JP4190095B2

JP4190095B2 - 混成集積回路装置

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Publication number: JP4190095B2
Application number: JP21525999A
Authority: JP
Inventors: 永清水; 則明坂本; 義幸小林
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-07-29
Filing date: 1999-07-29
Publication date: 2008-12-03
Anticipated expiration: 2019-07-29
Also published as: JP2001044512A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、混成集積回路装置であり、また発光素子を複数個実装させた光照射装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
まず光を大量に照射する必要がある場合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短小および省電力を目的として、図８の様にプリント基板１に光素子２を実装させる場合がある。
【０００３】
この光素子は、半導体で形成された発光ダイオード（Light Emitting Diode）が主ではあるが、他に半導体レーザ等も考えられる。
【０００４】
この発光ダイオード２は、２本のリード３，４が用意され、一方のリード３には、発光ダイオードチップ５の裏面（アノードまたはカソード）が半田等で固着され、他方のリード４は、前記チップ表面の電極（カソードまたはアノード）と金属細線６を介して電気的に接続されている。また前記リード３，４、チップ５および金属細線６を封止する透明な樹脂封止体７がレンズも兼ねて形成されている。
【０００５】
一方、プリント基板１には、前記発光ダイオード２に電源を供給するための電極８，９が設けられ、ここに設けられたスルーホールに前記リードが挿入され、半田等を介して前記発光ダイオード２が実装されている。
【０００６】
例えば、特開平９−２５２６５１号公報には、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した発光素子２は、樹脂封止体７、リード３，４等が組み込まれたパッケージで成るため、発光素子を大量に実装した場合、基板１のサイズが大きい、重量がある等の問題があった。また基板自身の放熱性が悪いために、装置全体として温度上昇を来す問題があった。そのため、発光素子である半導体チップ自身も温度上昇し、駆動能力を低下させる問題があった。
【０００８】
また発光ダイオード５は、チップの側面または裏面からも光が発光し、基板１側に向かう光が存在する。しかし基板１がプリント基板で成るため、効率の高い照射ができない問題もあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の課題に鑑みて成され、発光素子を実質的に囲むように形成されたロウ材より成る第１の流れ止め防止手段と、前記第１の流れ止め防止手段で囲まれた領域に凸状に形成された光透過樹脂とを有する事で解決するものである。
【００１０】
硬化前の光透過樹脂は、流れ止め手段で凸状の形状に保持され、その後硬化されるため、レンズの働きを示す。しかも流れ止め手段をロウ材で形成し、ロウ材の表面の光沢性、ロウ材の凸形状を利用して、発光素子から発射される光を効率よく上方に反射させることができ、より効率の高い照射を実現できる。
【００１１】
次に、ロウ材は、導電性を有するため、全周を連続して形成すると短絡する。そのため第１の電極および／または前記第２の電極と重畳するロウ材の配置部分を、絶縁材料から成る第２の流れ止め手段を設けて解決するものである。
【００１２】
次に、Ｃｕより成る第１の電極および第２の電極を採用し、発光素子の周りに形成された第１の流れ止め防止手段に凸状の光透過樹脂とを有し、
前記第１の電極および／または前記第２の電極上には、前記Ｃｕよりもロウ材の濡れ性が悪く、且つ光反射に優れた金属被膜を被覆し、
前記第１の流れ止め手段が設けられる前記第１の電極および／または前記第２の電極に対応する前記金属被膜が取り除かれ、この領域にロウ材を形成する事で解決するものである。
