다. 유닛 본체(21)는, 연삭 유닛(2)의 유닛 본체(3)와 병설되어 있다.
(자외선 조사 유닛)
다음에, 자외선 조사 유닛(30)을 설명한다. 도 3은, 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 자외선 조사 유닛의 구성을 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 4는, 도 3에 도시된 자외선 조사 유닛의 자외선 조사부를 모식적으로 도시한 평면도이다. 자외선 조사 유닛(30)은, 마운트측 반송 유닛(26)에 유지된 상태의 이면(206)이 연삭 연마된 기판(200)의 표면(202)에 부착된 보호 테이프(210)에 대해 자외선을 조사하는 것이다. 자외선 조사 유닛(30)은, 반송 유닛(41)의 기판(200)의 반송 경로 상에 설치되어 있다.
자외선 조사 유닛(30)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 반송 유닛(41)의 기판(200)의 반송 경로 상에 설치되고, 또한, 상방에 개구(31)를 설치한 조사통(32)과, 자외선 조사부(33)와, 셔터(34)를 구비한다. 조사통(32)은, 반송 유닛(41)의 기판(200)의 반송 경로 상에 설치되고, 또한, 상방에 개구(31)를 설치한 원통형의 유닛 본체(21) 내에 설치된 공간이다. 조사통(32)은 바닥부가 폐색되어 있다.
자외선 조사부(33)는, 조사통(32)의 저면에 복수 배치된 UVLED 광원(35)을 포함한다. 또한, LED는 "Light Emitting Diode(발광 다이오드)"를 의미하고, UV는 "ultraviolet(자외선)"를 의미한다. UVLED 광원(35)은 상방으로 자외선을 조사하는 LED이다. 실시형태 1에서는, 자외선 조사부(33)는, UVLED 광원(35)으로서 365nm의 파장의 자외선을 조사하는 LED와, 385nm의 파장의 자외선을 조사하는 LED를 포함하고 있다. 이와 같이, 실시형태 1에서는, 자외선 조사 유닛(30)은, 2종류의 파장의 자외선을 조사하지만, 본 발명에서는, 365nm의 파장의 자외선을 조사하는 LED와, 385nm의 파장의 자외선을 조사하는 LED에 더하여, 이들과 상이한 파장의 자외선을 조사하는 LED를 적어도 2종 포함해도 좋다. 요컨대, 본 발명에서는, 자외선 조사 유닛(30)은, 적어도 2종류의 파장의 자외선을 조사하는 것이 바람직하다.
복수의 UVLED 광원(35)은 마운트측 반송 유닛(26)에 유지된 상태의 기판(200)의 표면(202)에 부착된 보호 테이프(210) 전체면에 대하여 균일하게 자외선이 조사되도록, 서로 인접하는 것끼리의 거리의 차가 소정의 값 이하로 되는 위치에 배치되어 있다. 실시형태 1에서는, UVLED 광원(35)은, 마운트측 반송 유닛(26)에 유지된 상태의 기판(200)의 표면(202)에 부착된 보호 테이프(210) 전체면에 대하여 균일하게 각 파장의 자외선이 조사되도록, 각 파장의 자외선을 조사하는 LED끼리의 인접하는 것 사이의 거리의 차가 소정의 값 이하로 되는 위치에 배치되어 있다.
셔터(34)는, 서로 근접 또는 이간하는 방향으로 이동 가능하고, 또한 개구(31)의 상방에 배치된 한 쌍의 셔터 부재(36)를 구비하고 있다. 셔터(34)는, 한 쌍의 셔터 부재(36)가 서로 가까워져 서로의 가장자리가 접촉하면 개구(31)를 막는다. 셔터(34)는, 한 쌍의 셔터 부재(36)가 서로 이격되면 개구(31)를 개방한다.
마운트 유닛(22)은, 자외선 조사 유닛(30)에 의해 테이프(211)에 자외선이 조사된 기판(200)과 프레임(212)을 동축이 되는 위치에 위치 결정하고, 롤 형상으로 감긴 테이프(211)를 기판(200)의 이면(206) 및 프레임(212)에 부착하고, 테이프(211)를 프레임(212)의 내측 가장자리와 외측 가장자리 사이에서 절단하는 것이다. 마운트 유닛(22)은, 기판(200)의 이면(206)에 테이프(211)를 통해 프레임(212)을 부착하는 것이다.
