JP2000353827A - 混成集積回路装置 - Google Patents
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- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント基板に発光素子が取り付けられた光
照射装置の放熱性を改善すると同時に、発光効率、軽薄
短小を実現する。 【解決手段】 金属基板１１の上には、Ｎｉが被着され
たＣｕパターンが全面に形成され、反射板として活用さ
れる。また除去領域ＥＬ１に発光素子１５を実装し、基
板１１から発光素子の熱を放熱しやすいようにした。ま
たレンズ１９を発光素子それぞれに形成することで発射
効率をより改善させることができる。
照射装置の放熱性を改善すると同時に、発光効率、軽薄
短小を実現する。 【解決手段】 金属基板１１の上には、Ｎｉが被着され
たＣｕパターンが全面に形成され、反射板として活用さ
れる。また除去領域ＥＬ１に発光素子１５を実装し、基
板１１から発光素子の熱を放熱しやすいようにした。ま
たレンズ１９を発光素子それぞれに形成することで発射
効率をより改善させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、混成集積回路装置
であり、特に発光素子を複数個実装させた光照射装置に
関するものである。
であり、特に発光素子を複数個実装させた光照射装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】まず光を大量に照射する必要がある場
合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短
小および省電力を目的として、図３の様にプリント基板
１に光素子２を実装させる場合がある。
合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短
小および省電力を目的として、図３の様にプリント基板
１に光素子２を実装させる場合がある。
【０００３】この光素子は、半導体で形成された発光ダ
イオード（Light Emitting Diode）が主ではあるが、他
に半導体レーザ等も考えられる。
イオード（Light Emitting Diode）が主ではあるが、他
に半導体レーザ等も考えられる。
【０００４】この発光ダイオード２は、２本のリード
３，４が用意され、一方のリード３には、発光ダイオー
ドチップ５の裏面（アノードまたはカソード）が半田等
で固着され、他方のリード４は、前記チップ表面の電極
（カソードまたはアノード）と金属細線６を介して電気
的に接続されている。また前記リード３，４、チップ５
および金属細線６を封止する透明な樹脂封止体７がレン
ズも兼ねて形成されている。
３，４が用意され、一方のリード３には、発光ダイオー
ドチップ５の裏面（アノードまたはカソード）が半田等
で固着され、他方のリード４は、前記チップ表面の電極
（カソードまたはアノード）と金属細線６を介して電気
的に接続されている。また前記リード３，４、チップ５
および金属細線６を封止する透明な樹脂封止体７がレン
ズも兼ねて形成されている。
【０００５】一方、プリント基板１には、前記発光ダイ
オード２に電源を供給するための電極８，９が設けら
れ、ここに設けられたスルーホールに前記リードが挿入
され、半田等を介して前記発光ダイオード２が実装され
ている。
オード２に電源を供給するための電極８，９が設けら
れ、ここに設けられたスルーホールに前記リードが挿入
され、半田等を介して前記発光ダイオード２が実装され
ている。
【０００６】例えば、特開平９−２５２６５１号公報に
は、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明され
ている。
は、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明され
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た発光素子２は、樹脂封止体７、リード３，４等が組み
込まれたパッケージで成るため、実装された基板１のサ
イズ、重量が大きくなり、また基板自身の放熱性が劣る
ため、全体として温度上昇を来す問題があった。そのた