【００１３】
例えば半田を例に取ると、ＣｕとＮｉは、Ｎｉの方が半田の濡れ性が悪く、しかも長い期間に渡りその表面の光沢性を維持する。また半田も長い期間に渡りその表面の光沢性を維持する。これらの性質を利用し、下層にＣｕ、上層にＮｉを被覆し、Ｎｉの一部を取り除いてＣｕの露出領域を形成し、この露出領域に半田を形成すれば、半田は凸状に盛り上がる。この凸状の半田表面は、反射板を形成し、従来上方に反射できなかった光を効率高く上方に反射させる。
【００１４】
以上述べたように、特にＡｌ主材料とする基板を採用することで、放熱性、軽重量性、加工性を実現でき、しかも反射効率の高い混成集積回路装置が実現できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。特にここでは、発光ダイオード１０の接続について説明する。
【００１６】
まず図２、図４に示すように、プレス（カット）により打ち抜かれた金属から成る混成集積回路基板１１がある。この混成集積回路基板１１は、Ａｌ、ＣｕやＦｅ等が考えられる。
【００１７】
ここで混成集積回路基板として金属基板を用いた理由は、発光素子から発生する熱を効率良く外部に放出する事、発光素子の温度上昇を防止することにより、駆動能力を向上させる事、また基板の平坦性から、上方向以外に発光される光を効率よく基板１１で反射させて上方へ向かわせる事、また実装上のビス止め孔加工、放物面等の湾曲加工性等に優れる事等からである。またセラミックやプリント基板も考えられるが、セラミック基板は、衝撃に弱く、またプリント基板は、放熱性の点で劣る。
【００１８】
しかし本発明のポイントは、後述の通り、流れ止め手段３６を反射に優れた光沢性材料にすることであり、金属基板、セラミック基板、プリント基板、フレキシブルシート、ガラス基板等でも良く、必要によって選択される。
【００１９】
本発明では、放熱性、加工性、軽量性が考慮されてＡｌが採用されている。この場合、その表面は、絶縁性向上から、陽極酸化により酸化物が形成され、この上に絶縁性樹脂１２が形成されてもよい。また前記陽極酸化膜は省略されても良し、これ以外の膜を化学的に反応させて生成させても良い。特に陽極酸化膜は、蜂の巣状になり、空孔が形成され、この部分で熱抵抗が発生する。従って陽極酸化膜の代わりに別の膜が生成されても良い。しかもＡｌ表面は、平坦性を有するため、前記絶縁性樹脂との接着性を向上させるために粗面１３を機械的に、または化学的に生成させた方が良い。
【００２０】
またＡｌ基板１１の裏面は、機械的に弱いため傷が付きやすく、耐蝕性も無い。そのため必要により絶縁性樹脂１４を被覆しても良い。
【００２１】
ここで混成集積回路基板１１は、この上に設けられる第１の電極１５、第２の電極１６との短絡を考慮し全面に絶縁性樹脂１２が被着されている。またここで第１の電極１５、第２の電極１６は、発光ダイオードを直列に接続するので、連結電極とも呼称する。
【００２２】
前述した絶縁性樹脂膜１２は、発光ダイオードから発生する熱を金属基板１１に伝達させる場合、熱抵抗材料となる。そのため、できるだけその熱抵抗を下げるため、膜厚を薄くした方が良い。しかし耐電圧特性を考慮すれば、膜厚を厚くし、中にＳｉ酸化膜、酸化アルミニウム等のフィラーを混入させた絶縁性樹脂を採用しても良い。また酸化アルミニウムの方が熱抵抗が低下することは言うまでもない。
【００２３】
また導電パターンは、前記連結電極１５、１６も含み、例えばＣｕ箔より成り、配線、チップのランド、ボンデイング用のパッド、必要によっては外部リード用の固着パッド等としてパターニングされ、第１の電極１５にはベアの発光ダイオード１０が設けられる。ここで発光ダイオードチップの裏面は、カソードタイプとアノードタイプの２種類があり、本実施の形態では、アノードタイプである。これは電源の向きを変えるだけで、アノードタイプも実現できる。そして前記発光ダイオード表面の電極と前記第２の電極１６は、金属細線１７で接続されている。
【００２４】
本発明は、大量光の照射装置にあり、図６の様に、第１の配線２６から第２の配線２７の間は、複数の発光ダイオードＬＥＤ１〜１２が前記連結電極Ｅ２〜Ｅ１２を介して直列接続されている。しかし１個で実現されても良い。
【００２５】