박리 유닛(23)은, 마운트 유닛(22)에 의해 이면(206)에 테이프(211)를 통해 프레임(212)이 부착된 기판(200)의 표면(202)으로부터 보호 테이프(210)를 박리하는 것이다. 세정 유닛(11)은, 박리 유닛(23)에 의해 보호 테이프(210)가 박리된 기판(200)의 표면(202)을 세정하는 것이다.
카세트(25)는, 복수의 슬롯을 갖는 기판(200)을 수용하기 위한 수용기이다. 카세트(25)는, 연삭 연마 후에, 프레임(212)이 부착되고 보호 테이프(210)가 박리된 기판(200)을 수용한다.
유닛내 반입출 유닛은, 흡착 패드를 가지며, 연삭 유닛(2)에 의해 연삭된 기판(200)을 흡착 유지하여, 기판(200)을 마운트측 반송 유닛(26), 마운트 유닛(22), 박리 유닛(23) 및 세정 유닛(24)의 사이에서 반송하는 것이다.
반송 유닛(41)은, 연삭 유닛(2)으로부터 프레임 마운트 유닛(20)에 기판(200)을 반송하는 것인, 반송 유닛(41)은, 연삭측 반송 유닛(12), 연삭 유닛(2)의 유닛내 반송 유닛, 마운트측 반송 유닛(26)(반송 암에 상당), 프레임 마운트 유닛(20)의 유닛내 반송 유닛 및 반송 유닛 이동 기구(40)를 구비한다.
연삭측 반송 유닛(12)은, 예컨대 U자형 핸드(13)를 구비하는 로봇 픽이며, U자형 핸드(13)에 의해 기판(200)을 흡착 유지하여 기판(200)을 반송한다. 구체적으로는, 연삭측 반송 유닛(12)은, 연삭 연마 전의 기판(200)을 카세트(9)로부터 위치 맞춤 유닛(10)에 반출한다.
마운트측 반송 유닛(26)은, 연삭 유닛(2)의 세정 유닛(24)에 의해 세정된 기판(200)의 이면(206)을 흡착 유지하여, 기판(200)을 연삭 유닛(2)으로부터 프레임 마운트 유닛(20)으로 반송하는 것이다. 마운트측 반송 유닛(26)은, 원형의 흡착 패드(27)를 갖는 로봇 픽이며, 흡착 패드(27)에 의해 기판(200)을 흡착 유지하여 기판(200)을 반송한다.
구체적으로는, 마운트측 반송 유닛(26)은, 연삭 유닛(2)의 세정 유닛(24)에 의해 세정된 기판(200)을 자외선 조사 유닛(30) 및 유닛내 반송 유닛에 반송함과 함께, 프레임(212)이 부착되고 또한 보호 테이프(210)가 박리되어 세정된 기판(200)을 세정 유닛(24)으로부터 카세트(25)에 반입한다. 또한, 마운트측 반송 유닛(26)은, 흡착 패드(27)를 승강시킬 수 있다.
반송 유닛 이동 기구(40)는, 연삭측 반송 유닛(12)과 마운트측 반송 유닛(26)을 유닛 본체(3, 21)의 폭 방향을 따라, 연삭 유닛(2)과 프레임 마운트 유닛(20)에 걸쳐 이동시키는 것이다. 또한, 마운트측 반송 유닛(26)이 기판(200)을 자외선 조사 유닛(30)에 반송하므로, 자외선 조사 유닛(30)은, 반송 유닛(41)에 의해 기판(200)이 연삭 유닛(2)으로부터 프레임 마운트 유닛(20)으로 반송되는 반송 경로 상에 설치되어 있다.
(제어 유닛)
다음에, 제어 유닛(100)을 설명한다. 도 5는, 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 제어 유닛의 기억부가 기억한 데이터를 나타내는 도면이다. 제어 유닛은, 기판 처리 장치(1)를 구성하는 상술한 구성 요소를 각각 제어하는 것이다. 즉, 제어 유닛은, 기판(200)에 대한 가공 동작을 기판 처리 장치(1)에 실행시키는 것이다. 제어 유닛은, 컴퓨터 프로그램을 실행 가능한 컴퓨터이다. 제어 유닛은, CPU(central processing unit)와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM(read only memory) 또는 RAM(random access memory)과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는다. 제어 유닛의 연산 처리 장치는, 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 실행하여, 기판 처리 장치(1)를 제어하기 위한 제어 신호를 생성한다. 제어 유닛의 연산 처리 장치는, 생성한 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 통해 기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소에 출력한다.