め、半導体チップ自身も温度上昇し、駆動能力が低下す
る問題があった。
た発光素子２は、樹脂封止体７、リード３，４等が組み
込まれたパッケージで成るため、実装された基板１のサ
イズ、重量が大きくなり、また基板自身の放熱性が劣る
ため、全体として温度上昇を来す問題があった。そのた
め、半導体チップ自身も温度上昇し、駆動能力が低下す
る問題があった。
【０００８】また発光ダイオード５は、チップの側面か
らも光が発光し、基板１側にも向かう光が存在する。し
かし基板１がプリント基板でなるため、全ての光を上方
に発射させる効率の高い発射ができない問題もあった。
らも光が発光し、基板１側にも向かう光が存在する。し
かし基板１がプリント基板でなるため、全ての光を上方
に発射させる効率の高い発射ができない問題もあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みて成され、第１に、絶縁膜を取り除くことで金属基
板を露出する第１の除去領域を形成し、ここに発光素子
を実装することで、発光素子の発熱防止を実現してい
る。
鑑みて成され、第１に、絶縁膜を取り除くことで金属基
板を露出する第１の除去領域を形成し、ここに発光素子
を実装することで、発光素子の発熱防止を実現してい
る。
【００１０】第２に、発光素子の周りにリング状の流れ
止め防止手段を設け、前記流れ止め防止手段で囲まれた
領域に凸状の光透過樹脂を形成することで、発光素子の
光をまとめ、効率の良い発光を実現している。
止め防止手段を設け、前記流れ止め防止手段で囲まれた
領域に凸状の光透過樹脂を形成することで、発光素子の
光をまとめ、効率の良い発光を実現している。
【００１１】第３に、第１の電極および前記第２の電極
に、耐酸化性の金属を被覆し、この耐酸化性の金属を反
射膜として活用することで、効率の高い発光を実現して
いる。
に、耐酸化性の金属を被覆し、この耐酸化性の金属を反
射膜として活用することで、効率の高い発光を実現して
いる。
【００１２】第４に、絶縁膜を取り除くことで金属基板
を露出する複数の第１の除去領域を設け、ここに発光素
子を実装することで、金属基板全域にバランス良く発光
素子を実装できるため、金属基板自身が発光素子として
成り、且つ発射される光のバランスを全域に渡りより均
一にすることができる。また金属基板に直接実装するた
め、発光素子の温度上昇を防止できる。
を露出する複数の第１の除去領域を設け、ここに発光素
子を実装することで、金属基板全域にバランス良く発光
素子を実装できるため、金属基板自身が発光素子として
成り、且つ発射される光のバランスを全域に渡りより均
一にすることができる。また金属基板に直接実装するた
め、発光素子の温度上昇を防止できる。
【００１３】またＡｌ主材料とする基板を採用すること
で、放熱性、軽重量性、加工性を実現でき、性能の向上
を実現できるばかりか、光照射装置としての実装性も向
上させることができる。
で、放熱性、軽重量性、加工性を実現でき、性能の向上
を実現できるばかりか、光照射装置としての実装性も向
上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態に於い
て、その概略を図１を参照しながら説明する。
て、その概略を図１を参照しながら説明する。
【００１５】まず例えばプレスにより打ち抜かれた金属
から成る混成集積回路基板１１がある。この混成集積回
路基板１１は、Ａｌ、ＣｕやＦｅ等が考えられる。
から成る混成集積回路基板１１がある。この混成集積回
路基板１１は、Ａｌ、ＣｕやＦｅ等が考えられる。
【００１６】ここで混成集積回路基板として金属基板を
用いた理由は、発光素子から発生する熱を効率良く外部
に放出する事、発光素子の温度上昇を防止することによ
り、駆動能力を向上させる事、また基板の平坦性から上
方に向かって発光される光以外の光を効率よく反射させ
て上方へ向かわせる事、また実装上のビス止め孔加工、
放物面等の湾曲加工性等に優れる事等からである。
用いた理由は、発光素子から発生する熱を効率良く外部
に放出する事、発光素子の温度上昇を防止することによ
り、駆動能力を向上させる事、また基板の平坦性から上
方に向かって発光される光以外の光を効率よく反射させ
て上方へ向かわせる事、また実装上のビス止め孔加工、
