JP6846205B2 - 分割装置及び分割方法 - Google Patents

分割装置及び分割方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6846205B2
JP6846205B2 JP2017003236A JP2017003236A JP6846205B2 JP 6846205 B2 JP6846205 B2 JP 6846205B2 JP 2017003236 A JP2017003236 A JP 2017003236A JP 2017003236 A JP2017003236 A JP 2017003236A JP 6846205 B2 JP6846205 B2 JP 6846205B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tape
wafer
chamber
dividing
division
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017003236A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018113350A (ja
Inventor
篤 植木
篤 植木
篤 服部
篤 服部
吉洋 川口
吉洋 川口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2017003236A priority Critical patent/JP6846205B2/ja
Priority to TW106142562A priority patent/TWI735712B/zh
Priority to KR1020180003959A priority patent/KR102327107B1/ko
Publication of JP2018113350A publication Critical patent/JP2018113350A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6846205B2 publication Critical patent/JP6846205B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Description

本発明は、ウエーハを個々のチップに分割する分割装置及び分割方法に関する。
従来、分割装置として、リングフレームにテープを介して支持されたウエーハを、テープを拡張することで、ウエーハに形成された分割起点に沿って分割するものが知られている(例えば、特許文献1、2参照)。これら分割装置では、ウエーハが分割テーブルに保持されると共にリングフレームがリング状テーブルに保持されて、リングフレームに対してウエーハが相対的に押し上げられる。これにより、テープが径方向に拡張されて、テープからウエーハの分割起点に外力が加わって、分割起点に沿ってウエーハが個々のチップに分割される。
特開2016−004832号公報 特開2007−027250号公報
ところで、常温雰囲気中ではテープを拡張しても、ウエーハを残してテープだけが引き伸ばされて、ウエーハが良好に分割されない場合がある。そこで、分割装置に冷却設備を設けて、冷気雰囲気中でテープを拡張してウエーハを分割する方法が提案されている。また、ウエーハの分割後にはチップの間隔を固定するために、テープの拡張によって生じたウエーハの周囲のテープの弛みを熱収縮させる必要があるが、冷却効率の低下を考慮して通常は冷却設備とは別ユニットでテープの弛みが除去される。しかしながら、冷却設備から分割後のウエーハを搬送する際に、チップ同士の擦れ等によってチップ側面にキズや欠けが発生するという問題があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、簡易な装置構成で冷却効率を低下させることなく、ウエーハを良好に分割すると共にテープの弛みを除去することができる分割装置及び分割方法を提供することを目的の1つとする。
本発明の一態様の分割装置は、リングフレームの開口を塞いで貼着したテープに分割起点を形成したウエーハを貼着し一体化したワークセットの該テープを拡張させ該分割起点を起点にウエーハを分割する分割装置であって、該リングフレームを保持するフレーム保持手段と、該フレーム保持手段が保持したワークセットの該テープを介してウエーハを保持する保持面を有するテーブルと、該フレーム保持手段と該テーブルとを収容する分割室と、該分割室の一部を開閉して該分割室内にワークセットの搬入および搬出を可能にする開閉手段と、該分割室内に冷気を供給して該分割室内を冷気雰囲気にする冷気供給手段と、該分割室内で該テーブルと該フレーム保持手段とを相対的に該保持面に対して直交する方向で接近および離間させる昇降手段と、該分割室内で拡張された該テープに貼着されるウエーハの外周と該リングフレームの内周との間の該テープに遠赤外線を照射させ収縮させ隣接するチップの間隔を固定する収縮手段と、を備え、冷気雰囲気の該分割室内で、該テーブルと該フレーム保持手段とを離間させ該テープを拡張しウエーハを分割させ、拡張した該テープを該保持面が保持して該テーブルと該フレーム保持手段とを接近させ、該ウエーハの外周と該リングフレームの内周との間の弛んだ該テープに遠赤外線を照射して収縮させ隣接したチップの間隔を固定することを特徴とする。