ここで金属基板は、光照射装置として機能させるため、前述したように発光ダイオード１０を複数個点在させ、これらの駆動回路および／または保護回路は、図６では、外付けで実現しているが、これら駆動回路および／または保護回路を図７のＣの様に金属基板１１に実装させても良い。この場合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部との電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等が設けられて実現される。ここでは、パッケージされた素子が実装されても良いが、ベアチップの方が、放熱性、実装面積の点から優れる。これらは、全てを総称して回路素子と呼ぶ。
【００２６】
この回路素子は半田等のロウ材や銀ペースト等を介して電気的に固着され、あるいは印刷抵抗がスクリーン印刷等で形成されている。また中には、前記半導体チップと配線を電気的に接続するため、チップ上の電極とボンディング用パッドとの間には金属細線１７が電気的に接続され、パッドには、必要があれば、半田を介して外部リードが電気的に接続されている。当然であるが、ＢＧＡ等のチップであれば、フェイスダウンで実現されても良い。また実装上の問題から、基板の両側に少なくとも２個のビス止め孔が設けられても良い。
【００２７】
ここで後述するが、図５の様に、混成集積回路基板１１をマトリックス状に配置するため、第１の配線２６の両端には、接続エリア１８〜２１を、第２の配線２７の両端には、接続エリア２２〜２５を設けている。このエリアは、接続手段２９、３０が金属細線であれば、ボンデイングエリアであり、ロウ材で固着できるリードであれば、ロウ材の形成エリアである。
【００２８】
また金属基板１１上のＣｕのパターンは、絶縁性フレキシブルシートに貼り合わされ、このフレキシブルシートが混成集積回路基板に貼り合わされる事で実現されても良い。
【００２９】
更に具体的構造を図６を参照して説明する。
【００３０】
前述したとおり、混成集積回路基板１１の全面には絶縁性樹脂１２の膜が被着され、図では、第１の電極１５、第２の電極１６以外に、アイランド状の反射用電極３１〜３６を設けている。もちろんショートが考慮され、お互い所定の間隔で離間されている。ここでは、前述した駆動回路および／または保護回路が実装されない。また前記回路、前記第１の配線２６、第２の配線２７を除いて、金属基板１１の実質全領域を２種類の連結電極１５、１６で占有させても良い。
【００３１】
例えば、第１の電極１５ａまたは第１の電極１６ａは、反射用電極３１と一体で良いが、間にアイランド状の電極３１を設けることで、耐電圧特性の向上を実現している。
【００３２】
この第１の電極１５、第２の電極１６は、Ｃｕの表面にＮｉが被着されている。これは、Ｃｕの酸化防止、およびＣｕの酸化により光反射効率が低下するため、比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属細線とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるＮｉやＡｕが採用されている。またここでは、コストの面からＮｉが採用され、また金属基板１１の実質全域は、実質光沢性のあるＮｉが被着され、光反射板として活用される。ここでＮｉは、銅より成る導電パターンの上にメッキ等形成されるが、導電パターン自身を前記材料で構成しても良い。最近は、鉛の混入されないロウ材が開発されており、このロウ材を使う場合は、このロウ材に対して濡れ性が比較的弱く、しかも光沢性のある金属が選択される。またボンディングポイントは、ボンディング可能な材料（Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ）が形成され、それ以外を光を反射しやすい材料、例えば銀や白金でカバーしても良い。ここでは、アルミ配線をボンデイングしているので、その表面はＮｉが採用されている。
【００３３】
一方、Ｎｉが採用された場合、ベアチップ状の発光ダイオード１０は、第１の電極１５とのコンタクト抵抗が考慮され、ランドの固着領域に相当するＮｉを取り除き、銀ペーストや半田等の導電性固着材を介して露出されるＣｕと電気的に固着される。この方が非固着領域もＮｉで被覆されるので反射効率の向上を実現できる。ただし固着性、チップの実装性を考慮し、このランド全域は、Ｎｉが被着されないようにしても良い。
【００３４】
また発光ダイオード１０と第２の電極１６は、チップ表面の電極と金属細線１７を介して接続されている。一般に、金属細線としてＡｌが採用される場合は、超音波を使ったボンディングでＮｉ表面と接続することができる。
【００３５】