放物面等の湾曲加工性等に優れる事等からである。
【００１７】本発明では、加工性、軽量性が考慮されて
Ａｌが採用されている。この場合、その表面は、絶縁性
向上から、陽極酸化により酸化物Ｉが形成され、この上
に絶縁性樹脂１２が形成されてもよい。また前記酸化膜
Ｉは省略されても良い。ここで混成集積回路基板１１
は、導電性を有するため、この上に設けられる第１の電
極１３、第２の電極１４との短絡を考慮し全面に絶縁性
樹脂１２が被着されている。
Ａｌが採用されている。この場合、その表面は、絶縁性
向上から、陽極酸化により酸化物Ｉが形成され、この上
に絶縁性樹脂１２が形成されてもよい。また前記酸化膜
Ｉは省略されても良い。ここで混成集積回路基板１１
は、導電性を有するため、この上に設けられる第１の電
極１３、第２の電極１４との短絡を考慮し全面に絶縁性
樹脂１２が被着されている。
【００１８】また電極１３、１４は、例えばＣｕよりパ
ターン化されて成り、配線、ランド、ボンデイング用の
パッド、外部リード用の固着パッド等として機能する。
ターン化されて成り、配線、ランド、ボンデイング用の
パッド、外部リード用の固着パッド等として機能する。
【００１９】第１の電極１３には、実装されるだけの
数、つまり電極、およびその下層の絶縁性樹脂が取り除
かれる。ここでは１１個の除去領域ＥＬ１が形成される
と共に、第２の除去領域ＥＬ２が形成される。
数、つまり電極、およびその下層の絶縁性樹脂が取り除
かれる。ここでは１１個の除去領域ＥＬ１が形成される
と共に、第２の除去領域ＥＬ２が形成される。
【００２０】そして前記除去領域ＥＬ１…には、ベアの
発光ダイオード１５が設けられる。ここで発光ダイオー
ドチップの裏面は、カソードタイプとアノードタイプの
二種類があり、図１では、カソードタイプが実装されて
いる。これは直流電源の向きを変えるだけで、アノード
タイプも実現できる。
発光ダイオード１５が設けられる。ここで発光ダイオー
ドチップの裏面は、カソードタイプとアノードタイプの
二種類があり、図１では、カソードタイプが実装されて
いる。これは直流電源の向きを変えるだけで、アノード
タイプも実現できる。
【００２１】ここで金属基板は、照射装置として機能さ
せるため、発光ダイオード１５を複数個点在させ、これ
らの駆動回路は、別途別の基板で実現しているが、これ
ら駆動回路を金属基板１１に実装させても良い。この場
合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ラン
ド、ボンデイング用のパッド、外部との電気的接続パッ
ド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、
チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダ
イオード、ＩＣ等が設けられる。ここでは、パッケージ
された素子が実装されても良いが、ベアチップの方が、
放熱性、実装面積の点から優れる。これらは、全てを総
称して回路素子と呼ぶ。
せるため、発光ダイオード１５を複数個点在させ、これ
らの駆動回路は、別途別の基板で実現しているが、これ
ら駆動回路を金属基板１１に実装させても良い。この場
合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ラン
ド、ボンデイング用のパッド、外部との電気的接続パッ
ド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、
チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダ
イオード、ＩＣ等が設けられる。ここでは、パッケージ
された素子が実装されても良いが、ベアチップの方が、
放熱性、実装面積の点から優れる。これらは、全てを総
称して回路素子と呼ぶ。
【００２２】この回路素子は半田や銀ペースト等を介し
て電気的に固着され、あるいは印刷抵抗がスクリーン印
刷等で形成されている。また中には、前記半導体チップ
と配線を電気的に接続するため、チップ上の電極とボン
ディング用パッドとの間には金属細線が電気的に接続さ
れ、パッドには、必要があれば、半田を介して外部リー
ドが電気的に接続されている。また実装上の問題から、
基板の両側に少なくとも２個のビス止め孔が設けられて
も良い。