この構成によれば、分割室内を冷気雰囲気にした状態でテープが拡張されて、ウエーハが分割起点を起点にして個々のチップに分割される。このとき、ウエーハと共にテープが冷却されているため、ウエーハの貼着箇所でテープが伸長し難くなって、テープの拡張時の外力が直接的にウエーハに加わって割れ易くなっている。また、ウエーハの分割後に、分割室内で遠赤外線の照射によってウエーハの周囲のテープの弛みが熱収縮される。遠赤外線によってテープが部分的に加熱されるため、分割室内の温度上昇を抑えながら冷却雰囲気中でテープの弛みを良好に除去することができる。また、分割室内でウエーハの分割とテープの熱収縮が実施されるため、分割後のチップの間隔が固定された状態で搬送されるためチップ同士の擦れ等による品質低下が防止される。
本発明の一態様の分割方法は、上記の分割装置を用いたウエーハの分割方法であって、該分割室にワークセットを搬入し該フレーム保持手段でワークセットを保持する保持工程と、該分割室内に冷気を供給して該ワークセットを冷却する冷却工程と、該冷却工程の後、該テーブルと該フレーム保持手段とを離間する方向に動作させ該テープを拡張させウエーハを分割する分割工程と、該分割工程の後、該分割室内で該保持面が該テープを保持してウエーハの外周とリングフレームの内周との間の弛んだ該テープに遠赤外線を照射させ該テープを収縮させる収縮工程と、を備える。
本発明によれば、冷気雰囲気中でウエーハを分割すると共に遠赤外線でテープの弛みを熱収縮させることで、簡易な装置構成で冷却効率の低下を抑えることができると共に、分割後のウエーハの擦れ等による品質低下を防止することができる。
本実施の形態の分割装置の斜視図である。 比較例の分割装置の分割動作及び熱収縮動作の説明図である。 本実施の形態の分割装置による分割動作の説明図である。 変形例の分割装置の側面模式図である。
以下、添付図面を参照して、本実施の形態の分割装置について説明する。図1は、本実施の形態の分割装置の斜視図である。なお、分割装置は、図1に記載された構成に限定されず、適宜変更することが可能である。
図1に示すように、分割装置1は、リングフレームFにDAF(Dai Attach Film)テープTを介して支持されたウエーハWを、冷気雰囲気中でDAFテープTの拡張によって個々のチップC(図3B参照)に分割するように構成されている。また、分割装置1は、DAFテープTの拡張の解除時にウエーハWの外周とリングフレームFの内周の間に生じるDAFテープTの弛みを熱収縮(ヒートシュリンク)によって除去するように構成されている。このように、DAFテープTが引き伸ばされて弛んだ箇所だけを熱収縮させて、ウエーハWの分割後のチップC同士が接触して破損しないようにチップCの間隔が維持されている。
ウエーハWの表面には格子状の分割予定ラインLが設けられており、分割予定ラインLによって区画された各領域に各種デバイス(不図示)が形成されている。なお、ウエーハWは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板にIC、LSI等のデバイスが形成された半導体ウエーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の無機材料基板にLED等の光デバイスが形成された光デバイスウエーハでもよい。ウエーハWはリングフレームFに貼られたDAFテープTに貼着され、ウエーハWとリングフレームFとDAFテープTを一体化させたワークセットWSが分割装置1に搬入される。
ワークセットWSのリングフレームFは熱収縮性を有するDAFテープTによって開口部が塞がれており、開口部の内側のDAFテープTにウエーハWが貼着されている。ウエーハWの内部には、分割予定ラインLに沿った分割起点として改質層55(図3A参照)が形成されている。なお、改質層55は、レーザーの照射によってウエーハWの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層55は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。
また、以下の説明では、分割起点としてウエーハWの内部に形成された改質層55(図3A参照)を例示するが、この構成に限定されない。分割起点は、ウエーハWの分割時の起点になればよく、例えば、レーザー加工溝、切削溝、スクライブラインで構成されてもよい。さらに、DAFテープTは、表面にDAF56が積層されて、伸縮性を有すると共に熱収縮性を有するものであればよく、特に材質は限定されない。DAFテープTのテープ基材は、例えば、遠赤外線で収縮し易いPO(Polyolefin)、PVC(Polyvinyl Chloride)で形成されることが好ましい。