실시형태 1에 있어서, 제어 유닛(100)은, 기억부(101)를 갖고 있다. 기억부(101)는, 보호 테이프(210)의 종류와, 보호 테이프(210)의 풀층의 경화에 적합한 자외선의 파장을 1 대 1로 대응시킨 도 5에 나타내는 데이터(102)를 기억하고 있다. 기억부(101)의 기능은, 전술한 기억 장치에 의해 실현된다. 도 5는, 종류 1의 보호 테이프(210)에 대응지어진 풀층의 경화에 적합한 파장 1이 365nm이며, 종류 2의 보호 테이프(210)에 대응지어진 풀층의 경화에 적합한 파장 2가 385nm인 것을 예로서 나타내고 있다.
(가공 동작)
다음에, 기판 처리 장치(1)의 가공 동작을 설명한다. 도 6은, 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 마운트측 반송 유닛이 기판을 자외선 조사 유닛의 상방에 위치시킨 상태를 도시하는 사시도이다. 도 7은, 도 6에 도시된 마운트측 반송 유닛 및 자외선 조사 유닛을 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 8은, 도 6에 도시된 기판 처리 장치의 자외선 조사 유닛의 셔터가 개구를 개방한 상태를 나타내는 사시도이다. 도 9는, 도 8에 도시된 마운트측 반송 유닛 및 자외선 조사 유닛을 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 10은, 도 8에 도시된 기판 처리 장치의 마운트측 반송 유닛이 기판을 강하한 상태를 나타내는 사시도이다. 도 11은, 도 10에 도시된 마운트측 반송 유닛 및 자외선 조사 유닛을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
기판 처리 장치(1)는, 기판(200)을 수용한 카세트(9)가 설치되고, 빈 카세트(25)가 설치되며, 오퍼레이터가 입력한 가공 조건을 제어 유닛(100)이 접수한다. 또한, 가공 조건은 기판(200)의 표면(202)에 부착되어 있는 보호 테이프(210)의 종류를 포함한다. 기판 처리 장치(1)는, 오퍼레이터로부터의 가공 동작의 개시 지시를 제어 유닛(100)이 접수하면, 가공 동작을 개시한다.
가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이, 연삭측 반송 유닛(12)에 카세트(9)로부터 기판(200)을 취출시켜, 위치 맞춤 유닛(10)에 반출시키며, 위치 맞춤 유닛(10)에 기판(200)의 중심 위치 맞춤을 행하게 한다. 가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛이, 유닛내 반송 유닛에 중심 위치 맞춤된 기판(200)을 반입 반출 위치(301)에 위치하는 척 테이블(8) 상에 반입시킨다.
가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 기판(200)의 표면(202) 측을 보호 테이프(210)를 통해 척 테이블(8)에 흡인 유지하고, 이면(206)을 노출시켜, 턴 테이블(7)에서 기판(200)을 거친 연삭 위치(302), 마무리 연삭 위치(303), 연마 위치(304)에 순서대로 반송한다. 가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 거친 연삭 위치(302) 및 마무리 연삭 위치(303)에 있어서, 스핀들에 의해 연삭 휠을 회전시키고 또한 척 테이블(8)을 축심 둘레로 회전시키면서 연삭 지석을 기판(200)의 이면(206)에 접촉시켜 척 테이블(8)에 소정의 이송 속도로 근접시킴으로써, 연삭 지석으로 기판(200)의 이면(206)에 거친 연삭, 마무리 연삭을 순서대로 실시한다. 가공 동작에서는, 소정의 두께가 될 때까지, 기판(200)을 연삭한다.
가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 턴 테이블(7)을 회전시켜, 마무리 연삭 후의 기판(200)을 유지한 척 테이블(8)을 연마 위치(304)로 이동시키고, 연마 위치(304)에 있어서, 스핀들에 의해 연마 공구를 회전시키고 또한 척 테이블(8)을 축심 둘레로 회전시키면서, 연마 패드를 기판(200)의 이면(206)에 접촉시켜 척 테이블(8)에 소정의 이송 속도로 근접시킴으로써, 연마 패드로 기판(200)의 이면(206)에 건식 연마를 실시한다. 가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 소정 시간, 건식 연마하면, 연마 유닛(6)에 의해 연마를 종료하여, 연마 유닛(6)에 의해 연마된 기판(200)을 반입 반출 위치(301)에 위치시키고, 유닛내 반송 유닛에 의해 세정 유닛(11)에 반입하여, 세정 유닛(11)에서 세정한다.