て電気的に固着され、あるいは印刷抵抗がスクリーン印
刷等で形成されている。また中には、前記半導体チップ
と配線を電気的に接続するため、チップ上の電極とボン
ディング用パッドとの間には金属細線が電気的に接続さ
れ、パッドには、必要があれば、半田を介して外部リー
ドが電気的に接続されている。また実装上の問題から、
基板の両側に少なくとも２個のビス止め孔が設けられて
も良い。
【００２３】また金属基板１１上のＣｕのパターンは、
絶縁性のフレキシブルシートに貼り合わされ、このフレ
キシブルシートが混成集積回路基板に貼り合わされても
良い。また除去領域ＥＬ２は、第１の電極１３と電気的
に接続される。この場合、第１の電極１３は、発光ダイ
オード１５の周りにも延在しているため、短絡等が問題
として残る。
絶縁性のフレキシブルシートに貼り合わされ、このフレ
キシブルシートが混成集積回路基板に貼り合わされても
良い。また除去領域ＥＬ２は、第１の電極１３と電気的
に接続される。この場合、第１の電極１３は、発光ダイ
オード１５の周りにも延在しているため、短絡等が問題
として残る。
【００２４】この問題を取り除くには、接続点Ｐ１、Ｐ
２の周りをアイランドにすればよい。図１の左下に示す
点線は、第１の電極１３を分離し、アイランド電極１３
Ａとしても良いことを説明している。
２の周りをアイランドにすればよい。図１の左下に示す
点線は、第１の電極１３を分離し、アイランド電極１３
Ａとしても良いことを説明している。
【００２５】更に図１の具体的構造を説明する。
【００２６】前述したとおり、金属基板１１の全面には
絶縁性樹脂１２の膜が被着され、図では、前述した駆動
回路が実装されない為、金属基板１１を実質二分するよ
うに二つの電極１３、１４が設けられている。また必要
によっては電極１３Ａが設けられる場合もあるが、サイ
ズが小さいため、実質二分化されている。もちろんショ
ートが考慮され、お互い離間している。
絶縁性樹脂１２の膜が被着され、図では、前述した駆動
回路が実装されない為、金属基板１１を実質二分するよ
うに二つの電極１３、１４が設けられている。また必要
によっては電極１３Ａが設けられる場合もあるが、サイ
ズが小さいため、実質二分化されている。もちろんショ
ートが考慮され、お互い離間している。
【００２７】この第１の電極１３、第２の電極１４は、
Ｃｕを主材料とする箔がパターニングされて被着されて
おり、またＣｕの表面にはＮｉが被着されている。Ｃｕ
の酸化防止、および酸化により光反射効率が低下するた
め、比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属
細線とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるＮｉ
やＡｕが採用されている。ここでは、コストの面からＮ
ｉが採用され、金属基板１１全域は、実質光沢性のある
Ｎｉが被着され、光反射板として活用される。
Ｃｕを主材料とする箔がパターニングされて被着されて
おり、またＣｕの表面にはＮｉが被着されている。Ｃｕ
の酸化防止、および酸化により光反射効率が低下するた
め、比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属
細線とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるＮｉ
やＡｕが採用されている。ここでは、コストの面からＮ
ｉが採用され、金属基板１１全域は、実質光沢性のある
Ｎｉが被着され、光反射板として活用される。
【００２８】一方、ベアチップ状の発光ダイオード１５
は、金属基板とのコンタクト抵抗が考慮され、銀ペース
トや半田で接続される。また発光ダイオード１５と第２
の電極１４は、チップ表面の電極と金属細線１７を介し
て接続されている。一般に、金属細線としてＡｌが採用
される場合は、超音波を使ったボンディングでＮｉと接
続することができる。
は、金属基板とのコンタクト抵抗が考慮され、銀ペース
トや半田で接続される。また発光ダイオード１５と第２
の電極１４は、チップ表面の電極と金属細線１７を介し
て接続されている。一般に、金属細線としてＡｌが採用
される場合は、超音波を使ったボンディングでＮｉと接
続することができる。
【００２９】更には、少なくとも発光ダイオード１５を