分割装置1には、上ボックス11と下ボックス12から成る分割ボックス10が設けられ、分割ボックス10内にはウエーハWを分割するための分割室13が形成されている。上ボックス11と下ボックス12は開閉手段14を介して連結され、開閉手段14によって上ボックス11と下ボックス12が開かれることでワークセットWSの搬入及び搬出を可能にしている。開閉手段14は、エアシリンダで構成されており、下ボックス12に設けたシリンダから突出したシリンダロッドに上ボックス11が連結されている。上ボックス11には、分割室13内に冷気を供給して、分割室13内を冷気雰囲気にする冷気供給手段15が設けられている。
分割室13(下ボックス12)内には、ワークセットWSのDAFテープTを介してウエーハWを吸引保持可能なテーブル20が配置され、テーブル20の周囲にはワークセットWSのリングフレームFを保持するフレーム保持手段30が配置されている。テーブル20は、複数の支柱部21によって支持されており、テーブル20の上面には多孔質のポーラス板22が配置されている。この多孔質のポーラス板22によってテーブル20の上面にウエーハWを吸引保持する保持面23が形成されている。保持面23にはテーブル20内の流路を通じて吸引源26(図3A参照)に接続され、保持面23に生じる負圧によってウエーハWが吸引保持される。
また、保持面23から吸引源26に連なる流路には開閉バルブ24(図3A参照)が設けられており、開閉バルブ24によってウエーハWに対する保持面23の吸引保持と吸引解除が切り替えられている。テーブル20の外周エッジには、全周に渡って複数のローラ部25が回転可能に設けられている。複数のローラ部25は、保持面23にウエーハWが保持された状態で、ウエーハWの周囲のDAFテープTに下側から転接されている。複数のローラ部25がDAFテープTに転接されることで、DAFテープTの拡張時にテーブル20の外周エッジで生じるDAFテープTの摩擦が抑えられている。
フレーム保持手段30は、載置テーブル31上のリングフレームFを、カバープレート32で上方から挟み込むようにして、載置テーブル31上にリングフレームFを保持している。載置テーブル31及びカバープレート32の中央には、テーブル20よりも大径の円形開口33、34がそれぞれ形成されている。載置テーブル31上にカバープレート32が被せられると、カバープレート32と載置テーブル31によってリングフレームFが保持されると共に、載置テーブル31及びカバープレート32の円形開口33、34からウエーハWとDAFテープTの一部が外部に露出される。
フレーム保持手段30は、載置テーブル31上のリングフレームFにカバープレート32が被せられた状態で、例えば、不図示のクランプ部によってカバープレート32が載置テーブル31に固定される。フレーム保持手段30は、分割室13内でテーブル20とフレーム保持手段30を、相対的に保持面23に対して直交する方向で離間及び接近させる昇降手段36に支持されている。昇降手段36は、載置テーブル31の四隅を支持する4つの電動シリンダで構成されている。昇降手段36のシリンダロッド37の突出量が制御されることで、テーブル20上のウエーハWとフレーム保持手段30との距離が調節される。
分割室13(上ボックス11)内には、DAFテープTに生じた弛みを収縮させる収縮手段40が設けられている。収縮手段40はウエーハWの中心軸上に設けられており、ウエーハWの中心を挟んで対向するように旋回アーム41の両端に一対の照射部42を配置している。照射部42は、例えば、金属材料に吸収され難い3μm〜25μmをピーク波形とする遠赤外線をスポット照射するように構成されている。これにより、装置各部の加熱を抑えてウエーハWの外周とリングフレームFの内周との間のDAFテープTの弛みが部分的に加熱されて熱収縮される。
また、収縮手段40の旋回アーム41には、一対の照射部42を上下動させる上下動作部43と、一対の照射部42をウエーハWの中心軸回りに回転させる回転モータ44とが設けられている。上下動作部43は、フレーム保持手段30の昇降動作に合わせて、DAFテープTに対する一対の照射部42の高さを調整する。回転モータ44は、ウエーハWの周囲のDAFテープTの弛みが全周に亘って加熱されるように一対の照射部42を旋回する。上下動作部43及び回転モータ44によって一対の照射部42がDAFテープTに対して適切に位置付けられることでウエーハWの周囲のDAFテープTが良好に加熱される。
また、分割装置1には、装置各部を統括制御する制御手段50が設けられている。制御手段50は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。制御手段50によってテーブル20とフレーム保持手段30が相対移動されてDAFテープTの拡張動作が制御されると共に、収縮手段40の一対の照射部42でDAFテープTの弛みが除去されてDAFテープTの収縮動作が制御されている。