更には、図２、図４の様に、少なくとも発光ダイオード１０を封止するように光透過性の樹脂が設けられる。これはレンズ３７として採用するものであり、効率良く基板から上方に発射させるため、凸状に形成されている。レンズ３７の材料は、発射光に対して透明な樹脂であれば良く、ここではシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等が採用される。両者は、共に加熱硬化型で、加熱硬化時の粘度が小さいため、レンズとして好ましい半球形状に安定して形成できない。シリコーン樹脂は、元々液状で、加熱硬化時もその粘度は、あまり変わらない。またエポキシ樹脂は、加熱硬化時にその粘度が低下する。そのため、発光ダイオード１０を囲むように、流れ防止手段３６を形成している。
【００３６】
エポキシ樹脂は、熱により徐々に黄変するが、シリコーン樹脂は、この変色が少ない。またエポキシ樹脂は、濡れ性が良く、逆にシリコーン樹脂は、はじきやすい性質を持つ。また硬化後のシリコーン樹脂は、ゴム状またはゲル状であり、エポキシ樹脂に比べて回路素子の接続手段である金属細線へのストレスが少ない。
【００３７】
つまり流れ防止手段としてシリコーン樹脂を使うと、ここに貯められた樹脂（シリコーン樹脂やエポキシ樹脂）は、はじきやすく表面張力によりレンズ状に形成される。逆にエポキシ樹脂を流れ防止手段として使用すると濡れ性が良いため、レンズ形状になりにくい。このレンズは、約１００度〜１５０度で仮硬化し、再度１５０度１時間で完全硬化させる。
【００３８】
また、レンズのサイズにより、金属細線１７の途中から第２の電極１６との接続部までを樹脂封止体で覆わず構成しても良いし、また完全に覆っても良い。完全に覆えば、光集光能力の向上と同時に金属細線の接続部の信頼性も向上させることができる。
【００３９】
更に、レンズを２段に形成しても良い。これはレンズの指向性を高めるために実施されている。例えば、二段にするため、ともに濡れ性の少ないシリコーン樹脂が採用されている。特に濡れ性が悪くなければレンズ形状が実現できないからである。
【００４０】
また流れ止め手段３６として半田等のロウ材を活用しても良い。前述した樹脂を採用した場合に比べ、光の反射に優れるからであり、更にはロウ材を凸状に形成できるからである。
【００４１】
では、具体的に述べる。タイプとして２つあり、図１、図２の第１のタイプと、図３、図４の第２のタイプである。
【００４２】
第１のタイプは、Ｃｕの半田に対する濡れ性、ＮｉがＣｕよりも半田の濡れが悪い性質および表面の光沢性を活用しているものである。図からも判るとおり、第１の電極１５、第２の電極１６は、下層にＣｕ５０、上層にＮｉ５１が被着され、前記流れ止め手段３６が形成される領域５２は、Ｎｉが取り除かれている。ここに半田を塗布すると、Ｎｉと半田の界面は、その濡れ性の悪さから半田をはじき、断面が凸状の形状になる。従って図１の様に、発光ダイオード１０の周囲に半田を形成すれば、その半田面が反射面となり、発光ダイオードの発射される光を効率よく上方に照射することができる。
【００４３】
第１の電極１５には、円の周辺から中心に向かって帯状に切除領域５３が設けられ、この切除領域に帯状に第２の電極１６が挿入されている。この構造では、図１の様に全周に渡り半田を形成すると両電極１５、１６が半田を介してショートするため、切除領域５３の手前で終端している。そのかわりこの終端部５４、５５の間は、前述したように絶縁性材料、ここでは樹脂５６が塗布される。従って半田３６と樹脂５６が一緒になって流れ止め手段が構成される。そしてこの中にレンズとなる光に対して透明な樹脂が塗布され、硬化される。
【００４４】
第２のタイプは、図３、図４からも判るとおり、第１の電極１５の中で、前記流れ止め手段３６が形成される領域５２をアイランド状に独立して形成している。この領域５２の周囲は、絶縁性樹脂１２が露出しており、この露出面で半田がはじくようになっている。ここでは、Ｎｉが取り除かれているが、形成されていても良い。また前述したように、リング状に形成する必要があるため樹脂５６が終端部５４から５５に渡り塗布されている。
【００４５】
本発明の特徴は、このロウ材より成る流れ止め手段３６にあり、このロウ材の光沢性を利用してより反射効率を高め、混成集積回路基板からの照射量を増大させたものである。
【００４６】
一方、通称半田レジストと呼ばれる樹脂膜を全面に形成することがある。この場合、できるだけ光沢性のある膜を選択すれば、Ｎｉと同様に反射膜として活用できる。ただし、発光ダイオードの固着領域、金属細線の接続部は、当然取り除かれる。透明であれば、Ｎｉが主たる反射材として機能し、色が付いているならば、できるだけ反射効率の優れた白から成る膜が好ましい。