封止するように光透過性の樹脂１９が設けられる。これ
はレンズとして採用するものであり、効率良く基板から
上方に発射させるため、凸状に形成されている。レンズ
１９の材料は、透明樹脂であれば良く、ここではシリコ
ーン樹脂やエポキシ樹脂等が採用される。どちらも加熱
硬化型で、加熱硬化時の粘度が小さいため、レンズとし
て好ましい半球形状に安定して形成できない問題があ
る。シリコーン樹脂は、元々液状で、加熱硬化時もその
粘度は、あまり変わらない。またエポキシ樹脂は、加熱
硬化時にその粘度が低下する。どちらにしても安定した
レンズ形状が難しいため、図１のように、発光ダイオー
ド１５を囲むように、流れ防止手段２０を形成してい
る。
封止するように光透過性の樹脂１９が設けられる。これ
はレンズとして採用するものであり、効率良く基板から
上方に発射させるため、凸状に形成されている。レンズ
１９の材料は、透明樹脂であれば良く、ここではシリコ
ーン樹脂やエポキシ樹脂等が採用される。どちらも加熱
硬化型で、加熱硬化時の粘度が小さいため、レンズとし
て好ましい半球形状に安定して形成できない問題があ
る。シリコーン樹脂は、元々液状で、加熱硬化時もその
粘度は、あまり変わらない。またエポキシ樹脂は、加熱
硬化時にその粘度が低下する。どちらにしても安定した
レンズ形状が難しいため、図１のように、発光ダイオー
ド１５を囲むように、流れ防止手段２０を形成してい
る。
【００３０】エポキシ樹脂は、熱により徐々に黄変する
が、シリコーン樹脂は、この変色が少ない。またエポキ
シ樹脂は、濡れ性が良く、逆にシリコーン樹脂は、はじ
きやすい。また硬化後のシリコーン樹脂は、ゴム状また
はゲル状であり、エポキシ樹脂に比べて回路素子の接続
手段である金属細線へのストレスが少ない。
が、シリコーン樹脂は、この変色が少ない。またエポキ
シ樹脂は、濡れ性が良く、逆にシリコーン樹脂は、はじ
きやすい。また硬化後のシリコーン樹脂は、ゴム状また
はゲル状であり、エポキシ樹脂に比べて回路素子の接続
手段である金属細線へのストレスが少ない。
【００３１】つまり流れ防止手段としてシリコーン樹脂
を使うと、ここに貯められた樹脂（シリコーン樹脂やエ
ポキシ樹脂）は、はじきやすく表面張力によりレンズ状
に形成される。逆にエポキシ樹脂を流れ防止手段として
使用すると濡れ性が良いため、レンズ形状になりにく
い。このレンズは、約１００度〜１５０度で仮硬化し、
再度１５０度１時間で完全硬化させる。
を使うと、ここに貯められた樹脂（シリコーン樹脂やエ
ポキシ樹脂）は、はじきやすく表面張力によりレンズ状
に形成される。逆にエポキシ樹脂を流れ防止手段として
使用すると濡れ性が良いため、レンズ形状になりにく
い。このレンズは、約１００度〜１５０度で仮硬化し、
再度１５０度１時間で完全硬化させる。
【００３２】図１では、レンズのサイズにより、金属細
線１７の途中から第２の電極１４との接続部までを樹脂
封止体で覆わず構成しているが、また図２の様に完全に
覆っても良い。完全に覆えば、金属細線の接続部の信頼
性も向上させることができるからである。
線１７の途中から第２の電極１４との接続部までを樹脂
封止体で覆わず構成しているが、また図２の様に完全に
覆っても良い。完全に覆えば、金属細線の接続部の信頼
性も向上させることができるからである。
【００３３】更には、図２のように、レンズを２段に形
成しても良い。これはレンズの指向性を高めるために実
施されている。ここでは、二段に形成するため、第１の
レンズ２１、第２のレンズ２２は、ともに濡れ性の少な
いシリコーン樹脂が採用されている。特に第２のレンズ
２２は、第１のレンズ２１と濡れ性が悪くないとレンズ
形状が実現できないからである。
成しても良い。これはレンズの指向性を高めるために実
施されている。ここでは、二段に形成するため、第１の
レンズ２１、第２のレンズ２２は、ともに濡れ性の少な
いシリコーン樹脂が採用されている。特に第２のレンズ
２２は、第１のレンズ２１と濡れ性が悪くないとレンズ
形状が実現できないからである。
【００３４】この場合、第１のレンズ２１として、シリ
コーン樹脂から成る流れ防止手段２０にシリコーン樹脂
を凸状に塗布し、レンズ形状を維持しながら、約１００
度〜１５０度、３０秒程度で仮硬化し、更にこの上に第
２のレンズとしてシリコーン樹脂を塗布する。この際
も、仮硬化を行い、条件は前回と同じである。そして最