가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이 세정 후의 기판(200)의 이면(206)을 마운트측 반송 유닛(26)의 흡착 패드(27)에 흡착 유지되어, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 반송 유닛 이동 기구(40) 및 마운트측 반송 유닛(26)에 흡착 패드(27)에 흡착 유지시킨 기판(200)을 자외선 조사 유닛(30)의 셔터(34)의 상방에 위치시킨다. 가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 자외선 조사 유닛(30)의 셔터(34)의 셔터 부재(36)를 서로 이간하는 방향으로 이동시켜, 개구(31)를 개방시킨다.
가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이, 도 10 및 도 11에 나타내는 바와 같이, 마운트측 반송 유닛(26)에 흡착 패드(27) 즉 기판(200)을 하강시킨다. 가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이, 가공 조건에서 정해진 보호 테이프(210)의 종류에 대응하는 자외선의 파장을 도 5에 도시된 데이터(102)로부터 판독하고, 판독한 파장의 자외선을 조사하는 UVLED 광원(35)을 미리 정해진 소정 시간 점등시킨다. 그러면, 기판(200)의 표면(202)에 부착된 보호 테이프(210)의 풀층이 경화되어, 풀층의 점착력이 저하된다.
가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이, 자외선 조사 유닛(30)에 UVLED 광원(35)을 미리 정해진 소정 시간 점등시킨 후, 소등시켜, 마운트측 반송 유닛(26)에 흡착 패드(27), 즉 기판(200)을 상승시킨다. 가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이, 자외선 조사 유닛(30)의 셔터(34)의 셔터 부재(36)를 서로 근접하는 방향으로 이동시켜, 개구(31)를 폐색시킨다.
가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이, 마운트측 반송 유닛(26)에 기판(200)을 프레임 마운트 유닛(20)의 유닛내 반송 유닛에 전달시키고, 유닛내 반송 유닛에 기판(200)을 마운트 유닛(22)까지 반송시킨다. 가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이, 마운트 유닛(22)에 기판(200)의 이면(206)에 테이프(211)를 통해 프레임(212)을 부착시키고, 유닛내 반송 유닛에 프레임(212) 등이 부착된 기판(200)을 박리 유닛(23)까지 반송시킨다.
가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이, 박리 유닛(23)에 보호 테이프(210)를 기판(200)의 표면(202)으로부터 박리시키고, 유닛내 반송 유닛에 보호 테이프(210)가 박리된 기판(200)을 세정 유닛(24)까지 반송시킨다. 가공 동작에서는, 기판 처리 장치(1)는, 제어 유닛(100)이, 세정 유닛(24)에 기판(200)을 세정시키고, 마운트측 반송 유닛(26)에 세정 후의 기판(200)을 카세트(25)에 반입시킨다. 기판 처리 장치(1)는 카세트(9) 내의 모든 기판(200)에 연삭 연마 등을 실시하면, 가공 동작을 종료한다.
이상의 실시형태 1에 따른 기판 처리 장치(1)는, 마운트측 반송 유닛(26)으로 기판(200)을 유지한 상태로, 기판(200)에 부착된 보호 테이프(210)에 대해 자외선을 전체면 조사하는 구성으로 했기 때문에, 스루풋의 저하나 장치의 비대화를 억제하는 것이 가능해진다. 그 결과, 실시형태 1에 따른 기판 처리 장치(1)는, 스루풋의 저하나 장치의 비대화를 억제할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
또한, 실시형태 1에 따른 기판 처리 장치(1)는, UVLED 광원(35)을 이용함으로써, 수은 램프를 이용한 경우와 비교하여 조사 시간의 단축이나 장수명화를 실현할 뿐만 아니라, 복수 파장의 UVLED 광원(35)을 이용함으로써, 수은 램프와 비교하여 파장 대역이 좁다고 하는 LED의 단점을 극복할 수 있다는 효과를 나타낸다.
(변형예)
본 발명의 실시형태 1의 변형예에 관련된 기판 처리 장치를 도면에 기초하여 설명한다. 도 12는, 실시형태 1의 변형예에 따른 기판 처리 장치의 자외선 조사 유닛의 자외선 조사부를 모식적으로 나타내는 평면도이다. 또한, 도 12는, 실시형태 1과 동일 부분에 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 자외선 조사 유닛(30)의 자외선 조사부(33)가 상이한 것 이외에, 실시형태 1과 동일하다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)의 자외선 조사 유닛(30)의 자외선 조사부(33)는, 도 12에 도시된 바와 같이, 복수의 UVLED 광원(35)과, 베이스(37)를 구비한다.