【００４７】
図６、図７は、点線の矢印で示すように、第１の電極１５と第２の電極１６との間に、発光ダイオード１０…が直列接続されているものである。
【００４８】
例えば、並列タイプであれば、金属細線１７のコンタクト抵抗、チップのコンタクト抵抗がばらつく。従って、数ある発光ダイオード１０の内、コンタクト抵抗の少ない発光ダイオードに電流が集中し、特定の発光ダイオードが異常に明るかったり、また破壊に至ったりする問題があるからである。
【００４９】
そのため図６、図７のように、第１の配線２６と第２の配線電極２７との間に発光ダイオード１０…を直列接続させ、発光ダイオード１０…に通過する電流値を一定にさせた。
【００５０】
ここで前説明と同様に、電極を金属基板の実質全域に配置させて反射板とすること、半田の流れ止め手段を使ったレンズを採用すること、ダイボンド領域のＮｉを取り除く等のポイントは、ここでも採用される。
【００５１】
図６で説明すれば、第１の配線２６と第２の配線２７との間には、Ｅ２〜Ｅ１２の１１枚の連結電極が形成されている。ただしＥ１とＥ１３は、第１の配線２６、第２の配線２７と一体であるので、第１の配線、第２の配線とし、連結電極と区別している。
【００５２】
まず１番目の電極Ｅ１に発光ダイオードＬＥＤ１のアノード（またはカソード）と成るチップ裏面を固着し、カソード（またはアノード）側の電極と２番目の電極Ｅ２を金属細線１７で接続している。また２番目の電極Ｅ２には、２番目の発光ダイオードＬＥＤ２のチップ裏面が固着され、チップ表面の電極と３番目の電極Ｅ３が金属細線で接続している。更には、３番目の電極Ｅ３には、３番目の発光ダイオードＬＥＤ３のチップ裏面が固着され、チップ表面の電極と４番目の電極Ｅ４が接続される。この様にして、順々に直列接続され、Ｎ番目の電極Ｅ（Ｎ）にはＮ番目の発光ダイオードＬＥＤ（Ｎ）のチップ裏面が接続され、最終的にはチップ表面の電極と（Ｎ＋１）番目の電極Ｅ（Ｎ＋１）の電極が金属細線を介して接続される。
【００５３】
このような接続形態を繰り返して直列接続が実現されている。この場合も、銅箔から成る電極を反射板とするため、Ｅ１〜Ｅ（Ｎ＋１）の電極表面にはＮｉが被覆され、基板全域を実質反射板とするために、（Ｎ＋１）個の電極で完全に覆われるようにパターニングされるか、またはこの電極で全てが覆われない場合は、空き領域にアイランド状の反射電極３１〜３５が設けられている。もちろんそれぞれがパターン的に分離されるように若干の隙間はある。
【００５４】
この構造によれば、直列接続された発光ダイオードのそれぞれに流れる電流は、理論的には同じ値を取るので、全ての発光ダイオードは、同じように光る。
【００５５】
ところが、途中のどれかが破壊され、電流が流れなくなると、全ての発光ダイオードは、発光を停止してしまう。
【００５６】
そのため、図５の様に、Ｖcライン４１とＧＮＤライン４２との間に基板を並列接続させている。
【００５７】
本来、例えば１２０個（Ｍ個）の発光ダイオードで光照射装置を実現したい場合、例えば１０（Ｓ）分割し、１２（Ｍ／Ｓ）個の発光ダイオードが直列接続された金属基板を１０（Ｓ）枚用意し、これを並列接続する。また図７の金属基板を採用すれば、保護回路となる定電流回路Ｃが設けられることで、全ての発光ダイオードの電流容量を統一させることができる。図６でも、定電流回路を採用できるが、この場合、発光ダイオードの入力側または出力側に外付けで設けなければ成らない。
【００５８】
以上、発光ダイオードが直列接続された複数の金属基板は、定電流回路により、電流値が決められるため、全ての発光ダイオードの明るさは、統一され、且つ金属基板個々の明るさも統一される。また混成集積回路基板の発光ダイオードの内、どれかが破壊しても、残りの基板が並列接続されているので、照射装置としてその機能を維持することができ、しかも壊れた金属基板のみを取り替えればよいので、最小限の修復ですむ。
【００５９】
一方、図５の様に、混成集積回路基板１１の上下側辺にそれぞれ一本づつ配線２６、２７が設けられ、電源ラインとなっている。そしてそれぞれは、左端から右端に延在させている。つまり、横に混成集積回路基板１１を複数並列接続させるために、第１の配線２６と第２の配線２７を混成集積回路基板の右側辺から左側辺まで延在させている。その結果、混成集積回路基板１１ａの第１の配線２６（または第２の配線２７）の右端２１と混成集積回路基板１１ｂの第１の配線２６（または第２の配線２７）の左端１８とを最短距離で接続することができる。ここでは接続手段２９として金属細線を採用している。また接続手段は、半田等のロウ材により固着可能なリードでも良い。