後に約１５０度、１時間で完全硬化を行う。
コーン樹脂から成る流れ防止手段２０にシリコーン樹脂
を凸状に塗布し、レンズ形状を維持しながら、約１００
度〜１５０度、３０秒程度で仮硬化し、更にこの上に第
２のレンズとしてシリコーン樹脂を塗布する。この際
も、仮硬化を行い、条件は前回と同じである。そして最
後に約１５０度、１時間で完全硬化を行う。
【００３５】このように二段のレンズにすると、発射さ
れる光の指向性が優れ、光の発射効率が向上する。また
両者共に、光が通過するため、フィラーは、混入されな
い方がよい。
れる光の指向性が優れ、光の発射効率が向上する。また
両者共に、光が通過するため、フィラーは、混入されな
い方がよい。
【００３６】一方、通称半田レジストと呼ばれる樹脂膜
を電極１３、１４を含み全面に形成することがある。こ
の場合、できるだけ光沢性のある膜を選択すれば、Ｎｉ
と同様に反射膜として活用できる。ただし、発光ダイオ
ードの固着領域、金属細線の接続部は、当然取り除かれ
る。透明であれば、Ｎｉが主たる反射剤として機能し、
色が付いているようならば、できるだけ反射効率の優れ
た白から成る膜が好ましい。
を電極１３、１４を含み全面に形成することがある。こ
の場合、できるだけ光沢性のある膜を選択すれば、Ｎｉ
と同様に反射膜として活用できる。ただし、発光ダイオ
ードの固着領域、金属細線の接続部は、当然取り除かれ
る。透明であれば、Ｎｉが主たる反射剤として機能し、
色が付いているようならば、できるだけ反射効率の優れ
た白から成る膜が好ましい。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、金属基
板を採用し、金属基板にベアチップ状の発光ダイオード
を実装するため、基板からの放熱性が向上し、発光ダイ
オード自身の温度上昇を抑制することができる。従って
より電流を流せ、光照射装置としての明るさを向上させ
ることができる。
板を採用し、金属基板にベアチップ状の発光ダイオード
を実装するため、基板からの放熱性が向上し、発光ダイ
オード自身の温度上昇を抑制することができる。従って
より電流を流せ、光照射装置としての明るさを向上させ
ることができる。
【００３８】また金属基板には、光を反射させる電極が
形成されているため、発光ダイオードの側面や裏面から
発光される光を前記電極で反射させることができる。特
にＮｉやＡｕ等の耐食性の優れた材料を銅箔パターンの
上に形成すれば、金属細線とのボンディング性および反
射効率を一度に実現させることができる。
形成されているため、発光ダイオードの側面や裏面から
発光される光を前記電極で反射させることができる。特
にＮｉやＡｕ等の耐食性の優れた材料を銅箔パターンの
上に形成すれば、金属細線とのボンディング性および反
射効率を一度に実現させることができる。
【００３９】また流れ防止手段を設ければ、透明樹脂を
レンズとして活用することが電極、より上方への発射効
率を高めることができる。
レンズとして活用することが電極、より上方への発射効
率を高めることができる。
【００４０】更には、発光ダイオードの固着領域は、金
属基板が直接露出しているので、熱抵抗を大幅に小さく
することが電極、放熱性が向上されることから、より電
流を流すことができる。
属基板が直接露出しているので、熱抵抗を大幅に小さく
することが電極、放熱性が向上されることから、より電
流を流すことができる。
【図１】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の
図である。
図である。
【図２】図１のレンズを二段にした時の図である。
【図３】従来の混成集積回路装置を説明する断面図であ
る。
る。
１１ 金属基板 １３ 第１の電極 １４ 第２の電極 １５ 発光ダイオード １９ レンズ ＥＬ１、ＥＬ２ 除去領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/05 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｊ (72)発明者 太田 晋 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA03 CA04 DA07 DB02 EC11 GA01 GA05 5E315 AA13 BB02 BB03 BB04 CC18 CC24 DD20 DD25 GG01 5F041 AA04 AA33 BB22 BB24 BB25 BB26 DA02 DA03 DA07 DA13 DA20 DA44 DA45 DA57 DB09 DC65 FF11 5F061 AA01 BA03 CA04 FA01 FA05