베이스(37)는, 조사통(32)의 저면의 중심으로부터 세워 설치한 회동축(38)에 지지되는 대략 수평 자세의 판 형상이다. 베이스(37)는, 조사통(32)의 저면의 중심으로부터 직경 방향 외측을 향하여 서서히 폭이 넓어지는 부채형으로 형성되어 있다. 베이스(37)는, 변형예에 있어서, 평면에서 보아 각(39)이 약 90°의 부채 형상이다. 베이스(37)는, 평면에서 볼 때, 모서리(39)가 조사통(32)의 저면의 중심에 위치하고, 원호 부분(42)이 조사통(32)의 저면에 외측 가장자리에 위치하고, 모서리(39)가 회동축(38)에 지지된다.
복수의 UVLED 광원(35)은, 베이스(37)에 배치된다. 보다 상세하게는, 복수의 UVLED 광원(35)은, 회동축(38)에 의해 회전하는 베이스(37)에 배치됨으로써, 마운트측 반송 유닛(26)의 흡착 패드(27)에 유지된 기판(200)에 조사되는 자외선의 적산 광량이 일정해지도록, 평면에서 볼 때, 회동축(38)을 기점으로 한 소용돌이 형상의 궤적에 대응하여 베이스(37)에 배치된다. 복수의 UVLED 광원(35)은, 마운트측 반송 유닛(26)의 흡착 패드(27)에 유지된 기판(200)에 조사되는 자외선의 적산 광량이 일정해지도록, 전술한 소용돌이를 따라서 인접하는 것끼리의 간격이, 모서리(39)로부터 원호 부분(42)을 향함에 따라 서서히 좁아지도록 배치된다. 　
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 자외선 조사 유닛(30)이 회동축(38)을 중심으로 베이스(37)를 회전시키면서 UVLED 광원(35)을 점등시켜, 기판(200)에 자외선을 조사한다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 마운트측 반송 유닛(26)으로 기판(200)을 유지한 상태로, 기판(200)에 부착된 보호 테이프(210)에 대해 자외선을 전체면 조사하는 구성으로 했기 때문에, 실시형태 1과 마찬가지로, 스루풋의 저하나 장치의 비대화를 억제할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.
1 기판 처리 장치 2 연삭 유닛
20 프레임 마운트 유닛 26 마운트측 반송 유닛(반송 암)
30 자외선 조사 유닛 35 UVLED 광원
41 이송 유닛 100 제어 유닛
101 기억부 200 기판
202 표면(일방의 면) 206 이면(타방의 면)
210 보호 테이프 211 테이프
212 프레임

Claims (3)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    일방의 면에 보호 테이프가 부착된 기판의 타방의 면을 연삭하는 연삭 유닛과,
    상기 연삭 유닛에 의해 연삭된 기판의 상기 타방의 면에 테이프를 통해 프레임을 부착하는 프레임 마운트 유닛과,
    연삭 후의 기판의 상기 타방의 면측을 유지하고, 상기 연삭 유닛으로부터 상기 프레임 마운트 유닛으로 반송하는 반송 암을 포함하는 반송 유닛과,
    각 구성 요소를 제어하는 제어 유닛을 구비하고,
    상기 기판이 상기 연삭 유닛으로부터 상기 프레임 마운트 유닛으로 반송되는 반송 경로에 있어서,
    상기 반송 암에 유지된 상태의 기판의 일방의 면측에 부착된 상기 보호 테이프 전체면에 대해 균등하게 자외선이 조사되도록 배치된 UVLED 광원을 포함하는 자외선 조사 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 조사 유닛은,
    적어도 2종류의 파장의 자외선을 조사하는 것이 가능한, 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 보호 테이프의 종류와, 그 보호 테이프의 경화에 적합한 자외선 파장을 기억하는 기억부를 갖고,
    기판에 부착된 보호 테이프의 종류에 따라 그 보호 테이프에 조사하는 자외선의 파장을 변경 가능한 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343756A (ja) 2001-05-21 2002-11-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ平面加工装置
JP2009283662A (ja) 2008-05-22 2009-12-03 Lintec Corp 光照射装置

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