【００６０】
また仮に、この複数枚の混成集積回路基板１１…を一枚で実現した場合、前述したように発光ダイオードの故障による修復ができないばかりか、接続手段の固着が装置で自動でできない問題、または設備的に大がかりになる問題が発生する。後者は、言うまでもなく、混成集積回路基板として大きな基板となり、チップを実装するマウンター、金属細線をボンディングするボンダーは、作業範囲が広い大がかりな装置を必要とする。また混成集積回路基板が大きいと、その熱容量が大きいために、基板自身の温度が上昇しづらくなる。その結果、半田付け性、ボンデイング性が低下する問題が発生する。
【００６１】
しかし、本願は、並列接続構造で複数枚の混成集積回路基板に分けてあるため、前記装置の作業性も従来通りで良く、更には基板が小さいために個々の混成集積回路基板の温度を上昇させることもでき、半田付け性、ホンディング性も改善される。
【００６２】
また、基板の縦方向に中心線を仮想配置すると、第１の配線２６または第２の配線２７が左右対称に形成されている。
【００６３】
これは図５の様に、マトリックス状に配置した場合にメリットがでる。
【００６４】
ここでは、図面の都合上、２行、２列で説明する。つまり一行目の混成集積回路基板１１ａ、１１ｂは、第１の配線２６を上側辺に配置し、２行目の混成集積回路基板１１ｃ、１１ｄは、第１の配線２７を下側辺に配置している。これは、Ｖｃｃライン４１とＧＮＤライン４２の総合計本数を減らす為に、混成集積回路基板を１８０度反転させている。図５では、４本必要なところを３本で実現できる。
【００６５】
また反転させた際、混成集積回路基板１１ｂの接続領域２５と混成集積回路基板１１ｄの接続領域２２が、縦軸方向に対して位置が一致するように構成されている。これは中心線に対して左右対称に形成されることで実現される。
【００６６】
こうすれば、混成集積回路基板１１ｂの接続エリア２５（または接続エリア２４）と混成集積回路基板１１ｄの接続エリア２２（または接続エリア２３）は、位置が一致し、接続手段３０を介して、上下に短い間隔で接続することができる。
【００６７】
このことは、混成集積回路基板１１ｂの接続エリア２２（または接続エリア２３）と混成集積回路基板１１ｄの接続エリア２５（または接続エリア２４）は、位置が一致し、接続手段３０を介して、上下に接続することができる事を意味する。
【００６８】
またここで配線２６、２７の両端にそれぞれ２つづつ接続エリアを設けている。ここでは混成集積回路基板１１を２行２列で配置しているので特に必要としないが、横方向に混成集積回路基板を更に増やした場合、横方向に接続する接続手段２９は、それぞれの混成集積回路基板に接続されるが、縦方向に接続手段３０で接続されないものが出てくる。図５では、接続手段３０により、ＧＮＤとして固定されているが、余ったエリアを利用して縦方向にも接続すれば、より安定した電位に固定させることができる。
【００６９】
ここで配線２６、２７に四角形で示した理由は、銅配線の上に、金属細線を接続手段として活用する場合は、Ｎｉが被覆され、リードか採用される場合は、ロウ材が被覆されるからであり、その領域を示した。つまり接続手段により、ロウ材やＮｉの被覆領域を示している。
【００７０】
また混成集積回路基板１１は、上辺をＶｃｃに、下辺をＧＮＤにするため、列方向を奇数列に配置している。図７を参照すれば判るように、第１の配線２６から下の第２の配線２７に接続するには、４つの発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４の列が奇数で列設けられないと、簡略されたパターンと成らない。偶数列でも下の第２の配線２７に接続できるが、終端は、第１の配線２６側になるため、そこから第２の配線までをつなぐ余分な配線が必要となる。
【００７１】
以上、比較的サイズの小さい混成集積回路基板１１を並列に、また必要によってはマトリックス状に配置することで、全体の照射装置としてのサイズを任意に設定できる。また矩形以外でも、この混成集積回路基板を順番に配置し、並列接続することにより、実現が可能となる。
【００７２】