このような分割装置1では、分割室13内の冷気雰囲気中で、フレーム保持手段30がリングフレームFを保持した状態で下降されることで、カバープレート32及び載置テーブル31の円形開口33、34からテーブル20が突出される。フレーム保持手段30に対してテーブル20が相対的に突き上げられることで、DAFテープTが径方向に拡張されてウエーハWが個々のチップC(図3B参照)に分割される。また、フレーム保持手段30が上昇されてDAFテープTの拡張が解除されると、DAFテープTのテンションが緩められる。このとき、ウエーハWの周囲のDAFテープTが弛まないように照射部42からの遠赤外線によってDAFテープTが加熱されて熱収縮される。
ところで、図2Aに示すように、常温雰囲気中でウエーハWを分割しようとすると、DAFテープTの拡張時にDAF56が伸長してウエーハWを良好に分割することができない。すなわち、DAFテープTの拡張時にウエーハWを残してテープ基材と共にDAF56が引き伸ばされて、ウエーハWに対してDAFテープTの拡張による外力が伝達されない。また、DAFテープT以外の他のテープであっても、テープ基材上の粘着糊にウエーハWが貼着されるため、ウエーハWを残してテープ基材と共に粘着糊だけが引き伸ばされるため、ウエーハWが良好に分割されない。特に、常温雰囲気中ではウエーハの外周とリングフレームの内周との間のDAFテープ、もしくはDAFテープ以外の他のテープが拡張されるので、テープの拡張がウエーハの分割に寄与しない。
このため、図2Bに示すように、冷気雰囲気中でDAF56の伸長を抑えながら、ウエーハWとDAF56を一体的に分割する構成が考えられる。冷気雰囲気中でのDAFテープTの拡張によって、ウエーハWが貼着されていない箇所よりもウエーハWが貼着された箇所でDAFテープTが伸び難くなる。これにより、DAFテープTの拡張時に、ウエーハWが貼着された箇所でDAF56が伸び難くなって、ウエーハWとDAF56が一体的に分割される。同様に他のテープでも、テープの粘着糊が冷却されることで粘着糊が軟化しないので、テープの拡張によってウエーハWが良好に分割される。
しかしながら、冷気雰囲気中では、DAFテープTの熱収縮時に熱風を吹き付けるような一般的なヒータを用いることができない。このため通常は、冷却効率を考慮して、冷気雰囲気を作り出す冷却設備とは別のエリアに、DAFテープTの弛みを熱収縮させる加熱設備を設けるようにしている。しかしながら、DAFテープTの弛みを除去せずに冷却設備から加熱設備にウエーハWが搬送されるため、DAFテープTの弛みによってチップC同士が擦れ合って、チップCの側面にキズや欠けが発生していた。また、装置構成が複雑になると共に装置が大型化するという問題があった。
そこで、本実施の形態では、冷気雰囲気中でDAFテープTを拡張することでDAF56と共にウエーハWを分割し、さらに同じ室内でウエーハWの分割後にDAFテープTの弛みに対して照射部42から遠赤外線をスポット照射するようにしている。遠赤外線自体は熱を持っておらず、空気を暖めることもないため、室内の温度を上昇させることなくDAFテープTの照射箇所だけが加熱される。これにより、冷気雰囲気中でウエーハWを良好に分割すると共に、冷気雰囲気を維持しつつDAFテープTの弛みを熱収縮させて、冷却効率の低下を抑えつつ分割後のウエーハWの擦れ等による品質低下を防止することができる。
以下、図3を参照して、本実施の形態の分割装置による分割動作について説明する。図3は、本実施の形態の分割装置による分割動作の説明図である。図3Aは保持工程及び冷却工程の一例、図3Bは分割工程の一例、図3Cはテープ収縮工程の一例をそれぞれ示している。
図3A示すように、先ず保持工程が実施される。保持工程では、分割ボックス10の分割室13内にワークセットWSが搬入されて、テーブル20上にDAFテープTを介してウエーハWが載置され、ウエーハWの周囲のリングフレームFがフレーム保持手段30に保持される。また、分割ボックス10にワークセットWSが搬入されると、開閉手段14によって分割ボックス10が閉じられて、外気が入り込まないように分割室13が気密に封止される。このとき、テーブル20に連なる開閉バルブ24が閉じられており、吸引源26からテーブル20への吸引力が遮断されている。
次に、保持工程の後に冷却工程が実施される。冷却工程では、分割ボックス10の冷気供給手段15の供給口から分割室13内に冷気が供給され、分割室13内の冷気にワークセットWSが晒されて冷却される。このとき、分割ボックス10の壁面は断熱材等によって形成されているため、分割室13内を良好に冷却することが可能になっている。これによって、ウエーハW及びDAFテープTが硬化されて、ウエーハWが貼着されていない箇所よりも、ウエーハWが貼着されている箇所でDAFテープTが伸び難くなる。すなわち、ウエーハWの貼着箇所ではウエーハWとDAF56が一体化されている。
図3B示すように、冷却工程の後に分割工程が実施される。分割工程では、冷気雰囲気中でフレーム保持手段30が下降されて、テーブル20とフレーム保持手段30が離間される。これにより、DAFテープTが放射方向に拡張されて、強度が低下した改質層55(図3A参照)に外力が作用して、改質層55を起点にしてウエーハWがDAF56と共に個々のチップCに分割される。このとき、分割室13内の冷気雰囲気によってDAF56がウエーハWと一体化しているため、DAFテープTの拡張に伴ってDAF56が引き伸ばされることがなく、ウエーハWと共にDAF56が分割される。