Claims (7)
- 【請求項１】 金属基板と、前記金属基板上に形成され
た絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記絶縁膜上に形成された第２の電極と、前記絶縁膜を
取り除くことで前記金属基板を露出する第１の除去領域
および第２の除去領域と、前記第１の除去領域にチップ
裏面が電気的に固着された発光素子と、前記第２の電極
と前記発光素子表面の電極とを電気的に接続する接続手
段と、前記第２の除去領域と前記第１の電極とを電気的
に接続する接続手段とを有することを特徴とした混成集
積回路装置。 - 【請求項２】 前記発光素子の周りにリング状に形成さ
れた流れ止め防止手段と、前記流れ止め防止手段で囲ま
れた領域に凸状に形成された光透過樹脂とを有する請求
項１に記載の混成集積回路装置。 - 【請求項３】 前記第１の電極および前記第２の電極
は、耐酸化性の金属が被覆される請求項１または請求項
２に記載の混成集積回路装置。 - 【請求項４】 金属基板と、前記金属基板上に形成され
た絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された一表面に、耐酸
化性の金属が被覆されたＣｕから成る第１の電極と、前
記絶縁膜が形成された他領域に、耐酸化性の金属が被覆
されたＣｕから成る第２の電極と、前記絶縁膜を取り除
くことで前記金属基板を露出する複数の第１の除去領域
と、前記絶縁膜を取り除くことで前記金属基板を露出す
る第２の除去領域と、前記第１の除去領域のそれぞれに
チップ裏面が電気的に固着された発光素子と、前記第２
の電極と前記発光素子表面の電極とを電気的に接続する
接続手段と、前記第２の除去領域と前記第１の電極とを
電気的に接続する接続手段と、前記発光素子の周りにリ
ング状に形成された流れ止め防止手段と、前記流れ止め
防止手段で囲まれた領域に凸状に形成された光透過樹脂
とを有することを特徴とした混成集積回路装置。 - 【請求項５】 前記耐酸化性の金属は、ＮｉまたはＡｕ
より成る請求項３または請求項４に記載の混成集積回路
装置。 - 【請求項６】 前記第１の除去領域は、前記金属基板に
点在する請求項１、請求項２、請求項３、請求項４また
は請求項５に記載の混成集積回路装置。 - 【請求項７】 前記金属基板は、Ａｌ主材料とする請求
項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５または
請求項６に記載の混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16250799A JP2000353827A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16250799A JP2000353827A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353827A true JP2000353827A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15755946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16250799A Pending JP2000353827A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000353827A (ja) |
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-
1999
- 1999-06-09 JP JP16250799A patent/JP2000353827A/ja active Pending
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