また図７の図番Ｃで示した領域にも特徴を有する。この領域は、駆動回路や保護回路が形成される部分である。図のように配線、回路素子等で囲まれた空き領域には、アイランド状の反射領域６０が設けられ、ここにも反射に優れた金属膜、ここではＮｉが被覆されている。
【００７３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、発光素子を実質的に囲むように形成されたロウ材より成る第１の流れ止め防止手段と、前記第１の流れ止め防止手段で囲まれた領域に凸状に形成された光透過樹脂とを有する事で、ロウ材の表面の光沢性、ロウ材の凸形状を利用して、発光素子から発射される光を効率よく反射させることができ、より効率の高い照射を実現できる。
【００７４】
また第１の電極および／または前記第２の電極と重畳するロウ材の配置部分を、絶縁材料から成る第２の流れ止め手段を設けることで、ロウ材から成る流れ止め手段と前記電極のショートを防止することができる。
【００７５】
更には、下層にＣｕ、上層にＮｉを被覆し、Ｎｉの一部を取り除いてＣｕの露出領域を形成し、この露出領域に半田を形成すれば、半田は凸状に盛り上がる。この凸状の半田表面は、反射板を形成し、従来上方に反射できなかった光を効率高く上方に反射させることができる。
【００７６】
以上述べたように、特に半田の流れ止め手段を採用することでより明るい光を発光する混成集積回路装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態である混成集積回路装置に於いて、発光部分を説明する図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態である混成集積回路装置に於いて、発光部分を説明する図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の図である。
【図６】混成集積回路基板を説明する図である。
【図７】混成集積回路基板を説明する図である。
【図８】従来の照射装置を説明する図である。
【符号の説明】
１０発光ダイオード
１１混成集積回路基板
１２絶縁性樹脂
２６第１の配線
２７第２の配線
３７レンズ
５０Ｃｕ
５１Ｎｉ
５２流れ止め手段の形成領域
５３切除領域
５６樹脂

Claims

混成集積回路基板上に絶縁されて形成された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極にチップ裏面が電気的に固着された発光素子と、前記第２の電極と前記発光素子表面の電極とを電気的に接続する接続手段と、前記発光素子を実質的に囲むように形成されたロウ材より成る第１の流れ止め防止手段と、前記第１の流れ止め防止手段で囲まれた領域に凸状に形成された光透過樹脂とを有することを特徴とした混成集積回路装置。
前記第１の電極および／または前記第２の電極と重畳するロウ材の配置部分は、絶縁材料から成る第２の流れ止め手段が設けられる請求項１に記載の混成集積回路装置。
混成集積回路基板上に絶縁されて形成されたＣｕより成る第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極にチップ裏面が電気的に固着された発光素子と、前記第２の電極と前記発光素子表面の電極とを電気的に接続する接続手段と、前記発光素子の周りに形成された第１の流れ止め防止手段と、前記第１の流れ止め防止手段で囲まれた領域に凸状に形成された光透過樹脂とを有し、
前記第１の電極および／または前記第２の電極上には、前記Ｃｕよりもロウ材の濡れ性が悪く、且つ光反射に優れた金属被膜が被覆され、
前記第１の流れ止め手段が設けられる前記第１の電極および／または前記第２の電極に対応する前記金属被膜が取り除かれ、この領域にロウ材が形成される事を特徴とした混成集積回路装置。
前記第１の電極は、実質的に前記第２の電極を囲むように円状に形成され、前記ロウ材は、前記第１の電極上で、実質円状に形成される請求項３に記載の混成集積回路装置。
前記第１の電極は、実質的に前記第２の電極を囲むように円状に形成され、前記ロウ材が形成される領域は、前記第１の電極の中で実質アイランド状に形成される請求項３に記載の混成集積回路装置
前記金属被膜は、Ｎｉから成る請求項３、請求項４または請求項５に記載の混成集積回路装置。
前記発光素子は、前記混成集積回路基板上に複数個直列接続で形成される請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５または請求項６に記載の混成集積回路装置。