図3Cに示すように、分割工程の後に収縮工程が実施される。収縮工程では、ウエーハWが個々のチップCに分割されると、開閉バルブ24が開かれてテーブル20に吸引力が発生する。テーブル20によってDAFテープTを介してチップCが吸引保持した状態で、フレーム保持手段30が上昇されて、テーブル20とフレーム保持手段30が接近される。このため、テーブル20上ではチップCが間隔を空けた状態でDAFテープTが吸引保持される一方で、ウエーハWの外周とリングフレームFの内周の間ではDAFテープTのテンションが緩んで弛みが発生する。
このとき、ウエーハWの上方に収縮手段40が位置付けられ、回転モータ44(図1参照)によって一対の照射部42が旋回されてDAFテープTの弛みの熱収縮が開始される。フレーム保持手段30の移動に合わせて、上下動作部43(図1参照)によって照射部42の高さが調整されながら、一対の照射部42からウエーハWの外周とリングフレームFの内周の間の弛んだDAFテープTに遠赤外線が照射される。ウエーハWの周囲のDAFテープTだけが熱収縮されるため、テーブル20の吸引保持が解除されても、隣接するチップCの間隔が維持された状態で固定される。
また、熱を持たない遠赤外線によって周囲の空気を暖めることなく、DAFテープTだけが部分的に加熱されるため、分割室13内の温度上昇を抑えることが可能になっている。このように、分割ボックス10内を冷気雰囲気で維持した状態で、ウエーハWの分割とDAFテープTの熱収縮が連続的に実施される。よって、装置構成を簡略化することができると共に、ウエーハWの分割後にチップCの擦れ等による品質低下が防止される。なお、冷却工程で分割室13に冷気を供給する構成にしたが、分割工程や保持工程においても分割室13に冷気を供給し続けるようにしてもよい。これにより、離間したチップの固定がより確実にできる。
以上のように、本実施の形態の分割装置1では、分割室13内を冷気雰囲気にした状態でDAFテープTが拡張されて、ウエーハWが分割起点を起点にして個々のチップCに分割される。このとき、ウエーハWと共にDAFテープTが冷却されているため、ウエーハの貼着箇所でDAFテープTが伸長し難くなって、DAFテープTの拡張時の外力が直接的にウエーハWに加わって割れ易くなっている。また、ウエーハWの分割後に、分割室13で遠赤外線の照射によってウエーハWの周囲のDAFテープTの弛みが熱収縮される。遠赤外線によってDAFテープTが部分的に加熱されるため、分割室13の温度上昇を抑えながら冷却雰囲気中でDAFテープTの弛みを良好に除去することができる。また、分割室13でウエーハWの分割とDAFテープTの熱収縮が実施されるため、分割後のチップCの間隔が固定された状態で搬送されるためチップC同士の擦れ等による品質低下が防止される。
なお、本実施の形態では、分割室内に昇降手段及び収縮手段が収容される構成にしたが、この構成に限定されない。昇降手段は、分割室内でフレーム保持手段とテーブルを離間及び搬出する構成であればよく、昇降手段の駆動部分が分割室の外部に設けられていてもよい。また、収縮手段は、分割室内でテープに遠赤外線を照射する構成であればよく、収縮手段の回転モータが分割室の外部に設けられていてもよい。図4に示すように、昇降手段61の駆動部分62や収縮手段64の回転モータ65が分割室67の外部に設けられることで、駆動熱で分割室67内が暖められることがなく、分割室67を小さくして冷気供給手段68による冷却時間を短縮することができる。
また、本実施の形態では、昇降手段がテーブルに対してフレーム保持手段を昇降させる構成にしたが、この構成に限定されない。昇降手段は、テーブルとフレーム保持手段とを相対的に接近及び離間させる構成であればよく、例えば、フレーム保持手段に対してテーブルを昇降させる構成にしてもよい。また、昇降手段は電動シリンダに限定されず、他のアクチュエータで構成されていてもよい。
また、本実施の形態では、テープとしてテープ基材にDAFが積層されたDAFテープを例示して説明したが、この構成に限定されない。テープは、熱収縮するテープ基材上に粘着層が形成されたテープであればよい。
また、本実施の形態では、上ボックスと下ボックスとで分割室を形成する構成にしたが、この構成に限定されない。分割室は、フレーム保持手段とテーブルが収容可能であれば、どのように形成されていてもよい。
また、本実施の形態では、開閉手段がエアシリンダである構成にしたが、この構成に限定されない。開閉手段は、分割室の一部を開閉して分割室内にワークセットの搬入及び搬出を可能にする構成であればよい。
また、本実施の形態では、分割ボックスの上部に冷気供給手段が設けられる構成にしたが、この構成に限定されない。冷気供給手段は、分割室内に冷気を供給して、分割室内を冷気雰囲気にする構成であればよく、分割ボックスに対する設置位置や分割室内の冷却方法は特に限定されない。
また、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
また、本発明の実施の形態は上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。
また、本実施の形態では、本発明を分割装置に適用した構成について説明したが、テープを適切に拡張する他のエキスパンド装置に適用することも可能である。
以上説明したように、本発明は、簡易な装置構成で冷却効率を低下させることなく、ウエーハを良好に分割すると共にテープの弛みを除去することができるという効果を有し、特に、DAFテープに貼着されたウエーハを分割する分割装置及び分割方法に有用である。
1 分割装置
10 分割ボックス
13 分割室
14 開閉手段
15 冷気供給手段
20 テーブル
23 保持面
30 フレーム保持手段
36 昇降手段
40 収縮手段
55 改質層(分割起点)
56 DAF
C チップ
L 分割予定ライン
F リングフレーム
T DAFテープ
W ウエーハ
WS ワークセット

Claims (2)

  1. リングフレームの開口を塞いで貼着したテープに分割起点を形成したウエーハを貼着し一体化したワークセットの該テープを拡張させ該分割起点を起点にウエーハを分割する分割装置であって、
    該リングフレームを保持するフレーム保持手段と、
    該フレーム保持手段が保持したワークセットの該テープを介してウエーハを保持する保持面を有するテーブルと、
    該フレーム保持手段と該テーブルとを収容する分割室と、
    該分割室を形成する2つのボックスから成る分割ボックスと、
    該分割室の一部を開閉して該分割室内にワークセットの搬入および搬出を可能に該分割ボックスを開閉する開閉手段と、
    該分割ボックスを閉めた該分割室内に冷気を供給して該分割室内を冷気雰囲気にする冷気供給手段と、
    該分割室内で該テーブルと該フレーム保持手段とを相対的に該保持面に対して直交する方向で接近および離間させる昇降手段と、
    該分割室内で拡張された該テープに貼着されるウエーハの外周と該リングフレームの内周との間の該テープに遠赤外線を照射させ収縮させ隣接するチップの間隔を固定する収縮手段と、を備え、
    該分割ボックスを閉めた冷気雰囲気の該分割室内で、該テーブルと該フレーム保持手段とを離間させ該テープを拡張しウエーハを分割させ、拡張した該テープを該保持面が保持して該テーブルと該フレーム保持手段とを接近させ、該ウエーハの外周と該リングフレームの内周との間の弛んだ該テープに遠赤外線を照射して収縮させ隣接したチップの間隔を固定することを特徴とする分割装置。
  2. 請求項1記載の分割装置を用いたウエーハの分割方法であって、
    該分割室にワークセットを搬入し該フレーム保持手段でワークセットを保持する保持工程と、
    該分割室内に冷気を供給して該ワークセットを冷却する冷却工程と、
    該冷却工程の後、該テーブルと該フレーム保持手段とを離間する方向に動作させ該テープを拡張させウエーハを分割する分割工程と、
    該分割工程の後、該分割室内で該保持面が該テープを保持してウエーハの外周とリングフレームの内周との間の弛んだ該テープに遠赤外線を照射させ該テープを収縮させる収縮工程と、を備えるウエーハの分割方法。
JP2017003236A 2017-01-12 2017-01-12 分割装置及び分割方法 Active JP6846205B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017003236A JP6846205B2 (ja) 2017-01-12 2017-01-12 分割装置及び分割方法
TW106142562A TWI735712B (zh) 2017-01-12 2017-12-05 分割裝置及分割方法
KR1020180003959A KR102327107B1 (ko) 2017-01-12 2018-01-11 분할 장치 및 분할 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017003236A JP6846205B2 (ja) 2017-01-12 2017-01-12 分割装置及び分割方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018113350A JP2018113350A (ja) 2018-07-19
JP6846205B2 true JP6846205B2 (ja) 2021-03-24

Family

ID=62911235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017003236A Active JP6846205B2 (ja) 2017-01-12 2017-01-12 分割装置及び分割方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6846205B2 (ja)
KR (1) KR102327107B1 (ja)
TW (1) TWI735712B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102567962B1 (ko) 2018-07-18 2023-08-16 주식회사 엘지에너지솔루션 리튬 이차전지용 바나듐 양극의 전기화학적 전처리 방법 및 이에 의해 전처리된 리튬 이차전지용 바나듐 양극
JP7242130B2 (ja) 2019-02-06 2023-03-20 株式会社ディスコ エキスパンド装置
CN110729186A (zh) * 2019-10-24 2020-01-24 东莞记忆存储科技有限公司 一种晶圆切割及分离的加工工艺方法
WO2022172373A1 (ja) * 2021-02-10 2022-08-18 ヤマハ発動機株式会社 加工装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4744957B2 (ja) 2005-07-13 2011-08-10 株式会社ディスコ ウエーハに装着された接着フィルムの破断装置
JP5885033B2 (ja) * 2012-09-24 2016-03-15 株式会社東京精密 ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2014232782A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置
JP2016004832A (ja) * 2014-06-13 2016-01-12 株式会社ディスコ テープ拡張装置
JP6320198B2 (ja) * 2014-06-27 2018-05-09 株式会社ディスコ テープ拡張装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180083267A (ko) 2018-07-20
TW201828347A (zh) 2018-08-01
TWI735712B (zh) 2021-08-11
KR102327107B1 (ko) 2021-11-15
JP2018113350A (ja) 2018-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6846205B2 (ja) 分割装置及び分割方法
JP6934327B2 (ja) ウエーハの分割方法及び分割装置
JP5885033B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
KR20150118530A (ko) 칩 간격 유지 방법
JP7030469B2 (ja) テープ拡張装置及びテープ拡張方法
US20180350651A1 (en) Expanding method and expanding apparatus
JP2011100920A (ja) チップ間隔拡張方法
JP6266429B2 (ja) チップ間隔維持装置及びチップ間隔維持方法
KR102606114B1 (ko) 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치
TW201719735A (zh) 分割裝置及晶圓之分割方法
JP2018170525A (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2013191718A (ja) 被加工物の分割装置及び分割方法
JP6785162B2 (ja) 分割装置
JP6414995B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP7115862B2 (ja) 分割装置及び分割方法
KR20200096879A (ko) 익스팬드 장치
JP5939416B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
WO2023042261A1 (ja) エキスパンド装置およびエキスパンド方法
WO2023042260A1 (ja) エキスパンド装置
JP6955927B2 (ja) 接着フィルムの破断装置及び接着フィルムの破断方法
JP3222318U (ja) 分割装置
JP6060475B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2018186156A (ja) バーコードシールの保護方法
WO2023042259A1 (ja) エキスパンド装置
JP2021044495A (ja) 被加工物の加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191108

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200929

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210209

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210301

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6846205

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250